本發(fā)明涉及能在半導(dǎo)體晶片等工件或者對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到的加工物(例如半導(dǎo)體芯片)上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成用片。

本申請(qǐng)主張2014年8月22日在日本提出申請(qǐng)的日本特愿2014-169266號(hào)及日本特愿2014-169267號(hào)的優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，使用被稱為所謂倒裝(face down)方式的安裝法進(jìn)行了半導(dǎo)體裝置的制造。在該方法中，在安裝具有形成了凸塊等電極的電路面的半導(dǎo)體芯片時(shí)，將半導(dǎo)體芯片的電路面?zhèn)冉雍嫌谝€框等芯片搭載部。由此，成為未形成電路的半導(dǎo)體芯片背面?zhèn)嚷冻龅慕Y(jié)構(gòu)。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3分別公開(kāi)了在粘合片上形成了能夠形成上述保護(hù)膜的保護(hù)膜形成層(即，保護(hù)膜形成膜)的保護(hù)膜形成/切割一體型片(即，保護(hù)膜形成用片)。對(duì)于該保護(hù)膜形成/切割一體型片而言，上述保護(hù)膜形成膜通過(guò)加熱處理而固化，形成上述保護(hù)膜。即，采用上述保護(hù)膜形成/切割一體型片，能夠進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的切割及對(duì)半導(dǎo)體芯片形成保護(hù)膜兩者，可以得到帶有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。

另一方面，在由半導(dǎo)體晶片等工件制造包含半導(dǎo)體芯片等片狀體的加工物時(shí)，以往通常一邊對(duì)工件噴吹液體來(lái)進(jìn)行清洗等，一邊進(jìn)行用旋轉(zhuǎn)刀具切斷工件而得到片狀體的切刀切割加工。但是，近年來(lái)采用了能夠以干式分割成片狀體的Stealth Dicing(隱形切割)(注冊(cè)商標(biāo)，以下相同)加工。

例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中公開(kāi)了隱形切割法，該方法包括：將疊層粘合片(將由基材和粘合劑層形成的粘合片疊層2層而成)粘貼于極薄的半導(dǎo)體晶片上，從疊層粘合片側(cè)隔著疊層粘合片對(duì)半導(dǎo)體晶片照射激光，在半導(dǎo)體晶片的內(nèi)部形成改性部，然后對(duì)粘合片進(jìn)行擴(kuò)片(expand)，由此，沿著切割線對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行分割而生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2012-33637號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2011-151362號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)3：日本專(zhuān)利第3762409號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問(wèn)題

如上述那樣，在隱形切割時(shí)由于對(duì)粘合片進(jìn)行擴(kuò)片并分割半導(dǎo)體晶片，因此有時(shí)優(yōu)選位于粘合片和半導(dǎo)體晶片之間的構(gòu)件也與半導(dǎo)體晶片同樣地被分割。在這樣的構(gòu)件為保護(hù)膜形成膜的情況下，為了實(shí)現(xiàn)適宜的分割，也有時(shí)會(huì)對(duì)保護(hù)膜形成膜進(jìn)行冷卻。

本發(fā)明的目的在于提供一種具備保護(hù)膜形成膜的保護(hù)膜形成用片，其在進(jìn)行隱形切割時(shí)，在位于粘合片和半導(dǎo)體晶片等工件之間的構(gòu)件為由保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜的情況下，對(duì)粘合片進(jìn)行擴(kuò)片時(shí)保護(hù)膜能夠被適當(dāng)?shù)胤指?。另外，作為其它方面，本發(fā)明的目的在于提供使用該保護(hù)膜形成用片來(lái)制造帶有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片等加工物的方法。

解決問(wèn)題的方法

為了實(shí)現(xiàn)上述目的而提供的本發(fā)明包含以下方式。

(1)一種保護(hù)膜形成用片，其具備第一支撐片、和疊層在上述第一支撐片的第一面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜形成膜，其中，所述保護(hù)膜形成膜由固化性材料形成，所述保護(hù)膜形成膜固化而成保護(hù)膜在50℃下的斷裂形變?yōu)?0％以下、且在50℃下的斷裂應(yīng)力為2.0×10⁷Pa以下。

(2)上述(1)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜在25℃下的儲(chǔ)能模量為3.0×10⁹Pa以上。

(3)上述(1)或(2)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜在25℃下的損耗角正切值為0.4以下。

(4)上述(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率為40％以上。

(5)上述(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜形成用片具備第二支撐片，該第二支撐片疊層在所述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反面一側(cè)。

(6)一種帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法，該方法包括：

粘貼工序，使上述(1)～(5)中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片所具備的上述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將所述露出的面與工件的一面粘貼，從而得到具備所述保護(hù)膜形成用片和所述工件的第一疊層體；

第一固化工序，使所述第一疊層體的所述保護(hù)膜形成用片所具備的所述保護(hù)膜形成膜固化而得到所述保護(hù)膜；

第一分割工序，在使經(jīng)過(guò)了所述第一固化工序的所述第一疊層體的所述保護(hù)膜形成用片所具備的所述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，將所述保護(hù)膜形成用片所具備的所述第一支撐片進(jìn)行拉伸，將所述保護(hù)膜與所述工件一起進(jìn)行分割，得到第二疊層體，所述第二疊層體是所述工件和所述保護(hù)膜的疊層體被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在所述第一支撐片的一個(gè)面上而成的；以及

第一拾取工序，將所述第二疊層體所具備的所述多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從所述第一支撐片上分離，得到作為加工物的所述帶有保護(hù)膜的芯片，

其中，在開(kāi)始所述第一分割工序之前，進(jìn)行下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層。

(7)一種帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法，該方法包括：

疊層工序，進(jìn)行使上述(1)～(5)中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片所具備的上述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將所述露出的面與工件的一面粘貼，以及將所述保護(hù)膜形成用片的所述第一支撐片從所述保護(hù)膜形成膜上剝離，從而得到具備所述工件和所述保護(hù)膜形成膜的第三疊層體；

第二固化工序，使所述第三疊層體所具備的所述保護(hù)膜形成膜固化而得到所述保護(hù)膜；

第二粘貼工序，將具備第三基材和疊層在所述第三基材的一面?zhèn)鹊牡谌澈蟿拥募庸び闷乃龅谌澈蟿觽?cè)的面與經(jīng)過(guò)所述第二固化工序后的所述第三疊層體的所述保護(hù)膜側(cè)的面貼合，從而得到具備所述加工用片和所述第三疊層體的第四疊層體；

第二分割工序，在將所述第四疊層體所具備的所述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，將所述第四疊層體所具備的所述加工用片進(jìn)行拉伸，將所述保護(hù)膜與所述工件一起進(jìn)行分割，得到第五疊層體，所述第五疊層體是所述工件和所述保護(hù)膜的疊層體被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在所述加工用片的一個(gè)面上而成的；以及

第二拾取工序，將所述第五疊層體所具備的所述多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從所述加工用片上分離，得到作為加工物的所述帶有保護(hù)膜的芯片，

其中，在開(kāi)始所述第二分割工序之前，進(jìn)行下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層。

即，本申請(qǐng)發(fā)明包含以下方式。

[1]一種保護(hù)膜形成用片，其具備第一支撐片和疊層在所述第一支撐片的第一面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜形成膜，其中，

所述保護(hù)膜形成膜由固化性材料形成，

所述保護(hù)膜形成膜具有以下特性：

使所述保護(hù)膜形成膜固化而形成保護(hù)膜時(shí)，所述保護(hù)膜在50℃下的斷裂形變?yōu)?0％以下，并且在50℃下的斷裂應(yīng)力為2.0×10⁷Pa以下。

[2]上述[1]所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜形成膜還具有以下特性：

所述保護(hù)膜在25℃下的儲(chǔ)能模量為3.0×10⁹Pa以上。

[3]上述[1]或[2]所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜形成膜還具有以下特性：

所述保護(hù)膜在25℃下的損耗角正切值為0.4以下。

[4]上述[1]～[3]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜形成膜還具有以下特性：

所述保護(hù)膜對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率為40％以上。

[5]上述[1]～[4]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片，其中，所述保護(hù)膜形成用片還具備第二支撐片，該第二支撐片疊層在所述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反面一側(cè)。

[6]一種帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法，該方法包括：

粘貼工序，使上述[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片所具備的所述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將所述露出的面與工件的一面粘貼，從而得到具備所述保護(hù)膜形成用片和所述工件的第一疊層體；

第一固化工序，通過(guò)使所述第一疊層體中的所述保護(hù)膜形成膜固化而得到所述保護(hù)膜；

第一分割工序，在使經(jīng)過(guò)了所述第一固化工序的所述第一疊層體的所述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使所述第一支撐片拉伸，將所述保護(hù)膜與所述工件一起進(jìn)行分割，得到第二疊層體，所述第二疊層體是所述工件和所述保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在所述第一支撐片的一個(gè)面上而成的；以及

第一拾取工序，將所述第二疊層體所具備的所述多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從所述第一支撐片上分離，得到所述帶有保護(hù)膜的芯片作為加工物，

其中，在開(kāi)始所述第一分割工序之前，包含下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層。

[7]一種帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法，該方法包括：

疊層工序，使上述[1]～[5]中任一項(xiàng)所述的保護(hù)膜形成用片所具備的所述保護(hù)膜形成膜的與面向所述第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將所述露出的面與工件的一面粘貼，并且將所述第一支撐片從所述保護(hù)膜形成膜上剝離，從而得到具備所述工件和所述保護(hù)膜形成膜的第三疊層體；

第二固化工序，通過(guò)使所述第三疊層體所具備的所述保護(hù)膜形成膜固化而得到所述保護(hù)膜；

第二粘貼工序，將具備第三基材和疊層在所述第三基材的一面?zhèn)鹊牡谌澈蟿拥募庸び闷寞B層有所述第三粘合劑層一側(cè)的面與經(jīng)過(guò)所述第二固化工序后的所述第三疊層體的所述保護(hù)膜側(cè)的面貼合，從而得到具備所述加工用片和所述第三疊層體的第四疊層體；

第二分割工序，在將所述第四疊層體所具備的所述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使所述第四疊層體所具備的所述加工用片拉伸，將所述保護(hù)膜與所述工件一起進(jìn)行分割，得到第五疊層體，所述第五疊層體是所述工件和所述保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在所述加工用片的一個(gè)面上而成的；以及

第二拾取工序，將所述第五疊層體所具備的所述多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從所述加工用片上分離，得到作為加工物的所述帶有保護(hù)膜的芯片，

其中，在開(kāi)始所述第二分割工序之前，包含下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)膜形成用片，即使由上述保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜是位于粘合片與半導(dǎo)體晶片等工件之間的構(gòu)件，在隱形切割的情況下也能夠在對(duì)粘合片進(jìn)行擴(kuò)片時(shí)將保護(hù)膜適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行分割。因此，能夠穩(wěn)定地制造帶有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。

附圖說(shuō)明

[圖1]是示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。

[圖2]是示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的使剝離片從保護(hù)膜形成用片上剝離的狀態(tài)的剖面圖。

[圖3]是示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的經(jīng)過(guò)第一粘貼工序而得到的第一疊層體的剖面圖。

[圖4]是示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的經(jīng)過(guò)第一分割工序而得到的第二疊層體的剖面圖。

[圖5]是示意性地示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的實(shí)施了第一拾取工序的狀態(tài)的剖面圖。

[圖6]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。

[圖7]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的經(jīng)過(guò)疊層工序而得到的第三疊層體的剖面圖。

[圖8]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的經(jīng)過(guò)第二粘貼工序而得到的第四疊層體的剖面圖。

[圖9]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的經(jīng)過(guò)第二分割工序而得到的第五疊層體的剖面圖。

[圖10]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法所具備的實(shí)施了第二拾取工序的狀態(tài)的剖面圖。

[圖11]是示意性地示出本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。

符號(hào)說(shuō)明

1…保護(hù)膜形成膜

3、3A、3B…保護(hù)膜形成用片

4…支撐片

41…基材

42…粘合劑層

5…夾具用粘合劑層

6…剝離片

7…半導(dǎo)體晶片

8…環(huán)狀框

9…帶有保護(hù)膜的芯片

10…第一疊層體

11…第二疊層體

12…第三疊層體

13…加工用片

131…第三粘合劑層

132…第三基材

14…第四疊層體

R…環(huán)狀構(gòu)件

P…頂銷(xiāo)

C…真空吸附筒夾(collet)

具體實(shí)施方式

下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。

圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的構(gòu)成為：具備第一支撐片4、疊層在第一支撐片4的一面(后面所述的“第一面”；圖1中的上表面)側(cè)的保護(hù)膜形成膜1、和夾具用粘合劑層5，該夾具用粘合劑層5疊層在保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面的邊緣部。夾具用粘合劑層5是用于將保護(hù)膜形成用片3與環(huán)狀框等夾具粘接的層。另外，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3在保護(hù)膜形成膜1及夾具用粘合劑層5上(與第一支撐片4相反側(cè))具備剝離片6。該剝離片6是在使用保護(hù)膜形成用片3時(shí)被剝離除去的片，在保護(hù)膜形成用片3中并不是必須的構(gòu)成要素。

即，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的一個(gè)方式，其包含：第一支撐片4、疊層在第一支撐片4的一面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜形成膜1、和疊層在保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面的邊緣部的夾具用粘合劑層5、以及根據(jù)需要的疊層在保護(hù)膜形成膜1及夾具用粘合劑層5上的剝離片6。

本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3用于在加工工件時(shí)粘貼于上述工件而保持上述工件，并且在上述工件上或者在對(duì)上述工件進(jìn)行加工而得到的加工物上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜由固化后的保護(hù)膜形成膜1構(gòu)成。

作為一個(gè)例子，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3用于在作為工件的半導(dǎo)體晶片的切割加工時(shí)保持半導(dǎo)體晶片，并且在通過(guò)切割而得到的半導(dǎo)體芯片上形成保護(hù)膜，但并不限定于此。

本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3通常形成長(zhǎng)條并卷成卷狀，可以以輥對(duì)輥(roll to roll)方式使用。

1.支撐片

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3所涉及的第一支撐片4具備基材41和粘合劑層42而構(gòu)成，所述粘合劑層42被疊層在基材41的一面?zhèn)?即，疊層保護(hù)膜形成膜1的一側(cè)；在圖1中為上側(cè))。其中，將第一支撐片4的疊層保護(hù)膜形成膜1一側(cè)的面稱為“第一面”、將其相反側(cè)的面(圖1中的下表面)稱為“第二面”。在第一支撐片4中，粘合劑層42被疊層在第一支撐片4的第一面?zhèn)?，基?1被疊層在第一支撐片4的第二面?zhèn)取?/p>

1-1.基材

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3所涉及的基材41，只要是通常作為隱形切割所使用的粘合片的基材使用的基材即可，沒(méi)有特別限定?；?1可以具有單層結(jié)構(gòu)，也可以具有疊層結(jié)構(gòu)。保護(hù)膜形成膜1是通過(guò)加熱而形成保護(hù)膜的膜，在進(jìn)行用于形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成膜1的加熱時(shí)基材41也被加熱的情況下，要求基材41是在該加熱后也能夠適宜使用(例如可舉出能夠適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行擴(kuò)片等)的基材。

從上述觀點(diǎn)考慮，基材41的熔點(diǎn)優(yōu)選為90～180℃、特別優(yōu)選為100～160℃，進(jìn)一步優(yōu)選為110～150℃。

調(diào)整基材41的熔點(diǎn)的方法沒(méi)有特別限制，一般來(lái)說(shuō)，主要可以通過(guò)所要使用的樹(shù)脂材料的熔點(diǎn)來(lái)進(jìn)行調(diào)整。另外，通過(guò)混合熔點(diǎn)不同的多種樹(shù)脂材料、將多種單體共聚，也可以將基材41調(diào)整為任意熔點(diǎn)。

基材41在130℃下的儲(chǔ)能模量?jī)?yōu)選為1～100MPa。通過(guò)使130℃下的儲(chǔ)能模量為上述范圍，可確?；?1的耐熱性，并且可以降低對(duì)第一支撐片4進(jìn)行擴(kuò)片時(shí)產(chǎn)生不良情況的可能性。從兼?zhèn)涮岣呋?1的耐熱性和容易對(duì)第一支撐片4進(jìn)行擴(kuò)片這兩者的觀點(diǎn)考慮，基材41在130℃下的儲(chǔ)能模量更優(yōu)選為2～80MPa、特別優(yōu)選為5～50MPa。需要說(shuō)明的是，上述儲(chǔ)能模量的測(cè)定方法如后面所述的試驗(yàn)例所示。

調(diào)整基材41在130℃下的儲(chǔ)能模量的方法沒(méi)有特別限定，一般來(lái)說(shuō)，主要可以通過(guò)所要使用的樹(shù)脂材料的儲(chǔ)能模量來(lái)進(jìn)行調(diào)整。另外，一般來(lái)說(shuō)，即使是相同的化學(xué)結(jié)構(gòu)，也存在分子量大時(shí)儲(chǔ)能模量增高的傾向，存在由于交聯(lián)、狹窄的分子量分布而儲(chǔ)能模量增高的傾向。根據(jù)這樣的傾向，可以將基材41調(diào)整為任意的儲(chǔ)能模量。

在隱形切割等中使用波長(zhǎng)1064nm的激光的情況下，基材41在加熱后對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率優(yōu)選為40％以上且100％以下，更優(yōu)選為50％以上且99.9％以下，特別優(yōu)選為60％以上且99.5％以下。通過(guò)使基材41在加熱后對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率為上述范圍，利用隱形切割的工件的分割性優(yōu)異。

另外，對(duì)于相對(duì)于保護(hù)膜的激光標(biāo)識(shí)等而言，在使用波長(zhǎng)532nm的激光的情況下，基材41在加熱后對(duì)波長(zhǎng)532nm的光線透射率優(yōu)選為0％以上且40％以下，更優(yōu)選為0.01％以上且35％以下，特別優(yōu)選為0.05％以上且30％以下。通過(guò)使基材41在加熱后對(duì)波長(zhǎng)532nm的光線透射率為上述范圍，激光打印性優(yōu)異。

作為構(gòu)成基材41的樹(shù)脂膜的具體例子，可以列舉：低密度聚乙烯(LDPE)膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)膜、高密度聚乙烯(HDPE)膜等聚乙烯膜、聚丙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降冰片烯共聚物膜、降冰片烯樹(shù)脂膜等聚烯烴類(lèi)膜；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜等乙烯類(lèi)共聚物膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等聚氯乙烯類(lèi)膜；聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯膜等聚酯類(lèi)膜；聚氨酯膜；聚酰亞胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟樹(shù)脂膜等。另外，也可以使用它們的交聯(lián)膜、離聚物膜這樣的改性膜。還可以是將多個(gè)上述膜疊層而得到的疊層膜。

需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸和甲基丙烯酸兩者的意思。其它類(lèi)似用語(yǔ)也同樣。

上述當(dāng)中，優(yōu)選聚烯烴類(lèi)膜；更優(yōu)選聚乙烯膜、聚丙烯膜及乙烯-丙烯共聚物膜；特別優(yōu)選乙烯-丙烯共聚物膜。采用這些樹(shù)脂膜，容易滿足上述的物性，特別是在乙烯-丙烯共聚物膜的情況下，通過(guò)調(diào)整乙烯單體與丙烯單體的共聚比，容易滿足上述的物性。另外，從工件粘貼性、芯片剝離性的觀點(diǎn)考慮，也優(yōu)選這些樹(shù)脂膜。

對(duì)于上述樹(shù)脂膜而言，為了提高與疊層于其表面的粘合劑層42的密合性，可以根據(jù)希望在其單面或兩面實(shí)施利用氧化法、凹凸化法等的表面處理、或底涂處理。作為上述氧化法，可以列舉例如：電暈放電處理、等離子體放電處理、鉻氧化處理(濕法)、火焰處理、熱風(fēng)處理、臭氧、紫外線照射處理等。另外，作為凹凸化法，可以列舉例如：噴砂法、噴鍍處理法等。

需要說(shuō)明的是，基材41還可以在上述樹(shù)脂膜中含有著色劑、阻燃劑、增塑劑、防靜電劑、潤(rùn)滑劑、填料等各種添加劑。

基材41的厚度只要能夠在使用保護(hù)膜形成用片3的各工序中適當(dāng)發(fā)揮作用即可，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為20μm～450μm，更優(yōu)選為25μm～400μm，特別優(yōu)選為50μm～350μm。

所述“厚度”是用接觸式測(cè)厚儀測(cè)定任意5個(gè)部位的厚度，并以其平均值表示的值。

1-2.粘合劑層

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3所涉及的第一支撐片4所具備的粘合劑層42可以由非能量線固化性粘合劑構(gòu)成，也可以由能量線固化性粘合劑構(gòu)成。作為非能量線固化性粘合劑，優(yōu)選具有所期望的粘合力及再剝離性的粘合劑，例如，可以使用丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠類(lèi)粘合劑、聚硅氧烷類(lèi)粘合劑、聚氨酯類(lèi)粘合劑、聚酯類(lèi)粘合劑、聚乙烯基醚類(lèi)粘合劑等。其中，優(yōu)選與保護(hù)膜形成膜1的密合性高的丙烯酸類(lèi)粘合劑。

另一方面，對(duì)于能量線固化性粘合劑而言，由于在能量線照射下粘合力降低，因此，如果使用能量線固化性粘合劑，在想要使工件或加工物與第一支撐片4分離時(shí)，可以通過(guò)能量線照射而容易地進(jìn)行分離。

作為能量線，通常使用紫外線、電子束等。能量線的照射量因能量線的種類(lèi)而不同，例如在紫外線的情況下，以光量計(jì)優(yōu)選為50～1000mJ/cm²，更優(yōu)選為100～500mJ/cm²。另外，在電子束的情況下，優(yōu)選為10～1000krad左右。

在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，保護(hù)膜形成用片3中的粘合劑層42優(yōu)選已固化。將能量線固化性粘合劑固化而得到的材料通常彈性模量高、且表面的平滑性高，因此在使與由所述材料形成的固化部分接觸的保護(hù)膜形成膜1固化而形成保護(hù)膜時(shí)，與上述粘合劑層42的固化部分接觸的上述保護(hù)膜的表面的平滑性(光澤度)增高，作為芯片的保護(hù)膜，外觀優(yōu)異。另外，在對(duì)表面平滑性高的保護(hù)膜實(shí)施激光打印時(shí)，該打印的辨識(shí)性提高。

構(gòu)成粘合劑層42的能量線固化性粘合劑可以是以具有能量線固化性的聚合物作為主成分的粘合劑；也可以是以不具有能量線固化性的聚合物、和選自能量線固化性的多官能單體及低聚物中的至少一種成分的混合物作為主成分的粘合劑。

以下，對(duì)于能量線固化性粘合劑以具有能量線固化性的聚合物作為主成分的情況進(jìn)行說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，這里所說(shuō)的“主成分”是指，相對(duì)于能量線固化性粘合劑的總質(zhì)量包含60質(zhì)量％以上的意思。

具有能量線固化性的聚合物優(yōu)選在側(cè)鏈導(dǎo)入了具有能量線固化性的官能團(tuán)(即，能量線固化性基團(tuán))的(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下有時(shí)稱為“能量線固化型聚合物(A)”)。該能量線固化型聚合物(A)優(yōu)選為具有含官能團(tuán)單體單元的(甲基)丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)與具有待鍵合于該官能團(tuán)的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)發(fā)生反應(yīng)而得到的聚合物。

丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)至少包含來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元與來(lái)自于(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元。

作為上述來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元的含官能團(tuán)單體，優(yōu)選在分子內(nèi)具有聚合性的雙鍵和羥基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等官能團(tuán)的單體。

作為上述含官能團(tuán)單體的更具體的例子，可以列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等，這些化合物可以單獨(dú)使用，也可以組合2種以上使用。

作為上述(甲基)丙烯酸酯單體，可以使用烷基的碳原子數(shù)為1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯、烷基的碳原子數(shù)為3～11的(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯、(甲基)丙烯酸芐酯等。其中，優(yōu)選使用烷基的碳原子數(shù)為1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。

丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)通常以相對(duì)于丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)的總質(zhì)量為3～100質(zhì)量％、優(yōu)選為5～40質(zhì)量％的比例含有上述來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元，通常以相對(duì)于丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)的總質(zhì)量為0～97質(zhì)量％、優(yōu)選為60～95質(zhì)量％的比例含有來(lái)自于(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元。

即，相對(duì)于丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)的總質(zhì)量，丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)優(yōu)選以3～100質(zhì)量％的比例含有上述來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元，且通常以0～97質(zhì)量％的比例含有來(lái)自于(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元；更優(yōu)選以5～40質(zhì)量％的比例含有上述來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元，且通常以60～95質(zhì)量％的比例含有來(lái)自于(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元。

需要說(shuō)明的是，上述來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元與來(lái)自于(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元的總質(zhì)量不超過(guò)100質(zhì)量％。

丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)可以通過(guò)用通常方法將上述的含官能團(tuán)單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物共聚而得到，除了這些單體以外，還可以將二甲基丙烯酰胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等進(jìn)行共聚。

通過(guò)使上述具有含官能團(tuán)單體單元(即，來(lái)自于含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元)的丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)與具有待鍵合于該官能團(tuán)的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)發(fā)生反應(yīng)，能夠得到能量線固化型聚合物(A)。

含不飽和基團(tuán)化合物(a2)所具有的取代基可以根據(jù)丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)所具有的含官能團(tuán)單體單元的官能團(tuán)種類(lèi)適當(dāng)選擇。例如，在官能團(tuán)為羥基、氨基或取代氨基的情況下，優(yōu)選異氰酸酯基或環(huán)氧基作為取代基，在官能團(tuán)為環(huán)氧基的情況下，優(yōu)選氨基、羧基或氮丙啶基作為取代基。

另外，在含不飽和基團(tuán)化合物(a2)中，每1分子含有1～5個(gè)能量線聚合性碳-碳雙鍵，優(yōu)選每1分子含有1～2個(gè)能量線聚合性碳-碳雙鍵。作為這樣的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的具體例子，可以列舉例如：2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯?；惽杷狨ァ⑾┍惽杷狨?、1,1-(雙丙烯酰氧基甲基)乙基異氰酸酯；通過(guò)二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應(yīng)而得到的丙烯酰單異氰酸酯化合物；通過(guò)二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物、多羥基化合物和(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應(yīng)而得到的丙烯酰單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯；或者2-乙烯基-2-唑啉、2-異丙烯基-2-唑啉等烯基唑啉化合物等。

在上述當(dāng)中，優(yōu)選2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯。

相對(duì)于上述丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)的每100當(dāng)量含官能團(tuán)單體，通常以10～100當(dāng)量、優(yōu)選以20～95當(dāng)量的比例使用含不飽和基團(tuán)化合物(a2)。

在丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的反應(yīng)中，可以根據(jù)官能團(tuán)與取代基的組合來(lái)適當(dāng)選擇反應(yīng)的溫度、壓力、溶劑、時(shí)間、有無(wú)催化劑、催化劑種類(lèi)。由此，丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)中存在的官能團(tuán)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)中的取代基發(fā)生反應(yīng)，不飽和基團(tuán)被導(dǎo)入到丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)中的側(cè)鏈，從而獲得能量線固化型聚合物(A)。

這樣得到的能量線固化型聚合物(A)的重均分子量?jī)?yōu)選為1萬(wàn)以上，更優(yōu)選為15萬(wàn)～150萬(wàn)，特別優(yōu)選為20萬(wàn)～100萬(wàn)。需要說(shuō)明的是，本說(shuō)明書(shū)中的重均分子量(Mw)是使用凝膠滲透色譜法(GPC法)測(cè)得的換算為聚苯乙烯的值。

在能量線固化性粘合劑以具有能量線固化性的聚合物作為主成分的情況下，能量線固化性粘合劑還可以進(jìn)一步含有選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)。

作為選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)，可以舉出例如：多元醇與(甲基)丙烯酸形成的酯等。

作為上述選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯等單官能丙烯酸酯類(lèi)；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環(huán)癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯類(lèi)；聚酯低聚(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯等。

在上述當(dāng)中，優(yōu)選多官能丙烯酸酯類(lèi)及聚氨酯低聚(甲基)丙烯酸酯。

在配合選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)的情況下，對(duì)于能量線固化性粘合劑中成分(B)的含量而言，相對(duì)于上述能量線固化性粘合劑的總質(zhì)量，優(yōu)選為5～80質(zhì)量％，更優(yōu)選為20～60質(zhì)量％。

這里，在使用紫外線作為用于使能量線固化性樹(shù)脂組合物固化的能量線的情況下，優(yōu)選進(jìn)一步添加光聚合引發(fā)劑(C)，通過(guò)使用該光聚合引發(fā)劑(C)，能夠減少聚合固化時(shí)間及光線照射量。

作為光聚合引發(fā)劑(C)，具體可以列舉：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香雙甲醚、2,4-二乙基噻唑酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、芐基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、聯(lián)芐、丁二酮、β-氯蒽醌、(2,4,6-三甲基芐基二苯基)氧化膦、N,N-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并噻唑酯、低聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。

這些化合物可以單獨(dú)使用，也可以組合使用2種以上。

在將能量線固化型共聚物(A)(在配合選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)的情況下，將能量線固化型共聚物(A)及選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)的總量設(shè)為100質(zhì)量份)設(shè)為100質(zhì)量份時(shí)，優(yōu)選以0.1～10質(zhì)量份范圍的量使用光聚合引發(fā)劑(C)，特別優(yōu)選以0.5～6質(zhì)量份范圍的量使用光聚合引發(fā)劑(C)。

在能量線固化性粘合劑中，除了上述成分以外，還可以適當(dāng)配合其它成分。作為其它成分，可以舉出例如不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)、交聯(lián)劑(E)等。

即，作為能量線固化性粘合劑的一個(gè)方式，其包含能量線固化型共聚物(A)，并且根據(jù)需要包含選自下組中的至少一種成分：選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)、光聚合引發(fā)劑(C)、不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)及交聯(lián)劑(E)。

作為不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)，可以舉出例如：聚丙烯酸酯、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，優(yōu)選重均分子量(Mw)為3000～250萬(wàn)的聚合物或低聚物。

作為交聯(lián)劑(E)，可以使用與能量線固化型共聚物(A)等所具有的官能團(tuán)具有反應(yīng)性的多官能化合物。作為這樣的多官能化合物的例子，可以列舉：異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮雜環(huán)丙烷化合物、肼化合物、醛化合物、唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合物化合物、金屬鹽、銨鹽、反應(yīng)性酚醛樹(shù)脂等。

通過(guò)在能量線固化性粘合劑中配合上述其它成分(D)、(E)，能夠改善固化前的粘合性及剝離性、固化后的強(qiáng)度、與其它層的粘接性、保存穩(wěn)定性等。這些其它成分的配合量沒(méi)有特別限定，相對(duì)于能量線固化型共聚物(A)100質(zhì)量份，可以在0～40質(zhì)量份的范圍適當(dāng)確定。

接下來(lái)，對(duì)于能量線固化性粘合劑以不具有能量線固化性的聚合物成分、和選自能量線固化性多官能單體及低聚物中的至少一種的混合物為主成分的情況進(jìn)行說(shuō)明。

作為不具有能量線固化性的聚合物成分，可以使用例如與上述丙烯酸類(lèi)共聚物(a1)相同的成分。相對(duì)于能量線固化性樹(shù)脂組合物的總質(zhì)量，能量線固化性樹(shù)脂組合物中的不具有能量線固化性的聚合物成分的含量?jī)?yōu)選為20～99.9質(zhì)量％，特別優(yōu)選為30～80質(zhì)量％。

作為選自能量線固化性多官能單體及低聚物中的至少一種的成分，可以選擇與上述成分(B)相同的成分。不具有能量線固化性的聚合物成分與選自能量線固化性多官能單體及低聚物中的至少一種的成分的配合比如下：將不具有能量線固化性的聚合物成分設(shè)為100質(zhì)量份時(shí)，選自能量線固化性多官能單體及低聚物中的至少一種的成分優(yōu)選為10～150質(zhì)量份，更優(yōu)選為25～100質(zhì)量份。

在該情況下，也可以與上述同樣地適當(dāng)配合光聚合引發(fā)劑(C)、交聯(lián)劑(E)。

即，作為能量線固化性粘合劑的一個(gè)方式，其包含：不具有能量線固化性的聚合物成分、選自能量線固化性多官能單體及低聚物中的至少一種的成分、以及根據(jù)需要使用的選自光聚合引發(fā)劑(C)及交聯(lián)劑(E)中的至少一種成分。

對(duì)于粘合劑層42的厚度而言，只要在使用保護(hù)膜形成用片3的各工序中能夠發(fā)揮適當(dāng)功能即可，沒(méi)有特別限定。具體而言，優(yōu)選為1μm～50μm，更優(yōu)選為2μm～30μm，特別優(yōu)選為3μm～20μm。

2.保護(hù)膜形成膜

保護(hù)膜形成膜1是用于在工件上或在對(duì)上述工件進(jìn)行加工而得到的加工物上形成保護(hù)膜的膜。該保護(hù)膜由固化后的保護(hù)膜形成膜1構(gòu)成。作為工件，可以舉出例如半導(dǎo)體晶片等，作為對(duì)上述工件進(jìn)行加工而得到的加工物，可以舉出例如半導(dǎo)體芯片，但本發(fā)明并不限定于此。需要說(shuō)明的是，在工件為半導(dǎo)體晶片的情況下，保護(hù)膜形成于半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)?未形成凸塊等電極的一側(cè))。

保護(hù)膜形成膜1可以是單層的膜，也可以由多層構(gòu)成的膜，從控制光線透射率的容易性及制造成本方面考慮，優(yōu)選由單層構(gòu)成。

保護(hù)膜形成膜1優(yōu)選由固化性材料形成，作為這樣的材料的具體例子，可以舉出未固化的固化性粘接劑。在該情況下，通過(guò)使半導(dǎo)體晶片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜1，然后使保護(hù)膜形成膜1固化，能夠?qū)⒂晒袒蟮谋Ｗo(hù)膜形成膜1構(gòu)成的保護(hù)膜牢固地粘接于工件，從而可以對(duì)芯片等形成具有耐久性的保護(hù)膜。

即，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的一個(gè)方式，其包含由未固化的固化性材料形成的保護(hù)膜形成膜。

保護(hù)膜形成膜1優(yōu)選在常溫下具有粘合性，或者通過(guò)加熱發(fā)揮粘合性。由此，在如上所述使半導(dǎo)體晶片等工件疊合于保護(hù)膜形成膜1時(shí)，能夠使兩者貼合。因此，能夠切實(shí)地在使保護(hù)膜形成膜1固化之前進(jìn)行定位。

構(gòu)成具有上述特性的保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑優(yōu)選含有固化性成分和粘合劑聚合物成分。

作為固化性成分，可以使用熱固化性成分、能量線固化性成分、或它們的混合物，特別優(yōu)選使用熱固化性成分。即，保護(hù)膜形成膜1優(yōu)選由熱固化性粘接劑構(gòu)成。

作為熱固化性成分，可以列舉例如：環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、苯并嗪樹(shù)脂等及它們的混合物。其中，優(yōu)選使用環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂及它們的混合物。

環(huán)氧樹(shù)脂具有受到加熱時(shí)發(fā)生三維網(wǎng)狀化而形成牢固的被膜的性質(zhì)。作為這樣的環(huán)氧樹(shù)脂，可以使用以往公知的各種環(huán)氧樹(shù)脂，通常優(yōu)選分子量(化學(xué)式量)300～2000左右的樹(shù)脂，更優(yōu)選分子量300～500的樹(shù)脂。進(jìn)而，優(yōu)選將常溫下為液態(tài)的分子量330～400的環(huán)氧樹(shù)脂與常溫下為固體的分子量400～2500、特別是分子量500～2000的環(huán)氧樹(shù)脂以共混的形式使用。另外，環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為50～5000g/eq。

作為這樣的環(huán)氧樹(shù)脂，具體可以列舉：雙酚A、雙酚F、間苯二酚、酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型等酚類(lèi)的縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類(lèi)的縮水甘油醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等羧酸的縮水甘油醚；苯胺異氰尿酸酯等的鍵合于氮原子上的活潑氫被縮水甘油基取代而得到的縮水甘油基型或烷基縮水甘油基型環(huán)氧樹(shù)脂；乙烯基環(huán)己烷二環(huán)氧化物、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基甲基-3,4-二環(huán)己烷羧酸甲酯、2-(3,4-環(huán)氧基)環(huán)己基-5,5-螺(3,4-環(huán)氧基)環(huán)己烷間二氧雜環(huán)己烷等這樣的通過(guò)將分子內(nèi)的碳-碳雙鍵進(jìn)行例如氧化而導(dǎo)入了環(huán)氧基的所謂脂環(huán)型環(huán)氧化物。另外，還可以使用具有聯(lián)苯骨架、二環(huán)己烷二烯骨架、萘骨架等的環(huán)氧樹(shù)脂。

上述當(dāng)中，作為環(huán)氧樹(shù)脂，優(yōu)選使用雙酚類(lèi)縮水甘油基型環(huán)氧樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂及苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂。這些環(huán)氧樹(shù)脂可以單獨(dú)使用一種，或?qū)?種以上組合使用。

使用環(huán)氧樹(shù)脂的情況下，優(yōu)選將作為助劑的熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑組合使用?！盁峄钚孕蜐摲原h(huán)氧樹(shù)脂固化劑”是指在室溫下不與環(huán)氧樹(shù)脂反應(yīng)，而通過(guò)加熱至一定溫度以上發(fā)生活化從而與環(huán)氧樹(shù)脂發(fā)生反應(yīng)的類(lèi)型的固化劑。熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的活化方法包括：通過(guò)基于加熱的化學(xué)反應(yīng)而生成活性種(陰離子、陽(yáng)離子)的方法；在室溫附近穩(wěn)定地分散在環(huán)氧樹(shù)脂中、在高溫下與環(huán)氧樹(shù)脂相容/溶解而引發(fā)固化反應(yīng)的方法；利用分子篩封閉型的固化劑使其在高溫下溶出而引發(fā)固化反應(yīng)的方法；利用微膠囊的方法等。

作為熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑的具體例子，可列舉各種鹽、或二元酸二酰肼化合物、雙氰胺、胺加合物固化劑、咪唑化合物等高熔點(diǎn)活潑氫化合物等。這些熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑可以單獨(dú)使用一種、或?qū)?種以上組合使用。如上所述的熱活性型潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑優(yōu)選以相對(duì)于環(huán)氧樹(shù)脂100重量份為0.1～20重量份、特別優(yōu)選為0.2～10重量份、進(jìn)一步優(yōu)選為0.3～5重量份的比例使用。

作為酚類(lèi)樹(shù)脂，可以沒(méi)有特別限制地使用烷基苯酚、多元酚、萘酚等酚類(lèi)與醛類(lèi)的縮合物等。具體可以使用苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、鄰甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、對(duì)甲酚酚醛清漆樹(shù)脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹(shù)脂、雙環(huán)戊二烯甲酚樹(shù)脂、聚對(duì)乙烯基苯酚樹(shù)脂、雙酚A型酚醛清漆樹(shù)脂、或它們的改性物等。

這些酚類(lèi)樹(shù)脂所包含的酚羥基可通過(guò)加熱而容易地與上述環(huán)氧樹(shù)脂的環(huán)氧基發(fā)生加成反應(yīng)，形成耐沖擊性高的固化物。因此，也可以將環(huán)氧樹(shù)脂與酚類(lèi)樹(shù)脂組合使用。

作為能量線固化性成分，可以舉出：粘合劑層42中的具有能量線固化性的聚合物、以及作為選自能量線固化性的單體及低聚物中的至少一種的成分(B)所列舉的成分。

粘合劑聚合物成分對(duì)保護(hù)膜形成膜1賦予適度的粘性，從而可以提高保護(hù)膜形成用片3的操作性。粘合劑聚合物的重均分子量通常為5萬(wàn)～200萬(wàn)，優(yōu)選為10萬(wàn)～150萬(wàn)，特別優(yōu)選為20萬(wàn)～100萬(wàn)的范圍。如果重均分子量過(guò)低，則保護(hù)膜形成膜1的成膜不充分，如果過(guò)高，則與其它成分的相容性變差，結(jié)果會(huì)妨礙均勻成膜。即，如果重均分子量為上述下限值以上，則保護(hù)膜形成膜1的成膜充分，如果為上述上限值以下，則與其它成分的相容性良好，結(jié)果可以形成均勻的膜。作為這樣的粘合劑聚合物，可以使用例如：丙烯酸類(lèi)聚合物、聚酯樹(shù)脂、苯氧基樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、聚硅氧烷樹(shù)脂、橡膠類(lèi)聚合物等，特別優(yōu)選使用丙烯酸類(lèi)聚合物。

作為丙烯酸類(lèi)聚合物，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸酯單體與來(lái)自于(甲基)丙烯酸衍生物的結(jié)構(gòu)單元形成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。這里，作為(甲基)丙烯酸酯單體，優(yōu)選列舉烷基的碳原子數(shù)為1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具體可以舉出：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。另外，作為(甲基)丙烯酸衍生物，可以列舉例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。

上述當(dāng)中，使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為結(jié)構(gòu)單元向丙烯酸類(lèi)聚合物中導(dǎo)入縮水甘油基時(shí)，與上述作為熱固化性成分的環(huán)氧樹(shù)脂的相容性得到提高，保護(hù)膜形成膜1固化后的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)變高，耐熱性提高。另外，上述當(dāng)中，使用丙烯酸羥基乙酯等作為結(jié)構(gòu)單元向丙烯酸類(lèi)聚合物中導(dǎo)入羥基時(shí)，能夠控制對(duì)工件的密合性、粘合物性。

在使用了丙烯酸類(lèi)聚合物作為粘合劑聚合物的情況下，上述聚合物的重均分子量?jī)?yōu)選為10萬(wàn)以上，特別優(yōu)選為15萬(wàn)～100萬(wàn)。丙烯酸類(lèi)聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度通常為20℃以下，優(yōu)選為-70～0℃左右，且在常溫(23℃)下具有粘合性。

熱固化性成分與粘合劑聚合物成分的配合比率如下：在將粘合劑聚合物成分設(shè)為100重量份時(shí)，熱固化性成分的配合量?jī)?yōu)選為50～1500重量份，更優(yōu)選為70～1000重量份，特別優(yōu)選為80～800重量份。在以這樣的比例配合熱固化性成分和粘合劑聚合物成分時(shí)，在固化前表現(xiàn)出適度的粘性，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行粘貼操作，而且在固化后能得到被膜強(qiáng)度優(yōu)異的保護(hù)膜。

保護(hù)膜形成膜1優(yōu)選進(jìn)一步含有選自著色劑及填料中的至少一種成分。

作為著色劑，可以使用例如：無(wú)機(jī)類(lèi)顏料、有機(jī)類(lèi)顏料、有機(jī)類(lèi)染料等公知的著色劑，從提高光線透射率的控制性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選著色劑含有有機(jī)類(lèi)著色劑。從提高著色劑的化學(xué)穩(wěn)定性(具體而言，可以示例出溶出難易程度、產(chǎn)生顏色轉(zhuǎn)移的難易程度、經(jīng)時(shí)變化的大小)的觀點(diǎn)考慮，著色劑優(yōu)選由顏料構(gòu)成的著色劑。

作為填料，可以列舉：晶體二氧化硅、熔融二氧化硅、合成二氧化硅等二氧化硅、氧化鋁、玻璃球等無(wú)機(jī)填料。其中，優(yōu)選二氧化硅，更優(yōu)選合成二氧化硅，特別是，盡可能地除去了成為導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生誤動(dòng)作的主要原因的α射線的輻射源的類(lèi)型的合成二氧化硅是最適合的。作為填料的形狀，可以列舉：球形、針狀、無(wú)定形等，優(yōu)選為球形，特別優(yōu)選為正球形。在填料為球形或正球形時(shí)，不易發(fā)生光線的漫反射，容易控制保護(hù)膜形成膜1的光線透射率的光譜輪廓。

作為選自著色劑及填料中的至少一種成分的含量，相對(duì)于保護(hù)膜形成膜的總質(zhì)量，優(yōu)選為5～75質(zhì)量％。

填料的平均粒徑優(yōu)選為0.005～20μm。

另外，保護(hù)膜形成膜1可以含有偶聯(lián)劑。通過(guò)含有偶聯(lián)劑，能夠在保護(hù)膜形成膜1固化后使上述保護(hù)膜與工件的粘接性及密合性得到提高而不損害保護(hù)膜的耐熱性，并且還可以提高耐水性(耐濕熱性)。作為偶聯(lián)劑，從其通用性和成本優(yōu)勢(shì)等方面考慮，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑。

作為硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如：γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巰丙基三甲氧基硅烷、γ-巰丙基甲基二甲氧基硅烷、雙(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。這些當(dāng)中，優(yōu)選γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可以單獨(dú)使用一種，或?qū)?種以上混合使用。

保護(hù)膜形成膜1含有粘合劑聚合物成分及固化性成分的情況下，作為偶聯(lián)劑的含量，在將粘合劑聚合物成分及固化性成分的總質(zhì)量份設(shè)為100質(zhì)量份時(shí)，優(yōu)選為0.1～5質(zhì)量份。

為了調(diào)節(jié)固化前的凝聚力，保護(hù)膜形成膜1還可以含有有機(jī)多異氰酸酯化合物、有機(jī)多亞胺化合物、有機(jī)金屬螯合物化合物等交聯(lián)劑。另外，為了抑制靜電、提高芯片的可靠性，保護(hù)膜形成膜1還可以含有防靜電劑。此外，為了提高保護(hù)膜的阻燃性能、提高封裝的可靠性，保護(hù)膜形成膜1還可以含有磷酸化合物、溴化合物、磷系化合物等阻燃劑。

即，作為保護(hù)膜形成膜1的一個(gè)方式，其包含固化性成分和粘合劑聚合物成分，根據(jù)需要還含有選自下組中的至少一種成分：選自著色劑及填料中的至少一種成分、偶聯(lián)劑、交聯(lián)劑、防靜電劑及阻燃劑。

為了有效地發(fā)揮作為保護(hù)膜的功能，保護(hù)膜形成膜1的厚度優(yōu)選為3μm～300μm，更優(yōu)選為5μm～200μm，特別優(yōu)選為7μm～100μm。

3.保護(hù)膜

由本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜1形成的保護(hù)膜具有以下特性。

保護(hù)膜在50℃下的斷裂形變?yōu)?.1％以上且20％以下。通過(guò)使該斷裂形變?yōu)?0％以下，在后面敘述的條件下將第一支撐片4進(jìn)行拉伸(擴(kuò)片)時(shí)，能夠?qū)⒌谝恢纹?所具備的保護(hù)膜適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行分割。如果在50℃下的斷裂形變超過(guò)20％，則保護(hù)膜的分割容易變得不合適，具體來(lái)說(shuō)，容易產(chǎn)生形成保護(hù)膜的材料在分割部分中部分地成為絲狀而未發(fā)生分割的現(xiàn)象(在本說(shuō)明書(shū)中也稱為“拖絲現(xiàn)象”)。從更穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)保護(hù)膜的適宜的分割的觀點(diǎn)考慮，保護(hù)膜在50℃下的斷裂形變優(yōu)選為0.2％以上且15％以下、更優(yōu)選為0.3％以上且13％以下、特別優(yōu)選為0.5％以上且10％以下。

保護(hù)膜在50℃下的斷裂應(yīng)力為1.0×10³Pa以上且2.0×10⁷Pa以下。通過(guò)使該斷裂應(yīng)力為2.0×10⁷Pa以下，在后面敘述的條件下將第一支撐片4進(jìn)行拉伸(擴(kuò)片)時(shí)，能夠?qū)⒌谝恢纹?所具備的保護(hù)膜適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行分割。從更穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)保護(hù)膜的適宜的分割的觀點(diǎn)考慮，保護(hù)膜在50℃下的斷裂應(yīng)力優(yōu)選為5.0×10³以上且1.9×10⁷Pa以下、更優(yōu)選為8.0×10³以上且1.8×10⁷Pa以下、特別優(yōu)選為1.0×10⁴以上且1.7×10⁷Pa以下。

需要說(shuō)明的是，保護(hù)膜的“在50℃下的斷裂形變”及“在50℃下的斷裂應(yīng)力”可以通過(guò)在后面敘述的試驗(yàn)例中記載的方法來(lái)測(cè)定。

保護(hù)膜在25℃下的儲(chǔ)能模量?jī)?yōu)選為3.0×10⁹Pa以上且5.0×10¹¹Pa以下、更優(yōu)選為5.0×10⁹Pa以上且1.0×10¹¹Pa以下。通過(guò)使保護(hù)膜在25℃下的儲(chǔ)能模量為3.0×10⁹Pa以上，在使帶有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片從第一支撐片4上分離時(shí)，保護(hù)膜不易產(chǎn)生損傷的不良情況。

保護(hù)膜在25℃下的損耗角正切值優(yōu)選為0.01以上且0.4以下。通過(guò)使保護(hù)膜在25℃下的損耗角正切值為0.4以下，在使帶有保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片從第一支撐片4上分離時(shí)，保護(hù)膜不易產(chǎn)生損傷的不良情況。保護(hù)膜在25℃下的損耗角正切值更優(yōu)選為0.03以上且0.3以下、特別優(yōu)選為0.05以上且0.2以下。

需要說(shuō)明的是，保護(hù)膜的“在25℃下的儲(chǔ)能模量”及“在25℃下的損耗角正切值”可以通過(guò)后面敘述的試驗(yàn)例中記載的方法來(lái)測(cè)定。

保護(hù)膜對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率優(yōu)選為40％以上且100％以下。通過(guò)使保護(hù)膜對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率為40％以上，可以有效地在半導(dǎo)體晶片等工件內(nèi)實(shí)現(xiàn)用于隱形切割的激光。從更穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)激光有效地到達(dá)半導(dǎo)體晶片的觀點(diǎn)考慮，保護(hù)膜對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率優(yōu)選為50％以上且99.9％以下、更優(yōu)選為60％以上且99.5％以下。

保護(hù)膜的損耗角正切值的峰值溫度T1在25℃至60℃的范圍內(nèi)。通過(guò)使損耗角正切值的峰值溫度T1在上述的范圍內(nèi)，在后面敘述的條件(具體地，是將第一分割工序中使第一支撐片4拉伸時(shí)的保護(hù)膜溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的條件)下使第一支撐片4進(jìn)行拉伸(擴(kuò)片)時(shí)，能夠?qū)⒌谝恢纹?所具備的保護(hù)膜適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行分割。溫度T1過(guò)低的情況下，保護(hù)膜變軟，保護(hù)膜在50℃下的斷裂形變?nèi)菀壮^(guò)20％。溫度T1過(guò)高的情況下，保護(hù)膜變硬，在對(duì)第一支撐片4進(jìn)行擴(kuò)片時(shí)難以適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行保護(hù)膜的分割。從更穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)保護(hù)膜的適當(dāng)?shù)姆指畹挠^點(diǎn)考慮，第一分割工序中使第一支撐片4拉伸時(shí)的保護(hù)膜的溫度優(yōu)選為損耗角正切值的峰值溫度T1以上。

需要說(shuō)明的是，保護(hù)膜的“損耗角正切值的峰值溫度”可以通過(guò)后面敘述的試驗(yàn)例中記載的方法來(lái)測(cè)定。

即，作為本發(fā)明的保護(hù)膜形成用片的一個(gè)方式，其具有上述保護(hù)膜形成膜，且上述保護(hù)膜形成膜是具有以下特性的保護(hù)膜形成用片：

在50℃下的斷裂形變?yōu)?.2％以上且20％以下，并且在50℃下的斷裂應(yīng)力為5.0×10³Pa以上且2.0×10⁷Pa以下。

上述保護(hù)膜形成膜可以進(jìn)一步具有以下的至少一個(gè)特性：

在25℃下的儲(chǔ)能模量為3.0×10⁹Pa以上且5.0×10¹¹Pa以下；

在25℃下的損耗角正切值為0.01以上且0.4以下；

對(duì)波長(zhǎng)1064nm的光線的透射率為40％以上且100％以下；

損耗角正切值的峰值溫度T1在25℃至60℃的范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，這里所說(shuō)的“特性”是指保護(hù)膜形成膜的化學(xué)特性或物理化學(xué)特性。

4.夾具用粘合劑層

作為構(gòu)成夾具用粘合劑層5的粘合劑，優(yōu)選具有所期望的粘合力和再剝離性，可以使用例如：丙烯酸類(lèi)粘合劑、橡膠類(lèi)粘合劑、聚硅氧烷類(lèi)粘合劑、聚氨酯類(lèi)粘合劑、聚酯類(lèi)粘合劑、聚乙烯基醚類(lèi)粘合劑等。這些當(dāng)中，優(yōu)選與環(huán)狀框等夾具的密合性高、且在切割工序等中能夠有效抑制保護(hù)膜形成用片3從環(huán)狀框等剝離的丙烯酸類(lèi)粘合劑。需要說(shuō)明的是，可以在夾具用粘合劑層5的厚度方向的內(nèi)部夾有作為芯材的基材。

另一方面，從對(duì)環(huán)狀框等夾具的粘接性的觀點(diǎn)考慮，夾具用粘合劑層5的厚度優(yōu)選為5μm～200μm，特別優(yōu)選為10μm～100μm。

需要說(shuō)明的是，“夾具用粘合劑層的厚度”是在厚度方向任意切斷的切斷面中在任意5個(gè)部位測(cè)定厚度并以它們的平均值所表示的値。

5.剝離片

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的剝離片6在直至使用保護(hù)膜形成用片3之前的期間，對(duì)保護(hù)膜形成膜1及夾具用粘合劑層5進(jìn)行保護(hù)。

剝離片6的結(jié)構(gòu)是任意的，可以示例出通過(guò)剝離劑等對(duì)塑料膜進(jìn)行剝離處理而得到的片。作為塑料膜的具體例子，可以列舉：聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜；以及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴膜。作為剝離劑，可以使用聚硅氧烷類(lèi)剝離劑、含氟類(lèi)剝離劑、長(zhǎng)鏈烷基類(lèi)剝離劑等，這些當(dāng)中，優(yōu)選廉價(jià)且能獲得穩(wěn)定性能的聚硅氧烷類(lèi)剝離劑。對(duì)于剝離片6的厚度沒(méi)有特別限制，通常為20μm～250μm左右。

6.保護(hù)膜形成用片的制造方法

保護(hù)膜形成用片3優(yōu)選如下制作：分別制作包含保護(hù)膜形成膜1的疊層體(在本說(shuō)明書(shū)中，也稱為“疊層體I”)和包含第一支撐片4的疊層體(在本說(shuō)明書(shū)中，也稱為“疊層體II”)后，使用疊層體I及疊層體II，將保護(hù)膜形成膜1和第一支撐片4進(jìn)行疊層，但并不限定于上述方法。

在制造疊層體I時(shí)，在第一剝離片的剝離面形成保護(hù)膜形成膜1。具體而言，制備保護(hù)膜形成膜用涂布劑，利用輥涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)、輥刀涂布機(jī)、氣刀涂布機(jī)、模涂機(jī)、棒涂機(jī)、凹版涂布機(jī)、簾流涂布機(jī)等涂布機(jī)將上述涂布劑涂布于第一剝離片的剝離面，并使其干燥而在第一剝離片的剝離面上形成保護(hù)膜形成膜1，所述保護(hù)膜形成膜用涂布劑含有構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑，且根據(jù)需要還含有溶劑。接下來(lái)，將第二2剝離片的剝離面疊合于保護(hù)膜形成膜1的露出面并進(jìn)行壓粘，得到2片剝離片夾持保護(hù)膜形成膜1而成的疊層體(疊層體I)。

對(duì)于該疊層體I而言，可以根據(jù)需要實(shí)施半切，使保護(hù)膜形成膜1(及第二剝離片)成為所期望的形狀、例如圓形等。該情況下，可以適當(dāng)去除由半切所產(chǎn)生的保護(hù)膜形成膜1和第二剝離片的多余部分。

另一方面，在制造疊層體II時(shí)，在第三剝離片的剝離面涂布粘合劑層用涂布劑，并使其干燥而在第三剝離片的剝離面上形成粘合劑層42，所述粘合劑層用涂布劑含有構(gòu)成粘合劑層42的粘合劑，且根據(jù)需要還含有溶劑。然后，將基材41壓粘于粘合劑層42的露出面，得到由支撐片4和第三剝離片形成的疊層體(疊層體II)，所述支撐片4由基材41和粘合劑層42構(gòu)成。

這里，在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，可以在該階段對(duì)粘合劑層42照射能量線而使粘合劑層42固化，也可以在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后照射能量線而使粘合劑層42固化。另外，在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后使粘合劑層42固化的情況下，可以在切割工序之前使粘合劑層42固化，也可以在切割工序之后使粘合劑層42固化。

作為能量線，通常使用紫外線、電子束等。能量線的照射量根據(jù)能量線的種類(lèi)而不同，例如在紫外線的情況下，以光量計(jì)優(yōu)選為50～1000mJ/cm²，更優(yōu)選為100～500mJ/cm²。另外，在電子束的情況下，優(yōu)選為10～1000krad左右。

如上所述得到疊層體I和疊層體II后，將疊層體I的第二剝離片剝離，并且將疊層體II的第三剝離片剝離，將疊層體I中露出的保護(hù)膜形成膜1與疊層體II中露出的第一支撐片4的粘合劑層42疊合并壓粘?？梢愿鶕?jù)需要對(duì)第一支撐片4進(jìn)行半切，使其成為所期望的形狀、例如具有比保護(hù)膜形成膜1更大直徑的圓形等。該情況下，可以適當(dāng)去除由半切所產(chǎn)生第一支撐片4的多余部分。

由此，可以得到由第一支撐片4、保護(hù)膜形成膜1和第一剝離片形成的保護(hù)膜形成用片3，所述第一支撐片4是在基材41上疊層粘合劑層42而形成的，所述保護(hù)膜形成膜1疊層于第一支撐片4的粘合劑層42側(cè)，所述第一剝離片疊層于保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面上。最后，將第一剝離片剝離，然后在保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面的邊緣部形成夾具用粘合劑層5。夾具用粘合劑層5可以通過(guò)與上述粘合劑層42相同的方法進(jìn)行涂布而形成。

7.保護(hù)膜形成用片的使用方法

作為使用本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的一個(gè)例子，下面對(duì)由作為工件的半導(dǎo)體晶片制造帶有保護(hù)膜的芯片的方法進(jìn)行說(shuō)明。

(1)第一粘貼工序

首先，使上述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3所具備的保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面露出。對(duì)于如圖1所示的保護(hù)膜形成用片3，只要如圖2所示那樣將剝離片6剝離即可。

接著，將露出的上述面與作為工件的半導(dǎo)體晶片7的一面、具體為與電路形成面相反側(cè)的面(背面)粘貼，得到具有保護(hù)膜形成用片3和工件1的第一疊層體10(圖3)。圖3所示的第一疊層體10還具有夾具用粘合劑層5及環(huán)狀框8。如前面所敘述，夾具用粘接劑層5是保護(hù)膜形成用片3的一個(gè)要素，在第一粘貼工序中，在將保護(hù)膜形成用片3的保護(hù)膜形成膜1與半導(dǎo)體晶片7粘貼時(shí)，只要將保護(hù)膜形成用片3的夾具用粘接劑層5與環(huán)狀框8粘貼即可。

即，作為第一粘貼工序的一個(gè)方式，其包括：使本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片所具備的保護(hù)膜形成膜的與面向第一支撐片的面相反側(cè)的面露出；以及將上述露出的面與工件的一面粘貼，得到具有上述保護(hù)膜形成用片和上述工件的第一疊層體。

(2)第一固化工序

使由第一粘貼工序得到的第一疊層體10的保護(hù)膜形成用片3所具備的保護(hù)膜形成膜1固化而得到保護(hù)膜。用于得到保護(hù)膜的固化條件可以基于構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的材料而適宜設(shè)定。保護(hù)膜形成膜1為熱固化性粘接劑的情況下，只要在給定溫度下對(duì)保護(hù)膜形成膜1加熱適當(dāng)?shù)臅r(shí)間即可。另外，保護(hù)膜形成膜1不是熱固化性粘接劑的情況下，另外實(shí)施加熱處理。

即，作為第一固化工序的一個(gè)方式，其包括：通過(guò)使上述第一疊層體中的保護(hù)膜形成膜固化而得到保護(hù)膜。

加熱時(shí)間及加熱溫度因構(gòu)成膜的材料而不同，優(yōu)選例如在90～170℃加熱0.5～5小時(shí)。

(3)第一分割工序

在將經(jīng)過(guò)上述第一固化工序后的第一疊層體10的保護(hù)膜形成用片3所具備的保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使保護(hù)膜形成用片3所具備的第一支撐片4拉伸(擴(kuò)片)，將保護(hù)膜與半導(dǎo)體晶片7一起進(jìn)行分割。其結(jié)果，如圖4所示，得到第二疊層體20，該第二疊層體20是半導(dǎo)體晶片7和保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)(例如2～20,000個(gè))帶有保護(hù)膜的芯片9配置在第一支撐片4的一面上而成的。

即，作為第一分割工序的一個(gè)方式，其包括：在將經(jīng)過(guò)上述第一固化工序后的上述第一疊層體中的上述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使上述第一支撐片拉伸，通過(guò)對(duì)上述工件和上述保護(hù)膜的疊層體進(jìn)行分割，得到多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片被配置在上述第一支撐片的一面上而成的第二疊層體。

對(duì)第一支撐片4進(jìn)行拉伸的方法沒(méi)有限定。如圖4所示，可以從第一支撐片4的與面向環(huán)狀框8的面相反面一側(cè)使環(huán)狀的構(gòu)件R接觸，使環(huán)狀框8與環(huán)狀的構(gòu)件R的鉛垂方向的相對(duì)位置發(fā)生變化，由此使第一支撐片4伸長(zhǎng)。即，通過(guò)上述伸長(zhǎng)而對(duì)支撐片4產(chǎn)生的應(yīng)力中包含水平方向或與半導(dǎo)體晶片7的背面平行的方向的矢量。

通常，在進(jìn)行第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)，位于第一支撐片4和半導(dǎo)體晶片7之間的構(gòu)件為保護(hù)膜形成膜1。一般情況下，保護(hù)膜形成膜1由固化性材料構(gòu)成，所述固化性材料是能夠通過(guò)固化而形成保護(hù)膜的材料，其代表性的例子是未固化的固化性粘接劑。這樣的材料在賦予拉伸力的情況下直至破斷的變形量(斷裂形變)大，有時(shí)即使對(duì)第一支撐片4進(jìn)行拉伸(擴(kuò)片)也無(wú)法進(jìn)行分割。因此，在第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)，進(jìn)行將保護(hù)膜形成膜1從0℃冷卻至-20℃左右(具體來(lái)說(shuō)，一般情況下通過(guò)對(duì)第一疊層體10進(jìn)行冷卻來(lái)實(shí)現(xiàn))，從而使保護(hù)膜形成膜1的斷裂形變降低。但是，一般來(lái)說(shuō)，與加熱相比，進(jìn)行冷卻需要比較昂貴的冷卻設(shè)備，進(jìn)行冷卻所需要的能量與比加熱所需要的能量多。因此，對(duì)保護(hù)膜形成膜1進(jìn)行冷卻、一般來(lái)說(shuō)是對(duì)第一疊層體10進(jìn)行冷卻會(huì)導(dǎo)致帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法中的初期投資及設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)的增加。

與此相對(duì)，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法中，在進(jìn)行第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)，位于第一支撐片4和半導(dǎo)體晶片7之間的構(gòu)件是保護(hù)膜。由于保護(hù)膜是保護(hù)膜形成膜1固化而得到的，因此其斷裂形變也比保護(hù)膜形成膜1的斷裂形變降低。因此，不易產(chǎn)生因斷裂形變引起的分割不良。但是，由于保護(hù)膜是固化后的材料，有時(shí)斷裂應(yīng)力提高，由于斷裂應(yīng)力高，可能會(huì)產(chǎn)生分割不良。因此，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法中，在第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)，設(shè)定為將保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)。

即，與以往的冷卻擴(kuò)片相反，通過(guò)進(jìn)行加熱擴(kuò)片，可使產(chǎn)生保護(hù)膜的分割不良的可能性降低。保護(hù)膜如果被加溫至40℃左右，與室溫(23℃)狀態(tài)相比，斷裂應(yīng)力的下降變得明顯，能夠穩(wěn)定地享受由加熱擴(kuò)片所帶來(lái)的效果(減少分割不良)。另一方面，如果使第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)保護(hù)膜的溫度超過(guò)70℃，則起因于保護(hù)膜的斷裂形變的增大、第一支撐片4的機(jī)械特性的變化(楊氏模量的降低、軟質(zhì)化等)的操作不良(作為具體例子，可舉出擴(kuò)片量的降低、第一支撐片4對(duì)操作臺(tái)的熔粘等)這樣的不良情況變明顯的可能性提高。因此，通過(guò)使第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)保護(hù)膜的溫度為70℃以下，能夠穩(wěn)定地降低在帶有保護(hù)膜的芯片的制造時(shí)產(chǎn)生不良情況的可能性。從更穩(wěn)定地降低這樣的不良情況產(chǎn)生的可能性的觀點(diǎn)考慮，第一支撐片4的擴(kuò)片時(shí)保護(hù)膜的溫度有時(shí)優(yōu)選設(shè)定為42℃以上且65℃以下，有時(shí)更優(yōu)選設(shè)定為43℃以上且60℃以下，有時(shí)特別優(yōu)選設(shè)定為45℃以上且55℃以下。

(4)第一拾取工序

在第一拾取工序中，將通過(guò)實(shí)施第一分割工序而得到的第二疊層體20所具備的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片9分別從第一支撐片4上分離，得到作為加工物的單個(gè)的帶有保護(hù)膜的芯片9。該分離方法沒(méi)有限定，可以如圖5所示那樣使用頂銷(xiāo)P及真空吸附筒夾C。這樣一來(lái)，可以得到帶有保護(hù)膜的芯片9。

即，作為第一拾取工序的一個(gè)方式，其包括：將上述第二疊層體所具備的上述多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從上述第一支撐片上分離，從而得到作為加工物的上述帶有保護(hù)膜的芯片。

(5)改性層形成工序

在直至開(kāi)始第一分割工序之前，進(jìn)行以下的改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在半導(dǎo)體晶片7(工件)內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域(例如1064nm)的激光，在半導(dǎo)體晶片7內(nèi)部形成改性層。在第一分割工序中，通過(guò)使經(jīng)過(guò)改性層形成工序之后的粘貼在半導(dǎo)體晶片7上的第一支撐片進(jìn)行拉伸，進(jìn)行在分割預(yù)定線上的半導(dǎo)體晶片7的分割。

即，作為改性層形成工序的一個(gè)方式，其包括：在直至開(kāi)始上述第一分割工序之前，以聚焦于上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層。

8.保護(hù)膜形成用片的其它實(shí)施方式

(1)第一支撐片不具有夾具用粘合劑層的情況

圖6是本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖6所示，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3A具備第一支撐片4、保護(hù)膜形成膜1和剝離片6而構(gòu)成，所述第一支撐片4是在基材41一面疊層粘合劑層42而成的，所述保護(hù)膜形成膜1被疊層在第一支撐片4的疊層有粘合劑層42的一側(cè)，所述剝離片6被疊層在保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片4的面相反側(cè)的面上。該實(shí)施方式中的保護(hù)膜形成膜1在面方向上形成為與工件基本相同、或者比工件稍大，并且在面方向上形成為小于第一支撐片4。未疊層保護(hù)膜形成膜1的部分的粘合劑層42能夠粘貼在環(huán)狀框等夾具上。

本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3A的各構(gòu)件的材料及厚度等于前面敘述的保護(hù)膜形成用片3的各構(gòu)件的材料及厚度相同。其中，粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，優(yōu)選粘合劑層42中的與保護(hù)膜形成膜1接觸的部分使能量線固化性粘合劑固化，其以外的部分不使能量線固化性粘合劑固化。由此，可以提高保護(hù)膜形成膜1固化而得到的保護(hù)膜的平滑性(光澤度)，同時(shí)可以保持較高的相對(duì)于環(huán)狀框等夾具的粘接力。

需要說(shuō)明的是，可以在保護(hù)膜形成用片3A的第一支撐片4的粘合劑層42中與基材41相反側(cè)的邊緣部另行設(shè)置與前面敘述的保護(hù)膜形成用片3的夾具用粘合劑層5同樣的夾具用粘合劑層。

(2)第一支撐片不具有粘合劑層的情況

如圖11所示，本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的保護(hù)膜形成用片3B所具備的第一支撐片也可以(僅)由基材構(gòu)成而不具有粘合劑層。該情況下，基材中的保護(hù)膜形成膜一側(cè)的面相當(dāng)于第一支撐片的第一面。

第一支撐片由基材構(gòu)成的情況下，優(yōu)選在保護(hù)膜形成膜的與面向基材(第一支撐片)的面相反側(cè)的面的邊緣部設(shè)置與圖1所示的夾具用粘合劑層5同樣的夾具用粘合劑層。

(3)第一支撐片為剝離片的情況

本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的保護(hù)膜形成用片所具備的第一支撐片可以是具有剝離面的剝離片。該情況下，剝離面相當(dāng)于第一支撐片的第一面。剝離片的具體構(gòu)成沒(méi)有限定。

(4)具備第二支撐片的情況

本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的保護(hù)膜形成用片也可以具有第二支撐片，所述第二支撐片被疊層在保護(hù)膜形成膜的與面向第一支撐片的面相反的面一側(cè)。第二支撐片可以為剝離片，其剝離面設(shè)置為與保護(hù)膜形成膜相對(duì)。

(5)第一支撐片從保護(hù)膜形成膜上剝離的情況

如圖2至圖5所示，對(duì)于上述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片7的制造方法而言，在第一固化工序中由保護(hù)膜形成膜1形成保護(hù)膜之后，在第一拾取工序中，使保護(hù)膜、具體來(lái)說(shuō)，使作為帶有保護(hù)膜的芯片7的一部分的保護(hù)膜的分割體從第一支撐片4上分離。

對(duì)于本發(fā)明的其它實(shí)施方式之一的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法而言，保護(hù)膜形成膜從第一支撐片上剝離之后被固化而成為保護(hù)膜。這樣的制造方法的一例如下面所述。

即，作為本實(shí)施方式的制造方法的一個(gè)方式，如圖7～10所示那樣，其包括：

疊層工序，使本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片所具備的保護(hù)膜形成膜1的與面向第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將上述露出的面與半導(dǎo)體晶片等工件7的一面粘貼，并且將上述保護(hù)膜形成用片的第一支撐片從保護(hù)膜形成膜上剝離，由此得到具有上述工件7和上述保護(hù)膜形成膜1的第三疊層體11；

第二固化工序，通過(guò)使上述第三疊層體11所具備的上述保護(hù)膜形成膜固化而得到保護(hù)膜；

第二粘貼工序，將具備第三基材132和疊層在第三基材的一面?zhèn)鹊牡谌澈蟿?31的加工用片13中的上述第三粘合劑層側(cè)131的面與經(jīng)過(guò)上述第二固化工序后的上述第三疊層體11中的上述保護(hù)膜側(cè)的面貼合，由此得到具備上述加工用片13和上述第三疊層體11的第四疊層體12；

第二分割工序，在將上述第四疊層體12所具備的上述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使上述第四疊層體12所具備的上述加工用片13拉伸，將保護(hù)膜與上述工件7一起進(jìn)行分割，由此得到第五疊層體14，所述第五疊層體14是上述工件7和上述保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)(例如2～20,000個(gè))帶有保護(hù)膜的芯片9配置在上述加工用片13的一面上而成的；以及

第二拾取工序，將上述第五疊層體14所具備的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片9分別從上述加工用片13上分離，從而得到作為加工物的帶有保護(hù)膜的芯片9，

此外，在直至開(kāi)始上述第二分割工序之前，還包括下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在上述工件7內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件7內(nèi)部形成改性層。

這里，加工用片13所具備的第三基材132可以與支撐片4所具備的基材41具有同樣的特征。另外，加工用片13所具備的第三粘合劑層131也可以與支撐片4所具備的粘合劑層42具有同樣的特征。

另外，第二分割工序中的上述第四疊層體12所具備的上述保護(hù)膜的溫度優(yōu)選為上述的溫度T1以上。

以上說(shuō)明的實(shí)施方式是為了便于本發(fā)明的理解而記載的，其并不是為了限定本發(fā)明而記載的。因此，上述實(shí)施方式所公開(kāi)的各要素的主旨在于，也包括屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所有設(shè)計(jì)變更及等同的要素。

例如，可以在第一支撐片4中的基材41與粘合劑層42之間夾有其它層。另外，也可以在由基材41構(gòu)成的第一支撐片4的第一面上疊層其它層。作為其它層，可以舉出例如：底涂層等用于調(diào)整基材41和粘合劑層42之間的粘接性的層、用于調(diào)整支撐片4和保護(hù)膜形成膜1之間的粘接性的層。

對(duì)于前面敘述的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法而言，也可以使用本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的保護(hù)膜形成膜以外的保護(hù)膜形成膜。

即，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法的另一方式，其包括：

粘貼工序，使具備第一支撐片和疊層在上述第一支撐片的第一面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜形成膜(本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的保護(hù)膜形成膜以外的保護(hù)膜形成膜)的保護(hù)膜形成用片中上述保護(hù)膜形成膜的與面向第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將上述露出的面與工件的一面粘貼，從而得到具備上述保護(hù)膜形成用片和上述工件的第一疊層體；

第一固化工序，使上述第一疊層體中的上述保護(hù)膜形成膜固化而得到保護(hù)膜；

第一分割工序，在將經(jīng)過(guò)上述第一固化工序后的上述第一疊層體中的上述保護(hù)膜的溫度保持在40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使上述第一支撐片拉伸，將上述保護(hù)膜與上述工件一起進(jìn)行分割，由此得到第二疊層體，所述第二疊層體是上述工件和上述保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在上述第一支撐片的一面上而成的；以及

第一拾取工序，將上述第二疊層體所具備的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從上述第一支撐片上分離，得到作為加工物的上述帶有保護(hù)膜的芯片，

此外，在直至開(kāi)始上述第一分割工序之前，還包括下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層。

另外，上述第一分割工序中的上述第一疊層體所具備的上述保護(hù)膜的溫度優(yōu)選為上述的溫度T1以上。

另外，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶有保護(hù)膜的芯片的制造方法的另一個(gè)方式，其包括：

疊層工序，使具備第一支撐片和疊層在第一支撐片的第一面?zhèn)鹊谋Ｗo(hù)膜形成膜(本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的保護(hù)膜形成膜以外的保護(hù)膜形成膜)的保護(hù)膜形成用片中上述保護(hù)膜形成膜的與面向第一支撐片的面相反側(cè)的面露出，將上述露出的面與工件的一面粘貼，并且將上述第一支撐片從上述保護(hù)膜形成膜上剝離，從而得到具備上述工件和上述保護(hù)膜形成膜的第三疊層體；

第二固化工序，使上述第三疊層體所具備的上述保護(hù)膜形成膜固化而得到保護(hù)膜；

第二粘貼工序，將具備第三基材和疊層在第三基材的一面?zhèn)鹊牡谌澈蟿拥募庸び闷械寞B層有上述第三粘合劑層一側(cè)的面與經(jīng)過(guò)了上述第二固化工序后的上述第三疊層體的保護(hù)膜側(cè)的面貼合，得到具備上述加工用片和上述第三疊層體的第四疊層體；

第二分割工序，在將上述第四疊層體所具備的保護(hù)膜的溫度保持在

40℃至70℃范圍內(nèi)的狀態(tài)下，使上述第四疊層體所具備的加工用片拉伸，將上述保護(hù)膜與上述工件一起進(jìn)行分割，從而得到第五疊層體，所述第五疊層體是上述工件和上述保護(hù)膜的疊層體以在厚度方向上產(chǎn)生切斷面的方式被分割而成的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片配置在上述加工用片的一面上而成

的；以及

第二拾取工序，將上述第五疊層體所具備的多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片分別從加工用片上分離，得到作為加工物的帶有保護(hù)膜的芯片，

此外，在直至開(kāi)始上述第二分割工序之前，還包括下述改性層形成工序：以聚焦于設(shè)定在上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層。

另外，第二分割工序中的上述第四疊層體所具備的上述保護(hù)膜的溫度優(yōu)選為上述的溫度T1以上。

實(shí)施例

以下，通過(guò)實(shí)施例等更具體地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明的范圍并不限于這些實(shí)施例等。

[實(shí)施例1]

按照表1所示的配合比(換算成固體成分)將下面的各成分混合，用甲乙酮進(jìn)行稀釋?zhuān)沟霉腆w成分濃度相對(duì)于保護(hù)膜形成膜用涂布劑的總質(zhì)量達(dá)到50質(zhì)量％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑。

(A-1)粘合劑聚合物：丙烯酸正丁酯10質(zhì)量份、丙烯酸甲酯70質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯5質(zhì)量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質(zhì)量份共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：40萬(wàn)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：-1℃)100質(zhì)量份

(A-2)粘合劑聚合物：丙烯酸甲酯85質(zhì)量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質(zhì)量份共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：40萬(wàn)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：-6℃)

(A-3)粘合劑聚合物：丙烯酸正丁酯55質(zhì)量份、丙烯酸甲酯10質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯20質(zhì)量份及丙烯酸2-羥基乙酯15質(zhì)量份共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：80萬(wàn)，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度：-28℃)

(B-1)雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社制造、jER828、環(huán)氧當(dāng)量184～194g/eq)

(B-2)雙酚A型環(huán)氧樹(shù)脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社制造、jER1055、環(huán)氧當(dāng)量800～900g/eq)

(B-3)雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹(shù)脂(DIC公司制造、EPICLON HP-7200HH、環(huán)氧當(dāng)量255～260g/eq)

(B-4)甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹(shù)脂(日本化藥株式會(huì)社制造，EOCN-104，環(huán)氧當(dāng)量220g/eq)

(C)熱活性潛伏性環(huán)氧樹(shù)脂固化劑：雙氰胺(ADEKA公司制造：Adeka Hardener EH3636AS，活潑氫量21g/eq)

(D)固化促進(jìn)劑：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國(guó)化成工業(yè)株式會(huì)社制造，CUREZOL 2PHZ)

(E-1)環(huán)氧基改性球狀二氧化硅填料(Admatechs公司制造，SC2050MA，平均粒徑0.5μm)

(E-2)乙烯基改性球狀二氧化硅填料(Admatechs公司制造，

YA050C-MJA，平均粒徑0.05μm)

(E-3)無(wú)定形二氧化硅填料(龍森株式會(huì)社制造，SV-10，平均粒徑8μm)

(F)硅烷偶聯(lián)劑：γ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造、KBM403、甲氧基當(dāng)量：12.7mmol/g、分子量：236.3)

[表1]

利用刮刀涂布機(jī)在剝離片(琳得科株式會(huì)社制造，SP-PET381031)上涂布前面敘述的保護(hù)膜形成膜用涂布劑，并使得最終得到的保護(hù)膜形成膜的厚度為25μm，然后使其在烘箱中于120℃干燥2分鐘，形成了保護(hù)膜形成膜，所述剝離片是在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的一面形成聚硅氧烷類(lèi)的剝離劑層而成的。接著，將在PET膜的一面形成聚硅氧烷類(lèi)的剝離劑層而成的剝離片(琳得科株式會(huì)社制造，SP-PET251130)的剝離面與保護(hù)膜形成膜疊合并使兩者貼合，得到了保護(hù)膜形成用片。

[實(shí)施例2]

將構(gòu)成保護(hù)膜形成膜的各成分的種類(lèi)及配合量按照表1的實(shí)施例2一列所示來(lái)調(diào)整其組成，并利用甲乙酮進(jìn)行稀釋使得固體成分濃度為50％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑，除此之外、與實(shí)施例1同樣操作，制造了保護(hù)膜形成用片。

[比較例1]

將構(gòu)成保護(hù)膜形成膜的各成分的種類(lèi)及配合量按照表1的比較例1一列所示來(lái)調(diào)整其組成，并利用甲乙酮進(jìn)行稀釋使得固體成分濃度為50％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑，除此之外、與實(shí)施例1同樣操作，制造了保護(hù)膜形成用片。

[比較例2]

將構(gòu)成保護(hù)膜形成膜的各成分的種類(lèi)及配合量按照表1的比較例2一列所示來(lái)調(diào)整其組成，并利用甲乙酮進(jìn)行稀釋使得固體成分濃度為50％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑，除此之外、與實(shí)施例1同樣操作，制造了保護(hù)膜形成用片。需要說(shuō)明的是，(E-3)無(wú)定形二氧化硅填料(SV-10)預(yù)先在甲乙酮中用珠磨機(jī)進(jìn)行了24小時(shí)分散后使用。

[試驗(yàn)例1]＜粘彈性的測(cè)定＞

(1)固化物樣品的制作

將實(shí)施例及比較例中制作的保護(hù)膜形成用片的2片剝離片剝離，將得到的保護(hù)膜形成膜進(jìn)行疊層，并使其厚度為200μm。將得到的保護(hù)膜形成層在130℃的烘箱內(nèi)(大氣氛圍中)加熱2小時(shí)，得到了作為固化物樣品的厚度200μm的保護(hù)膜。

(2)固化后在50℃下的斷裂形變及斷裂應(yīng)力的測(cè)定

對(duì)得到的固化物樣品進(jìn)行切割，準(zhǔn)備了寬5mm×長(zhǎng)20mm×厚200μm的試驗(yàn)片。使用動(dòng)態(tài)機(jī)械分析裝置(TA INSTRUMENTS公司制造，DMA Q800)進(jìn)行了試驗(yàn)片的拉伸試驗(yàn)(夾頭間距離：5mm)。在溫度50℃的環(huán)境下保持了1分鐘后，一邊以1N/分的恒定的增加率使載荷增加一邊進(jìn)行了拉伸試驗(yàn)。由其結(jié)果抽取出斷裂應(yīng)力及斷裂形變。將其結(jié)果示于表2。

(3)固化物樣品在25℃下的儲(chǔ)能模量及損耗角正切值的測(cè)定

對(duì)固化物樣品進(jìn)行切割，準(zhǔn)備了寬4.5mm×長(zhǎng)20mm×厚200μm的試驗(yàn)片。使用動(dòng)態(tài)機(jī)械分析裝置(TA INSTRUMENTS公司制造，DMA Q800)在下述條件下進(jìn)行了儲(chǔ)能模量及損失彈性模量的測(cè)定。

測(cè)定模式：拉伸模式

測(cè)定開(kāi)始溫度：0℃

測(cè)定結(jié)束溫度：300℃

升溫速度：3℃/分

頻率：11Hz

測(cè)定氣氛：大氣

由所得到的儲(chǔ)能模量及損失彈性模量計(jì)算出損耗角正切值(tanδ)，求出了在25℃下的儲(chǔ)能模量及在25℃下的損耗角正切值。將結(jié)果示于表2。

(4)固化物樣品的損耗角正切值的峰值溫度的測(cè)定

由在上述條件下得到的儲(chǔ)能模量及損失彈性模量計(jì)算出損耗角正切值(tanδ)，將其值達(dá)到最大時(shí)的溫度作為損耗角正切值的峰值溫度。其結(jié)果，實(shí)施例1中損耗角正切值的峰值溫度為52℃、實(shí)施例2中損耗角正切值的峰值溫度為27℃、比較例1中損耗角正切值的峰值溫度為39℃、比較例2中損耗角正切值的峰值溫度為88℃。

[試驗(yàn)例2]＜分割性的評(píng)價(jià)＞

使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造，RAD-3600F/12)于70℃下在由厚度100μm、外徑8英寸的硅晶片形成的工件上粘貼切斷加工成與硅晶片相同形狀的保護(hù)膜形成膜，然后在130℃的烘箱內(nèi)(大氣氛圍中)加熱2小時(shí)，使其固化，制作了帶有保護(hù)膜的晶片。

使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造，RAD-2700F/12)將隱形切割用切割膠帶(琳得科株式會(huì)社制造，Adwill D-821HS)粘貼在帶有保護(hù)膜的晶片的保護(hù)膜面上。此時(shí)，也進(jìn)行了切割膠帶對(duì)環(huán)狀框的粘貼。

使用激光照射裝置，隔著切割膠帶及保護(hù)膜照射了在晶片內(nèi)部聚光的激光(波長(zhǎng)：1064nm)。此時(shí)，沿著設(shè)定為能夠形成5mm×5mm的芯片體的切斷預(yù)定線，一邊進(jìn)行掃描一邊照射。

接著，使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造，DDS2300)，在溫度50℃的環(huán)境下、以速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn)行了粘貼在帶有保護(hù)膜付的晶片上的切割膠帶的擴(kuò)片。

其結(jié)果，與所有沿切斷預(yù)定線被分割的晶片同樣地保護(hù)膜也被分割的情況，其保護(hù)膜分割性判定為良好(表2中為“A”)，分割后的保護(hù)膜中確認(rèn)到拖絲現(xiàn)象的情況(表2中為“B”)、或者保護(hù)膜存在未被分割的部位的情況(表2中為“C”)判定為不良。其結(jié)果示于表2。

[試驗(yàn)例3]＜保護(hù)膜的強(qiáng)度的評(píng)價(jià)＞

在試驗(yàn)例2中進(jìn)行了分割性評(píng)價(jià)后，使用上述的擴(kuò)片裝置，并使用將熱源設(shè)定為550℃的IR爐，對(duì)分割后的晶片及保護(hù)膜(即，多個(gè)帶有保護(hù)膜的芯片)以及具備切割膠帶的疊層體(第四疊層體)加熱5分鐘，由此矯正了對(duì)切割膠帶進(jìn)行擴(kuò)片時(shí)所產(chǎn)生的切割膠帶的松弛。接著，使用芯片焊接(canon machinery公司制造，Bestem-D02)，在進(jìn)行了3mm的擴(kuò)片的狀態(tài)下，從與面向切割膠帶的被分割的晶片及保護(hù)膜的面相反面一側(cè)用頂銷(xiāo)頂住，用真空吸附筒夾將擠出的帶有保護(hù)膜的芯片提起，拾取了帶有保護(hù)膜的芯片。

對(duì)所拾取的帶有保護(hù)膜的芯片進(jìn)行觀察，將保護(hù)膜上未確認(rèn)到頂銷(xiāo)的痕跡的情況判定為“良好”(表2中為“A”)、將確認(rèn)到?jīng)]有問(wèn)題程度的銷(xiāo)的痕跡的情況判定為“可”(表2中為“B”)、將確認(rèn)到銷(xiāo)的痕跡的情況判定為“不良”(表2中為“C”)。將結(jié)果示于表2。需要說(shuō)明的是，在本評(píng)價(jià)中，比較例2的保護(hù)膜由于在試驗(yàn)例2中未被適當(dāng)?shù)胤指?，因此僅對(duì)具備實(shí)施例1～2及比較例1(評(píng)價(jià)對(duì)象為被切斷的一部分)的保護(hù)膜的第四疊層體進(jìn)行了本評(píng)價(jià)。

[表2]

由表2可知，對(duì)于具備在50℃下的斷裂形變?yōu)?0％以下、且在50℃下的斷裂應(yīng)力為2.0×10⁷Pa以下的保護(hù)膜的實(shí)施例的保護(hù)膜形成用片而言，其分割性優(yōu)異，同時(shí)保護(hù)膜的強(qiáng)度也優(yōu)異。

工業(yè)實(shí)用性

本發(fā)明的保護(hù)膜形成用片適用于包括一邊對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行加熱一邊進(jìn)行分割的工序的情況，在工業(yè)上是極其有用的。