本實(shí)用新型涉及N型電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及N型雙面電池。

背景技術(shù)：

N型硅材料具有以下的優(yōu)點(diǎn)：

（1） N型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子空穴的捕獲能力低于P型材料中的雜質(zhì)對(duì)少子電子的捕獲能力。相同電阻率的N型硅片的少子壽命比P型硅片的高，達(dá)到毫秒級(jí)。

（2）N型硅片對(duì)金屬污雜的容忍度要高于P型硅片，F(xiàn)e 、Cr、 Co、W、 Cu、 Ni等金屬對(duì)P型硅片的影響均比N型硅片大。

（3） N型硅電池組件在弱光下表現(xiàn)出比常規(guī)P型硅組件更優(yōu)異的發(fā)電特性。

但是其在使用時(shí)，金屬區(qū)域和摻雜區(qū)域存在著嚴(yán)重的復(fù)合，降低電池的發(fā)電能力。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種N型雙面電池，解決了現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題。在N型雙面電池中制約效率的主要因素是金屬區(qū)域和摻雜區(qū)域帶來的復(fù)合，本實(shí)用新型采用在金屬區(qū)域下增加摻雜濃度和減少接觸面積來降低金屬區(qū)域的復(fù)合，減少摻雜區(qū)域的面積來減少摻雜區(qū)域的復(fù)合。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：N型雙面電池，包括N型基體，N型基體，一側(cè)依次設(shè)置有的重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域、輕摻雜發(fā)射極區(qū)域、正面鈍化減反膜、正面電極，另一側(cè)依次設(shè)置有背面鈍化減反膜和背面電極，并且背面電極與N型基體連接的位置處設(shè)有局部摻雜背表面場(chǎng)；其中：

正面電極穿過正面鈍化減反膜與重?fù)诫s發(fā)射極形成歐姆接觸；背面電極穿過背面鈍化減反膜與局部摻雜背表面場(chǎng)形成歐姆接觸。

進(jìn)一步地，局部摻雜背表面場(chǎng)由若干個(gè)直線形或線段形或者圓形或不規(guī)則形背表面場(chǎng)單元排列而成，背表面場(chǎng)單元上形成局部接觸電極后，由若干連接?xùn)啪€連接，若干連接?xùn)啪€之間再通過若干主柵線連接匯流；并且連接?xùn)啪€和主柵線均不與局部摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。

進(jìn)一步地，局部接觸電極為直線或線段時(shí)，寬度為10-100μm；為圓形時(shí)，直徑為30-100μm；連接?xùn)啪€寬度為20μm-100μm，主柵線寬度為0.5mm-1.5mm。

進(jìn)一步地，局部摻雜背表面場(chǎng)的直線或線段寬度為80微米-600微米，圓點(diǎn)直徑為200微米-600微米，背面局部摻雜區(qū)域占電池背面面積的4%-30%。

進(jìn)一步地，局部摻雜背表面場(chǎng)的方阻為10-70ohm/sq。

進(jìn)一步地，重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域由若干個(gè)直線形或線段形或者圓形發(fā)射極單元排列而成，每一個(gè)發(fā)射單元的寬度或者直徑為微米80-300微米，重?fù)诫s區(qū)域的面積占正表面面積的4%-30%。

進(jìn)一步地，重?fù)诫s發(fā)射極單元上形成局部接觸電極后，若干局部接觸電極之間通過若干連接?xùn)啪€連接，若干連接?xùn)啪€之間通過一系列主柵線匯流，并且連接?xùn)啪€、主柵線不與重?fù)诫s發(fā)射極和輕摻雜發(fā)射極形成歐姆接觸。

進(jìn)一步地，重?fù)诫s發(fā)射極上局部接觸電極為直線形或線段形時(shí)，其寬度為10-100μm；圓形時(shí)，直徑為30-100μm；連接?xùn)啪€寬度為20μm-100μm，主柵線寬度為0.5mm-1.5mm。

進(jìn)一步地，輕摻雜發(fā)射極的方阻為90-250ohm/sq。

進(jìn)一步地，重?fù)诫s發(fā)射極的方阻為10-50ohm/sq。

進(jìn)一步地，正面鈍化減反膜為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。

進(jìn)一步地，背面鈍化減反膜為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的 一種N型雙面電池。本實(shí)用新型采用在金屬區(qū)域下增加摻雜濃度和減少接觸面積來降低金屬區(qū)域的復(fù)合，金屬區(qū)域的復(fù)合與表面摻雜濃度成反比,與接觸面積成正比。摻雜區(qū)域的表面復(fù)合速率要高于未摻雜區(qū)域，減少摻雜區(qū)域降低摻雜區(qū)域的復(fù)合，從而大大減少了電池的復(fù)合，最終提高電池的發(fā)電效率。

附圖說明

圖1為N型雙面電池側(cè)面的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域的發(fā)射單元為直線形的實(shí)施例的正面結(jié)構(gòu)圖；

圖3為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域的發(fā)射單元為線段形的正面結(jié)構(gòu)圖；

圖4為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域的發(fā)射單元為圓形的正面結(jié)構(gòu)圖；

圖5為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)單元為直線型形的結(jié)構(gòu)圖；

圖6為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)單元為線段形的結(jié)構(gòu)圖；

圖7為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)單元為圓形的結(jié)構(gòu)圖；

圖8為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極單元為直線形的正面結(jié)構(gòu)金屬化示意圖；

圖9為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極單元為線段形的正面結(jié)構(gòu)金屬化示意圖；

圖10為N型雙面電池的重?fù)诫s發(fā)射極單元為圓形的正面結(jié)構(gòu)金屬化示意圖；

圖11為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)為直線形的背表面金屬化結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)為線段形的背表面金屬化結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為N型雙面電池的局部背表面場(chǎng)為圓形的背表面金屬化結(jié)構(gòu)示意圖；

其中：1-N型基體，2-重?fù)诫s發(fā)射極，21-發(fā)射極單元；3-輕摻雜發(fā)射極，4-正面鈍化減反膜，5-正面電極，6-局部摻雜背表面場(chǎng)，61-局部摻雜背表面場(chǎng)單元；7-背面鈍化減反膜，8-背面電極，9-主柵線，10-連接?xùn)啪€,11-局部接觸電極。

具體實(shí)施方式

為了加深對(duì)本實(shí)用新型的理解，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明，該實(shí)施例僅用于解釋本實(shí)用新型，并不對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍構(gòu)成限定。

實(shí)施例1

如圖1所示， N型雙面電池，包括N型基體1，N型基體1，一側(cè)依次設(shè)置有的重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域2、輕摻雜發(fā)射極區(qū)域3、正面鈍化減反膜4、正面電極5，另一側(cè)依次設(shè)置有背面鈍化減反膜7和背面電極8，并且背面電極8與N型基體１連接的位置處設(shè)有局部摻雜背表面場(chǎng)6；其中：正面電極5穿過正面鈍化減反膜4與重?fù)诫s發(fā)射電極2形成歐姆接觸；背面電極8穿過背面鈍化減反膜7與局部摻雜背表面場(chǎng)6形成歐姆接觸；

在上述實(shí)施例中，局部摻雜背表面場(chǎng)6由若干個(gè)直線形或線段形或者圓形或不規(guī)則形背表面場(chǎng)單元61排列而成，背表面場(chǎng)單元61上形成局部接觸電極后，由若干連接?xùn)啪€10連接，若干連接?xùn)啪€10之間再通過若干主柵線9連接匯流；并且連接?xùn)啪€和主柵線均不與背面局部摻雜區(qū)域形成歐姆接觸。

在上述實(shí)施例中，局部接觸電極11為直線或線段時(shí)，寬度為10-100μm；為圓形時(shí)，直徑為30-100μm；連接?xùn)啪€寬度為20μm-100μm，主柵線寬度為0.5mm-1.5mm。局部摻雜背表面場(chǎng)6為直線或線段時(shí)寬度為80微米-600微米，為圓點(diǎn)時(shí)直徑為200微米-600微米，背面局部摻雜區(qū)域占電池背面面積的4%-30%。局部摻雜背表面場(chǎng)的6方阻為10-70ohm/sq。

在上述實(shí)施例中，參見圖2、圖3和圖4，重?fù)诫s發(fā)射極2由若干個(gè)直線形或線段形或者圓形發(fā)射單元21排列而成，每一個(gè)發(fā)射單元21的寬度或者直徑為80微米-300微米，整體布置占正表面面積的4%-30%。如圖8、圖9和圖10所述，重?fù)诫s發(fā)射電極2的排列發(fā)射單元21上形成局部接觸電極11，若干局部接觸電極11之間通過若干連接?xùn)啪€10連接，若干連接?xùn)啪€10之間通過一系列主柵線9匯流，并且連接?xùn)啪€10、主柵線9不與重?fù)诫s發(fā)射極2和輕摻雜發(fā)射極3形成歐姆接觸。 重?fù)诫s發(fā)射極單元21上的局部接觸電極11為直線形或線段形時(shí)，其寬度為10-100μm；圓形時(shí)，直徑為30-100μm；連接?xùn)啪€10寬度為20μm-100μm，主柵線9寬度為0.5mm-1.5mm。輕摻雜發(fā)射電極3的方阻為90-250ohm/sq。重?fù)诫s發(fā)射電極2的方阻為10-50ohm/sq。

此外，正面鈍化減反膜4為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。背面鈍化減反膜7為SiNx、SiO₂、TiO₂、 Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一種或者多種，并且其厚度為50-90nm。

加工上述的N型雙面電池的方法，包括N型基體的輕摻雜發(fā)射極采用BBr3高溫?cái)U(kuò)散、APCVD法沉積BSG退火、離子注入硼源退火、絲網(wǎng)印刷含硼漿料高溫退火工藝中的其中一種形成。進(jìn)一步，N型基體的重?fù)诫s發(fā)射極采用絲網(wǎng)印刷阻擋漿料刻蝕工藝、通過BSG的激光摻雜、絲網(wǎng)印刷含硼漿料高溫退火、離子注入硼源退火工藝中的其中一種形成。N型基體的局部摻雜背表面場(chǎng)采用高溫?cái)U(kuò)散或者APCVD沉積PSG，離子注入磷源高溫退火，絲網(wǎng)印刷含磷漿料高溫退火工藝中的其中一種形成。

在上述實(shí)施例中，正面電極和背面電極采用絲網(wǎng)印刷，電鍍，化學(xué)鍍，噴墨打印，物理氣相沉積金屬層形成，其中金屬為Ni、Cu、Ag、Ti、Pd、Cr數(shù)種的組合。連接?xùn)啪€和主柵線采用絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、導(dǎo)電膠粘接或者金屬線焊接而成；其中：連接?xùn)啪€和主柵線為Ag, 表面包覆In、Sn、Pb的Cu帶或者含有金屬顆粒的有機(jī)物。

實(shí)施例2

如圖2、圖5、圖8、圖11所示，N型基體，正表面BBr₃高溫?cái)U(kuò)散形成輕摻雜發(fā)射極，方阻150ohm/sq, 通過激光摻雜形成重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域，方阻為30ohm/sq, 為直線，寬度為200微米，占正表面面積10%，其上高溫氧化生成10nm SiO₂薄膜，并沉積65nmSiNx薄膜，采用PVD沉積Ti，Pd，Ag金屬層，寬度為60μm，低溫?zé)Y(jié)后與重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域形成歐姆接觸，采用1.5mm寬導(dǎo)電膠帶將連接?xùn)啪€連接。背表面離子注入形成局部背表面場(chǎng)，方阻為30ohm/sq，寬度為300微米，占背表面面積15%，背面高溫生長(zhǎng)10nmSiO₂薄膜，并沉積65nmSiNx薄膜，采用PVD沉積Ti，Pd，Ag金屬層，寬度為60μm，低溫?zé)Y(jié)后與局部摻雜背表面場(chǎng)形成歐姆接觸，采用1.5mm寬導(dǎo)電膠帶將連接?xùn)啪€連接。

實(shí)施例3

如圖3、圖6、 圖9、圖12所示，N型基體，正表面采用離子注入高溫退火工藝形成發(fā)射極，輕摻雜區(qū)域方阻120 ohm/sq，重?fù)诫s區(qū)域方阻40 ohm/sq, 為線段，寬度為200微米，每段長(zhǎng)度為1mm,橫向間距為1.2mm縱向間距為1.6mm。其上沉積10nm Al₂O₃薄膜， 60nmSiNx薄膜，采用絲網(wǎng)印刷印刷AgAl局部接觸電極，寬度為60μm，每段長(zhǎng)度為0.8mm, 燒結(jié)后與重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域形成歐姆接觸，印刷Ag連接細(xì)柵和連接主柵將局部接觸電極連接。背表面采用絲網(wǎng)印刷含磷漿料退火形成局部背表面場(chǎng)，為線段，寬度為200微米，每段長(zhǎng)度為1mm,橫向間距為1.5mm縱向間距為1.2mm，方阻為50ohm/sq，背面沉積75nmSiNx薄膜，采用絲網(wǎng)印刷印刷局部Ag電極燒結(jié)后與背表面場(chǎng)形成歐姆接觸，印刷Ag連接細(xì)柵和連接主柵將局部接觸電極連接。

實(shí)施例4

如圖4、圖7、圖10、圖13所示，N型基體，正表面采用APCVD法沉積BSG高溫退火形成重?fù)桨l(fā)射極，方阻40 ohm/sq,采用絲網(wǎng)印刷阻擋漿料腐蝕的方法形成輕摻雜區(qū)域，方阻120 ohm/sq，重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域?yàn)閳A形，直徑為200微米，每個(gè)點(diǎn)橫向間距為1.6mm，縱向間距為1.6mm。其上沉積10nm Al₂O₃薄膜， 60nmSiNx薄膜，采用電鍍Ni, Cu, Ag金屬層，直徑為100μm,低溫?zé)Y(jié)后與重?fù)诫s發(fā)射極區(qū)域形成歐姆接觸，采用Sn包覆的Cu線，直徑200μm，作為連接?xùn)啪€，寬度1mm的導(dǎo)電膠作為連接主柵將導(dǎo)電層連接起來。背表面采用絲網(wǎng)印刷含磷漿料高溫退火形成局部背表面場(chǎng)，方阻為60ohm/sq，為圓形，直徑為200微米，每個(gè)點(diǎn)橫向間距為1.6mm，縱向間距為1.6mm。其上沉積75nmSiNx薄膜，采用電鍍Ni, Cu, Ag金屬層，直徑為80μm，低溫?zé)Y(jié)后與背表面場(chǎng)形成歐姆接觸。采用Sn包覆的Cu線，直徑200μm，作為連接?xùn)啪€，寬度1mm的導(dǎo)電膠作為連接主柵將導(dǎo)電層連接起來。

本實(shí)用新型的實(shí)施例公布的是較佳的實(shí)施例，但并不局限于此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，極易根據(jù)上述實(shí)施例，領(lǐng)會(huì)本實(shí)用新型的精神，并做出不同的引申和變化，但只要不脫離本實(shí)用新型的精神，都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。