專利名稱:Ri 制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種RI (放射性同位素)制造裝置。
背景技術(shù)：
例如在用于正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層顯像(PET ；Positron Emission Tomography)的、在以放射性元素標(biāo)記的檢查用藥劑的制造或放射線治療中，使用回旋加速器等粒子加速器。啟動(dòng)粒子加速器時(shí)，由于產(chǎn)生中子束或伽馬射線等放射線，因此需要屏蔽放射線。
一直以來(lái)，通過(guò)由放射線屏蔽壁體覆蓋設(shè)置有粒子加速器的建筑物自身來(lái)屏蔽放射線，但是近幾年從謀求降低建筑物重量及成本的觀點(diǎn)出發(fā)，開(kāi)發(fā)了通過(guò)放射線屏蔽壁體包圍粒子加速器自身來(lái)屏蔽的所謂自屏蔽型粒子加速器系統(tǒng)(例如，參考專利文獻(xiàn)I)。專利文獻(xiàn)I所述的加速器系統(tǒng)如下構(gòu)成即包圍加速器自身的自屏蔽體(放射線屏蔽壁體)形成為被分割成固定側(cè)的放射線屏蔽壁體與可動(dòng)側(cè)的放射線屏蔽壁體，以便移動(dòng)可動(dòng)側(cè)的放射線屏蔽壁體來(lái)開(kāi)放內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。例如，在維修作為加速器的回旋加速器時(shí)，通過(guò)移動(dòng)可動(dòng)側(cè)塊體來(lái)開(kāi)放內(nèi)部，從而能夠輕松進(jìn)入內(nèi)部。
專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2005-127901號(hào)公報(bào)
制造RI的RI制造裝置的靶由于直接暴露于帶電粒子束，因此由于每天的運(yùn)行而進(jìn)行放射化。若進(jìn)行放射化，則即使為停止運(yùn)行后(停止照射帶電粒子束后)，也從靶放射放射線，因此在維修設(shè)置于自屏蔽體內(nèi)部的靶以外的設(shè)備時(shí)，需要等待放射線衰減才可開(kāi)放自屏蔽體。因此，有運(yùn)行停止時(shí)間變長(zhǎng)之類的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而成，其目的在于提供如下的RI制造裝置，即在維修配置于自屏蔽體內(nèi)的設(shè)備時(shí)，能夠降低被放射化的靶輻射的危險(xiǎn)，并能夠縮短用于衰減放射線的待機(jī)時(shí)間。
本發(fā)明的RI制造裝置，其特征在于，具備加速帶電粒子的加速器；照射由加速器加速的帶電粒子來(lái)制造放射性同位素的靶；作為包圍加速器及靶來(lái)屏蔽放射線的壁體的自屏蔽體；及配置于自屏蔽體與加速器之間，作為包圍靶來(lái)屏蔽放射線的壁體的靶屏蔽體。
根據(jù)如此構(gòu)成的RI制造裝置，由于其結(jié)構(gòu)為在比自屏蔽體更靠?jī)?nèi)側(cè)，具備作為包圍靶來(lái)屏蔽放射線的壁體的靶屏蔽體，因此能夠屏蔽從放射化的靶放射的放射線。因此，即使開(kāi)放自屏蔽體，來(lái)自靶的放射線也會(huì)被靶屏蔽體屏蔽，因此在維修配置為比自屏蔽體更靠?jī)?nèi)側(cè)的靶以外的設(shè)備時(shí)，不用等待放射線衰減也能夠進(jìn)行操作，并能夠降低操作者被輻射的危險(xiǎn)。而且，由于是在比自屏蔽體更靠?jī)?nèi)側(cè)具備靶屏蔽體的結(jié)構(gòu)，因此配置在比靶屏蔽體更靠外側(cè)的自屏蔽體以比以往更少的屏蔽材料產(chǎn)生與以往相同的屏蔽效果。
其中，優(yōu)選靶屏蔽體為具備屏蔽伽馬射線的伽馬射線屏蔽板及配置于該伽馬射線屏蔽板的靶側(cè)且屏蔽中子束的中子束屏蔽板的結(jié)構(gòu)。如此若為在靶側(cè)具備中子束屏蔽板且在其外側(cè)具備伽馬射線屏蔽板的結(jié)構(gòu)，則能夠通過(guò)外側(cè)的伽馬射線屏蔽板屏蔽因中子束碰撞中子束屏蔽板而產(chǎn)生的伽馬射線。
而且，優(yōu)選自屏蔽體由多個(gè)零件組成，多個(gè)零件中的至少一個(gè)為可移動(dòng)的結(jié)構(gòu)，靶屏蔽體具有可開(kāi)關(guān)的門(mén)，門(mén)與鄰接于該門(mén)的部件的接縫形成在與自屏蔽體的多個(gè)零件之間的接縫偏離的位置。如此，若在靶屏蔽體上設(shè)置門(mén)，則在維修配置于內(nèi)側(cè)的靶時(shí)，能夠通過(guò)開(kāi)放門(mén)來(lái)輕松進(jìn)入，因此能夠輕松完成靶的更換操作等維修操作。而且，通過(guò)將靶屏蔽體的門(mén)的接縫與外側(cè)的自屏蔽體的接縫配置在偏離的位置，從而能夠避免上述兩個(gè)接縫配置于相同直線上，從而防止放射線從接縫透射的危險(xiǎn)。
而且，優(yōu)選使導(dǎo)出靶內(nèi)的放射性同位素的導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部設(shè)置于靶屏蔽體的下表面?zhèn)?。容納于靶內(nèi)的放射性同位素通過(guò)導(dǎo)出管導(dǎo)出至RI制造裝置的外部。此時(shí)，若在屏蔽放射線的需求較少的靶的下表面?zhèn)仍O(shè)置使導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部，則通過(guò)該缺口部的放射線碰撞底面而反射并被衰減，而且，因反射而使距離增加，并且由距離引起的衰減變大，由此可以降低操作者被輻射的危險(xiǎn)。而且，在維修時(shí)，操作者無(wú)需進(jìn)入靶屏蔽體的正下方，因此也無(wú)需考慮被直射下方的放射線輻射，所以即使在無(wú)覆蓋靶的底面?zhèn)鹊姆派渚€屏蔽壁體的情況下，也不會(huì)尤其成為問(wèn)題。
發(fā)明效果
如此根據(jù)本發(fā)明，由于具備包圍靶來(lái)屏蔽放射線的靶屏蔽體，因此即使在開(kāi)放自屏蔽體的情況下，也能夠降低被放射化的靶輻射的危險(xiǎn)，在維修配置于自屏蔽體內(nèi)的靶以外的設(shè)備時(shí)，能夠縮短用于衰減放射線的待機(jī)時(shí)間，并能夠縮短運(yùn)行停止時(shí)間。


圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的沿XY面的截面圖。
圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的沿ZX面的截面圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的沿XY面的截面圖，是表示開(kāi)放靶屏蔽體的狀態(tài)的圖。
圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的加速器的立體圖。
圖5是放大表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的靶屏蔽體(左側(cè))的截面圖。
圖6是放大表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的靶屏蔽體(右側(cè))的截面圖。
圖中1-RI制造裝置，2-加速器，3-靶，4-真空泵，5-導(dǎo)出軟管，6-自屏蔽體，7、8-靶屏蔽體，71,81-正面板，72,82-側(cè)面板，73,83-背面板，74,84-頂板，75-底板，75a_缺口部，78、88_鉸鏈，S-內(nèi)部空間。
具體實(shí)施方式
以下，參考圖I至圖6對(duì)根據(jù)本發(fā)明的RI制造裝置的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在
中，對(duì)相同或相當(dāng)要件附加相同符號(hào)，并省略重復(fù)說(shuō)明。而且，上下左右等位置關(guān)系設(shè)為基于附圖位置關(guān)系的關(guān)系。
(RI制造裝置)
圖I是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置的截面圖。本實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置I制造放射性同位素(RI)。RI制造裝置I例如可用作PET用回旋加速器，由RI制造裝置I制造的RI例如用于制造作為放射性同位素標(biāo)記化合物(RI化合物)的放射性藥劑(包括放射性醫(yī)藥用品)。作為用于醫(yī)院等的PET檢查(正電子發(fā)射計(jì)算機(jī)斷層顯像檢查)的放射性同位素標(biāo)記化合物有18F-FLT (氟代胸苷)、18F-FMISO (18F-氟硝基咪唑)、11C-雷氯必利等。
RI制造裝置I為所謂自屏蔽型的粒子加速器系統(tǒng)，具備加速帶電粒子的加速器(回旋加速器)2及作為用于包圍該加速器2來(lái)屏蔽放射線的放射線屏蔽體(壁體)的自屏蔽體6。以由自屏蔽體6包圍的方式形成的內(nèi)部空間S中，除加速器2以外，還配置有用于制造RI的靶3、用于使加速器2的內(nèi)部成為真空的真空泵4等。而且，在內(nèi)部空間中，配置有加速器2運(yùn)行所需的附屬品、用于將靶3內(nèi)的RI導(dǎo)出裝置外的導(dǎo)出軟管(未圖示)及用于冷卻靶3的附屬設(shè)備等。
(加速器)
如圖4所示，加速器2為所謂立式回旋加速器，具有一對(duì)磁極22、真空箱23、包圍這些一對(duì)磁極22及真空箱23的環(huán)狀磁軛24。一對(duì)磁極22中，一部分磁極的上表面彼此在真空箱23內(nèi)隔著預(yù)定間隔而相對(duì)。氫離子等帶電粒子在這些一對(duì)磁極22的間隙內(nèi)被多重加速。真空泵4用于維持加速器2內(nèi)的真空環(huán)境，例如固定于加速器2的側(cè)部。
(靶)
靶3用于接受從加速器2照射的帶電粒子束來(lái)制造RI，內(nèi)部形成有容納原料(例如靶液)的容納部。如圖I及圖2所示，靶3通常固定于加速器2的側(cè)部。靶3為最暴露于帶電粒子束的部位，在運(yùn)行中被放射化，即使停止運(yùn)行后仍放出放射線。本實(shí)施方式的RI制造裝置I具備多個(gè)靶3。靶3隔著加速器2配置于圖示X方向的兩側(cè)。例如，配置于圖示左側(cè)的靶3(3A)配置于上段側(cè)，配置于圖示右側(cè)的靶3 (3B)配置于下段側(cè)(參考圖2)。導(dǎo)出軟管連通并連接于靶3的容納部，并形成將制造出的RI導(dǎo)出RI制造裝置I外的流體通道。
(自屏蔽體)
如圖I至圖3所示，自屏蔽體6由多個(gè)零件組成，作為多個(gè)零件具備后壁體62與前壁體63。后壁體62配置為覆蓋加速器2的背面?zhèn)?。后壁體62形成為例如覆蓋加速器2的整個(gè)背面、加速器2側(cè)部的兩側(cè)中背面?zhèn)鹊囊话?、加速?頂棚側(cè)的面中背面?zhèn)鹊囊话搿?br>前壁體63配置為覆蓋加速器2的正面?zhèn)取Ｇ氨隗w63形成為例如覆蓋加速器2的整個(gè)正面、加速器2側(cè)部的兩側(cè)中正面?zhèn)鹊囊话?、加速?頂棚側(cè)的面中正面?zhèn)鹊囊话?。后壁體62與前壁體63為隔著加速器2相互對(duì)置配置并包圍加速器2及靶3等來(lái)屏蔽放射線的壁體。
后壁體62作為固定于底面的固定側(cè)的放射線屏蔽壁體發(fā)揮作用，前壁體63作為可在底面上移動(dòng)的可動(dòng)側(cè)的放射線屏蔽壁體發(fā)揮作用?？蓜?dòng)側(cè)的放射線屏蔽壁體成為能夠以相對(duì)于固定側(cè)的放射線屏蔽壁體靠近、分離的方式移動(dòng)的結(jié)構(gòu)。另外，設(shè)為可移動(dòng)后壁體62及前壁體63中的至少一方的結(jié)構(gòu)，也可設(shè)為可移動(dòng)兩方的結(jié)構(gòu)。自屏蔽體6也可成為具備與后壁體62及前壁體63不同的其他放射線屏蔽壁體的結(jié)構(gòu)。前壁體63的移動(dòng)能夠使用基于導(dǎo)軌與輥的移動(dòng)機(jī)構(gòu)等。
構(gòu)成自屏蔽體6的放射線屏蔽壁體主要由混凝土構(gòu)成。具體而言，在金屬制框體內(nèi)填充有混凝土。從放射線屏蔽能的觀點(diǎn)考慮，作為所使用的混凝土，優(yōu)選使用比重較大的混凝土，例如，使用了磁鐵鋼等比重較大的骨材的高密度屏蔽用混凝土。而且，也可設(shè)為在混凝土的內(nèi)面?zhèn)染邆溷U、聚乙烯等其他放射線屏蔽材料的結(jié)構(gòu)。
(靶屏蔽體)
在此，本實(shí)施方式所涉及的RI制造裝置I具備配置于自屏蔽體6與加速器2之間且作為包圍靶3來(lái) 屏蔽放射線的壁體的靶屏蔽體7、8。靶屏蔽體7形成為覆蓋配置于左側(cè)側(cè)部的靶3A(3)并屏蔽來(lái)自靶3A的放射線。靶屏蔽體8形成為覆蓋配置于右側(cè)側(cè)部的靶3B(3)并屏蔽來(lái)自靶3B的放射線。作為來(lái)自靶3A、3B的放射線有在運(yùn)行中通過(guò)核反應(yīng)產(chǎn)生的中子束、伽馬射線，而且有在停止運(yùn)行后由放射化的靶3A、3B自身產(chǎn)生的伽馬射線。
靶屏蔽體7具備覆蓋靶3A正面?zhèn)鹊恼姘?1、覆蓋靶3A側(cè)面?zhèn)鹊膫?cè)面板72、覆蓋靶3A背面?zhèn)鹊谋趁姘?3、覆蓋靶3A上表面?zhèn)鹊捻敯?4及覆蓋靶3A底面?zhèn)鹊牡装?5。正面板71及背面板73隔著靶3A在圖示Y方向上對(duì)置配置。而且，如圖I所示，正面板71傾斜為外側(cè)端部比內(nèi)側(cè)端部(加速器2側(cè)的端部)更靠后方配置。側(cè)面板72隔著靶3A與加速器2對(duì)置配置。頂板74及底板75隔著靶3A在圖示Z方向上對(duì)置配置。
靶屏蔽體8具備覆蓋靶3B正面?zhèn)鹊恼姘?1、覆蓋靶3B側(cè)面?zhèn)鹊膫?cè)面板82、覆蓋靶3B背面?zhèn)鹊谋趁姘?3及覆蓋靶3B上表面?zhèn)鹊捻敯?4。正面板81及背面板83隔著靶3B在圖示Y方向上對(duì)置配置。而且，如圖I所示，正面板81傾斜為外側(cè)端部比內(nèi)側(cè)端部(加速器2側(cè)的端部)更靠后方配置。側(cè)面板82隔著靶3B與加速器2對(duì)置配置。
在靶屏蔽體8中，底面?zhèn)任磁渲糜蟹派渚€屏蔽壁體。而且，如圖I所示，在靶屏蔽體8中，配置于靶3B的背面的真空泵4的背面?zhèn)扰渲糜斜趁姘?3。在由靶屏蔽體8包圍的空間內(nèi)配置有真空泵4，但是背面板83也可配置于靶3B與真空泵4之間。而且，當(dāng)在由靶屏蔽體8圍繞的空間內(nèi)配置靶3以外的組件時(shí)，也可為在上下方向Z上僅在對(duì)應(yīng)于靶3的部分配置放射線屏蔽壁體的結(jié)構(gòu)。靶屏蔽體8的側(cè)面板82也可為在前后方向Y上分割為多個(gè)(在本實(shí)施方式中為2個(gè))的結(jié)構(gòu)。
另外，靶屏蔽體的形狀及配置并不限定于上述結(jié)構(gòu)，也可為其他的靶屏蔽體，總之，只要為配置成包圍靶3(3A、3B)并能夠屏蔽從靶3產(chǎn)生的放射線的結(jié)構(gòu)即可。例如，也可為不具備頂板71、81和/或底板75的結(jié)構(gòu)。也可為作為屏蔽在向與水平面(XY平面)交叉的面行進(jìn)的放射線的壁體的靶屏蔽體。
(靶屏蔽體雙重結(jié)構(gòu))
圖5是放大表示靶屏蔽體7的截面圖。如圖5所示，靶屏蔽體7具備屏蔽伽馬射線的伽馬射線屏蔽板(71A、72A、73A)及配置于伽馬射線屏蔽板的靶3側(cè)并屏蔽中子束的中子束屏蔽板(71B、72B、73B)。正面板71由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板71A和配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板71B層疊而構(gòu)成。側(cè)面板72由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板72A與配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板72B層疊而構(gòu)成。背面板73由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板73A與配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板73B層疊而構(gòu)成。與此相同，頂板74及底板75也是由伽馬射線屏蔽板與中子束屏蔽板層疊而構(gòu)成。
圖6是放大表示靶屏蔽體8的截面圖。如圖6所示，靶屏蔽體8具備屏蔽伽馬射線的伽馬射線屏蔽板(81A、82A、83A)及配置于伽馬射線屏蔽板的靶3側(cè)并屏蔽中子束的中子束屏蔽板(81B、82B、83B)。正面板81由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板81A與配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板81B層疊而構(gòu)成。側(cè)面板82由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板82A與配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板82B層疊而構(gòu)成。背面板83由配置于板厚方向外側(cè)的伽馬射線屏蔽板83A與配置于內(nèi)側(cè)的中子束屏蔽板83B層疊而構(gòu)成。與此相同，頂板84也由伽馬射線屏蔽板與中子束屏蔽板層疊而構(gòu)成。
中子束屏蔽板例如使用螺栓螺母固定于伽馬射線屏蔽板的內(nèi)側(cè)(靶3側(cè)的面)。作為屏蔽中子束的放射線屏蔽材料，可以例舉聚乙烯(PE)^K (H2O)等。作為屏蔽伽馬射線的放射線屏蔽材料，可以例舉鉛(Pb)、鎢(W)等。而且，作為屏蔽伽馬射線的放射線屏蔽材料，也可為具有鐵(Fe)以上密度的物質(zhì)。作為放射線屏蔽材料還可使用其他材料。
(靶屏蔽體門(mén))
關(guān)的門(mén)7D、8D的結(jié)構(gòu)。在靶屏蔽體7中，正面板71、側(cè)面板72、頂板74及底板75形成為一體并作為可開(kāi)關(guān)的門(mén)7D發(fā)揮作用。在靶屏蔽體8中，正面板81、側(cè)面板82及頂板84形成為一體并作為可開(kāi)關(guān)的門(mén)8D發(fā)揮作用。
靶屏蔽體I的門(mén)7D成為具有鉸鏈78且可繞向Z軸方向延伸的中心軸擺動(dòng)的結(jié)構(gòu)。靶屏蔽體8的門(mén)8D成為具有鉸鏈88且可繞向Z軸方向延伸的中心軸擺動(dòng)的結(jié)構(gòu)。而且，門(mén)7D、8D的結(jié)構(gòu)并不限定于具備鉸鏈78、88的結(jié)構(gòu)，例如，也可為靶屏蔽體7、8的壁體的一部分通過(guò)滑動(dòng)來(lái)開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)。
而且，如圖I所示，在關(guān)閉門(mén)7D的狀態(tài)下，靶屏蔽體7的門(mén)7D與背面板73的接縫(接合面)Fl如下構(gòu)成形成于與自屏蔽體6的零件之間(后壁體62、前壁體63)的接縫F2偏離的位置，避免配置在相同直線上。與此相同，在關(guān)閉門(mén)8D的狀態(tài)下，靶屏蔽體8的門(mén)8D與其他部件的接縫F3如下構(gòu)成形成于與自屏蔽體6的零件之間的接縫F4偏離的位置，避免配置在相同直線上。
(靶屏蔽體缺口部)
而且，靶屏蔽體7上形成有讓用于從靶3提取制造出的RI的導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部75a。該缺口部75a優(yōu)選設(shè)置于祀屏蔽體7的下表面?zhèn)取１緦?shí)施方式的祀屏蔽體7在底板75上設(shè)置缺口部75a，導(dǎo)出管穿過(guò)該缺口部75a，向靶屏蔽體7外導(dǎo)出。導(dǎo)出管從設(shè)置于底面的凹槽內(nèi)通過(guò)，向RI制造裝置外送出。
(作用)
接著對(duì)如此構(gòu)成的RI制造裝置I的作用進(jìn)行說(shuō)明。首先，通過(guò)加速器2加速帶電粒子，帶電粒子束照射靶3。靶3容納部?jī)?nèi)的靶液被照射帶電粒子束而進(jìn)行核反應(yīng)來(lái)制造RI。制造出的RI流過(guò)導(dǎo)出管內(nèi)送至RI制造裝置I外。例如，制造出的RI供給至用于合成RI化合物的放射性化合物合成裝置(RI化合物合成裝置)。由RI化合物合成裝置合成的RI化合物供給至放射性藥劑濃縮裝置并濃縮而作為放射性藥劑(產(chǎn)品)回收。
而且，在運(yùn)行中，以關(guān)閉狀態(tài)使用自屏蔽體6及靶屏蔽體7、8。在運(yùn)行RI制造裝置I時(shí)，由靶3產(chǎn)生的放射線通過(guò)靶屏蔽體7、8屏蔽，并且通過(guò)自屏蔽體6屏蔽。
接著，在停止運(yùn)行狀態(tài)下，當(dāng)實(shí)施RI制造裝置I的維修時(shí)，移動(dòng)自屏蔽體6的前壁體63來(lái)開(kāi)放內(nèi)部。此時(shí)，由于靶屏蔽體7、8為關(guān)閉的狀態(tài)，因此即使為靶3被放射化的情況，由靶3產(chǎn)生的放射線也通過(guò)靶屏蔽體7、8屏蔽。由此，在整修靶3以外的設(shè)備類時(shí)，不用等待來(lái)自靶3的放射線衰減，即可開(kāi)始維修工作。因此，由于無(wú)需如以往等待來(lái)自靶3的放射線衰減，因此能夠縮短用于維修工作的運(yùn)行停止時(shí)間。
如此在本實(shí)施方式的RI制造裝置I中，由于具備包圍靶3來(lái)屏蔽放射線的靶屏蔽體7、8，因此能夠屏蔽由放射化的靶3放射的放射線。因此，能夠降低操作者被輻射的危險(xiǎn)。而且，由于是在比自屏蔽體6更靠?jī)?nèi)側(cè)具備靶屏蔽體7、8的結(jié)構(gòu)，因此配置于比靶屏蔽體7、8更靠外側(cè)的自屏蔽體6以比以往更少的屏蔽材料產(chǎn)生與以往相同的屏蔽效果，從而能夠縮減屏蔽材料的使用量。
而且，由于靶屏蔽體7、8在伽馬射線屏蔽板的內(nèi)側(cè)(靶3側(cè))設(shè)置有中子束屏蔽板，因此能夠通過(guò)外側(cè)的伽馬射線屏蔽板屏蔽來(lái)自靶3的中子束碰撞中子束屏蔽板而產(chǎn)生的伽馬射線。
而且，由于靶屏蔽體7、8為具有門(mén)的結(jié)構(gòu)，因此在維修靶3時(shí)，能夠通過(guò)開(kāi)放門(mén)來(lái)輕松進(jìn)入。而且，由于構(gòu)成為避免靶屏蔽體7、8與鄰接的部件的接縫和自屏蔽體6的零件之間的接縫配置在相同直線上，因此能夠抑制放射線從放射線屏蔽壁體的接縫透射的危險(xiǎn)。
而且，在靶屏蔽體的底板75設(shè)置缺口部75a，該缺口部75a用作使導(dǎo)出管通過(guò)的開(kāi)口部。如此，若使導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部設(shè)置于靶3的底面?zhèn)?，則通過(guò)該缺口部的放射線，因碰撞底面(例如，混凝土等)而反射并被衰減。而且，由于放射線反射，因此由距離引起的放射線的衰減也變大。因此，能夠降低操作者被輻射的危險(xiǎn)。而且，操作者在維修時(shí)，由于無(wú)需進(jìn)入靶屏蔽體7、8的正下方，因此被直射下方的放射線輻射的危險(xiǎn)較少。
以上，根據(jù)該實(shí)施方式具體說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。例如，在上述實(shí)施方式中，靶屏蔽體為具備伽馬射線屏蔽板與中子束屏蔽板的結(jié)構(gòu)，但也可為由伽馬射線屏蔽板組成的靶屏蔽體。
而且，在上述實(shí)施方式中，使導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部形成于底板，但缺口部的位置并不限定于底板。也可為在其他的背面板、頂板等設(shè)置使導(dǎo)出管通過(guò)的開(kāi)口的結(jié)構(gòu)。
而且，靶屏蔽體并不限定于固定在加速器側(cè)的結(jié)構(gòu)，例如，也可為固定在不移動(dòng)的后壁體62的靶屏蔽體或經(jīng)支承部件固定在底面的靶屏蔽體。
而且，在上述實(shí)施方式中，將加速器作為回旋加速器進(jìn)行了說(shuō)明，但加速器并不限定于回旋加速器，也可為其他加速器(例如同步回旋加速器或同步加速器)。
權(quán)利要求
1.一種放射性同位素制造裝置，其特征在于，具備 加速帶電粒子的加速器； 照射由所述加速器加速的所述帶電粒子來(lái)制造放射性同位素的靶； 作為包圍所述加速器及所述靶來(lái)屏蔽放射線的壁體的自屏蔽體；及配置于所述自屏蔽體與所述加速器之間，作為包圍所述靶來(lái)屏蔽放射線的壁體的靶屏蔽體。
2.如權(quán)利要求
I所述的放射性同位素制造裝置，其特征在于， 所述靶屏蔽體具備 屏蔽伽馬射線的伽馬射線屏蔽板；及 配置于該伽馬射線屏蔽板的所述靶側(cè)且屏蔽中子束的中子束屏蔽板。
3.如權(quán)利要求
I或2所述的放射性同位素制造裝置，其特征在于， 所述自屏蔽體由多個(gè)零件組成，所述多個(gè)零件中的至少一個(gè)為可移動(dòng)的結(jié)構(gòu)， 所述靶屏蔽體具有可開(kāi)關(guān)的門(mén)， 所述門(mén)與鄰接于該門(mén)的其他部件的接縫形成在與所述自屏蔽體的所述多個(gè)零件之間的接縫偏離的位置。
4.如權(quán)利要求
I 3中任一項(xiàng)所述的放射性同位素制造裝置，其特征在于， 使導(dǎo)出所述靶內(nèi)的放射性同位素的導(dǎo)出管通過(guò)的缺口部設(shè)置于所述靶屏蔽體的下表面?zhèn)取?br>專利摘要
本發(fā)明提供一種RI制造裝置，其能夠在維修配置于自屏蔽體內(nèi)的設(shè)備時(shí)，降低被放射化的靶輻射的危險(xiǎn)，并能夠縮短用于衰減放射線的待機(jī)時(shí)間。一種RI制造裝置(1)，其具有加速帶電粒子的加速器(2)、被照射帶電粒子束的靶(3)及包圍這些加速器(2)及靶(3)來(lái)屏蔽放射線的自屏蔽體(6)，其結(jié)構(gòu)設(shè)為具備在自屏蔽體(6)與加速器(2)之間包圍靶(3)來(lái)屏蔽放射線的靶屏蔽體(7、8)。即使在開(kāi)放自屏蔽體(6)的情況下，來(lái)自靶(3)的放射線也會(huì)被靶屏蔽體(7、8)屏蔽，因此在維修靶(3)以外的設(shè)備時(shí)，不用等待放射線衰減也能夠進(jìn)行操作。
文檔編號(hào)G21K5/00GKCN102655029SQ201210053170
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年3月2日
發(fā)明者田中秀樹(shù) 申請(qǐng)人:住友重機(jī)械工業(yè)株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan