技術(shù)編號(hào):11289524
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。具有集成無(wú)源組件的開(kāi)關(guān)式功率級(jí)背景技術(shù)各種移動(dòng)裝置中所使用的系統(tǒng)單芯片(SoC)中的電力分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)通常包含經(jīng)由微凸塊或銅柱連接到封裝襯底的芯片上金屬化物層。微凸塊可通過(guò)封裝內(nèi)的導(dǎo)通體及一或多個(gè)重分布層(RDL)而連接到封裝的球,其中封裝的球耦合到印刷電路板(PCB)。此通常導(dǎo)致顯著寄生電感,所述顯著寄生電感變成對(duì)移動(dòng)裝置的性能的顯著限制因素,這是因?yàn)檩^高頻率及較高電流由于負(fù)載電流的快速改變而產(chǎn)生也稱為下降的局部瞬態(tài)效應(yīng)。為了克服此困難,提出嵌入式電壓調(diào)節(jié)器(eVR)及各種瞬態(tài)控制電路。出...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。