不同的順序執(zhí)行上述制造方法步驟。而且，本發(fā)明不限于這里所示架構(gòu)或設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)，而是如權(quán)利要求所述。因此，顯然，可對(duì)上面揭露的特定實(shí)施例進(jìn)行修改或變更，所有此類變更落入本發(fā)明的范圍及精神內(nèi)。要注意的是，用于說(shuō)明本說(shuō)明書以及權(quán)利要求中的各種制造方法或結(jié)構(gòu)的“第一”、“第二”、“第三”或者“第四”等術(shù)語(yǔ)的使用僅用作此類步驟/結(jié)構(gòu)的快捷參考，并不一定意味著按排列順序執(zhí)行/形成此類步驟/結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，依據(jù)準(zhǔn)確的權(quán)利要求語(yǔ)言，可能要求或者不要求此類制造方法的排列順序。因此，權(quán)利要求規(guī)定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種方法，包括: 形成第一介電層，該第一介電層具有至少一個(gè)導(dǎo)電特征嵌入其中； 形成嵌入設(shè)于該第一介電層上方的第二介電層中的多條第一導(dǎo)線，其中，該多條第一導(dǎo)線中的一條第一導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電特征； 利用第一蝕刻掩膜蝕刻該第一導(dǎo)線，以在該第一導(dǎo)線中定義導(dǎo)電過(guò)孔部分以及凹入線部；以及 形成嵌入設(shè)于該第二介電層上方的第三介電層中的多條第二導(dǎo)線，其中，該多條第二導(dǎo)線中的一條第二導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電過(guò)孔部分，且該第三介電層直接接觸該第二介電層。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述利用該第一蝕刻掩膜蝕刻該第一導(dǎo)線還包括: 在該第二介電層上方形成覆蓋層； 在設(shè)于該第一導(dǎo)線上方的該覆蓋層的部分上方形成第二蝕刻掩膜； 蝕刻該覆蓋層以移除未被該第二蝕刻掩膜覆蓋的該覆蓋層的部分，從而基于該覆蓋層的剩余部分定義位于該第二蝕刻掩膜下方的該第一蝕刻掩膜；以及在蝕刻該第一導(dǎo)線以后移除該第二蝕刻掩膜。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分具有與該第一導(dǎo)線的寬度對(duì)應(yīng)的第一橫截面尺寸以及與該第二導(dǎo)線的寬度對(duì)應(yīng)的第二橫截面尺寸。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形成該多條第一導(dǎo)線還包括: 在該第一介電層上方形成多條犧牲線； 在該多條犧牲線上方形成該第二介電層，其中，在成對(duì)的相鄰犧牲線之間的該第二介電層中設(shè)置氣隙； 平坦化該第二介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及 使用導(dǎo)電材料替代該多條犧牲線，以定義該多條導(dǎo)線。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形成該多條第二導(dǎo)線包括: 在該第二介電層上方形成多條犧牲線； 利用該多條犧牲線作為蝕刻掩膜蝕刻該第二介電層，以移除暴露于相鄰犧牲線之間的該第二介電層的部分； 在該多條犧牲線上方形成該第三介電層，其中，在成對(duì)的相鄰犧牲線之間的該第三介電層中設(shè)置氣隙； 平坦化該第三介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及 使用導(dǎo)電材料替代該多條犧牲線。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導(dǎo)線與所述蝕刻該第二介電層同時(shí)執(zhí)行。7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導(dǎo)線發(fā)生于所述蝕刻該第二介電層之前。8.一種方法，包括: 形成第一介電層，該第一介電層具有至少一個(gè)導(dǎo)電特征嵌入其中； 形成嵌入設(shè)于該第一介電層上方的第二介電層中的第一導(dǎo)線，該第一導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電特征； 在該第二介電層上方形成覆蓋層； 在設(shè)于該第一導(dǎo)線上方的該覆蓋層的部分上方形成第一掩膜； 蝕刻該覆蓋層以移除未被該第一掩膜覆蓋的該覆蓋層的部分，從而基于該覆蓋層的剩余部分定義位于該第一掩膜下方的第二掩膜； 利用該第二掩膜作為蝕刻掩膜蝕刻該第一導(dǎo)線，以在該第一導(dǎo)線中定義導(dǎo)電過(guò)孔部分以及凹入線部；以及 形成嵌入設(shè)于該第二介電層上方的第三介電層中的第二導(dǎo)線，其中，該多條導(dǎo)線中的第二導(dǎo)線設(shè)于該導(dǎo)電過(guò)孔部分上方。9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括在形成該第二導(dǎo)線之前移除該第二掩膜。10.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述形成該第二導(dǎo)線還包括: 在該第二介電層上方形成接觸該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分的第一犧牲線，其中，該第一犧牲線具有小于該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分的第一橫截面尺寸的寬度并暴露該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分的部分；以及 利用該第一犧牲線作為蝕刻掩膜蝕刻該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分的該暴露部分。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在蝕刻該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分的該暴露部分以后，該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分具有與該第一導(dǎo)線的寬度對(duì)應(yīng)的第一橫截面尺寸以及與該第一犧牲線的寬度對(duì)應(yīng)的第二橫截面尺寸。12.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括使用導(dǎo)電材料替代該第一犧牲線，以定義該第二導(dǎo)線。13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述形成該第一犧牲線還包括形成包括該第一犧牲線的多條犧牲線，以及該方法還包括: 利用該多條犧牲線作為蝕刻掩膜蝕刻該第二介電層，以移除暴露于相鄰犧牲線之間的該第二介電層的部分； 在該多條犧牲線上方形成該第三介電層，其中，在成對(duì)的相鄰犧牲線之間的該第三介電層中設(shè)置氣隙； 平坦化該第三介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及 使用導(dǎo)電材料替代該多條犧牲線。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導(dǎo)線與所述蝕刻該第二介電層同時(shí)執(zhí)行。15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述蝕刻該第一導(dǎo)線發(fā)生于所述蝕刻該第二介電層之前。16.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述形成該第一導(dǎo)線還包括: 在該第一介電層上方形成多條犧牲線； 在該多條犧牲線上方形成該第二介電層，其中，在成對(duì)的相鄰犧牲線之間的該第二介電層中設(shè)置氣隙； 平坦化該第二介電層，以暴露該多條犧牲線的頂部表面；以及使用導(dǎo)電材料替代該多條犧牲線，以定義多條導(dǎo)線，其中，該多條導(dǎo)線的其中一條包括該第一導(dǎo)線。17.一種裝置，包括: 第一介電層，具有至少一個(gè)導(dǎo)電特征嵌入其中； 多條第一導(dǎo)線，嵌入設(shè)于該第一介電層上方的第二介電層中，其中，該多條第一導(dǎo)線中的一條第一導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電特征并在該第一導(dǎo)線中定義有導(dǎo)電過(guò)孔部分以及凹入線部；以及 多條第二導(dǎo)線，嵌入設(shè)于該第二介電層上方的第三介電層中，其中，該多條第二導(dǎo)線中的一條第二導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電過(guò)孔部分，且該第三介電層直接接觸該第二介電層。18.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，該第一導(dǎo)電過(guò)孔部分具有與該第一導(dǎo)線的寬度對(duì)應(yīng)的第一橫截面尺寸以及與該第二導(dǎo)線的寬度對(duì)應(yīng)的第二橫截面尺寸。19.如權(quán)利要求17所述的裝置，其中，在設(shè)于各該多條第二導(dǎo)線下面的區(qū)域中，該第二介電層具有降低的厚度，且該裝置還包括設(shè)于成對(duì)的相鄰第二導(dǎo)線之間的該第三介電層中的氣隙。20.如權(quán)利要求17所述的裝置，還包括設(shè)于成對(duì)的相鄰第二導(dǎo)線之間的該第二介電層中的氣隙。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種自對(duì)準(zhǔn)過(guò)孔流程。其中，一種方法包括形成第一介電層，該第一介電層具有至少一個(gè)導(dǎo)電特征嵌入其中。形成嵌入設(shè)于該第一介電層上方的第二介電層中的多條第一導(dǎo)線。該多條第一導(dǎo)線中的一條第一導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電特征。利用第一蝕刻掩膜蝕刻該第一導(dǎo)線，以在該第一導(dǎo)線中定義導(dǎo)電過(guò)孔部分以及凹入線部。形成嵌入設(shè)于該第二介電層上方的第三介電層中的多條第二導(dǎo)線。該多條第二導(dǎo)線中的一條第二導(dǎo)線接觸該導(dǎo)電過(guò)孔部分，且該第三介電層直接接觸該第二介電層。
【IPC分類】H01L21/768
【公開號(hào)】CN105609465
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510769864
【發(fā)明人】G·布謝, A·C·魏, S·拉格休恩薩桑
【申請(qǐng)人】格羅方德半導(dǎo)體公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2015年11月12日
【公告號(hào)】US20160141206