為0.1 mm的情況下，則將支承基 板12的厚度設為0. 4mm。在通常的情況下，支承基板12的厚度優(yōu)選為0. 2mm~5. 0mm。
[0042] 在支承基板12是玻璃板的情況下，從容易處理、不易產(chǎn)生裂紋等方面考慮，玻璃 板的厚度優(yōu)選為〇. 〇8mm以上。另外，從期望玻璃板具有在形成電子器件用構件之后進行 剝離時玻璃板能夠適度地撓曲而不產(chǎn)生裂紋那樣的剛性的方面考慮，玻璃板的厚度優(yōu)選為 1.0 mm以下。
[0043] 無機層
[0044] 無機層14是配置（固定）在支承基板12的第1主表面上而與玻璃基板18的第1 主表面18a相接觸的層。通過將無機層14設置在支承基板12上，即使在高溫條件下的長 時間處理后，也能夠抑制無機層14與玻璃基板18之間的粘接。
[0045] 在本發(fā)明中，無機層 14 含有 SitVxO,/或 SiN HOyU = O. 10 ~0.90, y = 0. 10 ~ 0. 90)作為無機層表面14a的組成。
[0046] 在此，若X和y是小于0. 10的數(shù)，則無機層14相對于玻璃基板18的剝離性較差， 若是大于0. 90的數(shù)，則無機層14相對于玻璃基板18的層疊性較差，只要X和y在所述范 圍內(nèi)，無機層14的層疊性和剝離性就均優(yōu)異。
[0047] 其理由尚不明確，但可以認為，其原因在于，通過使元素相互間的電負性之差較小 的碳化硅和/或氮化硅含有適當?shù)难酰瑥亩贡砻嫫教苟茸罴鸦蛘咴诩訜崽幚頃r不易在 無機層與玻璃基板之間產(chǎn)生由較弱的結合向較強的結合轉(zhuǎn)換。
[0048] 此外，從使剝離性更優(yōu)異的方面考慮，X和y優(yōu)選為0. 20以上的數(shù)，從使層疊性更 優(yōu)異的方面考慮，X和y優(yōu)選為〇. 50以下的數(shù)，從使層疊性和剝離性均更優(yōu)異的方面考慮， X和y更優(yōu)選為20~0· 50。
[0049] 在此，無機層14的無機層表面14a是包含無機層14的最外表面（與支承基板12 側(cè)相反的一側(cè)的最外表面）的部位，具體而言，是自無機層14的最外表面起朝向支承基板 12側(cè)距離1.0 nm為止的部位或者在將無機層14的厚度（整個厚度）設為100%時是自無 機層14的最外表面起朝向支承基板12側(cè)距離10%為止的部位、即均被定義為較薄的部位。 此外，此處的"最外表面"是指"包含忽視表面粗糙度情況下的表面最高點部的平面"。
[0050] 無機層14中的無機層表面14a和除了無機層表面14a以外的組成均能夠通過X 射線光電子能譜法（XPS)來測定。
[0051] 此外，無機層14中的除了無機層表面14a以外的組成既可以與無機層表面14a的 組成不同，也可以與無機層表面14a的組成相同。
[0052] 另外，在本發(fā)明中，無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)為0. 20nm~1.0 Onm。若與 玻璃基板18相接觸的無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)小于0. 20nm，則無機層14相對于 玻璃基板18的剝離性較差，若無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)大于1.0 Onm，則無機層 14相對于玻璃基板18的層疊性較差，只要無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)在所述范圍 內(nèi)，層疊性和剝離性就均優(yōu)異。
[0053] 從使剝離性更優(yōu)異的方面考慮，無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)優(yōu)選為0. 30nm 以上，從使層疊性更優(yōu)異的方面考慮，無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)優(yōu)選為0. 50nm以 下，從使層疊性和剝離性均更優(yōu)異的方面考慮，無機層表面14a的表面粗糙度（Ra)更優(yōu)選 為 0·30nm ~0· 50nm〇
[0054] 作為控制無機層表面14a的表面粗糙度方法，可列舉出例如改變無機層14的形成 條件（成膜條件）的方法，具體而言，可列舉出改變無機層14的厚度的方法等。
[0055] 此外，Ra (算術平均粗糙度）是根據(jù)日本工業(yè)標準JIS B 0601 (2001年修訂）進 行測定的。日本工業(yè)標準JIS B 0601 (2001年修訂）的內(nèi)容作為參照而在此引入。
[0056] 無機層14在25°C~300°C下的平均線膨脹系數(shù)（以下，僅稱作"平均線膨脹系 數(shù)"）不受特別限定，在將玻璃板用作支承基板12的情況下，無機層14的平均線膨脹系數(shù) 優(yōu)選為10 X 10_7/°C~200 X 1(T7/°C。只要無機層14的平均線膨脹系數(shù)在該范圍內(nèi)，就會使 無機層14與玻璃板（SiO2)之間的平均線膨脹系數(shù)之差變小，能夠抑制玻璃基板18與帶無 機層的支承基板16之間在高溫環(huán)境下發(fā)生錯位。
[0057] 無機層14優(yōu)選含有所述SiChOjP/或SiNpyOy作為主要成分，其中，X = 0. 10~ 0. 90, y = 0. 10~0. 90。在此，主要成分是指，相對于無機層14總量而言，這些成分的總含 有量為90質(zhì)量％以上，優(yōu)選為98質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為99質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選為99. 999 質(zhì)量％以上。
[0058] 作為無機層14的厚度，從耐擦傷性的觀點考慮，優(yōu)選為5nm~5000nm，更優(yōu)選為 IOnm ~500nm〇
[0059] 在圖1中，無機層14被記載成單層，但無機層14也可以層疊兩層以上。在層疊兩 層以上的情況下，無機層14也可以為各層互不相同的組成。另外，在該情況下，"無機層的 厚度"是指所有層的合計厚度。
[0060] 通常，無機層14如圖1所示那樣設于支承基板12的整個面，但在不影響本發(fā)明的 效果的范圍內(nèi)，無機層14也可以設于支承基板12表面上的一部分。例如，無機層14也可 以以島狀、條紋狀設置在支承基板12表面上。
[0061] 無機層14示出優(yōu)異的耐熱性。因此，即使將玻璃層疊體10暴露在高溫條件下，也 不易引起無機層本身的化學變化，在無機層14與后述的玻璃基板18之間也不易產(chǎn)生化學 結合，從而不易產(chǎn)生重剝離化（日文：重剝離化）所導致的無機層14附著于玻璃基板18的 情況。
[0062] 在此，重剝離化是指，無機層14與玻璃基板18之間的界面的剝離強度大于支承基 板12與無機層14之間的界面的剝離強度和無機層14的材料本身的強度（塊強度：bulk strength)中的任一個強度。若在無機層14與玻璃基板18之間的界面產(chǎn)生重剝離化，則無 機層14的成分容易附著于玻璃基板18表面而容易使玻璃基板18的表面的潔凈化變得困 難。無機層14附著于玻璃基板18表面是指，整個無機層14附著于玻璃基板18表面和無 機層14表面發(fā)生損傷而使無機層14表面的成分的一部分附著于玻璃基板18表面等情況。
[0063] 帶無機層的I承基板的制誥方法
[0064] 作為帶無機層的支承基板16的制造方法，例如，可列舉出如下方法：一邊使用SiC 靶材或SiN靶材并導入Ar等非活性氣體和02或CO 2等含氧原子氣體的混合氣體，一邊通過 蒸鍍法、濺射法或CVD法等在支承基板12上設置具有作為所述無機層表面14a的組成的無 機層14。此時，通過調(diào)整混合氣體中的含氧原子氣體的量，能夠控制無機層表面14a的氧 量（即，X和y的值）。此外，作為制造條件，能夠根據(jù)所使用的材料等而適當?shù)剡x擇最佳條 件。
[0065] 另外，在支承基板12上形成無機層14之后，為了控制無機層表面14a的表面粗糙 度（Ra)，能夠?qū)嵤o機層14的表面進行平整（日文：削3 )的處理。作為該處理，可列 舉出例如離子濺射法等。
[0066] 玻璃基板
[0067] 玻璃基板18在其第1主表面18a與無機層14密合，并在與無機層14側(cè)相反的一 側(cè)的第2主表面18b上設有后述的電子器件用構件。
[0068] 關于玻璃基板18的種類，其可以為通常的玻璃基板，可列舉出例如IXD、OLED這樣 的顯示裝置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐化學藥品性、耐透濕性優(yōu)異，并且熱收縮率 較低。作為熱收縮率的指標，能夠使用日本工業(yè)標準JIS R 3102 (1995年修正）中規(guī)定的 線膨脹系數(shù)。日本工業(yè)標準JIS R 3102(1995年修訂）的內(nèi)容作為參照在此引入。
[0069] 玻璃基板18能夠通過將玻璃原料熔融、將熔融玻璃成形為板狀而得到。這種 成形方法可以為通常的成形方法，能夠使用例如浮法、熔融法、狹縫下拉法、垂直引上法 (fourcault process)、機械吹筒法（Labbers process)等。另外，尤其厚度較薄的玻璃基 板是利用將暫時成形為板狀的玻璃加熱至可成形的溫度、并通過拉伸等方法進行拉伸而使 其變薄的方法（平拉法）成形而得到的。
[0070] 對玻璃基板18的玻璃沒有特別限定，優(yōu)選為無堿硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鈉鈣 玻璃、高硅氧玻璃、以及其他以氧化硅為主要成分的氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，優(yōu) 選為基于氧化物換算的氧化硅的含量為40質(zhì)量％~90質(zhì)量％的玻璃。
[0071] 作為玻璃基板18的玻璃，能夠采用適合器件的種類、其制造工序的玻璃。例如，液 晶面板用的玻璃基板由于堿金屬成分的溶出而容易對液晶產(chǎn)生影響，因此由實質(zhì)上不含堿 金屬成分的玻璃（無堿玻璃）構成（其中，通常包括堿土金屬成分）。這樣，玻璃基板18的 玻璃能夠基于所適用的器件的種類和其制造工序來適當?shù)剡x擇。
[0072] 玻璃基板18的厚度不受特別限定，但從玻璃基板18的薄型化和/或輕量化的觀 點考慮，玻璃基板18的厚度通常為0. 8mm以下，優(yōu)選為0. 3mm以下，進一步優(yōu)選為0. 15mm 以下。在玻璃基板18的厚度大于0. 8mm的情況下，不能滿足玻璃基板18的薄型化和/或 輕量化的要求。在玻璃基板18的厚度為0. 3mm以下的情況下，能夠賦予玻璃基板18良好 的撓性。在玻璃基板18的厚度為0. 15mm以下的情況下，能夠?qū)⒉ＡЩ?8卷成卷狀。另 外，從使玻璃基板18的制造容易、玻璃基板18的處理容易等方面考慮，玻璃基板18的厚度 優(yōu)選為〇. 〇3mm以上。
[0073]