專利名稱:半導(dǎo)體器件中減少氧化引入缺陷的應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地涉及一種具有應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
許多基于半導(dǎo)體的器件(諸如專用集成電路(ASIC))、晶體管以及發(fā)光器件(諸如激光器)采用氧化材料層作為它們結(jié)構(gòu)的一部分。例如，垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)可以包括氧化半導(dǎo)體層，以提供光學(xué)和/或電流約束。ASIC可以包括氧化物層，以在器件內(nèi)提供電隔離。
基于半導(dǎo)體發(fā)光器件(諸如VCSL)是通過在襯底上方外延生長半導(dǎo)體材料層而形成的。在VCSL中，氧化物層可以通過氧化半導(dǎo)體材料層而形成，其中半導(dǎo)體材料層包括相當(dāng)大數(shù)量易氧化的元素。例如，鋁(Al)是經(jīng)常加到半導(dǎo)體層以促進含鋁層氧化的元素。一般地，為了形成氧化鋁層，生長含鋁半導(dǎo)體層，然后在氧化環(huán)境(諸如高水蒸汽含量的環(huán)境)中加熱。氧化環(huán)境氧化具有相當(dāng)大鋁含量的任何材料的暴露區(qū)域。
當(dāng)含鋁層開始作為半導(dǎo)體材料層生長時，相對于在其上生長含鋁層的襯底而言，含鋁層一般地是晶格匹配或者假晶地(pseudomorphically)生長。就外延半導(dǎo)體層生長來說，假晶生長是指這樣的半導(dǎo)體材料層，其發(fā)生壓應(yīng)變或拉應(yīng)變，使得其晶格參數(shù)與襯底材料的晶格參數(shù)一致。無論含鋁層是與襯底晶格匹配地生長還是假晶地生長，含鋁層的晶格參數(shù)在該層氧化后將變化。不幸地，含鋁層的晶格參數(shù)在氧化后的這種變化引起該層相對于襯底和相鄰層發(fā)生應(yīng)變。發(fā)生應(yīng)變是因為半導(dǎo)體層之間的晶格參數(shù)中的差。應(yīng)變引起在氧化的層中形成點缺陷以及其他晶格變形。這些缺陷可以遷移到晶體結(jié)構(gòu)中。例如，在VCSEL的情況下，氧化的層中由應(yīng)變引起的缺陷可以遷移到形成VCSEL的有源區(qū)的材料層中，由此使VCSEL的光學(xué)性能退化。此外，如在VCSEL情況中一樣，當(dāng)發(fā)光器件受到電偏壓時，這些缺陷以更快的速率遷移。
因此，希望減少氧化半導(dǎo)體層時引起的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用于氧化的半導(dǎo)體層的應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)。應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)包括與氧化物形成層相鄰的應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)。應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)補償由于至少部分氧化物形成層的氧化引起的晶格參數(shù)中的變化。
本發(fā)明還提供一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括被構(gòu)造成響應(yīng)于注入電荷產(chǎn)生光的有源區(qū)以及被定位成引導(dǎo)電荷至有源區(qū)中的電流限制結(jié)構(gòu)。電流限制結(jié)構(gòu)包括與氧化物形成層相鄰的應(yīng)變補償層。
本發(fā)明另外還提供一種作應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的方法，其包括提供襯底，在襯底上方形成第一半導(dǎo)體材料的應(yīng)變補償層，在襯底上方形成與應(yīng)變補償層并置的第二半導(dǎo)體材料的氧化物形成層，以及氧化至少部分氧化物形成層。
參照附圖可以更好的理解本發(fā)明。圖中部件不一定要按比例繪制，而是將重點放置在清楚圖示本發(fā)明的原理。此外，在圖中，類似的標(biāo)號在全部的這幾個示圖中指示相對應(yīng)的部件。
圖1是應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的垂直腔表面發(fā)射結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視圖。
圖3是圖示根據(jù)本發(fā)明用于制作應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
圖4是圖示根據(jù)本發(fā)明用于發(fā)光的方法的流程圖。
具體實施方式圖1示出了包括應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112的半導(dǎo)體器件100的示例的側(cè)視圖。應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112包括應(yīng)變補償層104和氧化物形成層106，其中氧化物形成層106與應(yīng)變補償層104相鄰，并形成于襯底102上方。應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112可以選擇性地包括與氧化物形成層106相鄰的額外應(yīng)變補償層108?？梢允褂迷S多不同半導(dǎo)體材料形成應(yīng)變補償層104和氧化物形成層106。在圖1中圖示的半導(dǎo)體器件100中，襯底102的半導(dǎo)體材料是砷化鎵(GaAs)，應(yīng)變補償層104的半導(dǎo)體材料是磷化銦鎵(GaInP)，而氧化物形成層106的半導(dǎo)體材料是具有高鋁百分率的鋁砷化稼(AlGaAs)。層104和106的厚度應(yīng)該足夠小，因而不會超過臨界厚度。臨界厚度是由于材料晶格參數(shù)失配而開始形成晶格缺陷時的厚度。
所形成的應(yīng)變補償層104相對于襯底102和氧化物形成層106具有晶格失配，即在受壓或受拉方向上發(fā)生應(yīng)變。至少部分氧化物形成層106氧化引起晶格參數(shù)變化而引發(fā)的應(yīng)變，能夠由應(yīng)變補償層104中的晶格失配補償。通過認(rèn)真選擇應(yīng)變補償層104的材料成分，成品半導(dǎo)體器件100中的最終應(yīng)變被設(shè)計成為由至少部分氧化物形成層106氧化所引起的最小缺陷。例如，應(yīng)變補償層104可以按著沿著受壓或受拉的狀態(tài)形成，以補償由至少部分氧化物形成層106的氧化而在器件100中所引起的應(yīng)變。
由III族亞晶格的48％銦和52％鎵的GaInP形成的應(yīng)變補償層104與GaAs襯底102晶格匹配。如果應(yīng)變補償層104中銦的量增加到例如約50％，而鎵的量減少到例如約50％，則GaInP的晶格常數(shù)變得比GaAs的晶格常數(shù)大。這樣的成分將具有50％銦的應(yīng)變補償層104置于壓應(yīng)變狀態(tài)下。類似地，具有例如大于約52％的鎵百分率和例如小于約48％的銦百分率并生長于GaAs襯底上的應(yīng)變補償層104將被置于拉應(yīng)變狀態(tài)下。通過控制形成GaInP應(yīng)變補償層104的銦和鎵的相對量，可以控制應(yīng)變類型和程度。如此可以補償由至少部分氧化物形成層106的氧化所引起的應(yīng)變。
發(fā)生應(yīng)變的層通?？梢宰柚裹c缺陷的遷移。因此，應(yīng)變補償層104又可以抑制由于氧化至少部分氧化物形成層106而可能發(fā)生的點缺陷遷移到半導(dǎo)體器件100的其它層中。如此，點缺陷可以被限制到應(yīng)變補償層104，并被阻止遷移到半導(dǎo)體器件100中的活性光產(chǎn)生部分(未示出)。
可以形成額外應(yīng)變補償層108，以進一步地控制成品器件100中的應(yīng)變。此外，雖然圖1中圖示的應(yīng)變補償層104是在生長氧化物形成層106之前生長，但是層104和106可以以相反次序生長。生長的次序取決于最終器件中所希望的特性。取決于生長應(yīng)變補償層104和108以及氧化物形成層106的材料，應(yīng)變補償層104和氧化物形成層106之間的界面110將具有與氧化物形成層106和應(yīng)變形成層108之間界面114的特性不同的特性。在形成氧化物形成層106之前形成應(yīng)變補償層104對成品器件100的影響會不同于在形成氧化物形成層106之后形成應(yīng)變補償層104。這是因為，應(yīng)變補償層104和氧化物形成層106之間的界面110不同于氧化物形成層106和應(yīng)變補償層108之間的界面114。
例如，當(dāng)與基于磷化物的半導(dǎo)體層相鄰地生長基于砷化物的半導(dǎo)體層時，它們之間的界面在使用金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)進行生長時，通常都包含有一定程度地相互混合的基于砷化物材料和基于磷化物材料。不同材料的這種混合在界面處可以導(dǎo)致四元材料的形成。四元界面層的成分和厚度取決于基于砷化物和磷化物的半導(dǎo)體層的生長和轉(zhuǎn)變順序。例如，如果發(fā)生輕微應(yīng)變的Ga1-XInXP(X～0.5)被用于應(yīng)變補償AlXGaXAs(X＞0.8)氧化物層，則在InGaP/AlGaAs界面可以導(dǎo)致中間AlInGaAsP層。在AlGaAs層夾于兩個GaInP層之間的結(jié)構(gòu)中，底部GaInP(生長于AlGaAs層之前)和AlGaAs層之間的界面比AlGaAs和頂部GaInP(生長于AlGaAs之后)之間的界面具有更厚的AlInGaAsP層。這個原因是GaInP在通常的MOCVD生長溫度下具有比AlGaAs較高的離解速率。結(jié)果，頂部少數(shù)單層中的部分磷原子可以由(來自上面的AlGaAs層的)砷原子取代，這傾向于和In和Ga原子形成更穩(wěn)定和更強的鍵。
現(xiàn)在將參考圖2描述包括本發(fā)明應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的示例性發(fā)光器件。圖2中所示的發(fā)光器件是VCSEL。然而，其它發(fā)光器件和非發(fā)光器件可以包括應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)。VCSEL包括夾于垂直堆疊鏡(通常稱作分布式布拉格反射器(DBR)或布拉格鏡)之間的有源區(qū)。有源區(qū)通常包括生成光的量子阱。量子阱包括帶隙能量不同的半導(dǎo)體材料薄層。為了獲得必需的反射率，構(gòu)成每個DBR的半導(dǎo)體或電介質(zhì)層的數(shù)量可以是非常大的。VCSEL通過這些鏡中反射率小于其他鏡的一個鏡，將有源區(qū)中生成的光發(fā)射出去。從半導(dǎo)體表面上直接位于有源區(qū)之上或之下的一個較小的區(qū)域，光從VCSEL輸出。
圖2是VCSEL 200的示意性側(cè)視圖，其包括依次外延生長于襯底220上的襯底側(cè)分布式布拉格反射器(DBR)230、有源層212和遠側(cè)DBR232組成。在一個實施例中，遠側(cè)DBR232包括應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112，并且襯底的半導(dǎo)體材料是單晶砷化鎵。作為另外的方案，圖2中示出的結(jié)構(gòu)可以在改變磷化銦(InP)襯底上某些層的材料的情況下生長。此外，作為另外的方案或者補充，應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112可以位于遠側(cè)DBR 232中。
每個DBR 230和232都包括若干層對。每個層對都包括高折射率材料層和低折射率材料層。這些層的材料在有源區(qū)212中生成的光的波長處是光學(xué)透明的。圖中示出了更高折射率材料的示例層234和更低折射率材料層236構(gòu)成了襯底側(cè)DBR230的示例層對。每一層的厚度都等于該層材料中有源區(qū)212中生成的光的四分之一波長，即，tb＝λ/4nb，其中tb是該層的厚度，λ是有源區(qū)中生成的光的真空波長，而nb是該層材料的折射率。
在所示實施例中，DBR 230和DBR 232都由摻雜半導(dǎo)體材料制成，因此是導(dǎo)電性的。在包括非導(dǎo)電DBR的實施例中，這些DBR可以由電介質(zhì)材料制成。還在示出的實施例中，層236的更低折射率半導(dǎo)體材料是鋁含量高的鋁砷化鎵，而層234的更高折射率半導(dǎo)體材料是鋁含量低的鋁砷化鎵。圖2中示出的層對的數(shù)量被極大地減少，以簡化圖。在工作的VCSEL中，對于有源區(qū)212生成光的波長，層對的數(shù)量足以在襯底側(cè)DBR 230和遠側(cè)DBR 232分別提供有源區(qū)大于約99％和約95％的反射率。而且，除層對之外，每個DBR還包括由低折射率材料制成的額外層。
有源層212包括夾于襯底側(cè)覆層216和遠側(cè)覆層218之間的量子阱結(jié)構(gòu)214。量子阱結(jié)構(gòu)214包括夾于阻擋層(未示出)之間的量子阱層，量子阱層的材料不同于相應(yīng)阻擋層的材料。摻雜劑可以加到有源層的材料中，以增強微分增益。
襯底側(cè)覆層216和遠側(cè)覆層218是鋁砷化鎵(AlGaAs)層，其中，鋁百分率在約0.2到約0.8范圍內(nèi)，即在AlxGa1-xAs中，～0.2≤x≤～0.8。x的通常值是約0.4。覆層加上有源區(qū)層的厚度大致是覆層的材料中量子阱結(jié)構(gòu)214中生成光的一個波長，即，tc＝λ/nc，其中tc是腔(覆層加上有源層)的厚度，λ是量子阱結(jié)構(gòu)中生成光的波長，而nc是包括了有腔的層的AlGaAs的有效折射率。覆層被摻雜，以具有相反的導(dǎo)電類型。
一般地，與摻雜n型覆層相鄰的DBR的半導(dǎo)體材料為摻雜n型，而與摻雜p型覆層相鄰的DBR的半導(dǎo)體材料為摻雜p型，即，DBR的材料與相鄰覆層具有相同的導(dǎo)電型。在感興趣的某些波長處，由p型材料制成的DBR具有次于由n型材料制成的DBR的自由載流子損耗特性。在這樣的結(jié)構(gòu)中，可以包括隧道結(jié)結(jié)構(gòu)(未示出)，以使DBR 230和232兩者的半導(dǎo)體材料具有彼此相同的導(dǎo)電型，即n型，這樣這兩種DBR都具有優(yōu)秀的光學(xué)和電學(xué)特性。或者，如果n型自由載流子損耗次于p型自由載流子損耗，本情況可以反過來。
襯底側(cè)DBR230、有源區(qū)212和遠側(cè)DBR 232共同地形成光腔250，該光腔250在有源層212中生成的光的波長處是諧振的。
遠側(cè)DBR232包括氧化物形成層106，在本示例中，氧化物形成層包括高鋁含量。氧化物形成層106夾于應(yīng)變補償層104和108之間，形成應(yīng)變補償層112。在這個示例中，圖示了兩個應(yīng)變補償層。然而，取決于器件的特性，可形成更多或更少的應(yīng)變補償層。在這個示例中，每個應(yīng)變補償層104和108都包括磷化銦鎵(Ga1-xInxP)，其中x～5，而氧化物形成層106包括具有高鋁含量的鋁砷化鎵(AlGaAs)。通常，x～0.96的AlxGa1-xAs用于氧化物形成層，然而，這些成分可以變化。例如，應(yīng)變補償層104和108中的銦含量大致可以是0.45-0.55；而氧化物形成層106的鋁含量大致可以是0.90-0.98。此外，取決于器件設(shè)計參數(shù)，應(yīng)變補償層104和108可以在受壓或受拉狀態(tài)下生長。應(yīng)變補償層104和108提供補償，以抵消當(dāng)氧化物形成層106被氧化以形成電流限制結(jié)構(gòu)時引起的應(yīng)變的影響。
在包括襯底220、襯底側(cè)DBR 230、有源層212和遠側(cè)DBR 232的層結(jié)構(gòu)已經(jīng)制成之后，部分遠側(cè)BDR 232和部分應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)112被刻蝕掉，以形成臺面238。使用注入或底切上面層中的一層，可以在臺面238中形成額外電流限制結(jié)構(gòu)。例如，離子可以被選擇性地注入到臺面238中，以減小除小部分基本中心的導(dǎo)電區(qū)域之外的總臺面導(dǎo)電性。臺面238的導(dǎo)電性在導(dǎo)電區(qū)域中保持基本不變。
在已經(jīng)形成臺面238之后，VCSEL在氧化環(huán)境下(諸如具有高水蒸汽含量)被加熱。氧化環(huán)境氧化所有的AlGaAs層的暴露區(qū)域，這種氧化處理從臺面的側(cè)面沿徑向向內(nèi)地進行。然而，在氧化物形成層106中的氧化過程比在其余AlGaAs層中的氧化過程快很多。在氧化過程結(jié)束時，氧化物形成層106的重要部分被氧化，形成了圍繞導(dǎo)電區(qū)域248的氧化鋁的寬環(huán)形區(qū)域。氧化鋁比摻雜AlGaAs具有低得多的導(dǎo)電性。高鋁AlGaAs在導(dǎo)電區(qū)域248中保持未被氧化，使得導(dǎo)電區(qū)域的光學(xué)和電學(xué)性能保持基本未變。其余的AlGaAs層僅在其周邊的窄環(huán)區(qū)域內(nèi)被氧化。
由氧化物形成層的氧化所限定的導(dǎo)電區(qū)域(例如，248)的面積比臺面238的面積小。在VCSEL 200的操作期間，激光電流被限制于導(dǎo)電區(qū)域248中。激光電流從導(dǎo)電區(qū)域進入有源區(qū)212。電流的擴散相當(dāng)小，使電流密度在有源區(qū)中很高。非常高的電流密度降低了VCSEL的閾值電流。
VCSEL 200的所有層都在熱力學(xué)穩(wěn)定條件下生長，并且相互晶格匹配。這個狀態(tài)是指熱力學(xué)平衡。然而，當(dāng)氧化物形成層106如上所述被氧化時，氧化步驟通過改變層106的被氧化材料的晶體屬性而引起層106離開熱力學(xué)平衡狀態(tài)，并且還導(dǎo)致層106的被氧化材料的晶格參數(shù)相對于鄰近層的變化。層106被氧化部分的晶格參數(shù)變化引起點缺陷和晶格變形形成并遷移通過VCSEL結(jié)構(gòu)。取決于組成VCSEL 200的晶體結(jié)構(gòu)的不同層的成分和化學(xué)性質(zhì)，點缺陷濃度具有不同的平衡值。應(yīng)變補償層104和108以及應(yīng)變的氧化物層的成分決定了在氧化物形成層106氧化之后的成品器件的凈應(yīng)變狀態(tài)。應(yīng)變補償層104和108通過減少氧化后的凈應(yīng)變而減少由氧化引起發(fā)生的點缺陷的數(shù)量。應(yīng)變補償層104和106使氧化物形成層106遭受到應(yīng)變，這樣，與沒有應(yīng)變補償層104和108的情況相比，氧化物層在其形成之后處于應(yīng)變更小的狀態(tài)下。結(jié)果，應(yīng)變補償層104和108減少了由氧化引起的點缺陷的數(shù)量，還限制了所產(chǎn)生的那些點缺陷的遷移。
為了制作頂部發(fā)射器件，由至少一層金屬組成的襯底側(cè)接觸層240通過刻蝕臺面而沉積于襯底220的表面上或襯底側(cè)DBR 230的頂部上。遠側(cè)接觸層242沉積于遠側(cè)DBR 232的暴露表面上，并被圖案化，以限定光出口244。光出口244在徑向上與導(dǎo)電區(qū)域248對齊。遠側(cè)接觸層244由至少一層金屬組成，并可以還包括至少一層具有高摻雜濃度的p型半導(dǎo)體材料，以減少金屬層和遠側(cè)DBR 232之間的接觸阻抗。如前面所提及的，VCSEL可以制成n型在頂部，而p型在底部。此外，光出口可以制成在底部接觸層240，以制作底部發(fā)射器件。或者，在刻蝕臺面之后，可以在底部DBR 230的頂部上形成金屬，以消除對光開口的需要，因為在這樣的構(gòu)造中，金屬不再位于光路中。
現(xiàn)在將在下文參考圖3和4來描述根據(jù)本發(fā)明用于制作應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)和用于產(chǎn)生光的方法。在這些方法的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，雖然描述了處理中的具體階段，但是其他實施方式也是可行的。此外，可以按照與示出的次序不同的次序來執(zhí)行一些處理。例如，處理可以基本同時或以相反次序執(zhí)行。
圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明用于制作應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)的方法300。在框302中，提供襯底。在框304中，在襯底上方形成第一半導(dǎo)體材料的應(yīng)變補償層。這可以通過在襯底上或上方沉積第一半導(dǎo)體材料層來實現(xiàn)。
在框306中，形成與應(yīng)變補償層并置的第二半導(dǎo)體材料的氧化物形成層。應(yīng)變補償層和氧化物形成層共同形成應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)。應(yīng)變補償層的第一半導(dǎo)體材料可以是例如磷化銦鎵，而氧化物形成層的第二半導(dǎo)體材料可以是例如具有約0.90-0.98的高鋁含量的鋁砷化鎵。
應(yīng)變補償層可以形成受壓狀態(tài)或受拉狀態(tài)的應(yīng)變，以補償由于至少部分氧化物形成層的氧化而發(fā)生的晶格參數(shù)變化。
在框308中，選擇性地在氧化物形成層上方形成額外應(yīng)變補償層。額外應(yīng)變補償層可以使用形成第一應(yīng)變補償層的第一半導(dǎo)體材料形成。額外應(yīng)變補償層可以使用與第一應(yīng)變償層相同或者不同的成分形成。
在框310中，至少部分氧化物形成層被氧化，引起氧化物形成層的晶格參數(shù)變化。(多個)應(yīng)變補償層提供拉或壓應(yīng)變，使得(多個)應(yīng)變補償層在氧化物形成層氧化之后補償氧化物形成層的晶格參數(shù)變化并充當(dāng)點缺陷的阻擋層。
圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明用于產(chǎn)生光的方法400。在框402中，形成光腔。在框404中，在光腔中定位有源區(qū)。在框406中，形成應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)。框406包括框408、410、412和414。在框408中，形成第一半導(dǎo)體材料的應(yīng)變補償層。
在框410中，在應(yīng)變補償層上方形成氧化物形成層。在框412中，在氧化物形成層上方形成額外應(yīng)變補償層。在框414中，至少部分氧化物形成層被氧化，以形成電流限制結(jié)構(gòu)。
在框416中，電流通過電流限制結(jié)構(gòu)被注入到有源區(qū)，以引起有源區(qū)產(chǎn)生光。
本公開使用示例性實施例詳細描述了本發(fā)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解，由權(quán)利要求
限定的本發(fā)明并不局限于所描述的精確實施例。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件(200)，包括有源區(qū)(212)，被構(gòu)造成響應(yīng)注入的電荷產(chǎn)生光；電流限制結(jié)構(gòu)(248)，被定位成引導(dǎo)電荷進入所述有源區(qū)域(212)中，其包括與氧化物形成層(106)相鄰的應(yīng)變補償層(104)。
2.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中，所述電流限制結(jié)構(gòu)(248)包括與所述氧化物形成層(106)相鄰的額外應(yīng)變補償層(108)，其中，所述氧化物形成層(106)夾于應(yīng)變補償層(104、108)之間。
3.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中，所述應(yīng)變補償層(104)包括鎵、銦以及磷。
4.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中，所述氧化物形成層(106)包括鋁、鎵以及砷。
5.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中，所述應(yīng)變補償層(104)實質(zhì)上包括Ga1-xInxP，其中x≤0.5。
6.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中，所述氧化物形成層(106)實質(zhì)包括AlxGa1-xAs，其中x≥0.96。
7.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，其中所述應(yīng)變補償層(104)實質(zhì)上包括磷化銦鎵GaInP；并且所述氧化物形成層(106)實質(zhì)上包括鋁砷化鎵AlGaAs。
8.如權(quán)利要求
7所述的發(fā)光器件(200)，其中所述應(yīng)變補償層(104)實質(zhì)上包括磷化銦鎵Ga1-xInxP，其中x≤0.5；并且所述氧化物形成層(106)實質(zhì)上包括鋁砷化鎵AlxGa1-xAs，其中x≥0.96。
9.如權(quán)利要求
1所述的發(fā)光器件(200)，被構(gòu)造成產(chǎn)生具有620nm和1650nm之間波長的光。
10.一種用于制作應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)(112)的方法，所述方法包括提供襯底(102)(302)；在所述襯底上方形成第一半導(dǎo)體材料的應(yīng)變補償層(104)(304)；形成與所述應(yīng)變補償層(104)并置的、第二半導(dǎo)體材料的氧化物形成層(106)，以形成應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)(112)(306)；并且氧化至少部分所述氧化物形成層(310)。
專利摘要
一種應(yīng)變補償結(jié)構(gòu)(112)，包括與氧化物形成層(106)相鄰的應(yīng)變補償層(104)。應(yīng)變補償層(104)補償由于至少部分氧化物形成層(106)氧化所引起的晶格參數(shù)的變化。
文檔編號H01L29/22GK1998116SQ20058000146
公開日2007年7月11日 申請日期2005年2月24日
發(fā)明者阿施史·唐頓, 邁克爾·霍華德·利里, 邁克爾·賴奈·梯·泰恩, 英－蘭·昌 申請人:安捷倫科技有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan