本發(fā)明涉及氣體阻隔性層疊體及其相關(guān)技術(shù)。

背景技術(shù)：

1、通常，作為針對水蒸氣或氧的氣體阻隔性材料，使用了在基材層上設(shè)置具有氣體阻隔性的無機物層而得到的層疊體。

2、然而，該無機物層經(jīng)不起摩擦等，這樣的氣體阻隔性層疊體存在下述情況：在后加工的印刷時、層壓時或填充內(nèi)容物時，由于磨蹭、拉伸而在無機物層上產(chǎn)生裂紋，氣體阻隔性降低。

3、因此，作為氣體阻隔性層，例如，專利文獻1(國際公開第2016/017544號)中公開了一種氣體阻隔用涂布材料，其包含多元羧酸、多胺化合物、多價金屬化合物及堿，(上述多元羧酸中包含的-coo-基的摩爾數(shù))/(上述多胺化合物中包含的氨基的摩爾數(shù))＝100/20～100/90。

4、專利文獻1中公開了下述內(nèi)容：若使用這樣的氣體阻隔用涂布材料，則能夠提供在低濕度下及高濕度下這兩種條件下的氣體阻隔性、尤其是氧阻隔性良好的氣體阻隔性膜及其層疊體。

5、另外，專利文獻2(國際公開第03/091317號)中公開了一種膜，其是以多元羧酸(a)和多價金屬化合物(b)為原料的膜，該膜的紅外線吸收光譜的峰比(a1560/a1700)為0.25以上。

6、專利文獻2中公開了下述內(nèi)容：若為這樣的膜，則可得到即使在高濕度氣氛下氧等的氣體阻隔性也優(yōu)異、具有耐水性(不會由于中性的水、高溫水蒸氣及熱水的影響而損害外觀、形狀及氣體阻隔性)并且在酸及/或堿中易溶性的膜。

7、另外，專利文獻3(國際公開第2016/088534號)中公開了一種氣體阻隔性聚合物，其是通過對包含多元羧酸及多胺化合物的混合物進行加熱而形成的氣體阻隔性聚合物，在該氣體阻隔性聚合物的紅外線吸收光譜中，在將1493cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為a并將1598cm-1以上1690cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為b時，由b/a表示的酰胺鍵的面積比率為0.370以上。

8、專利文獻3中公開了若為這樣的聚合物，則是能夠?qū)崿F(xiàn)在高濕度下及煮沸·蒸煮處理后這兩種條件下的氣體阻隔性能優(yōu)異并且外觀、尺寸穩(wěn)定性、生產(chǎn)率的均衡性也優(yōu)異的氣體阻隔性膜及氣體阻隔層疊體的氣體阻隔性聚合物。

9、此外，作為關(guān)于氣體阻隔性材料的現(xiàn)有技術(shù)，還可以舉出以下的專利文獻4～6。

10、現(xiàn)有技術(shù)文獻

11、專利文獻

12、專利文獻1：國際公開第2016/017544號

13、專利文獻2：國際公開第03/091317號

14、專利文獻3：國際公開第2016/088534號

15、專利文獻4：日本特開2005-225940號公報

16、專利文獻5：日本特開2013-10857號公報

17、專利文獻6：國際公開第2011/122036號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、對于氣體阻隔性材料的各種特性所要求的技術(shù)水平逐漸增高。

3、根據(jù)本技術(shù)的發(fā)明人的見解及預(yù)備研究，例如，關(guān)于專利文獻1～3中所記載的那樣的現(xiàn)有氣體阻隔性材料，存在以下這樣的課題。

4、專利文獻1或2中所記載的那樣的、由包含多元羧酸和多價金屬化合物的體系形成的氣體阻隔性材料因雙層層壓結(jié)構(gòu)而存在蒸煮處理后的阻隔性能惡化的問題。

5、另外，專利文獻3中所記載的那樣的、由包含多元羧酸和多胺化合物的體系形成的氣體阻隔性材料因三層層壓結(jié)構(gòu)而存在蒸煮處理后的阻隔性能惡化的問題。

6、如上所述，本技術(shù)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)專利文獻1～3中所記載的那樣的現(xiàn)有氣體阻隔性材料因?qū)訅航Y(jié)構(gòu)而存在蒸煮處理后的阻隔性能惡化的問題。

7、即，本技術(shù)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，基于蒸煮處理后的阻隔性能這樣的觀點，現(xiàn)有氣體阻隔性材料存在改善的余地。

8、本發(fā)明是鑒于上述情況而作出的。本發(fā)明的目的之一是提供一種阻隔性層疊體，其能夠用于蒸煮處理后的阻隔性能、例如雙層層壓結(jié)構(gòu)中的水蒸氣透過率良好的阻隔膜。

9、(該發(fā)明的目的尤其關(guān)系到后述的第1發(fā)明。)

10、在氣體阻隔性材料中，要求進一步提高水蒸氣等氣體的阻隔性。例如，在制造蒸煮食品時，進行蒸煮處理，即在利用氣體阻隔性材料對食品進行包裝后進行加熱處理，要求在蒸煮處理后也可獲得良好的阻隔性。

11、本發(fā)明的目的之一是提供水蒸氣等氣體的阻隔性得到改善的氣體阻隔性材料。

12、(該發(fā)明的目的尤其關(guān)系到后述的第2發(fā)明。)

13、根據(jù)本技術(shù)的發(fā)明人的見解，專利文獻1～3中所記載的那樣的現(xiàn)有氣體阻隔性材料根據(jù)層壓結(jié)構(gòu)而存在蒸煮處理后的阻隔性能惡化的問題。

14、本發(fā)明的目的之一是提供一種阻隔性層疊體，其無論層壓結(jié)構(gòu)如何，均能夠用于蒸煮處理后的阻隔性能良好的阻隔膜。

15、(該發(fā)明的目的尤其關(guān)系到后述的第3發(fā)明。)

16、根據(jù)本技術(shù)的發(fā)明人的見解，基于均衡性良好地提高生產(chǎn)率及阻隔性這樣的觀點，氣體阻隔性材料依然存在改善的余地。雖然迄今為止有很多著眼于提高阻隔性能的技術(shù)，但迄今為止并未報道均衡性良好地提高阻隔性和生產(chǎn)率的技術(shù)。

17、本發(fā)明的目的之一是提供生產(chǎn)率與阻隔性的均衡性優(yōu)異、可在各種層結(jié)構(gòu)中發(fā)揮理想的阻隔性的氣體阻隔性材料。

18、(該發(fā)明的目的尤其關(guān)系到后述的第4發(fā)明。)

19、對于氣體阻隔性材料的各種特性所要求的技術(shù)水平逐漸增高。根據(jù)本技術(shù)的發(fā)明人的見解，就專利文獻4及5中所記載的那樣的氣體阻隔性材料而言，為了使多元羧酸與多胺交聯(lián)，需要于高溫進行長時間的加熱，因此有時生產(chǎn)率降低。

20、另外，若為了提高這樣的氣體阻隔性材料的生產(chǎn)率而縮短用于使多元羧酸與多胺交聯(lián)的加熱處理時間，則通過多元羧酸與多胺交聯(lián)而形成的酰胺鍵的比例變低，有時阻隔性降低。

21、由此，本技術(shù)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，基于均衡性良好地提高生產(chǎn)率及阻隔性這樣的觀點，現(xiàn)有氣體阻隔性材料存在改善的余地。雖然迄今為止有很多著眼于提高阻隔性能的技術(shù)，但迄今為止并未報道均衡性良好地提高阻隔性和生產(chǎn)率的技術(shù)。

22、本發(fā)明的目的之一是提供生產(chǎn)率與阻隔性的均衡性優(yōu)異的氣體阻隔性材料。

23、(該發(fā)明的目的尤其關(guān)系到后述的第5發(fā)明。)

24、用于解決課題的手段

25、本技術(shù)的發(fā)明人為了達成上述課題中的至少1個而反復(fù)進行了深入研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，下述層疊體的蒸煮處理后的阻隔性能良好，所述層疊體是具備根據(jù)例如x射線光電子能譜(xps)分析、zn在特定的組成比的范圍內(nèi)并且通過飛行時間型二次離子質(zhì)譜(tof-si?ms)分析而觀測到的來自zn的特定峰的強度比在某個范圍內(nèi)的氣體阻隔性層的氣體阻隔性層疊體，并且，所述層疊體具備根據(jù)xps分析、n的組成比在特定的范圍內(nèi)并且通過tof-sims分析而觀測到的來自n的特定的峰強度比在特定范圍內(nèi)的氣體阻隔性層。而且，完成了以下的第1發(fā)明。

26、另外，本技術(shù)的發(fā)明人完成了以下的第2發(fā)明、第3發(fā)明、第4發(fā)明及第5發(fā)明。

27、[第1發(fā)明]

28、1.

29、氣體阻隔性層疊體，其具備基材層、設(shè)置于前述基材層的至少一個面的氣體阻隔性層、和設(shè)置于前述基材層與前述氣體阻隔性層之間的無機物層，

30、通過對前述氣體阻隔性層進行x射線光電子能譜分析而測定的、zn的組成比為1～10原子％，

31、在將通過對前述氣體阻隔性層進行飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析而測定的、64znpo4h-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(64znpo4h-)并將c3h3o2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(c3h3o2-)時，

32、i(64znpo4h-)/i(c3h3o2-)的值為6×10-4以上5×10-2以下，

33、通過對前述氣體阻隔性層進行x射線光電子能譜分析而測定的、n的組成比率大于0原子％且為12原子％以下，

34、在將通過對前述氣體阻隔性層進行飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析而測定的、cn-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(cn-)時，

35、i(cn-)/i(c3h3o2-)的值大于0且為2以下。

36、2.

37、如1.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在將通過對前述氣體阻隔性層進行前述飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析而測定的、po2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po2-)并將po3-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po3-)時，

38、(i(po2-)+i(po3-))/i(c3h3o2-)的值為0.02以上5以下。

39、3.

40、如1.或2.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述i(po2-)與前述i(po3-)的強度比即i(po2-)/i(po3-)的值為0.05以上1以下。

41、4.

42、如1.～3.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層由至少包含多元羧酸、zn、和含有1個以上的-p-oh基的磷化合物或其鹽的混合物的固化物構(gòu)成。

43、5.

44、如4.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述混合物中的前述磷化合物或其鹽的p原子的濃度相對于前述多元羧酸1mol而言為5×10-4mol以上0.3mol以下。

45、6.

46、如4.或5.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述混合物還包含多胺。

47、7.

48、如6.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多胺為聚乙烯亞胺。

49、8.

50、如4.～7.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多元羧酸包含選自由聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、及丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物組成的組中的1種或2種以上的聚合物。

51、9.

52、如1.～8.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層的厚度為0.05μm以上10μm以下。

53、[第2發(fā)明]

54、1.

55、氣體阻隔性層疊體，其具備基材層、設(shè)置于前述基材層的至少一個面的氣體阻隔性層、和設(shè)置于前述基材層與前述氣體阻隔性層之間的無機物層，

56、在將對前述氣體阻隔性層進行了飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析時的、po2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po2-)、將po3-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po3-)并將c3h3o2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(c3h3o2-)時，{i(po2-)+i(po3-)}/i(c3h3o2-)的值為0.02～5，

57、前述氣體阻隔性層包含選自由zn、ca、mg、ba及al組成的組中的1種或2種以上的金屬元素，通過對前述氣體阻隔性層進行x射線光電子能譜分析而求出的、前述氣體阻隔性層中的前述金屬元素的組成比率為1～15原子％。

58、2.

59、如1.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在將對前述氣體阻隔性層進行了飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析時的、cn-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(cn-)并將c3h3o2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(c3h3o2-)時，i(cn-)/i(c3h3o2-)的值為2以下。

60、3.

61、如1.或2.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在通過利用全反射測定法對前述氣體阻隔性層進行紅外光譜測定而得到的吸收光譜中，

62、在將1493cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為a并將1493cm-1以上1598cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為d時，面積比率d/a為0.5以上。

63、4.

64、如1.～3.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述無機物層與前述基材層相接，或者，在前述無機物層與前述基材層之間設(shè)置有底涂層。

65、5.

66、如1.～4.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述無機物層包含選自由氧化硅、氧化鋁及鋁組成的組中的1種或2種以上的無機物。

67、6.

68、如1.～5.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層的厚度為0.01～15μm。

69、7.

70、如1.～6.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，進一步在前述氣體阻隔性層的與前述無機物層相反的面?zhèn)仍O(shè)置有密封劑層。

71、8.

72、如7.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述密封劑層與前述氣體阻隔性層相接，或者，前述氣體阻隔性層與前述密封劑層通過粘接劑層進行了粘接。

73、9.

74、如7.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在前述氣體阻隔性層與前述密封劑層之間設(shè)置有含有聚酰胺的層。

75、10.

76、如1.～9.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其用于食品包裝。

77、11.

78、如1.～10.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其用于蒸煮食品的制造。

79、12.

80、包裝用袋，其是由1.～11.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體構(gòu)成的。

81、13.

82、食品，其是利用1.～12.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體進行包裝而得到的。

83、[第3發(fā)明]

84、1.

85、氣體阻隔性層疊體，其具備基材層、設(shè)置于前述基材層的至少一個面的氣體阻隔性層、和設(shè)置于前述基材層與前述氣體阻隔性層之間的無機物層，

86、通過對前述氣體阻隔性層進行x射線光電子能譜分析而測定的、zn的組成比為1～10原子％，

87、在將通過對前述氣體阻隔性層進行飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析而測定的、64znpo4h-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(64znpo4h-)并將c3h3o2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(c3h3o2-)時，

88、i(64znpo4h-)/i(c3h3o2-)的值為7×10-4以上5×10-2以下。

89、2.

90、如1.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在將通過對前述氣體阻隔性層進行前述飛行時間型二次離子質(zhì)譜分析而測定的、po2-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po2-)并將po3-的質(zhì)量峰強度設(shè)為i(po3-)時，

91、(i(po2-)+i(po3-))/i(c3h3o2-)的值為0.02以上5以下。

92、3.

93、如1.或2.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述i(po2-)與前述i(po3-)的強度比即i(po2-)/i(po3-)的值為0.05以上1以下。

94、4.

95、如1.～3.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層由至少包含多元羧酸、zn、和含有1個以上的-p-oh基的磷化合物或其鹽的混合物的固化物構(gòu)成。

96、5.

97、如4.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述混合物中的前述含有1個以上的-p-oh基的磷化合物或其鹽的濃度相對于前述多元羧酸中的羧基1mol而言為5×10-4mol以上0.3mol以下。

98、6.

99、如4.或5.所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多元羧酸包含選自由聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、及丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物組成的組中的1種或2種以上的聚合物。

100、7.

101、如1.～6.中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層的厚度為0.05μm以上10μm以下。

102、[第4發(fā)明]

103、[1]

104、氣體阻隔性層疊體，其包含：

105、基材層，

106、設(shè)置于前述基材層的至少一個面的氣體阻隔性層，和

107、設(shè)置于前述基材層與前述氣體阻隔性層之間的無機物層；

108、前述氣體阻隔性層由包含多元羧酸、多胺化合物、多價金屬化合物、和含有1個以上的-p-oh基的磷化合物或其鹽的混合物的固化物構(gòu)成。

109、[2]

110、如[1]所述的氣體阻隔性層疊體，其還包含設(shè)置于前述基材層與前述無機物層之間的底涂層。

111、[3]

112、如[1]或[2]所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述無機物層是設(shè)置于前述基材層上的蒸鍍膜、或者是在前述基材層與前述無機物層之間具有介在層的情況下設(shè)置于前述介在層上的蒸鍍膜，并且，前述無機物層是由選自由氧化硅、氧化鋁及鋁組成的組中的1種或2種以上的無機物構(gòu)成的。

113、[4]

114、如[1]～[3]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在前述氣體阻隔性層的紅外線吸收光譜中，

115、將1300cm-1以上1490cm-1以下的范圍內(nèi)的吸光度的最大峰高度設(shè)為α，

116、將1690cm-1以上1780cm-1以下的范圍內(nèi)的吸光度的最大峰高度設(shè)為γ時，

117、由γ/α表示的游離羧基相對于nh3絡(luò)合物而言的比例為0.00以上1.00以下。

118、[5]

119、如[1]～[4]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在前述氣體阻隔性層的紅外線吸收光譜中，

120、將1493cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為a，

121、將1598cm-1以上1690cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為b，

122、將1690cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為c，

123、將1493cm-1以上1598cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為d時，

124、由b/a表示的酰胺鍵的面積比率為0.200以上0.370以下，

125、由c/a表示的羧酸的面積比率為0.150以下，

126、由d/a表示的羧酸鹽的面積比率為0.580以上0.800以下。

127、[6]

128、如[1]～[5]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層的厚度為0.01μm以上15μm以下。

129、[7]

130、如[1]～[6]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多價金屬化合物為選自由zn、ca、mg、ba及al組成的組中的1種或2種以上的2價以上的金屬的化合物。

131、[8]

132、如[1]～[7]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，(前述混合物中的來自前述磷化合物或其鹽的p原子的摩爾數(shù))/(前述混合物中的來自前述多元羧酸的-coo-基的摩爾數(shù))為0.001以上0.3以下。

133、[9]

134、如[1]～[8]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述磷化合物為選自由磷酸、亞磷酸、次磷酸、多聚磷酸、膦酸及它們的鹽組成的組中的1種或2種以上。

135、[10]

136、如[1]～[9]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，(前述混合物中的來自前述多價金屬化合物的多價金屬的摩爾數(shù))/(前述混合物中的來自前述多元羧酸的-coo-基的摩爾數(shù))為0.10以上0.80以下。

137、[11]

138、如[1]～[10]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，(前述混合物中的來自前述多價金屬化合物的多價金屬的摩爾數(shù))/(前述混合物中的來自前述多胺化合物的氨基的摩爾數(shù))為0.25以上0.65以下。

139、[12]

140、如[1]～[11]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多元羧酸包含選自由聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、及丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物組成的組中的1種或2種以上的聚合物。

141、[13]

142、如[1]～[12]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多胺化合物包含聚乙烯亞胺。

143、[14]

144、如[1]～[13]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述基材層包含選自由聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯及聚對苯二甲酸丁二醇酯組成的組中的1種或2種以上的樹脂。

145、[第5發(fā)明]

146、[1]

147、氣體阻隔性層疊體，其包含：

148、基材層，

149、設(shè)置于前述基材層的至少一個面的氣體阻隔性層，和

150、設(shè)置于前述基材層與前述氣體阻隔性層之間的無機物層；

151、前述氣體阻隔性層由包含多元羧酸、多胺化合物、和多價金屬化合物的混合物的固化物構(gòu)成。

152、[2]

153、如[1]所述的氣體阻隔性層疊體，其還包含設(shè)置于前述基材層與前述無機物層之間的底涂層。

154、[3]

155、如[1]或[2]所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述無機物層是設(shè)置于前述基材層上的蒸鍍膜、或者是在前述基材層與前述無機物層之間具有介在層的情況下設(shè)置于前述介在層上的蒸鍍膜，并且，前述無機物層是由選自由氧化硅、氧化鋁及鋁組成的組中的1種或2種以上的無機物構(gòu)成的。

156、[4]

157、如[1]～[3]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述無機物層包含由氧化鋁構(gòu)成的氧化鋁層。

158、[5]

159、如[1]～[4]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在前述氣體阻隔性層的紅外線吸收光譜中，

160、將1300cm-1以上1490cm-1以下的范圍內(nèi)的吸光度的最大峰高度設(shè)為α，

161、將1690cm-1以上1780cm-1以下的范圍內(nèi)的吸光度的最大峰高度設(shè)為γ時，

162、由γ/α表示的游離羧基相對于nh3絡(luò)合物而言的比例為0.00以上1.00以下。

163、[6]

164、如[1]～[5]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，在前述氣體阻隔性層的紅外線吸收光譜中，

165、將1493cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為a，

166、將1598cm-1以上1690cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為b，

167、將1690cm-1以上1780cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為c，

168、將1493cm-1以上1598cm-1以下的吸收帶范圍內(nèi)的總峰面積設(shè)為d時，

169、由b/a表示的酰胺鍵的面積比率為0.200以上0.370以下，

170、由c/a表示的羧酸的面積比率為0.150以下，

171、由d/a表示的羧酸鹽的面積比率為0.580以上0.800以下。

172、[7]

173、如[1]～[6]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述氣體阻隔性層的厚度為0.01μm以上15μm以下。

174、[8]

175、如[1]～[7]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多價金屬化合物為選自由zn、ca、mg、ba及al組成的組中的1種或2種以上的2價以上的金屬的化合物。

176、[9]

177、如[1]～[8]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，(前述混合物中的來自前述多價金屬化合物的多價金屬的摩爾數(shù))/(前述混合物中的來自前述多元羧酸的-coo-基的摩爾數(shù))為0.10以上0.80以下。

178、[10]

179、如[1]～[9]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，(前述混合物中的來自前述多價金屬化合物的多價金屬的摩爾數(shù))/(前述混合物中的來自前述多胺化合物的氨基的摩爾數(shù))為0.25以上0.75以下。

180、[11]

181、如[1]～[10]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多元羧酸包含選自由聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、及丙烯酸與甲基丙烯酸的共聚物組成的組中的1種或2種以上的聚合物。

182、[12]

183、如[1]～[11]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述多胺化合物包含聚乙烯亞胺。

184、[13]

185、如[1]～[12]中任一項所述的氣體阻隔性層疊體，其中，前述基材層為包含選自由聚酰胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯及聚對苯二甲酸丁二醇酯組成的組中的1種或2種以上的樹脂的層。

186、發(fā)明效果

187、根據(jù)本發(fā)明，例如，可以提供蒸煮后的阻隔性能良好的氣體阻隔性層疊體。

188、根據(jù)本發(fā)明，例如，可提供氣體的阻隔性得到改善的氣體阻隔性材料。

189、根據(jù)本發(fā)明，例如，可以提供無論層壓結(jié)構(gòu)如何、蒸煮后的阻隔性能均良好的氣體阻隔性層疊體。

190、根據(jù)本發(fā)明，例如，可以提供生產(chǎn)率與阻隔性的均衡性優(yōu)異、可在各種層結(jié)構(gòu)中發(fā)揮理想的阻隔性的氣體阻隔性材料。

191、根據(jù)本發(fā)明，例如，可以提供生產(chǎn)率與阻隔性的均衡性優(yōu)異的氣體阻隔性材料。