技術(shù)編號：11290479
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。以下的說明涉及集成電路器件(“IC”)。更具體地，以下的說明涉及用于IC的包括MuGFET的壓控振蕩器。背景技術(shù)集成電路隨著時間推移已變得越來越“密集”，即，在給定尺寸的IC中實施了更多的邏輯結(jié)構(gòu)。密度的這種增加導(dǎo)致了諸如多柵極場效應(yīng)晶體管(“MuGFET”)那樣的多柵極器件的開發(fā)。MuGFET的一種形式是多獨立柵極場效應(yīng)晶體管(“MIGFET”)。MuGFET的形式可以是平面的或非平面的。例如，平面雙柵極晶體管和Flexfet是平面形式的MuGFET，而FinFET以及三柵極或3D晶體管是非平...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。