技術(shù)編號：10471874
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于增大半導(dǎo)體器件的集成密度的一種技術(shù)是使用多柵極晶體管，在其中鰭形半導(dǎo)體主體形成在襯底上并且柵極形成在半導(dǎo)體主體的表面上。由于這種多柵極晶體管利用三維溝道，因此它們可更容易標定。多柵極晶體管也可在不增大晶體管的柵極長度的情況下表現(xiàn)出改進的電流控制能力。多柵極晶體管也可減小或消除其中溝道區(qū)電位受漏極電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明構(gòu)思的各方面提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其可通過調(diào)整鰭形場效應(yīng)晶體管(FINFET)的溝道形狀而增強寬度效應(yīng)，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。