一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及退火裝置，尤其是一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有半導(dǎo)體產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中，為了控制產(chǎn)品質(zhì)量需要進(jìn)行監(jiān)控。由于對(duì)產(chǎn)品的檢測(cè)是具有破壞性的，因此通常設(shè)置有監(jiān)控片代替產(chǎn)品進(jìn)行檢測(cè)。監(jiān)控片的硅基板經(jīng)過(guò)離子高劑量轟擊過(guò)后，表面呈現(xiàn)晶體非晶化;再經(jīng)過(guò)高溫，使硅基板的晶體重結(jié)晶，高溫重結(jié)晶過(guò)程即為退火工序。為了使重結(jié)晶效率提高且晶體方向均勻，通常采用激光退火裝置。由于激光束能量高，硅基板被照射處迅速升溫，硅晶體高溫時(shí)性能活躍且裸露在環(huán)境中，硅基板易產(chǎn)生各種缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提出一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，能夠在硅基板退火的過(guò)程中，阻隔高溫下硅基板與雜質(zhì)的反應(yīng)，避免硅基板表面產(chǎn)生缺陷，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
[0004]為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
[0005]—種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束的激光光源和放置有待處理硅基板的支撐基板，其中，所述硅基板和支撐基板設(shè)置于退火室內(nèi)，所述退火室開(kāi)設(shè)有透明窗，所述激光束可穿過(guò)所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室內(nèi)設(shè)置有氣體噴嘴，所述氣體噴嘴向所述硅基板的表面噴射惰性氣體并向所述退火室充入惰性氣體，所述氣體噴嘴可調(diào)節(jié)氣流方向。
[0006]其中，所述惰性氣體為氬氣。
[0007]其中，所述氣體噴嘴可調(diào)節(jié)氣流大小。
[0008]其中，還包括用于處理所述激光束使所述激光束均勻照射到所述硅基板上的光學(xué)單元。
[0009]其中，所述支撐基板下方設(shè)置有移動(dòng)裝置，所述移動(dòng)裝置帶動(dòng)所述支撐基板反復(fù)移動(dòng)。
[0010]其中，所述支撐基板反復(fù)移動(dòng)的距離不小于所述支撐基板與移動(dòng)方向平行側(cè)邊的邊長(zhǎng)
[0011]本實(shí)用新型所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，監(jiān)控片的硅基板和支撐基板設(shè)置于退火室內(nèi)，退火室內(nèi)設(shè)置有氣體噴嘴，氣體噴嘴向硅基板的表面噴射惰性氣體并向退火室充入惰性氣體，對(duì)硅基板表面噴射惰性氣體進(jìn)行雜質(zhì)清洗，去除吸附于硅基板的顆粒污染物，恢復(fù)表面的清潔，避免退火過(guò)程中因顆粒污染物引起缺陷;對(duì)硅基板表面進(jìn)行雜質(zhì)清理的同時(shí)向退火室內(nèi)充入惰性氣體作為工藝氣體，避免在退火過(guò)程中，硅基板高溫下性質(zhì)活躍與環(huán)境中的其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生缺陷，影響監(jiān)控結(jié)果。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的實(shí)施例所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]附圖標(biāo)記:
[0014]1、激光光源；11、激光束;2、支撐基板;3、硅基板;4、退火室;41、透明窗；5、氣體噴嘴;6、光學(xué)單元;7、移動(dòng)裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。
[0016]如圖1所示，本實(shí)施例所述一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束11的激光光源I和放置有待處理硅基板3的支撐基板2，其中，所述硅基板3和支撐基板2設(shè)置于退火室4內(nèi)，所述退火室4開(kāi)設(shè)有透明窗41，所述激光束11可穿過(guò)所述透明窗41照射于所述硅基板3，所述退火室4內(nèi)設(shè)置有氣體噴嘴5，所述氣體噴嘴5向所述硅基板3的表面噴射氬氣并向所述退火室4充入氬氣，所述氣體噴嘴5可調(diào)節(jié)氣流方向和氣流大小。
[0017]還包括用于處理所述激光束11使所述激光束11均勻照射到所述硅基板3上的光學(xué)單元6;所述激光束11經(jīng)過(guò)所述光學(xué)單元6后均勻的照射到所述硅基板3的表面，使所述硅基板3均勻升溫。
[0018]所述支撐基板2下方設(shè)置有移動(dòng)裝置7，所述移動(dòng)裝置7帶動(dòng)所述支撐基板2反復(fù)移動(dòng);所述支撐基板2反復(fù)移動(dòng)的距離不小于所述支撐基板2與移動(dòng)方向平行側(cè)邊的邊長(zhǎng);所述激光束11均勻掃過(guò)放置于所述支撐基板2上的所述硅基板3，對(duì)所述硅基板3由一端向另一端依次進(jìn)行熱處理，所述硅基板3重結(jié)晶后晶體方向均勻。
[0019]本實(shí)施例所述的減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置在使用過(guò)程中，將硅基板3放置于退火室4中的支撐基板2上，打開(kāi)氣體噴嘴5使氬氣向硅基板3的表面噴射，去除吸附于硅基板3的顆粒污染物，恢復(fù)表面的清潔，避免退火過(guò)程中因顆粒污染物引起缺陷；對(duì)硅基板3表面進(jìn)行雜質(zhì)清理的同時(shí)，氣體噴嘴5也在向退火室4內(nèi)充入氬氣作為工藝氣體，避免在退火過(guò)程中，硅基板3高溫下性質(zhì)活躍與環(huán)境中的其他物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)產(chǎn)生缺陷；退火室4中充入足夠的氬氣后，打開(kāi)激光光源1，激光束11通過(guò)光學(xué)單元6處理后，穿過(guò)透明窗41均勻照射到硅基板3的一端;此時(shí)，移動(dòng)裝置7帶動(dòng)硅基板3移動(dòng)，使激光束11由硅基板3的一端依次照射至另一端，完成退火工序;待硅基板3冷卻后取出。本實(shí)施例所述的退火裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在監(jiān)控片的硅基板退火的過(guò)程中，清理顆粒污染物并阻隔高溫下硅基板與雜質(zhì)的反應(yīng)，避免娃基板表面產(chǎn)生缺陷。
[0020]以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉?zhuān)绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它【具體實(shí)施方式】，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束(11)的激光光源(I)和放置有待處理硅基板(3)的支撐基板(2)，其特征在于:所述硅基板(3)和支撐基板(2)設(shè)置于退火室(4)內(nèi)，所述退火室(4)開(kāi)設(shè)有透明窗(41)，所述激光束(11)可穿過(guò)所述透明窗(41)照射于所述硅基板(3)，所述退火室(4)內(nèi)設(shè)置有氣體噴嘴(5)，所述氣體噴嘴(5)向所述硅基板(3)的表面噴射惰性氣體并向所述退火室(4)充入惰性氣體，所述氣體噴嘴(5)可調(diào)節(jié)氣流方向。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述惰性氣體為氬氣。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述氣體噴嘴(5)可調(diào)節(jié)氣流大小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，其特征在于:還包括用于處理所述激光束(11)使所述激光束(11)均勻照射到所述硅基板(3)上的光學(xué)單元(6)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述支撐基板(2)下方設(shè)置有移動(dòng)裝置(7)，所述移動(dòng)裝置(7)帶動(dòng)所述支撐基板(2)反復(fù)移動(dòng)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述支撐基板(2)反復(fù)移動(dòng)的距離不小于所述支撐基板(2)與移動(dòng)方向平行側(cè)邊的邊長(zhǎng)。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束的激光光源和放置有待處理硅基板的支撐基板，其中，所述硅基板和支撐基板設(shè)置于退火室內(nèi)，所述退火室開(kāi)設(shè)有透明窗，所述激光束可穿過(guò)所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室內(nèi)設(shè)置有氣體噴嘴，所述氣體噴嘴向所述硅基板的表面噴射惰性氣體并向所述退火室充入惰性氣體，所述氣體噴嘴可調(diào)節(jié)氣流方向。上述減少半導(dǎo)體監(jiān)控片缺陷的退火裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，在監(jiān)控片的硅基板退火的過(guò)程中，清理顆粒污染物并阻隔高溫下硅基板與雜質(zhì)的反應(yīng)，避免硅基板表面產(chǎn)生缺陷。
【IPC分類(lèi)】H01L21/67
【公開(kāi)號(hào)】CN205355016
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521138397
【發(fā)明人】呂耀安, 翟繼鑫
【申請(qǐng)人】無(wú)錫宏納科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月29日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日