泄放控制模塊、可控硅調(diào)光led驅(qū)動(dòng)電路及系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極通過(guò)一電阻接電路地，其漏極通過(guò)一泄放電阻接至總線電壓信號(hào)端，其柵極通過(guò)一第二電容接電路地，其柵極同時(shí)通過(guò)一電阻接至泄放控制模塊的第一開(kāi)關(guān)的輸出端；第一采樣電阻耦接在泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管與泄放控制模塊的比較器的第一輸入端之間，獲取第一采樣電壓信號(hào)；泄放控制模塊通過(guò)比較器的第一輸入端接收第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源的電壓信號(hào)比較，控制第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制可控硅調(diào)光器的維持電流。通過(guò)泄放控制模塊的智能控制，使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流滿足可控硅調(diào)光器維持電流的需求。
【專利說(shuō)明】泄放控制模塊、可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路及系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及LED驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，尤其涉及一種泄放控制模塊、可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]參見(jiàn)圖1，現(xiàn)有技術(shù)的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)化示意圖。如圖1所示，輸入AC交流電源101串聯(lián)一個(gè)可控硅調(diào)光器102，再連接到整流橋103的兩個(gè)輸入端。整流橋103將交流電整流后經(jīng)電容器Cl濾波，產(chǎn)生一整流后的正弦電壓。啟動(dòng)電阻R2和電容器C2產(chǎn)生一低壓直流電使控制芯片104啟動(dòng)。變壓器Tl有三個(gè)繞組，包括一個(gè)原邊繞組Tl I，連接于電容器Cl和功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的漏極之間；一個(gè)副邊繞組T12，連接于續(xù)流二極管Dl和副邊輸出電容器C4之間；一個(gè)輔助繞組T13，連接于供電二極管D2與電路地之間。當(dāng)電路啟動(dòng)后，輔助繞組T13為控制芯片104供電；同時(shí)輔助繞組T13還提供檢測(cè)續(xù)流二極管Dl電流過(guò)零和檢測(cè)輸出電壓過(guò)壓的信息?，F(xiàn)有技術(shù)的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路通常還包括一對(duì)分壓電阻R4和R5，用來(lái)檢測(cè)可控硅切相角信息；一個(gè)泄放電阻Rl和一個(gè)泄放開(kāi)關(guān)M2，當(dāng)反激變換器輸入電流較小時(shí)，控制芯片104開(kāi)通泄放開(kāi)關(guān)M2，為可控硅調(diào)光器102提供足夠的維持電流。
[0003]上述傳統(tǒng)的反激LED驅(qū)動(dòng)電路中存在如下兩個(gè)缺點(diǎn):
[0004]I)泄放開(kāi)關(guān)M2只有開(kāi)通和關(guān)閉兩種狀態(tài)，所提供的泄放電流或者大于可控硅調(diào)光器102的維持電流需求，損失LED驅(qū)動(dòng)電路效率并且溫升較高；或者小于可控硅調(diào)光器102的維持電流需求，造成LED燈閃爍或者調(diào)光亮度解決情況出現(xiàn)；
[0005]2)當(dāng)電路啟動(dòng)時(shí)，啟動(dòng)電阻R2上的電流為電容C2充電，當(dāng)電容C2的VCC電壓達(dá)到啟動(dòng)閥值時(shí)，LED驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作；但是此啟動(dòng)過(guò)程較為緩慢，搭配智能可控硅調(diào)光器時(shí)容易出現(xiàn)工作不正常的現(xiàn)象。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型的目的在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路存在的問(wèn)題，提供一種泄放控制模塊、可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路及系統(tǒng)，通過(guò)泄放控制模塊，智能的控制泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管上的電流，使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流滿足可控硅調(diào)光器維持電流的需求，實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單有效且兼容性良好的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種泄放控制模塊，包括一比較器、一基準(zhǔn)電壓源以及一第一開(kāi)關(guān)；所述比較器的第一輸入端為所述泄放控制模塊的輸入端，用于接收一第一采樣電壓信號(hào)，其第二輸入端與所述基準(zhǔn)電壓源的輸出端電學(xué)連接，所述比較器的輸出端電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的控制端；所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端電學(xué)連接至一供電電壓信號(hào)端，所述第一開(kāi)關(guān)的輸出端為所述泄放控制模塊的輸出端，其電學(xué)連接至一泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極；通過(guò)所述比較器的比較結(jié)果控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制一 LED驅(qū)動(dòng)電路中可控硅調(diào)光器的維持電流。[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了 一種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，包括:一泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管、一第一采樣電阻以及一本實(shí)用新型所述的泄放控制模塊；所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極通過(guò)一電阻電學(xué)連接電路地，其漏極通過(guò)一泄放電阻電學(xué)連接至總線電壓信號(hào)端，其柵極通過(guò)一第二電容電學(xué)連接電路地，其柵極同時(shí)通過(guò)一電阻電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的第一開(kāi)關(guān)的輸出端；所述第一采樣電阻耦接在所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管與所述泄放控制模塊的比較器的第一輸入端之間，用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào)，獲取第一采樣電壓信號(hào)；所述泄放控制模塊通過(guò)比較器的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源的電壓信號(hào)比較，控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制LED驅(qū)動(dòng)電路中的可控硅調(diào)光器的維持電流。
[0009]所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管以及一第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的基極通過(guò)一上分壓電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)一下分壓電阻電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的集電極通過(guò)一供電電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；所述三極管的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端；通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路，在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管斷開(kāi)。
[0010]所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元；所述信號(hào)整形單元的輸入端耦接至所述上分壓電阻與下分壓電阻之間，其輸出端通過(guò)一第四電容電學(xué)連接電路地，所述信號(hào)整形單元用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容，通過(guò)第四電容上的電壓信號(hào)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。
[0011]所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元、一運(yùn)算放大器以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元；所述采樣保持單元一端耦接至一第二采樣電阻與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)，所述采樣保持單元另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器的一輸入端；所述運(yùn)算放大器的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元與第四電容之間，用于獲取所述第四電容上的電壓信號(hào)；所述運(yùn)算放大器的輸出端通過(guò)一第五電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通時(shí)間；所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)一步耦接至所述供電電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)另一電阻電學(xué)連接電路地，所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通與關(guān)閉。
[0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供了一種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包括一可控硅調(diào)光器、一整流橋、一母線電容、一變壓器以及本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路；所述可控硅調(diào)光器與一交流輸入源電學(xué)連接，通過(guò)調(diào)整其自身導(dǎo)通角度控制LED負(fù)載的亮度；所述整流橋分別與所述可控硅調(diào)光器以及交流輸入源電學(xué)連接，用于將交流輸入源的正弦信號(hào)整流為一幅值為正的總線電壓信號(hào)；所述第一采樣電阻一端通過(guò)所述母線電容電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，另一端電學(xué)連接至所述整流橋的一輸出端，同時(shí)電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的比較器的第一輸入端，用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào)，獲取第一采樣電壓信號(hào)；所述變壓器的主繞組連接所述總線電壓信號(hào)端和所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極，所述變壓器的輔助繞組通過(guò)一供電二極管以及供電電壓信號(hào)端電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的第一開(kāi)關(guān)的輸入端；所述泄放控制模塊通過(guò)比較器的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源的電壓信號(hào)比較，控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制所述可控硅調(diào)光器的維持電流。
[0013]所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管以及一第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的基極通過(guò)一上分壓電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)一下分壓電阻電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的集電極通過(guò)一供電電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；所述三極管的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端；通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路，在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管斷開(kāi)。
[0014]所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元；所述信號(hào)整形單元的輸入端耦接至所述上分壓電阻與下分壓電阻之間，其輸出端通過(guò)一第四電容電學(xué)連接電路地，所述信號(hào)整形單元用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容，通過(guò)第四電容上的電壓信號(hào)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。
[0015]所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元、一運(yùn)算放大器以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元；所述采樣保持單元一端耦接至一第二采樣電阻與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)，所述采樣保持單元另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器的一輸入端；所述運(yùn)算放大器的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元與第四電容之間，用于獲取所述第四電容上的電壓信號(hào)；所述運(yùn)算放大器的輸出端通過(guò)一第五電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通時(shí)間；所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)一步耦接至所述供電電壓信號(hào)端以及所述變壓器的輔助繞組，同時(shí)通過(guò)另一電阻電學(xué)連接電路地，所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通與關(guān)閉。
[0016]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:通過(guò)泄放控制模塊智能的控制泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管上的電流，使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流滿足可控硅調(diào)光器維持電流的需求；同時(shí)提供了 一種快速啟動(dòng)方式，提高了 LED驅(qū)動(dòng)電路的啟動(dòng)速度；實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單有效且兼容性良好的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1，現(xiàn)有技術(shù)的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的簡(jiǎn)化示意圖；
[0018]圖2，本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的架構(gòu)示意圖；
[0019]圖3，本實(shí)用新型所述的升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖；
[0020]圖4，本實(shí)用新型所述升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的啟動(dòng)波形示意圖；
[0021]圖5，本實(shí)用新型所述升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的工作波形示意圖；
[0022]圖6，本實(shí)用新型所述的反激型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路及系統(tǒng)做詳細(xì)說(shuō)明。
[0024]參考圖2，本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的架構(gòu)示意圖，所述驅(qū)動(dòng)電路包括:一泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2、一第一米樣電阻R3以及一泄放控制模塊21 ;所述泄放控制模塊包括一比較器204、一基準(zhǔn)電壓源ref以及一第一開(kāi)關(guān)SI。
[0025]所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2的源極S通過(guò)一電阻R2電學(xué)連接電路地，其漏極D通過(guò)一泄放電阻Rl電學(xué)連接至總線電壓信號(hào)端(Vbus端)，其柵極G通過(guò)一第二電容C2電學(xué)連接電路地，其柵極G同時(shí)通過(guò)一電阻R5電學(xué)連接至所述泄放控制模塊21的第一開(kāi)關(guān)SI的輸出端。第二電容C2同時(shí)并聯(lián)一電阻R4。
[0026]所述第一采樣電阻R3耦接在泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2與比較器204的第一輸入端之間，用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào),獲取第一米樣電壓信號(hào)。
[0027]所述比較器204的第一輸入端為所述泄放控制模塊21的輸入端，用于接收第一采樣電壓信號(hào)，其第二輸入端與所述基準(zhǔn)電壓源ref的輸出端電學(xué)連接，所述比較器204的輸出端電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)SI的控制端。所述第一開(kāi)關(guān)SI的輸入端電學(xué)連接至一供電電壓信號(hào)端(VCC端)，所述第一開(kāi)關(guān)SI的輸出端為所述泄放控制模塊21的輸出端，其電學(xué)連接至所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2的柵極G。所述泄放控制模塊21通過(guò)比較器204的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源ref的電壓信號(hào)比較，通過(guò)所述比較器204的比較結(jié)果控制所述第一開(kāi)關(guān)SI的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制LED驅(qū)動(dòng)電路中的可控硅調(diào)光器202的維持電流。
[0028]也即，當(dāng)?shù)谝徊蓸与娮鑂3上的電壓信號(hào)小于基準(zhǔn)電壓源ref的電壓信號(hào)時(shí)，比較器204輸出高電平,使第一開(kāi)關(guān)SI打開(kāi),供電電壓信號(hào)端的VCC電壓通過(guò)電阻R5為第二電容C2充電，使泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2的柵極電壓Vgate上升。泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2的源極電壓約為Vgate-Vth，其中Vth為M2的柵極導(dǎo)通門(mén)限。當(dāng)Vgate上升時(shí)，電阻R2上的電壓Vgate-Vth也隨之上升，電阻R2上的電流也隨之上升，此電流流經(jīng)泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2和泄放電阻R1，使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流上升，第一采樣電阻R3上的電壓也上升，直至達(dá)到基準(zhǔn)電壓源ref的電壓，使比較器204輸出翻轉(zhuǎn)為低電平。
[0029]通過(guò)比較器204以及第一開(kāi)關(guān)SI的開(kāi)通與關(guān)閉，形成一輸入電流閉環(huán)使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流約為基準(zhǔn)電壓源ref的電壓/電阻R3，通過(guò)調(diào)整第一采樣電阻R3值的大小，可以容易地調(diào)整LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，以滿足可控硅調(diào)光器202維持電流的需求。
[0030]本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管Ql以及一第二開(kāi)關(guān)S2，以快速啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路。
[0031]所述三極管Ql的基極通過(guò)一上分壓電阻R6電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)一下分壓電阻R8電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)S2，第二開(kāi)關(guān)S2的另一端接電路地；三極管Ql的集電極通過(guò)一供電電阻R7電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；三極管Ql的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容C3電學(xué)連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)SI的輸入端。通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)S2控制所述三極管Ql導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路；在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后，進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)S2控制所述三極管Ql斷開(kāi)。
[0032]具體為:在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)前，第二開(kāi)關(guān)S2斷開(kāi)，上分壓電阻R6上的電流流入三極管Ql的基極，三極管Ql導(dǎo)通，總線電壓信號(hào)端的Vbus電壓通過(guò)供電電阻R7為第三電容C3充電；當(dāng)?shù)谌娙軨3上的電壓達(dá)到啟動(dòng)閥值時(shí)，LED驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作。當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后，第二開(kāi)關(guān)S2閉合,使三極管Ql的基極電壓低于供電電壓信號(hào)端的供電電壓，三極管Ql關(guān)閉，供電電阻R7上沒(méi)有電流流過(guò)，降低系統(tǒng)損耗。
[0033]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元205。
[0034]所述信號(hào)整形單元205的輸入端耦接至所述上分壓電阻R6與下分壓電阻R8之間，其輸出端通過(guò)一第四電容C4電學(xué)連接電路地。所述信號(hào)整形單元205用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容C4，通過(guò)第四電容C4上的電壓信號(hào)(DIM電壓)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。具體為，第二開(kāi)關(guān)S2開(kāi)通后，下分壓電阻R8上的電壓信號(hào)Vln成比例的反應(yīng)了 Vbus電壓，Vln信號(hào)也因此可以得到可控硅調(diào)光器202導(dǎo)通角度的信息。Vln信號(hào)經(jīng)過(guò)信號(hào)整形單元205整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容C4，第四電容C4上的電壓為DM電壓，DM電壓的大小則反映了可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角度。DM電壓用于控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。
[0035]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元208、一運(yùn)算放大器206以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元207。
[0036]所述采樣保持單元208 —端耦接至一第二采樣電阻Rll與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的源極S之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)；所述采樣保持單元208另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器206的一輸入端。所述運(yùn)算放大器206的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元205與第四電容C4之間，用于獲取所述DM電壓信號(hào)。所述運(yùn)算放大器206的輸出端通過(guò)一第五電容C5電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的柵極G，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)間。所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207進(jìn)一步通過(guò)一分壓電阻R9以及一供電二極管Dl耦接至所述供電電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)另一分壓電阻RlO電學(xué)連接電路地，所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的漏極D耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通與關(guān)閉。
[0037]具體為，運(yùn)算放大器206接收通過(guò)采樣保持單元208傳送的第二采樣電阻Rll上的信號(hào)，以及DIM電壓信號(hào)，輸出COMP電壓信號(hào)，COMP電壓的大小決定了功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)間(關(guān)閉時(shí)刻)。當(dāng)分壓電阻RlO上的電壓下降至零時(shí)，邏輯驅(qū)動(dòng)單元207此時(shí)(開(kāi)通時(shí)刻)使功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml再次開(kāi)通。
[0038]以下結(jié)合附圖3-5對(duì)本實(shí)用新型所述的升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的工作原理進(jìn)行說(shuō)明。
[0039]參考圖3，本實(shí)用新型所述的升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。所述可控娃調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括一可控娃調(diào)光器202、一整流橋203、一母線電容Cl、一變壓器Tl以及本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路(如圖2所示電路，相同組件符號(hào)表示相同或相似組件)，本實(shí)用新型對(duì)現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路控制方式做了改進(jìn)。
[0040]所述可控硅調(diào)光器202與一交流輸入源201電學(xué)連接，通過(guò)調(diào)整其自身導(dǎo)通角度控制LED負(fù)載的亮度。所述整流橋203分別與所述可控硅調(diào)光器202以及交流輸入源201電學(xué)連接，用于將交流輸入源201的正弦信號(hào)整流為一幅值為正的Vbus電壓信號(hào)。變壓器Tl的主繞組Tl-P —端連接于母線電容Cl以及所述總線電壓信號(hào)端，另一端連接功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的漏極D，同時(shí)通過(guò)續(xù)流二極管D2耦接至LED負(fù)載；即續(xù)流二極管D2的正端連接于功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的漏極D，續(xù)流二極管D2的負(fù)端連接輸出電容C6和LED負(fù)載；輸出電容C6和LED負(fù)載并聯(lián)后連接到總線電壓信號(hào)端。變壓器Tl的輔助繞組Tl-S通過(guò)一供電二極管Dl以及供電電壓信號(hào)端電學(xué)連接至所述泄放控制模塊21的第一開(kāi)關(guān)SI的輸入端。變壓器Tl在功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml開(kāi)通時(shí)儲(chǔ)能，在功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml關(guān)閉時(shí)將能量通過(guò)續(xù)流二極管D2釋放到LED負(fù)載中、以及通過(guò)供電二極管Dl釋放到電容C3中。
[0041]所述第一采樣電阻R3 —端通過(guò)所述母線電容Cl電學(xué)連接至總線電壓信號(hào)端，另一端電學(xué)連接至所述整流橋203的一輸出端，同時(shí)電學(xué)連接至所述泄放控制模塊21的比較器204的第一輸入端,用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào),獲取第一米樣電壓信號(hào)。所述泄放控制模塊21通過(guò)比較器204的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源ref的電壓信號(hào)比較，根據(jù)比較結(jié)果控制所述第一開(kāi)關(guān)SI的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制所述可控硅調(diào)光器202的維持電流。
[0042]所述泄放控制模塊21的工作原理參見(jiàn)圖2及其對(duì)應(yīng)描述，通過(guò)所述泄放控制模塊21的比較器204以及第一開(kāi)關(guān)SI的開(kāi)通與關(guān)閉，形成一輸入電流閉環(huán)使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流約為基準(zhǔn)電壓源ref的電壓/電阻R3，通過(guò)調(diào)整第一采樣電阻R3值的大小，可以容易地調(diào)整LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，以滿足可控硅調(diào)光器202維持電流的需求。
[0043]本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方式也做了改進(jìn)，提高了 LED驅(qū)動(dòng)電路的啟動(dòng)速度，實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單有效且兼容性良好的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路。所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管Ql以及一第二開(kāi)關(guān)S2。
[0044]所述三極管Ql的基極通過(guò)上分壓電阻R6電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)下分壓電阻R8電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)S2，第二開(kāi)關(guān)S2的另一端接電路地；三極管Ql的集電極通過(guò)一供電電阻R7電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；三極管Ql的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容C3電學(xué)連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)SI的輸入端。通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)S2控制所述三極管Ql導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路；在1^0驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管Ql斷開(kāi)。
[0045]具體為:在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)前，第二開(kāi)關(guān)S2斷開(kāi)，上分壓電阻R6上的電流流入三極管Ql的基極，三極管Ql導(dǎo)通，總線電壓信號(hào)端的Vbus電壓通過(guò)供電電阻R7為第三電容C3充電；當(dāng)?shù)谌娙軨3上的電壓達(dá)到啟動(dòng)閥值時(shí)，LED驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作。LED驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)始工作后，變壓器Tl的輔助繞組Tl-S通過(guò)供電二極管Dl為供電電壓信號(hào)端供電。當(dāng)LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后，第二開(kāi)關(guān)S2閉合，使三極管Ql的基極電壓低于供電電壓信號(hào)端的供電電壓，三極管Ql關(guān)閉，供電電阻R7上沒(méi)有電流流過(guò)，降低系統(tǒng)損耗。
[0046]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元205。
[0047]所述信號(hào)整形單元205的輸入端耦接至所述上分壓電阻R6與下分壓電阻R8之間，其輸 出端通過(guò)一第四電容C4電學(xué)連接電路地。所述信號(hào)整形單元205用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容C4，通過(guò)第四電容C4上的電壓信號(hào)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。具體為，第二開(kāi)關(guān)S2開(kāi)通后，下分壓電阻R8上的電壓信號(hào)Vln成比例的反應(yīng)了 Vbus電壓，Vln信號(hào)也因此可以得到可控硅調(diào)光器202導(dǎo)通角度的信息。Vln信號(hào)經(jīng)過(guò)信號(hào)整形單元205整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容C4，第四電容C4上的電壓為DM電壓，DIM電壓的大小則反映了可控硅調(diào)光器導(dǎo)通角度。DIM電壓用于控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。本實(shí)用新型所述的升降壓型的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的啟動(dòng)波形如圖4所示,通過(guò)對(duì)現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方式改進(jìn),提高了 LED驅(qū)動(dòng)電路的啟動(dòng)速度。
[0048]作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元208、一運(yùn)算放大器206以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元207。
[0049]所述采樣保持單元208 —端耦接至一第二采樣電阻Rll與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的源極S之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)；所述采樣保持單元208另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器206的一輸入端。所述運(yùn)算放大器206的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元205與第四電容C4之間，用于獲取所述DM電壓信號(hào)。所述運(yùn)算放大器206的輸出端通過(guò)一第五電容C5電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的柵極G，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)間。所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207進(jìn)一步耦接至所述供電電壓信號(hào)端以及所述變壓器Tl的輔助繞組T1-S，同時(shí)通過(guò)另一分壓電阻RlO電學(xué)連接電路地；具體為，邏輯驅(qū)動(dòng)單元207通過(guò)分壓電阻R9以及供電二極管Dl耦接至所述供電電壓信號(hào)端，以及通過(guò)分壓電阻R9電學(xué)連接至變壓器Tl的輔助繞組T1-S。所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的漏極D耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元207用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通與關(guān)閉。
[0050]具體為，運(yùn)算放大器206接收通過(guò)采樣保持單元208傳送的第二采樣電阻Rll上的信號(hào)，以及DIM電壓信號(hào)，輸出COMP電壓信號(hào)，COMP電壓的大小決定了功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)間(關(guān)閉時(shí)刻)。當(dāng)輔助繞組Tl-S上的電壓下降至零時(shí)，說(shuō)明變壓器Tl的電流也下降至零，則分壓電阻RlO上的電壓也下降至零，邏輯驅(qū)動(dòng)單元207此時(shí)(開(kāi)通時(shí)刻)使功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml再次開(kāi)通。
[0051]本實(shí)用新型所述的升降壓型的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的工作波形如圖5所示。由于在一個(gè)工頻周期中，DIM電壓和COMP電壓保持基本不變，所以功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管Ml的開(kāi)通時(shí)間保持基本不變，而Vbus電壓為正弦波形狀，則變壓器Tl的峰值電流包絡(luò)線也為正弦形狀，如圖5中變壓器電流示意中虛線所示。LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流也為正弦形狀，且LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流最小值維持在LED驅(qū)動(dòng)電路的可控硅調(diào)光器202的維持電流之上，如圖5中可控硅調(diào)光器的維持電流虛線所示。也即，本實(shí)用新型提出的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通過(guò)泄放控制模塊智能控制泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管M2使LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流最小值維持在可控硅調(diào)光器202的維持電流之上，保證可控硅調(diào)光器的正常工作?？煽毓枵{(diào)光器202的最小維持電流可以通過(guò)調(diào)整第一采樣電阻R3和基準(zhǔn)電壓源ref獲得。
[0052]本實(shí)用新型所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路同樣可以應(yīng)用于反激型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中。參考圖6，本實(shí)用新型所述反激型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的示意圖。其中，可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)原理和控制邏輯與圖3所示升降壓型可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)類(lèi)似，在此不再贅述。
[0053]以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種泄放控制模塊，其特征在于，包括一比較器、一基準(zhǔn)電壓源以及一第一開(kāi)關(guān)； 所述比較器的第一輸入端為所述泄放控制模塊的輸入端，用于接收一第一采樣電壓信號(hào)，其第二輸入端與所述基準(zhǔn)電壓源的輸出端電學(xué)連接，所述比較器的輸出端電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的控制端； 所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端電學(xué)連接至一供電電壓信號(hào)端，所述第一開(kāi)關(guān)的輸出端為所述泄放控制模塊的輸出端，其電學(xué)連接至一泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極； 通過(guò)所述比較器的比較結(jié)果控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制一 LED驅(qū)動(dòng)電路中可控硅調(diào)光器的維持電流。
2.—種可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括:一泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管、一第一采樣電阻以及一權(quán)利要求1所述的泄放控制模塊； 所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極通過(guò)一電阻電學(xué)連接電路地，其漏極通過(guò)一泄放電阻電學(xué)連接至總線電壓信號(hào)端，其柵極通過(guò)一第二電容電學(xué)連接電路地，其柵極同時(shí)通過(guò)一電阻電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的第一開(kāi)關(guān)的輸出端； 所述第一采樣電阻耦接在所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管與所述泄放控制模塊的比較器的第一輸入端之間，用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào),獲取第一米樣電壓信號(hào)； 所述泄放控制模塊通過(guò)比較器的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源的電壓信號(hào)比較，控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制LED驅(qū)動(dòng)電路中的可控硅調(diào)光器的維持電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管以及一第二開(kāi)關(guān)； 所述三極管的基極通過(guò)一上分壓電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)一下分壓電阻電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的集電極通過(guò)一供電電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；所述三極管的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端；通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路，在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管斷開(kāi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元； 所述信號(hào)整形單元的輸入端耦接至所述上分壓電阻與下分壓電阻之間，其輸出端通過(guò)一第四電容電學(xué)連接電路地，所述信號(hào)整形單元用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容，通過(guò)第四電容上的電壓信號(hào)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元、一運(yùn)算放大器以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元； 所述采樣保持單元一端耦接至一第二采樣電阻與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)，所述采樣保持單元另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器的一輸入端；所述運(yùn)算放大器的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元與第四電容之間，用于獲取所述第四電容上的電壓信號(hào)；所述運(yùn)算放大器的輸出端通過(guò)一第五電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通時(shí)間；所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)一步耦接至所述供電電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)另一電阻電學(xué)連接電路地，所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通與關(guān)閉。
6.一種可控娃調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),包括一可控娃調(diào)光器、一整流橋、一母線電容以及一變壓器，其特征在于，進(jìn)一步包括權(quán)利要求2所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路； 所述可控硅調(diào)光器與一交流輸入源電學(xué)連接，通過(guò)調(diào)整其自身導(dǎo)通角度控制LED負(fù)載的亮度； 所述整流橋分別與所述可控硅調(diào)光器以及交流輸入源電學(xué)連接，用于將交流輸入源的正弦信號(hào)整流為一幅值為正的總線電壓信號(hào)； 所述第一采樣電阻一端通過(guò)所述母線電容電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，另一端電學(xué)連接至所述整流橋的一輸出端，同時(shí)電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的比較器的第一輸入端，用于檢測(cè)LED驅(qū)動(dòng)電路的輸入電流信號(hào)，獲取第一采樣電壓信號(hào)； 所述變壓器的主繞組連接所述總線電壓信號(hào)端和所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極，所述變壓器的輔助繞組通過(guò)一供電二極管以及供電電壓信號(hào)端電學(xué)連接至所述泄放控制模塊的第一開(kāi)關(guān)的輸入端； 所述泄放控制模塊通過(guò)比較器的第一輸入端接收所述第一采樣電壓信號(hào)，與基準(zhǔn)電壓源的電壓信號(hào)比較，控制所述第一開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與斷開(kāi)，從而驅(qū)動(dòng)所述泄放開(kāi)關(guān)MOS晶體管控制LED驅(qū)動(dòng)電路的最小輸入電流，進(jìn)而控制所述可控硅調(diào)光器的維持電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一三極管以及一第二開(kāi)關(guān)； 所述三極管的基極通過(guò)一上分壓電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端，同時(shí)通過(guò)一下分壓電阻電學(xué)連接至所述第二開(kāi)關(guān)；所述三極管的集電極通過(guò)一供電電阻電學(xué)連接至所述總線電壓信號(hào)端；所述三極管的發(fā)射極通過(guò)供電電壓信號(hào)端以及一第三電容連接電路地，同時(shí)電學(xué)連接至所述第一開(kāi)關(guān)的輸入端；通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管導(dǎo)通，進(jìn)而啟動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)電路，在LED驅(qū)動(dòng)電路啟動(dòng)后進(jìn)而通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)控制所述三極管斷開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一信號(hào)整形單元； 所述信號(hào)整形單元的輸入端耦接至所述上分壓電阻與下分壓電阻之間，其輸出端通過(guò)一第四電容電學(xué)連接電路地，所述信號(hào)整形單元用于將輸入的電壓信號(hào)整形并輸出一方波電流信號(hào)給第四電容，通過(guò)第四電容上的電壓信號(hào)控制LED驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流大小。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)一步包括一采樣保持單元、一運(yùn)算放大器以及一邏輯驅(qū)動(dòng)單元； 所述采樣保持單元一端耦接至一第二采樣電阻與一功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的源極之間，用于獲取一第二采樣電壓信號(hào)，所述采樣保持單元另一端電學(xué)連接至所述運(yùn)算放大器的一輸入端；所述運(yùn)算放大器的另一輸入端耦接至所述信號(hào)整形單元與第四電容之間，用于獲取所述第四電容上的電壓信號(hào)；所述運(yùn)算放大器的輸出端通過(guò)一第五電容電學(xué)連接電路地，同時(shí)通過(guò)所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元電學(xué)連接至功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的柵極，用于輸出COMP電壓以控制功率開(kāi)關(guān)M OS晶體管的導(dǎo)通時(shí)間；所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元進(jìn)一步耦接至所述供電電壓信號(hào)端以及所述變壓器的輔助繞組，同時(shí)通過(guò)另一電阻電學(xué)連接電路地，所述功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的漏極耦接至LED負(fù)載，所述邏輯驅(qū)動(dòng)單元用于控制功率開(kāi)關(guān)MOS晶體管的導(dǎo)通與關(guān)閉。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK203788514SQ201420097239
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月5日
【發(fā)明者】杜磊, 孫順根, 于得水 申請(qǐng)人:上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司