制造具有鰭形圖案的半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。所述方法包括以下步驟：在襯底上形成包括上部和下部的第一鰭形圖案；通過去除第一鰭形圖案的上部的一部分形成第二鰭形圖案；在第二鰭形圖案上形成與第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極；以及在形成虛設(shè)柵電極之后通過去除第二鰭形圖案的上部的一部分形成第三鰭形圖案，其中，第二鰭形圖案的上部的寬度小于第一鰭形圖案的上部的寬度并且大于第三鰭形圖案的上部的寬度。
【專利說明】制造具有鰭形圖案的半導(dǎo)體器件的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2015年I月27日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請N0.10-2015-0012630的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明構(gòu)思涉及用于制造半導(dǎo)體器件的方法，并且更具體地說，涉及用于制造調(diào)整鰭形場效應(yīng)晶體管(FINFET)的溝道形狀的半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]用于增大半導(dǎo)體器件的集成密度的一種技術(shù)是使用多柵極晶體管，在其中鰭形半導(dǎo)體主體形成在襯底上并且柵極形成在半導(dǎo)體主體的表面上。由于這種多柵極晶體管利用三維溝道，因此它們可更容易標(biāo)定。多柵極晶體管也可在不增大晶體管的柵極長度的情況下表現(xiàn)出改進(jìn)的電流控制能力。多柵極晶體管也可減小或消除其中溝道區(qū)電位受漏極電壓影響的短溝道效應(yīng)(SCE)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明構(gòu)思的各方面提供了用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其可通過調(diào)整鰭形場效應(yīng)晶體管(FINFET)的溝道形狀而增強(qiáng)寬度效應(yīng)，來表現(xiàn)出改進(jìn)的性能。
[0006]本發(fā)明構(gòu)思的各方面不限于上述方面，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將通過以下描述清楚地理解未述及的其它方面。
[0007]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟:在襯底上形成包括上部和下部的第一鰭形圖案;通過去除第一鰭形圖案的上部的一部分形成第二鰭形圖案；在第二鰭形圖案上形成與第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極；以及在形成虛設(shè)柵電極之后通過去除第二鰭形圖案的上部的一部分形成第三鰭形圖案，其中，第二鰭形圖案的上部在襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于第一鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度，并且大于第三鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度。
[0008]在一些實(shí)施例中，形成第二鰭形圖案的步驟包括:沿著第一鰭形圖案的上部的輪廓形成第一氧化膜，并隨后去除第一氧化膜。
[0009]在一些實(shí)施例中，形成第一氧化膜的步驟包括:氧化第一鰭形圖案的上部的一部分。
[0010]在一些實(shí)施例中，形成第三鰭形圖案的步驟包括:在形成虛設(shè)柵電極之前，沿著第二鰭形圖案的上部的輪廓形成第二氧化膜;以及在形成虛設(shè)柵電極之后，去除第二氧化膜。
[0011]在一些實(shí)施例中，形成第二氧化膜的步驟包括:氧化第二鰭形圖案的上部的一部分。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:通過氧化第三鰭形圖案的上部的一部分，沿著第三鰭形圖案的上部的輪廓形成第三氧化膜。
[0013]在一些實(shí)施例中，第一鰭形圖案包括側(cè)壁、上表面以及側(cè)壁與上表面在其處相接的拐角部。所述方法還可包括步驟:在形成第二鰭形圖案之前，通過蝕刻第一鰭形圖案來磨圓拐角部。
[0014]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在磨圓拐角部之前在襯底上形成場絕緣膜。第一鰭形圖案的上部突出于場絕緣膜的上表面之上。
[0015]在一些實(shí)施例中，形成第一鰭形圖案的步驟包括:在襯底上形成包括上部和下部的第四鰭形圖案;形成場絕緣膜，其直接接觸第四鰭形圖案的下部并且不直接接觸第四鰭形圖案的上部；以及在形成場絕緣膜之后去除第四鰭形圖案的上部的一部分。
[0016]在一些實(shí)施例中，形成第一鰭形圖案的步驟包括:沿著第四鰭形圖案的上部的輪廓形成氧化膜，以及去除所述氧化膜。
[0017]在一些實(shí)施例中，第一鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度小于第四鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度。
[0018]在一些實(shí)施例中，第四鰭形圖案包括側(cè)壁、上表面以及側(cè)壁與上表面在其處相接的拐角部。所述方法還可包括:在形成第一鰭形圖案之前，通過蝕刻第四鰭形圖案來磨圓拐角部。
[0019]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在第三鰭形圖案上形成與第三鰭形圖案交叉的柵電極。所述柵電極的形成包括步驟:通過去除虛設(shè)柵電極而形成溝槽；以及在形成第三鰭形圖案之后，在溝槽中形成導(dǎo)電材料。
[0020]在一些實(shí)施例中，第一鰭形圖案的形成包括步驟:在襯底上形成場絕緣膜，所述場絕緣膜直接接觸第一鰭形圖案的下部并且不直接接觸第一鰭形圖案的上部。
[0021]在一些實(shí)施例中，第二鰭形圖案的形成包括修改第一鰭形圖案的側(cè)壁的輪廓以形成第二鰭形圖案的步驟，并且第三鰭形圖案的形成包括修改第二鰭形圖案的側(cè)壁的輪廓以形成第三鰭形圖案的步驟。
[0022]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:通過蝕刻虛設(shè)柵電極的兩側(cè)而在第二鰭形圖案中形成凹進(jìn)，并隨后在形成第三鰭形圖案之前在各個(gè)凹進(jìn)中形成源極/漏極。
[0023]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟:形成第一鰭形圖案，其包括突出于場絕緣膜的上表面之上的上部和被所述場絕緣膜包圍的下部;對第一鰭形圖案的上表面與側(cè)壁在其處相接的第一鰭形圖案的拐角部進(jìn)行蝕刻，以磨圓第一鰭形圖案的拐角部;通過修改包括圓形拐角部的第一鰭形圖案的側(cè)壁的輪廓而形成第二鰭形圖案;在第二鰭形圖案上形成與第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極；以及通過修改與虛設(shè)柵電極豎直地重疊的第二鰭形圖案的側(cè)壁的輪廓而形成第三鰭形圖案。
[0024]在一些實(shí)施例中，形成第二鰭形圖案的步驟包括:通過氧化第一鰭形圖案的上部的一部分，沿著包括圓形拐角部的第一鰭形圖案的上部的輪廓形成第一氧化膜；以及去除第一氧化膜。
[0025]在一些實(shí)施例中，形成第三鰭形圖案的步驟包括:在形成虛設(shè)柵電極之前，通過氧化第二鰭形圖案的上部的一部分，沿著第二鰭形圖案的上部的輪廓形成第二氧化膜；以及在形成虛設(shè)柵電極之后去除第二氧化膜的至少一部分，以形成第三鰭形圖案。
[0026]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在去除第二氧化膜的至少一部分之前，通過去除虛設(shè)柵電極而形成暴露出第二氧化膜的該部分的溝槽。
[0027]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:沿著通過溝槽暴露的第三鰭形圖案的輪廓形成第三氧化膜；以及在第三氧化膜上的溝槽中形成柵電極。
[0028]在一些實(shí)施例中，第二鰭形圖案的上部在襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于第一鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度，并且大于第三鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度。
[0029]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟:在襯底上形成具有上部和下部的第一鰭形圖案;通過氧化第一鰭形圖案的一部分，沿著第一鰭形圖案的輪廓形成第一氧化膜;通過去除第一氧化膜形成第二鰭形圖案;通過氧化第二鰭形圖案的一部分，沿著第二鰭形圖案的輪廓形成第二氧化膜；以及在第二氧化膜上形成與第二鰭形圖案交叉的第一柵電極。
[0030]在一些實(shí)施例中，形成第一鰭形圖案的步驟包括:在襯底上形成場絕緣膜，所述場絕緣膜直接接觸第一鰭形圖案的下部并且不直接接觸第一鰭形圖案的上部。
[0031]在一些實(shí)施例中，沿著第一鰭形圖案的上部的輪廓形成第一氧化膜，并且沿著第二鰭形圖案的上部的輪廓形成第二氧化膜。
[0032]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在形成第一氧化膜之前，對第一鰭形圖案的上表面與側(cè)壁在其處相接的第一鰭形圖案的拐角部進(jìn)行蝕刻，以磨圓第一鰭形圖案的拐角部。
[0033]在一些實(shí)施例中，形成第一鰭形圖案的步驟包括:在襯底上形成具有上部和下部的第四鰭形圖案;形成場絕緣膜，其直接接觸第四鰭形圖案的下部并且不直接接觸第四鰭形圖案的上部;在形成場絕緣膜之后，通過氧化第四鰭形圖案的一部分，沿著第四鰭形圖案的輪廓形成第四氧化膜;以及去除第四氧化膜。
[0034]在一些實(shí)施例中，沿著第四鰭形圖案的上部的輪廓形成第四氧化膜。
[0035]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在形成第四氧化膜之前，對第四鰭形圖案的上表面與側(cè)壁在其處相接的拐角部進(jìn)行蝕刻，以磨圓第四鰭形圖案的拐角部。
[0036]在一些實(shí)施例中，第一鰭形圖案的上部在襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于第四鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度并且大于第二鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度。
[0037]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:通過去除第一柵電極而形成暴露出第二氧化膜的溝槽;以及形成填充溝槽的導(dǎo)電材料。
[0038]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:通過去除由溝槽暴露的第二氧化膜而形成第三鰭形圖案；以及沿著由溝槽暴露的第三鰭形圖案的輪廓形成第三氧化膜。
[0039]在一些實(shí)施例中，形成第三氧化膜包括步驟:氧化第三鰭形圖案的一部分。
[0040]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟:在襯底上的第一區(qū)中形成包括上部和下部的第一鰭形圖案，并且在襯底上的第二區(qū)中形成包括上部和下部的第二鰭形圖案;通過去除第一鰭形圖案的上部的一部分形成第三鰭形圖案;通過去除第二鰭形圖案的上部的一部分形成第四鰭形圖案;通過氧化第三鰭形圖案的上部的一部分，沿著第三鰭形圖案的輪廓形成第一氧化膜;通過氧化第四鰭形圖案的上部的一部分，沿著第四鰭形圖案的輪廓形成第二氧化膜;在襯底的第一區(qū)上形成掩模圖案，所述掩模圖案覆蓋其上具有第一氧化膜的第三鰭形圖案;通過去除第二氧化膜形成第五鰭形圖案;通過氧化第五鰭形圖案的上部的一部分，沿著第五鰭形圖案的輪廓形成第三氧化膜;去除掩模圖案，并且隨后形成與第一氧化膜上的第三鰭形圖案交叉的第一虛設(shè)柵電極以及形成與第三氧化膜上的第五鰭形圖案交叉的第二虛設(shè)柵電極；以及在形成第一虛設(shè)柵電極和第二虛設(shè)柵電極之后，通過去除第一氧化膜的至少一部分形成第六鰭形圖案并且通過去除第三氧化膜的至少一部分形成第七鰭形圖案。
[0041]在一些實(shí)施例中，形成第三鰭形圖案的步驟包括:沿著第一鰭形圖案的上部的輪廓形成第四氧化膜；以及隨后去除第四氧化膜，并且其中，形成第四鰭形圖案的步驟包括:沿著第二鰭形圖案的上部的輪廓形成第五氧化膜；以及隨后去除第五氧化膜。
[0042]在一些實(shí)施例中，第一鰭形圖案包括側(cè)壁、上表面以及第一鰭形圖案的側(cè)壁與上表面在其處相接的拐角部，并且第二鰭形圖案包括側(cè)壁、上表面以及第二鰭形圖案的側(cè)壁與上表面在其處相接的拐角部。所述方法還可包括步驟:在形成第三鰭形圖案和第四鰭形圖案之前，磨圓第一鰭形圖案的拐角部和第二鰭形圖案的拐角部。
[0043]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:在磨圓第一鰭形圖案的拐角部和第二鰭形圖案的拐角部之前，在襯底上形成場絕緣膜。第一鰭形圖案的上部和第二鰭形圖案的上部突出于場絕緣膜的上表面之上。
[0044]在一些實(shí)施例中，形成第六鰭形圖案和第七鰭形圖案的步驟包括:通過去除第一虛設(shè)柵電極和第二虛設(shè)柵電極，形成暴露出第一氧化膜和第三氧化膜中的每一個(gè)的第一溝槽和第二溝槽;以及去除分別通過第一溝槽和第二溝槽暴露的第一氧化膜和第三氧化膜。
[0045]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:分別沿著第六鰭形圖案的上部的輪廓和第七鰭形圖案的上部的輪廓形成第四氧化膜和第五氧化膜；以及形成填充第四氧化膜上的第一溝槽的第一柵電極和填充第五氧化膜上的第二溝槽的第二柵電極。
[0046]根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟:在襯底上形成第一鰭形圖案和場絕緣膜，所述場絕緣膜覆蓋第一鰭形圖案的下部和突出于場絕緣膜之上的第一鰭形圖案的上部;將第一鰭形圖案的上部的外部部分轉(zhuǎn)換為第一氧化膜;通過去除第一氧化膜形成第二鰭形圖案;將通過場絕緣膜暴露的第二鰭形圖案的上部的外部部分轉(zhuǎn)換為第二氧化膜；以及通過去除第二氧化膜的至少一部分形成第三鰭形圖案。第二鰭形圖案的上部在襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于第一鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度并且大于第三鰭形圖案的上部在第一高度處的寬度，并且第二鰭形圖案的位于襯底的上表面上方的第二高度小于第一鰭形圖案的位于襯底的上表面上方的第一高度，并且大于第三鰭形圖案的位于襯底的上表面上方的第三高度。
[0047]在一些實(shí)施例中，第三鰭形圖案可在第一方向上延伸，并且所述方法還可包括步驟:在襯底上形成在與第一方向交叉的第二方向上延伸的電極結(jié)構(gòu)。
[0048]在一些實(shí)施例中，第三鰭形圖案的下部的寬度可大于第三鰭形圖案的上部的寬度，并且可等于第二鰭形圖案的下部的寬度。
[0049]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括步驟:形成與第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極，以及隨后在虛設(shè)柵電極的側(cè)壁和第二氧化膜上形成間隔件。在所述實(shí)施例中，去除第二氧化膜的至少一部分的步驟可包括:去除第二氧化膜的通過間隔件暴露的那部分。
[0050]在一些實(shí)施例中，所述方法還可包括磨圓第一鰭形圖案至第三鰭形圖案中的至少一個(gè)的拐角部。
【附圖說明】
[0051]通過以下參照附圖對本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明構(gòu)思的以上和其它方面和特征將變得更加清楚，其中:
[0052]圖1A至圖14C是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的中間階段示圖；
[0053]圖15至圖17B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的中間階段示圖；
[0054]圖18至圖30是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的中間階段示圖；
[0055]圖31是包括利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡的框圖；
[0056]圖32是包括利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖；以及
[0057]圖33是包括利用根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體器件的電子裝置的框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0058]現(xiàn)在，將參照其中示出了本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的附圖在下文中更加全面地描述本發(fā)明構(gòu)思。然而，本發(fā)明構(gòu)思可按照許多不同形式實(shí)現(xiàn)，并且不應(yīng)理解為限于本文闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明構(gòu)思的范圍。相同的附圖標(biāo)記在說明書和附圖中始終指示相同的元件。在附圖中，為了清楚起見，可夸大一些層和區(qū)的厚度。
[0059]應(yīng)該理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作“位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”或“親接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接位于所述另一元件或?qū)由?、連接至或耦接至所述另一元件或?qū)?，或者可存在中間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱作“直接位于”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印Ｈ绫疚乃?，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)之一或多個(gè)的任何和所有組合。
[0060]應(yīng)該理解，雖然本文中可使用術(shù)語第一、第二等來描述多個(gè)元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件與另一元件區(qū)分開。因此，例如，下面討論的第一元件或組件可被稱作第二元件或組件，而不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。
[0061]除非本文中另外指明或通過上下文清楚地相反定義，否則應(yīng)該理解，在描述本發(fā)明構(gòu)思的上下文(尤其是在權(quán)利要求的上下文)中使用的術(shù)語“一個(gè)”、“一”和“該”以及相似指示覆蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)兩種形式。應(yīng)該理解，除非另外指明，否則術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”、“含有”是開放性術(shù)語(即，意指“包括，但不限于”)。
[0062]除非另有說明，否則本文使用的所有科技術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一通常理解的含義相同的含義。應(yīng)該注意，除非另有說明，否則本文提供的示例或示例性術(shù)語中的任何和全部的使用僅旨在更好地說明本發(fā)明構(gòu)思，而不是限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
[0063]將參照圖1A至圖14C描述根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其示出了在用于制造半導(dǎo)體器件的方法中形成的中間結(jié)構(gòu)。
[0064]例如，圖1B是沿著圖1A的線A-A截取的剖視圖，并且圖3B是沿著圖3A的線A-A截取的剖視圖。圖SB是沿著圖8A的線A-A截取的剖視圖，并且圖9B是沿著圖9A的線B-B截取的剖視圖。圖1OB和圖11B分別是沿著圖1OA和圖11A的線B-B截取的剖視圖。圖12B和圖12C分別是沿著圖12A的線A-A和線B-B截取的剖視圖，并且圖13B和圖13C分別是沿著圖13A的線A-A和線B-B截取的剖視圖。圖14B和圖14C分別是沿著圖14A的線A-A和線B-B截取的剖視圖。
[0065]參照圖1A和圖1B，在第一方向Xl上延伸的第一掩模圖案2001形成在襯底100上。
[0066]例如，襯底100可為硅襯底、體硅或SOI (絕緣體上硅)ο在其它實(shí)施例中，例如，襯底100可包括諸如鍺的另一半導(dǎo)體，或者可為諸如I V-1V族化合物半導(dǎo)體或II1-V族化合物半導(dǎo)體的化合物半導(dǎo)體。襯底100也可為其中外延層形成在底部襯底上的元件。
[0067]以IV-1V族化合物半導(dǎo)體為例，襯底100可為包含碳(C)、硅(Si)、鍺(Ge)和錫(Sn)中的至少兩個(gè)或更多個(gè)的二元化合物或三元化合物，或者通過將這些化合物摻雜IV族元素而獲得的化合物。
[0068]以II1-V族化合物半導(dǎo)體為例，襯底100可為通過將作為III族元素的鋁(Al)、鎵(Ga)和銦(In)中的至少一個(gè)與作為V族元素的磷(P)、砷(As)和銻(Sb)之一結(jié)合而形成的二元化合物、三元化合物或四元化合物。
[0069]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法中，襯底100將被描述為是娃襯底。
[0070]例如，第一掩模圖案2001可包括二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、金屬膜、光致抗蝕劑、SOG(旋涂玻璃)或SOH(旋涂硬掩模)，但不限于這些材料。
[0071]參照圖2，可利用第一掩模圖案2001作為蝕刻掩模而蝕刻襯底100的一部分。通過對襯底100的未被第一掩模圖案2001覆蓋的部分進(jìn)行蝕刻，可在襯底100中形成一個(gè)或多個(gè)第一溝槽2101。
[0072]通過按照上述方式蝕刻襯底100，可在襯底100上形成第一鰭形圖案110。由于利用第一掩模圖案2001作為蝕刻掩模而形成第一鰭形圖案110，因此第一鰭形圖案110可像第一掩模圖案2001那樣在第一方向Xl上延伸。
[0073]第一掩模圖案2001可保留在對應(yīng)的第一鰭形圖案110上。
[0074]參照圖3A和圖3B，預(yù)備場絕緣膜105P形成在襯底上以填充第一溝槽2101。
[0075]例如，預(yù)備場絕緣膜105P可包括二氧化硅膜、氮化硅膜和氧氮化硅膜中的至少一個(gè)。例如，預(yù)備場絕緣膜105P可通過物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或它們的組合形成。
[0076]通過諸如(例如)化學(xué)機(jī)械拋光工藝的平坦化工藝，第一鰭形圖案110的上表面和預(yù)備場絕緣膜105P的上表面可位于相同平面上。可通過平坦化工藝去除第一掩模圖案2001，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。例如，在其它實(shí)施例中，可在形成預(yù)備場絕緣膜105P之前或者可在執(zhí)行下面參照圖4描述的凹進(jìn)處理之后去除第一掩模圖案2001。
[0077]參照圖4，可通過使預(yù)備場絕緣膜105P的上部凹進(jìn)以形成場絕緣膜105，來暴露出第一鰭形圖案110的上部。
[0078]凹進(jìn)處理可為選擇性的蝕刻工藝。通過去除預(yù)備場絕緣膜105P的一部分，第一鰭形圖案110可從場絕緣膜105的上表面向上突出。
[0079]各個(gè)第一鰭形圖案110可包括下部112和位于下部112上方的上部111。各個(gè)第一鰭形圖案的下部112可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。各個(gè)第一鰭形圖案的上部111可以不直接接觸場絕緣膜105。換句話說，各個(gè)第一鰭形圖案110的從場絕緣膜105的上表面向上突出的那部分包括各個(gè)第一鰭形圖案110的上部111。
[0080]還應(yīng)該理解，在其它實(shí)施例中，可通過與凹進(jìn)處理相反的外延處理形成第一鰭形圖案110的上部111。在所述實(shí)施例中，在形成圖3A和圖3B的預(yù)備場絕緣膜105P之后，利用第一鰭形圖案110的暴露的上表面作為晶種執(zhí)行外延處理，從而可形成從預(yù)備場絕緣膜105P的上表面向上突出的第一鰭形圖案110的上部111。在所述實(shí)施例中，預(yù)備場絕緣膜105P可具有平坦的上表面。
[0081]第一鰭形圖案110也可被摻雜以調(diào)整其形成的晶體管的閾電壓。在半導(dǎo)體器件是WOS鰭形晶體管的情況下，摻雜在第一鰭形圖案110中的雜質(zhì)離子可為硼(B)，并且就PMOS鰭形晶體管而言，摻雜在第一鰭形圖案中的雜質(zhì)離子可為磷(P)或砷(As)。
[0082]可在暴露出第一鰭形圖案110的上部111之后執(zhí)行為了調(diào)整閾電壓而進(jìn)行的摻雜步驟。
[0083]各個(gè)第一鰭形圖案110的突出于場絕緣膜105的上表面之上的上部111的高度可為2H。第一鰭形圖案110在上部111的高度的一半的位置點(diǎn)處的寬度可為W1。換句話說，在第一鰭形圖案110的最下部以上或襯底100的上表面以上的高度Hl處，圖3A中第一鰭形圖案110在第二方向Π上的寬度可為第一寬度Wl。
[0084]第一鰭形圖案110包括上表面110U、側(cè)壁IlOS以及上表面IlOU與側(cè)壁IlOS在其處相接的拐角部110C。在圖4中，第一鰭形圖案的拐角部IlOC可具有帶棱角的形狀。
[0085]參照圖5，第一鰭形圖案的拐角部11OC可通過蝕刻第一鰭形圖案110而被磨圓。也就是說，可蝕刻第一鰭形圖案的拐角部110C，以使其具有圓形形狀。
[0086]在第一鰭形圖案110的最下部以上的高度Hl處，具有圓形拐角部的第一鰭形圖案110的經(jīng)校正的第一寬度可為Wl I。
[0087]在圖4和圖5中，在第一鰭形圖案110的最下部以上的高度Hl處，已經(jīng)將拐角部磨圓之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl示為實(shí)質(zhì)上等于拐角部磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。
[0088]也就是說，理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖?，可在磨圓第一鰭形圖案的拐角部11OC的同時(shí)部分地蝕刻第一鰭形圖案的上部111。在這種情況下，拐角部磨圓之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl可大于拐角部110磨圓之后的第一鰭形圖案的寬度W11。
[0089]在隨后的討論中，在磨圓之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl與在磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll相同。
[0090]參照圖6，可沿著第一鰭形圖案110的輪廓形成第一氧化膜115。
[0091]可沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第一鰭形圖案110的上部111的輪廓形成第一氧化膜115。可沿著包括圓形拐角部的第一鰭形圖案的上部111的輪廓形成第一氧化膜 115。
[0092]可通過使具有圓形拐角部的第一鰭形圖案110的上部111氧化來形成第一氧化膜115。
[0093]例如，可利用化學(xué)氧化、紫外氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等形成第一氧化膜115。當(dāng)利用化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等形成第一氧化膜115時(shí)，可氧化第一鰭形圖案110的一部分。
[0094]例如，第一氧化膜115可形成為固化諸如可在第一鰭形圖案110的形成期間產(chǎn)生的第一鰭形圖案110的電荷捕獲部位的表面缺進(jìn)。
[0095]參照圖7，可通過去除第一氧化膜115來形成突出于場絕緣膜105的上表面之上的第二鰭形圖案120。
[0096]可利用蝕刻工藝等去除第一氧化膜115。例如，可利用化學(xué)氧化物去除法(COR)、Siconi或清除浮渣(descum)來去除第一氧化膜115 ο
[0097]第二鰭形圖案120可包括下部122和位于下部122上方的上部121。第二鰭形圖案120的下部122可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第二鰭形圖案120的上部121可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0098]當(dāng)在去除第一氧化膜115期間不考慮去除場絕緣膜105的一部分時(shí)，第二鰭形圖案120的下部122可與第一鰭形圖案110的下部112基本相同。
[0099]在第二鰭形圖案120的最下部以上的高度Hl處，第二鰭形圖案120的寬度可為第二寬度W2。第二鰭形圖案120的寬度W2可比在磨圓之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl和在磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll更窄。
[0100]換句話說，第二鰭形圖案120的上部121的寬度W2可比在磨圓之前的第一鰭形圖案110的上部111的寬度Wl和在磨圓之后的第一鰭形圖案110的上部111的寬度Wll更窄。
[0101]參照圖6和圖7，可通過去除第一鰭形圖案110的上部111的一部分來形成第二鰭形圖案120。
[0102]換句話說，在第一氧化膜115的形成和去除的過程中，第一鰭形圖案110的側(cè)壁I1S的輪廓改變。因此，可通過修改包括圓形拐角部的第一鰭形圖案的側(cè)壁I1S的輪廓而形成第二鰭形圖案120。
[0103]第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S可包括第一拐點(diǎn)120P。
[0104]參照圖8A和圖SB，可沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第二鰭形圖案120的上部121的輪廓形成第二氧化膜125。
[0105]可通過氧化第二鰭形圖案120的一部分而形成第二氧化膜125。例如，可通過氧化第二鰭形圖案120的上部121的一部分而形成第二氧化膜125。
[0106]例如，可利用化學(xué)氧化、紫外氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積或原子層沉積而形成第二氧化膜125。
[0107]接著，可形成第一虛設(shè)柵電極205。具體地說，可形成第一虛設(shè)柵電極層，并且可在第一虛設(shè)柵電極層上形成掩模圖案2002。隨后可利用掩模2002作為蝕刻掩模來蝕刻第一虛設(shè)柵電極層，以形成第一虛設(shè)柵電極205。第一虛設(shè)柵電極205可在第二方向Yl上延伸，以與第二鰭形圖案120交叉。
[0108]第一虛設(shè)柵電極205形成在第二鰭形圖案120上以及沿著第二鰭形圖案120的上部121的輪廓形成的第二氧化膜125上。
[0109]例如，第一虛設(shè)柵電極205可包括多晶硅、非晶硅等。例如，第二掩模圖案2002可包括二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅等。
[0110]在圖8A和圖8B中，將第二氧化膜125示為在第一虛設(shè)柵電極205的兩側(cè)暴露出來，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。例如，在其它實(shí)施例中，在用于形成第一虛設(shè)柵電極205的蝕刻工藝期間，可去除不與第一虛設(shè)柵電極205豎直地重疊的第二氧化膜125。這里，如果垂直于通過襯底的頂表面限定的平面的線同時(shí)對第一結(jié)構(gòu)和第二結(jié)構(gòu)二者進(jìn)行二等分，則形成在下層襯底上的第一結(jié)構(gòu)“與”形成在襯底上的第二結(jié)構(gòu)“豎直地重疊”。
[0111]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法中，將第一虛設(shè)柵電極205描述為置換柵電極，但其不限于此。
[0112]換句話說，理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖牵衫脤⒈挥米骶w管的柵電極而非虛設(shè)柵電極的材料形成柵電極。還應(yīng)該理解，高介電常數(shù)柵極絕緣膜可形成在第二氧化膜125與柵電極之間。
[0113]參照圖9A和圖9B，可在第一虛設(shè)柵電極205的側(cè)壁上形成第一柵極間隔件210。
[0114]在形成覆蓋第一虛設(shè)柵電極205和第二鰭形圖案120的絕緣膜之后，可通過蝕刻絕緣膜形成第一柵極間隔件210。例如，第一柵極間隔件210可包括氮化硅(SiN)、氧氮化硅(S1N)、二氧化硅(S12)、氧碳氮化硅(S1CN)或它們的組合中的至少一個(gè)。
[0115]接著，可通過去除第二鰭形圖案120的在第一虛設(shè)柵電極205的兩側(cè)暴露的那部分來在第二鰭形圖案120中形成凹進(jìn)155。通過場絕緣膜105暴露的第二鰭形圖案120的上表面可布置在與場絕緣膜105的上表面的平面相同的平面上，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。
[0116]參照圖1OA和圖10B，源極/漏極150可形成在位于第一虛設(shè)柵電極205的各個(gè)側(cè)面的第二鰭形圖案120上。
[0117]可通過填充凹進(jìn)155形成源極/漏極150?？赏ㄟ^外延處理形成源極/漏極150。例如，源極/漏極150可為提升的源極/漏極。
[0118]當(dāng)半導(dǎo)體器件是PMOS晶體管時(shí)，源極/漏極150可包括壓應(yīng)力材料。例如，壓應(yīng)力材料可為晶格常數(shù)大于Si的材料，并且可為例如SiGe。壓應(yīng)力材料可通過將壓應(yīng)力施加至第二鰭形圖案120 (因此施加至第三鰭形圖案130)來提高溝道區(qū)中的載流子的迀移率。
[0119]可替換地，當(dāng)半導(dǎo)體器件是NMOS晶體管時(shí)，源極/漏極150可包括張應(yīng)力材料。例如，當(dāng)?shù)诙捫螆D案120是硅時(shí)，源極/漏極150可為晶格常數(shù)小于硅的材料(例如，SiC)。例如，張應(yīng)力材料可通過將張應(yīng)力施加至第二鰭形圖案120(因此施加至第三鰭形圖案130)來提高溝道區(qū)中的載流子的迀移率。
[0120]在圖1OA中，雖然在第二方向Yl上彼此鄰近的各源極/漏極150示為彼此間隔開而非彼此接觸，但這僅是為了便于解釋，并且本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖?，在第二方向Π上彼此鄰近的各源極/漏極150可彼此接觸。
[0121]參照圖1lA和圖11B，形成蝕刻停止膜170以覆蓋源極/漏極150和第一虛設(shè)柵電極205。覆蓋源極/漏極150和第一虛設(shè)柵電極205的層間絕緣膜180可形成在蝕刻停止膜170上。
[0122]接著，可在層間絕緣膜180上執(zhí)行平面化操作，直到暴露出第一虛設(shè)柵電極205的上表面。可通過該平面化操作去除第二掩模圖案2002。
[0123]例如，蝕刻停止膜170可包括氮化硅(SiN)、氧氮化硅(S1N)、二氧化硅(S12)、氧碳氮化硅(S1CN)、碳氮化硅(SiCN)或它們的組合中的至少一個(gè)。
[0124]可通過例如物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)和/或它們的組合形成蝕刻停止膜170。
[0125]例如，層間絕緣膜180可包括二氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、TEOS(正硅酸乙酯)、FOX(可流動(dòng)氧化物)、T0SZ(Tonen SilaZen)、USG(未摻雜的二氧化硅玻璃)、BSG(硼硅玻璃)、PSG (磷硅玻璃)、BPSG (硼磷硅玻璃)、PETE0S (等離子體增強(qiáng)的正硅酸乙酯)或低介電常數(shù)材料中的一種。例如，低介電常數(shù)材料可包括FSG(氟硅酸鹽玻璃)、CDO(摻碳硅氧化物)、干凝膠、氣凝膠、非晶氟化碳、OSG (有機(jī)硅酸鹽玻璃)、帕利靈、BCB (雙苯并環(huán)丁烯)、SiLK、聚酰亞胺、多孔聚合物材料等。
[0126]例如，可通過物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、涂布或它們的組合形成層間絕緣膜180。
[0127]參照圖12A至圖12C，可通過去除第一虛設(shè)柵電極205形成在第二方向Yl上延伸的第二溝槽2102。
[0128]可通過第一柵極間隔件210的側(cè)壁限定第二溝槽2102的側(cè)表面。
[0129]隨著形成第二溝槽2102，場絕緣膜105被暴露出來，并且可暴露出沿著第二鰭形圖案120的上部121的輪廓形成的第二氧化膜125。
[0130]參照圖13A至圖13C，通過去除第二氧化膜125形成突出于場絕緣膜105的上表面之上的第三鰭形圖案130。
[0131]具體地說，通過去除通過第二溝槽2102暴露的第二氧化膜125的一部分而形成第三鰭形圖案130?？杀Ａ舻诙趸?25在第一柵極間隔件210下方的剩余部分。也就是說，第三鰭形圖案130可包括第二氧化膜125在第一柵極間隔件210下方的剩余部分。
[0132]例如，可利用蝕刻工藝等去除第二氧化膜125。例如，可利用化學(xué)氧化物去除法(COR)、Siconi或清除浮渣來去除第二氧化膜125，但是去除技術(shù)不限于此。
[0133]第三鰭形圖案130可包括下部132和位于下部132上方的上部131。第三鰭形圖案130的下部132可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第三鰭形圖案130的上部131可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0134]當(dāng)在去除第二氧化膜125期間不考慮場絕緣膜105的消失時(shí)，第三鰭形圖案130的下部132可與第二鰭形圖案120的下部122基本相同。
[0135]在第三鰭形圖案130的最下部以上的距離Hl處的第三鰭形圖案130的寬度可為第三寬度W3。第三鰭形圖案130的寬度W3可比第二鰭形圖案120的寬度W2更窄，并且可比在磨圓之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl和在磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll更窄。
[0136]換句話說，第三鰭形圖案130的上部131的寬度W3可比在磨圓之前的第一鰭形圖案110的上部111的寬度Wl、在磨圓之后的第一鰭形圖案110的上部111的寬度Wll以及第二鰭形圖案120的上部121的寬度W2更窄。
[0137]參照圖8A、圖8B和圖13A至圖13C，可通過去除第二鰭形圖案120的上部121的一部分形成第三鰭形圖案130。
[0138]換句話說，在形成和去除第二氧化膜125的過程中，第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S的輪廓改變。因此，可通過修改第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S的輪廓來形成第三鰭形圖案130?？赏ㄟ^修改與第一虛設(shè)柵電極205豎直地重疊的第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S的輪廓來形成第三鰭形圖案130。
[0139]第三鰭形圖案130的側(cè)壁130S可包括第二拐點(diǎn)130P。
[0140]參照圖14A至圖14C，第三氧化膜135可沿著通過第二溝槽2102暴露的第三鰭形圖案130的輪廓形成。第三氧化膜135可沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第三鰭形圖案130的上部131的輪廓而形成。
[0141]可通過使第三鰭形圖案130的暴露部分氧化而形成第三氧化膜135。例如，第三氧化膜135可通過氧化第三鰭形圖案130的上部131的一部分而形成。
[0142]例如，可通過化學(xué)氧化、UV氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等形成第三氧化膜135。
[0143]接著，可沿著第二溝槽2102的側(cè)壁和底表面形成第一高介電常數(shù)絕緣膜215?？裳刂鴪鼋^緣膜105以及第三鰭形圖案130突出于場絕緣膜105之上的那部分的輪廓而形成第一高介電常數(shù)絕緣膜215。第一高介電常數(shù)絕緣膜215可形成在第三氧化膜135上。
[0144]例如，第一高介電常數(shù)絕緣膜215可包括氧氮化硅、氮化硅、氧化鉿、鉿硅氧化物、氧化鑭、鑭鋁氧化物、氧化錯(cuò)、錯(cuò)娃氧化物、氧化鉭、氧化鈦、鋇鎖鈦氧化物、鋇鈦氧化物、鎖鈦氧化物、氧化釔、氧化鋁、鉛鈧鉭氧化物或鉛鋅鈮酸鹽中的一種或多種。
[0145]例如，可通過物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或它們的組合形成第一高介電常數(shù)絕緣膜215。
[0146]可通過用導(dǎo)電材料填充第二溝槽2102來形成第一柵電極220。第一柵電極220可在第二方向Yl上延伸以與第三鰭形圖案130交叉。第一柵電極220可形成在第三鰭形圖案130上，第一高介電常數(shù)絕緣膜215介于第一柵電極220與第三鰭形圖案130之間。
[0147]第一柵電極220可包括金屬層221和222。如圖所示，可通過兩個(gè)或更多個(gè)金屬層221、222的層疊而形成第一柵電極220。第一金屬層221可用于調(diào)整功函數(shù)，并且第二金屬層222可用于填充通過第一金屬層221形成的空間。
[0148]例如，第一金屬層221可包括1^顆、1^八1、11八故、了311^(:、了3(:、了3^了35丨~或它們的組合中的至少一個(gè)。例如，第二金屬層222可包括胃^1、(:11、(:0、1^&、多晶31、3166或金屬合金中的至少一個(gè)。
[0149]圖15至圖17B是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的中間階段示圖。為了方便描述，以下討論將主要集中于圖1至圖14C的實(shí)施例與圖15至圖17B的實(shí)施例之間的不同。
[0150]為了便于參考，圖17B是沿著圖17A的線A-A截取的剖視圖。圖15示出了可在圖1至圖7的處理之后執(zhí)行的處理。
[0151]參照圖15，可沿著第二鰭形圖案120的暴露部分的輪廓形成第二氧化膜125?？赏ㄟ^使第二鰭形圖案120的暴露部分氧化而形成第二氧化膜125。
[0152]可沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第二鰭形圖案120的上部121的輪廓形成第二氧化膜125。
[0153]例如，可通過化學(xué)氧化、UV氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積或原子層沉積形成第二氧化膜125。
[0154]參照圖16，可去除第二氧化膜125，以形成突出于場絕緣膜105的上表面之上的第四鰭形圖案140。
[0155]可利用蝕刻工藝等去除第二氧化膜125。例如，可利用化學(xué)氧化物去除(COR)、Siconi或清除浮渣來去除第二氧化膜125。
[0156]第四鰭形圖案140可包括下部142和位于下部142上方的上部141。第四鰭形圖案140的下部142可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第四鰭形圖案140的上部141可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0157]在第四鰭形圖案140的最下部以上高度Hl處的第四鰭形圖案140的寬度可為第四寬度W4。第四鰭形圖案140的寬度W4可比第二鰭形圖案120的寬度W2和在磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll更窄。
[0158]換句話說，第四鰭形圖案140的上部141的寬度W4可比第二鰭形圖案120的寬度W2和在磨圓之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll更窄。
[0159]參照圖15和圖16，可通過去除第二鰭形圖案120的上部121的一部分來形成第四鰭形圖案140。
[0160]換句話說，在形成和去除第二氧化膜125的過程中，第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S的輪廓改變。因此，可通過修改第二鰭形圖案120的側(cè)壁120S的輪廓形成第四鰭形圖案140。
[0161]第四鰭形圖案140S的側(cè)壁可包括第三拐點(diǎn)140P。
[0162]參照圖17A和圖17B，第四氧化膜145可沿著第四鰭形圖案140的輪廓形成。第四氧化膜145可沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第四鰭形圖案140的上部141的輪廓形成。
[0163]可通過使第四鰭形圖案140的上部141的一部分氧化而形成第四氧化膜145。
[0164]例如，可通過化學(xué)氧化、UV氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等形成第四氧化膜145。
[0165]接著，可形成第一虛設(shè)柵電極205。具體地說，可形成第一虛設(shè)柵電極層，并且掩模圖案2002可形成在第一虛設(shè)柵電極層上。隨后可利用掩模2002作為蝕刻掩模來蝕刻第一虛設(shè)柵電極層，以形成第一虛設(shè)柵電極205。第一虛設(shè)柵電極205可在第二方向Yl上延伸以與第四鰭形圖案140交叉。
[0166]第一虛設(shè)柵電極205形成在第四鰭形圖案140上。第一虛設(shè)柵電極205可形成在沿著第四鰭形圖案140的上部141的輪廓而形成的第四氧化膜145上。
[0167]在圖17A和圖17B中，將第四氧化膜145示為在第一虛設(shè)柵電極205的兩側(cè)暴露出來，但本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。例如，在其它實(shí)施例中，在用于形成第一虛設(shè)柵電極205的蝕刻工藝中，可去除第四氧化膜145的不與第一虛設(shè)柵電極205豎直地重疊的那些部分。
[0168]接著，可通過以上參照圖9A至圖14C描述的處理形成第一柵電極220。在這些處理中，可通過去除沿著第四鰭形圖案140的輪廓形成的第四氧化膜145來形成第三鰭形圖案130。
[0169]圖18至圖30是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的中間階段示圖。為了方便描述，以下討論將主要集中于與以上參照圖1至圖14C描述的實(shí)施例的差異。
[0170]為了便于參考，圖19至圖26在沿著圖18的線A-A和線C-C截取的剖面中示出了在圖18之后執(zhí)行的處理。圖29和圖30在沿著圖28A的線A-A和線C-C截取的剖面中示出了在圖28A之后執(zhí)行的處理。圖27B是沿著圖27A的線A-A和線C-C截取的剖視圖，并且圖28B是沿著圖28A的線A-A和線C-C截取的剖視圖。
[0171]參照圖18，第一掩模圖案2001可形成在襯底100上。第一掩模圖案2001可在第一區(qū)I上沿著第一方向Xl延伸，并且可在第二區(qū)II上沿著第三方向X2延伸。
[0172]襯底100可包括第一區(qū)I和第二區(qū)II。第一區(qū)I和第二區(qū)II可為彼此間隔開的區(qū)，或者可為彼此連接的區(qū)。
[0173]參照圖19，可通過蝕刻襯底100的未被第一掩模圖案2001覆蓋的那些部分而在襯底100中形成第一溝槽2101和第三溝槽2103。第一溝槽2101可形成在第一區(qū)I中，并且第三溝槽2103可形成在第二區(qū)II中。
[0174]通過蝕刻襯底100的一部分，第一鰭形圖案110可形成在襯底100的第一區(qū)I中，并且第五鰭形圖案310可形成在襯底100的第二區(qū)II中。
[0175]因?yàn)槔玫谝谎谀D案2001作為蝕刻掩模來形成鰭形圖案，所以第一鰭形圖案110在第一方向Xl上延伸，并且第五鰭形圖案310在第三方向X2上延伸。
[0176]第一掩模圖案2001可保留在第一鰭形圖案110上和第五鰭形圖案310上。
[0177]參照圖20，場絕緣膜105可形成在襯底100上。第一鰭形圖案110的一部分和第五鰭形圖案310的一部分可突出于場絕緣膜105的上表面之上。
[0178]第一鰭形圖案110的下部112可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第一鰭形圖案110的上部111可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0179]第五鰭形圖案310的下部312可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第五鰭形圖案310的上部311可不直接接觸場絕緣膜105。
[0180]在場絕緣膜105的上表面以上的高度H處的第一鰭形圖案110的寬度可為Wl，并且第五鰭形圖案310的寬度可為W5。換句話說，在第一鰭形圖案110的最下部以上的高度Hl處，第一鰭形圖案110的寬度可為第一寬度Wl，并且在相同高度Hl處，第五鰭形圖案310的寬度可為第五寬度W5。
[0181]第五鰭形圖案310包括上表面310U、側(cè)壁310S以及上表面310S與側(cè)壁310C在其處相接的拐角部310C。如圖20所示，拐角部310C可具有帶棱角的形狀。
[0182]參照圖21，通過蝕刻工藝，可將第一鰭形圖案110蝕刻以磨圓其拐角部110C，并且可將第五鰭形圖案310蝕刻以磨圓其拐角部310C。
[0183]在第五鰭形圖案310的最下部以上的高度Hl處，具有圓形拐角部的第五鰭形圖案310的校正后的第五寬度可為W51。
[0184]在圖20和圖21中，已描述的是，在第一鰭形圖案110的最下部以上的高度Hl處，在磨圓拐角部之前的第一鰭形圖案110的寬度Wl與在磨圓拐角部之后的第一鰭形圖案110的寬度Wll實(shí)質(zhì)上相同，并且在第五鰭形圖案310的最下部以上的高度Hl處，在磨圓拐角部之前的第五鰭形圖案310的寬度W5與在磨圓拐角部之后的第五鰭形圖案310的寬度W51實(shí)質(zhì)上相同，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。
[0185]參照圖22，第一氧化膜115可沿著第一鰭形圖案110的輪廓形成，并且第五氧化膜315可沿著第五鰭形圖案310的輪廓形成。
[0186]第五氧化膜315可沿著第五鰭形圖案310的突出于場絕緣膜105的上表面之上并且包括圓形拐角部的上部311的輪廓而形成。
[0187]可通過使第一鰭形圖案110的一部分氧化而形成第一氧化膜115，并且可通過使第五鰭形圖案310的一部分氧化而形成第五氧化膜315。
[0188]例如，第一氧化膜115和第五氧化膜315可通過化學(xué)氧化、UV氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積等形成。
[0189]參照圖23，第二鰭形圖案120可通過去除第一氧化膜115而形成在第一區(qū)I中，并且第六鰭形圖案320可通過去除第五氧化膜315而形成在第二區(qū)II中。
[0190]可利用蝕刻工藝去除第一氧化膜115和第五氧化膜315。例如，可通過化學(xué)氧化膜去除(COR)、Siconi或清除浮渣來去除第一氧化膜115和第五氧化膜315。
[0191]第六鰭形圖案320的下部322可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第六鰭形圖案320的上部321可不直接接觸場絕緣膜105。
[0192]在第六鰭形圖案320的最下部以上的高度Hl處的第六鰭形圖案320的寬度可為第六寬度W6。第六鰭形圖案320的第六寬度W6可比在磨圓之前的第五鰭形圖案310的第五寬度W5和在磨圓之后的第五鰭形圖案310的寬度W51更窄。
[0193]參照圖22和圖23，可通過去除第一鰭形圖案110的相應(yīng)部分和第五鰭形圖案310的相應(yīng)部分來形成第二鰭形圖案120和第六鰭形圖案320。具體地說，可通過去除第一鰭形圖案110的上部111的相應(yīng)部分和第五鰭形圖案310的上部311的相應(yīng)部分來形成第二鰭形圖案120和第六鰭形圖案320。
[0194]在形成和去除第一氧化膜115和第五氧化膜315的過程中，第一鰭形圖案110的側(cè)壁I1S和第五鰭形圖案310的側(cè)壁310S的輪廓改變。具體地說，第六鰭形圖案320的側(cè)壁320S可包括第四拐點(diǎn)320P。
[0195]參照圖24，第二氧化膜125可沿著第二鰭形圖案120的輪廓形成，并且第六氧化膜325可沿著第六鰭形圖案320的輪廓形成。第二氧化膜125和第六氧化膜325可以分別沿著突出于場絕緣膜105的上表面之上的第二鰭形圖案的上部121的輪廓和第六鰭形圖案的上部321的輪廓而形成。
[0196]可通過使第二鰭形圖案上部121的一部分氧化而形成第二氧化膜125，并且可通過使第六鰭形圖案的上部321的一部分氧化而形成第六氧化膜325。
[0197]接著，第三掩模圖案2003可形成為在襯底100的第一區(qū)I上覆蓋第二鰭形圖案120。第二氧化膜125同樣被第三掩模圖案2003覆蓋。
[0198]由于第三掩模圖案2003形成在第一區(qū)I上，因此第六鰭形圖案320和第六氧化膜325可通過第三掩模圖案2003暴露出來。
[0199]參照圖25，可通過利用第三掩模圖案2003作為蝕刻掩模的蝕刻工藝去除第六氧化膜325。通過去除第六氧化膜325，第七鰭形圖案330可形成在第二區(qū)II上。例如，可利用化學(xué)氧化物去除(COR)、Siconi或清除浮渣來去除第六氧化膜325。
[0200]第七鰭形圖案330可包括下部332和位于下部332上方的上部331。第七鰭形圖案330的下部332可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第七鰭形圖案的上部331可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0201]在第七鰭形圖案的最下部330以上的高度Hl處的第七鰭形圖案330的寬度可為第七寬度W7。第七鰭形圖案330的寬度W7可比第六鰭形圖案320的第六寬度W6和在磨圓之后的第五鰭形圖案310的寬度W51更窄。
[0202]換句話說，第七鰭形圖案的上部331的寬度W7可比第六鰭形圖案320的寬度W6和在磨圓之后的第五鰭形圖案310的寬度W51更窄。
[0203]參照圖24和圖25，可通過去除第六鰭形圖案320的一部分形成第七鰭形圖案330。具體地說，可通過去除第六鰭形圖案330的上部321的一部分來形成第七鰭形圖案330。
[0204]在形成和去除第六氧化膜325的過程中，第六鰭形圖案320的側(cè)壁320S的輪廓改變。因此，可通過修改第六鰭形圖案320的側(cè)壁320S的輪廓來形成第七鰭形圖案330。
[0205]第七鰭形圖案330的側(cè)壁330S可包括第五拐點(diǎn)330P。
[0206]參照圖26，可沿著第七鰭形圖案330的輪廓形成第七氧化膜335?？裳刂怀鲇趫鼋^緣膜105的上表面之上的第七鰭形圖案330的上部331的輪廓形成第七氧化膜335。
[0207]可通過使第七鰭形圖案330的一部分氧化而形成第七氧化膜335。例如，可通過使第七鰭形圖案330的上部331的一部分氧化而形成第七氧化膜335。
[0208]例如，可利用化學(xué)氧化、UV氧化、雙等離子體氧化、熱氧化、化學(xué)氣相沉積或原子層沉積形成第七氧化膜335。
[0209]接著，可去除第三掩模圖案2003以暴露出其上具有第二氧化膜125的第二鰭形圖案 120。
[0210]在圖24至圖26中，已將第三掩模圖案2003描述為在形成第二氧化膜125和第六氧化膜325之后形成，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。
[0211]與圖24至圖26不同的是，可在不形成第二氧化膜125和第六氧化膜325的情況下形成第三掩模圖案2003。在這種情況下，在改變第六鰭形圖案320的側(cè)壁320S的輪廓的同時(shí)形成第七鰭形圖案330之后，去除第三掩模圖案2003。在去除第三掩模圖案2003之后，第二氧化膜125和第七氧化膜335可分別沿著第二鰭形圖案120的輪廓和第七鰭形圖案330的輪廓形成。
[0212]參照圖27A和圖27B，可形成第一虛設(shè)柵電極205和第二虛設(shè)柵電極405。具體地說，可形成第一虛設(shè)柵電極層，并且掩模圖案2002可形成在第一虛設(shè)柵電極層上。隨后可利用掩模2002作為蝕刻掩模來蝕刻第一虛設(shè)柵電極層，以在第一區(qū)I上形成第一虛設(shè)柵電極205和在第二區(qū)II上形成第二虛設(shè)柵電極405。第一虛設(shè)柵電極205可在第二方向Yl上延伸以與第二鰭形圖案120交叉，并且第二虛設(shè)柵電極405可在第四方向Y2上延伸以與第七鰭形圖案330交叉。
[0213]第一虛設(shè)柵電極205可形成在沿著第二鰭形圖案120的上部121的輪廓而形成的第二氧化膜125上，并且第二虛設(shè)柵電極405可形成在沿著第七鰭形圖案330的上部331的輪廓而形成的第七氧化膜335上。
[0214]在圖27A和圖27B中，示出了第二氧化膜125在沿著第二方向Yl延伸的第一虛設(shè)柵電極205的兩側(cè)暴露出來，并且第七氧化膜335在沿著第四方向Y2延伸的第二虛設(shè)柵電極405的兩側(cè)暴露出來，但是本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例不限于此。
[0215]接著，如圖9A至圖1lB中的描述，源極/漏極分別形成在第一虛設(shè)柵電極205的兩側(cè)以及第二虛設(shè)柵電極405的兩側(cè)。然后，形成蝕刻停止膜170和層間絕緣膜180。
[0216]接著，可將層間絕緣膜180平面化，直到暴露出第一虛設(shè)柵電極205的上表面和第二虛設(shè)柵電極405的上表面。
[0217]參照圖28A和圖28B，可通過去除第一虛設(shè)柵電極205而形成在第二方向Yl上延伸的第二溝槽2102，并且可通過去除第二虛設(shè)柵電極405而形成在第四方向Y2上延伸的第四溝槽2104。
[0218]隨著形成第四溝槽2104，可暴露出場絕緣膜105，并且可暴露出沿著第七鰭形圖案330的上部331的輪廓形成的第七氧化膜335。也就是說，通過第四溝槽2104暴露的第七氧化膜335可為與第二虛設(shè)柵電極405豎直地重疊的部分。
[0219]參照圖29，通過去除第二氧化膜125和第七氧化膜335，第三鰭形圖案130和第八鰭形圖案340形成為突出于場絕緣膜105的上表面之上。
[0220]具體地說，可通過去除第二氧化膜125的由第二溝槽2102暴露的那部分來形成第三鰭形圖案130，并且可通過去除第七氧化膜335的由第四溝槽2104暴露的那部分來形成第八鰭形圖案340。
[0221]例如，可利用化學(xué)氧化物去除(COR)、Siconi或清除浮渣來去除第二氧化膜125和第七氧化膜335。
[0222]第八鰭形圖案340的下部342可直接接觸場絕緣膜105，并且可被場絕緣膜105包圍。第八鰭形圖案的上部341可以不直接接觸場絕緣膜105。
[0223]在第八鰭形圖案340的最下部以上的高度Hl處的第八鰭形圖案340的寬度可為第八寬度W8。第八鰭形圖案340的寬度W8可以比第七鰭形圖案330的寬度W7窄，并且可以比第六鰭形圖案320的寬度W6窄。
[0224]可通過去除第七鰭形圖案330的上部331的一部分來形成第八鰭形圖案340。
[0225]在形成和去除第七氧化膜335的過程中，第七鰭形圖案330的側(cè)壁330S的輪廓改變。因此，可通過修改第七鰭形圖案330的側(cè)壁330S的輪廓形成第八鰭形圖案340?？赏ㄟ^修改與第二虛設(shè)柵電極405豎直地重疊的第七鰭形圖案330的側(cè)壁330S的輪廓來形成第八鰭形圖案340。
[0226]第八鰭形圖案340的側(cè)壁340S可包括第六拐點(diǎn)340Ρ。
[0227]在上述工藝中，通過側(cè)壁輪廓的兩次修改處理來形成第三鰭形圖案130，并通過側(cè)壁輪廓的三次修改處理來形成第八鰭形圖案340。
[0228]如圖所示，每當(dāng)執(zhí)行側(cè)壁輪廓的修改處理時(shí)，突出于場絕緣膜105的上表面之上的鰭形圖案的寬度和高度減小。
[0229]假設(shè)第一鰭形圖案110的寬度Wl與第五鰭形圖案310的寬度W5實(shí)質(zhì)上相同，并且假設(shè)第一鰭形圖案110的上部111的高度與第五鰭形圖案310的上部311的高度實(shí)質(zhì)上相同。
[0230]此時(shí)，由于用于形成第三鰭形圖案130的側(cè)壁輪廓的修改處理的次數(shù)與用于形成第八鰭形圖案340的側(cè)壁輪廓的修改處理的次數(shù)不同，因此第三鰭形圖案130的寬度W3可與第八鰭形圖案340的寬度W8不同。例如，第三鰭形圖案130的寬度W3可大于第八鰭形圖案340的寬度W8。
[0231]此外，第三鰭形圖案130的上部131的高度Η2可與第八鰭形圖案340的上部341的高度Η3不同。例如，第三鰭形圖案130的上部131的高度Η2可以高于第八鰭形圖案340的上部341的高度Η3。
[0232]此外，高于第二拐點(diǎn)130Ρ的那部分的第三鰭形圖案130的上部131的側(cè)壁的斜度130S可與高于第六拐點(diǎn)340Ρ的那部分的第八鰭形圖案340的上部341的側(cè)壁的斜度340S不同，其中在每種情況下，相對于襯底100的上表面測量斜度。例如，高于第二拐點(diǎn)130Ρ的那部分的第三鰭形圖案130的上部131的側(cè)壁的斜度130S可小于高于第六拐點(diǎn)340P的那部分的第八鰭形圖案340的上部341的側(cè)壁的斜度340S。
[0233]也就是說，與高于第二拐點(diǎn)130P的那部分的第三鰭形圖案130的上部131的側(cè)壁的斜度130S相比，高于第六拐點(diǎn)340P的那部分的第八鰭形圖案340的上部341的側(cè)壁的斜度340S可幾乎豎直。
[0234]參照圖30，第三氧化膜135可沿著通過第二溝槽2102暴露的第三鰭形圖案130的輪廓形成。第八氧化膜135可沿著通過第四溝槽2104暴露的第八鰭形圖案340的輪廓形成。
[0235]接著，第一高介電常數(shù)絕緣膜215沿著第二溝槽2102的側(cè)壁和底表面形成，并且第二高介電常數(shù)絕緣膜415沿著第四溝槽2104的側(cè)壁和底表面形成。
[0236]第二高介電常數(shù)絕緣膜415可沿著場絕緣膜105的輪廓和第八鰭形圖案340的突出于場絕緣膜105之上的那部分的輪廓形成。第二高介電常數(shù)絕緣膜415可形成在第八氧化膜345 上。
[0237]接著，可通過用導(dǎo)電材料填充第二溝槽2102來形成第一柵電極220，并可通過用導(dǎo)電材料填充第四溝槽2104來形成第二柵電極420。
[0238]第一柵電極220可形成在其上具有第一高介電常數(shù)絕緣膜215的第三鰭形圖案130上，并且第二柵電極420可形成在其上具有第二高介電常數(shù)絕緣膜415的第八鰭形圖案340上。
[0239]圖31是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡的框圖。
[0240]參照圖31，包括有根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例制造的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)器1210可被包括在存儲(chǔ)卡1200中。存儲(chǔ)卡1200可包括存儲(chǔ)器控制器1220，其控制主機(jī)1230與存儲(chǔ)器1210之間的數(shù)據(jù)交換。SRAM 1221可用作中央處理單元1222的操作存儲(chǔ)器。主機(jī)接口 1223可包括用于將主機(jī)1230連接至存儲(chǔ)卡1200以交換數(shù)據(jù)的協(xié)議。錯(cuò)誤校正碼1224可檢測和校正從存儲(chǔ)器1210讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。存儲(chǔ)器接口 1225可與存儲(chǔ)器1210聯(lián)接。中央處理單元1222可執(zhí)行與存儲(chǔ)器控制器1220的數(shù)據(jù)交換相關(guān)聯(lián)的整體控制操作。
[0241]圖32是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖。
[0242]參照圖32，信息處理系統(tǒng)1300可具有包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1310。信息處理系統(tǒng)1300可包括電連接至系統(tǒng)總線1360的存儲(chǔ)器系統(tǒng)1310、調(diào)制解調(diào)器1320、中央處理單元1330、RAM 1340和用戶接口 1350。存儲(chǔ)器系統(tǒng)1310可包括存儲(chǔ)器1311和存儲(chǔ)器控制器1312，并且可具有與圖31所示的存儲(chǔ)卡1200的構(gòu)造基本相同的構(gòu)造。通過中央處理單元1330處理的數(shù)據(jù)或者從外部裝置接收的數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)1310中。信息處理系統(tǒng)1300可應(yīng)用于存儲(chǔ)卡、SSD、相機(jī)圖像傳感器以及各種其它芯片組。例如，存儲(chǔ)器系統(tǒng)1310可被構(gòu)造為采用SSD，并且在這種情況下，信息處理系統(tǒng)1300可以可靠且穩(wěn)定地處理大容量數(shù)據(jù)。
[0243]圖33是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體器件的電子裝置的框圖。
[0244]參照圖33，電子裝置1400可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件。電子裝置1400可用于無線通信裝置(例如，PDA、筆記本計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)平板、無線電話和/或無線數(shù)字音樂播放器)或者在無線通信環(huán)境中發(fā)送和接收信息的各種裝置。
[0245]電子裝置1400可包括控制器1410、輸入/輸出裝置1420、存儲(chǔ)器1430和無線接口1440。這里，存儲(chǔ)器1430可包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例制造的半導(dǎo)體器件?？刂破?410可包括微處理器、數(shù)字信號(hào)處理器或相似的處理器。存儲(chǔ)器1430可用于存儲(chǔ)由控制器1410處理的命令(或用戶數(shù)據(jù))。無線接口 1440可用于通過無線數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。無線接口 1440可包括天線和/或無線收發(fā)器。例如，電子裝置1400可采用諸如CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA和CDMA 2000的第三代通信系統(tǒng)協(xié)議。
[0246]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可在其中作出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。因此，期望在所有方面將當(dāng)前各個(gè)實(shí)施例視為示意性而非限制性的，參照所附權(quán)利要求而非以上描述來確定本發(fā)明構(gòu)思的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟: 在襯底上形成包括上部和下部的第一鰭形圖案； 通過去除所述第一鰭形圖案的上部的一部分形成第二鰭形圖案； 在所述第二鰭形圖案上形成與所述第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極；以及在形成所述虛設(shè)柵電極之后通過去除所述第二鰭形圖案的上部的一部分來形成第三鰭形圖案， 其中，所述第二鰭形圖案的上部在所述襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于所述第一鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度，并且大于所述第三鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第二鰭形圖案的步驟包括:沿著所述第一鰭形圖案的上部的輪廓形成第一氧化膜，并隨后去除所述第一氧化膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第三鰭形圖案的步驟包括: 在形成所述虛設(shè)柵電極之前，沿著所述第二鰭形圖案的上部的輪廓形成第二氧化膜，以及 在形成所述虛設(shè)柵電極之后，去除所述第二氧化膜。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括步驟:通過氧化所述第三鰭形圖案的上部的一部分，沿著所述第三鰭形圖案的上部的輪廓形成第三氧化膜。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一鰭形圖案包括側(cè)壁、上表面以及所述側(cè)壁與所述上表面在其處相接的拐角部，所述方法還包括步驟:在形成所述第二鰭形圖案之前，通過蝕刻所述第一鰭形圖案來磨圓所述拐角部。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一鰭形圖案的步驟包括: 在襯底上形成包括上部和下部的第四鰭形圖案， 形成場絕緣膜，其直接接觸所述第四鰭形圖案的下部并且不直接接觸所述第四鰭形圖案的上部，以及 在形成所述場絕緣膜之后去除所述第四鰭形圖案的上部的一部分。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述第一鰭形圖案的步驟包括: 沿著所述第四鰭形圖案的上部的輪廓形成氧化膜，以及 去除所述氧化膜。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度小于所述第四鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括步驟:通過蝕刻所述虛設(shè)柵電極的兩側(cè)而在所述第二鰭形圖案中形成凹進(jìn)，并隨后在形成所述第三鰭形圖案之前在對應(yīng)的凹進(jìn)中形成源極/漏極。10.—種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟: 在襯底上形成具有上部和下部的第一鰭形圖案； 通過氧化所述第一鰭形圖案的一部分，沿著所述第一鰭形圖案的輪廓形成第一氧化膜； 通過去除所述第一氧化膜形成第二鰭形圖案； 通過氧化所述第二鰭形圖案的一部分，沿著所述第二鰭形圖案的輪廓形成第二氧化膜；以及 在所述第二氧化膜上形成與所述第二鰭形圖案交叉的第一柵電極。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第一鰭形圖案的步驟包括: 在所述襯底上形成場絕緣膜，所述場絕緣膜直接接觸所述第一鰭形圖案的下部并且不直接接觸所述第一鰭形圖案的上部。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在形成所述第一氧化膜之前，對所述第一鰭形圖案的上表面與側(cè)壁在其處相接的所述第一鰭形圖案的拐角部進(jìn)行蝕刻，以磨圓所述第一鰭形圖案的拐角部。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述第一鰭形圖案的步驟包括: 在所述襯底上形成具有上部和下部的第四鰭形圖案； 形成場絕緣膜，其直接接觸所述第四鰭形圖案的下部并且不直接接觸所述第四鰭形圖案的上部； 在形成所述場絕緣膜之后，通過氧化所述第四鰭形圖案的一部分而沿著所述第四鰭形圖案的輪廓形成第四氧化膜;以及去除所述第四氧化膜。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一鰭形圖案的上部在所述襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于所述第四鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度并且大于所述第二鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括以下步驟: 通過去除所述第一柵電極形成暴露出所述第二氧化膜的溝槽；以及 通過去除由所述溝槽暴露出的第二氧化膜而形成第三鰭形圖案。16.—種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟: 在襯底上形成第一鰭形圖案； 將所述第一鰭形圖案的上部的外部部分轉(zhuǎn)換為第一氧化膜； 通過去除所述第一氧化膜形成第二鰭形圖案； 將所述第二鰭形圖案的上部的外部部分轉(zhuǎn)換為第二氧化膜； 通過去除所述第二氧化膜的至少一部分來形成第三鰭形圖案， 其中，所述第二鰭形圖案的上部在所述襯底的上表面上方的第一高度處的寬度小于所述第一鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度并且大于所述第三鰭形圖案的上部在所述第一高度處的寬度，并且 其中，所述第二鰭形圖案的在所述襯底的上表面上方的第二高度小于所述第一鰭形圖案的在所述襯底的上表面上方的第一高度并且大于所述第三鰭形圖案的在所述襯底的上表面上方的第三高度。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第三鰭形圖案沿著第一方向延伸，所述方法還包括以下步驟: 在形成所述第二鰭形圖案之前，形成覆蓋所述第一鰭形圖案的下部的側(cè)壁的場絕緣膜；以及 在形成所述第二鰭形圖案之后，在所述襯底上形成在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的電極結(jié)構(gòu)。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第三鰭形圖案的下部的寬度大于所述第三鰭形圖案的上部的寬度并且等于所述第二鰭形圖案的下部的寬度。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，所述方法還包括步驟: 形成與所述第二鰭形圖案交叉的虛設(shè)柵電極； 在所述虛設(shè)柵電極的側(cè)壁上和所述第二氧化膜上形成間隔件，并且其中，去除所述第二氧化膜的至少一部分的步驟包括:去除所述第二氧化膜的通過所述間隔件暴露的那部分。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括步驟:磨圓所述第一鰭形圖案至所述第三鰭形圖案中的至少一個(gè)的拐角部。
【文檔編號(hào)】H01L29/10GK105826385SQ201610032156
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年1月18日
【發(fā)明人】劉庭均, 樸世玩, 都承右, 樸寅源, 成石鉉
【申請人】三星電子株式會(huì)社