技術(shù)編號：10494533
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。摻雜劑擴(kuò)散可以與FinFET結(jié)工程關(guān)聯(lián)地使用。例如，摻雜劑擴(kuò)散用于擴(kuò)展重疊(extens1n over lap)形成。可能遇到與間隔件(spacer)摻雜和所得到的結(jié)梯度有關(guān)的問題。可能難以提供或獲得在一個或多個鰭片與柵極之間的區(qū)域中的摻雜(潛在地與間隔件或絕緣體有關(guān))。傳統(tǒng)地，使用注入劑來實現(xiàn)摻雜。然而，注入劑可能引起對鰭片的損壞，這導(dǎo)致關(guān)于電阻的不期望增大。發(fā)明內(nèi)容—些實施例針對一種用于制備半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括形成包括柵極、間隔件和至少一個鰭片...
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