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一種pcb板的制作方法

文檔序號(hào):8098041閱讀:314來(lái)源:國(guó)知局
一種pcb板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種PCB板,應(yīng)用于移動(dòng)電源領(lǐng)域。該P(yáng)CB板包括四個(gè)銅箔層和三個(gè)基材層,該四個(gè)銅箔層和三個(gè)基材層重疊設(shè)置,形成一疊層結(jié)構(gòu),其中,該四個(gè)銅箔層分別為該疊層結(jié)構(gòu)的第一、第三、第五和第七層,該三個(gè)基材層分別為該疊層結(jié)構(gòu)的第二、第四和第六層,該第一層和第七層的厚度均在68微米~72微米之間,該第三層和第五層的厚度均在102微米~108微米之間。本發(fā)明提供的PCB板,可使芯片散發(fā)出來(lái)的熱量,盡可能快的均勻到達(dá)整個(gè)PCB板上,使PCB板在不依賴(lài)外部散熱器的情況下較好的散熱,從而保證移動(dòng)電源的安全工作。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種PCB板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種PCB板,尤其涉及一種應(yīng)用于移動(dòng)電源的PCB板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動(dòng)電源成為數(shù)碼產(chǎn)品的必備伴侶,移動(dòng)電源本身的充放電效率要求越來(lái)越高,這必然會(huì)帶來(lái)移動(dòng)電源本身的散熱問(wèn)題。目前市場(chǎng)上的移動(dòng)電源產(chǎn)品充電速度較慢,放電最大功率在1W左右,散熱問(wèn)題還好控制,但隨著充放電功率和速度的提高,散熱問(wèn)題越來(lái)越成為移動(dòng)電源必然面臨的問(wèn)題。
[0003]當(dāng)移動(dòng)電源的放電最大功率提高到24W時(shí),移動(dòng)電源充放電控制模塊發(fā)熱約在
2.5W左右,即工作時(shí)芯片最大會(huì)有2.5W的功率會(huì)轉(zhuǎn)換為熱量,如果不能把這些熱量及時(shí)地傳導(dǎo)到整個(gè)PCB板上,再散發(fā)到外界,將會(huì)導(dǎo)致芯片溫度超過(guò)120°C,充放電功能隨之失效。然而,現(xiàn)有技術(shù)中的PCB板,由于結(jié)構(gòu)限制和工藝參數(shù)的綜合影響,還無(wú)法實(shí)現(xiàn)大量熱量的快速均勻傳導(dǎo)和散發(fā)。
[0004]有鑒于此,確有必要提供一種能夠解決上述大功率移動(dòng)電源的快速散熱問(wèn)題的PCB 板。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種能實(shí)現(xiàn)大功率移動(dòng)電源快速散熱的PCB板,該P(yáng)CB板包括:第一銅箔層、第二基材層、第三銅箔層、第四基材層、第五銅箔層、第六基材層和第七銅箔層,所述第一銅箔層、第二基材層、第三銅箔層、第四基材層、第五銅箔層、第六基材層和第七銅箔層依次重疊貼合設(shè)置,形成一疊層結(jié)構(gòu),所述第一銅箔層為該疊層結(jié)構(gòu)的頂層,所述第七銅箔層為該疊層結(jié)構(gòu)的底層,所述第四基材層為該疊層結(jié)構(gòu)的中心層,其特征在于,所述第一銅箔層和第七銅箔層的厚度均在68微米?72微米之間,所述第三銅箔層和第五銅箔層的厚度均在102微米?108微米之間。
[0006]進(jìn)一步地,所述第二基材層和第六基材層的厚度均在190微米?210微米之間。
[0007]進(jìn)一步地,所述第四基材層的厚度在240微米?260微米之間。
[0008]進(jìn)一步地,所述PCB板還包括多個(gè)過(guò)孔,所述多個(gè)過(guò)孔均貫穿該疊層結(jié)構(gòu),所述多個(gè)過(guò)孔的內(nèi)徑均在280微米?320微米之間,所述多個(gè)過(guò)孔的外徑均在380微米?420微米之間。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的PCB板通過(guò)增加銅箔層的厚度、減小相鄰銅箔層之間的間距(即基材層的厚度)以及增加過(guò)孔的壁厚的方式,有效地提升了 PCB板的導(dǎo)熱和散熱能力,保證了移動(dòng)電源產(chǎn)品的安全穩(wěn)定工作。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的PCB板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的PCB板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]主要元件符號(hào)說(shuō)明
[0014]PCB 板10
[0015]第一銅箔層101
[0016]第二基材層102
[0017]第三銅箔層103
[0018]第四基材層104
[0019]第五銅箔層105
[0020]第六基材層106
[0021]第七銅箔層107
[0022]過(guò)孔108

【具體實(shí)施方式】
[0023]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0024]如圖1所示,本發(fā)明實(shí)施例提供一種PCB板10,該P(yáng)CB板10包括第一銅箔層101、第二基材層102、第三銅箔層103、第四基材層104、第五銅箔層105、第六基材層106和第七銅箔層107。該第一銅箔層101、第二基材層102、第三銅箔層103、第四基材層104、第五銅箔層105、第六基材層106和第七銅箔層107依次重疊設(shè)置,且緊密貼合,形成一固定的疊層結(jié)構(gòu)。所述第一銅箔層101為該疊層結(jié)構(gòu)的第一層(頂層),所述第七銅箔層107為該疊層結(jié)構(gòu)的第7層(底層),即所述第一銅箔層101位于該P(yáng)CB板10的最頂層,所述第七銅箔層107位于該P(yáng)CB板10的最底層。所述第二基材層102、第三銅箔層103、第四基材層104、第五銅箔層105和第六基材層106依次為該疊層結(jié)構(gòu)的第二層至第六層。
[0025]所述第一銅箔層101的厚度(銅厚)和第七銅箔層107的厚度相同,均為dl。dl的數(shù)值范圍在68微米?72微米之間。優(yōu)選地,dl = 70微米,這相當(dāng)于銅厚為2盎司(OZ)。在PCB行業(yè)中,盎司(OZ)是長(zhǎng)度單位,1Z表示在I平方英尺的面積上平均銅箔的重量是28.35克,即用單位面積的重量來(lái)表示銅箔的平均厚度。
[0026]所述第三銅箔層103和第五銅箔層105的厚度相同,均為d2。d2的數(shù)值范圍在102微米?108微米之間。優(yōu)選地,d2 = 105微米,這相當(dāng)于銅厚為3盎司(OZ)。
[0027]所述第二基材層102和第六基材層106的厚度相同,均為d3。d3的數(shù)值范圍在190微米?210微米之間。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述第二基材層102的厚度相當(dāng)于所述第一銅箔層101和第三銅箔層103之間的間距;所述第六基材層106的厚度相當(dāng)于所述第五銅箔層105和第七銅箔層107之間的間距。優(yōu)選地,d3 = 200微米。
[0028]所述第四基材層104的厚度為d4,d4的數(shù)值范圍在240微米?260微米之間。在本發(fā)明實(shí)施例中,所述第四基材層104的厚度相當(dāng)于所述第三銅箔層103和第五銅箔層105之間的間距。優(yōu)選地,d4 = 250微米。
[0029]所述第二基材層102、第四基材層104和第六基材層106的材質(zhì)均為玻璃纖維布基材料。優(yōu)選地,所述第二基材層102、第四基材層104和第六基材層106的材質(zhì)均為FR-4。
[0030]如圖2所示,該P(yáng)CB板10可進(jìn)一步包括多個(gè)過(guò)孔108。該多個(gè)過(guò)孔108的設(shè)置可進(jìn)一步加快熱量在該P(yáng)CB板10上的傳導(dǎo)。該多個(gè)過(guò)孔108的內(nèi)徑均在280微米?320微米之間,所述多個(gè)過(guò)孔108的外徑均在380微米?420微米之間。優(yōu)選地,該多個(gè)過(guò)孔108的內(nèi)徑為300微米,其外徑為405微米。該多個(gè)過(guò)孔的內(nèi)外徑之差即為該多個(gè)過(guò)孔的壁厚,該多個(gè)過(guò)孔的壁厚也可以用銅厚來(lái)表示,本實(shí)施例中,該多個(gè)過(guò)孔的銅厚均在102微米?108微米之間。優(yōu)選地,該多個(gè)過(guò)孔的銅厚均為105微米,即其銅厚為3盎司(OZ)。
[0031]該多個(gè)過(guò)孔108的數(shù)量在5?9個(gè)之間,優(yōu)選地,該多個(gè)過(guò)孔108為5個(gè)。該5個(gè)過(guò)孔108大致均勻分布在該P(yáng)CB板108與芯片接觸的區(qū)域,以利于芯片的熱量快速傳導(dǎo)出來(lái)。
[0032]當(dāng)移動(dòng)電源工作時(shí),位于該P(yáng)CB板10上的控制模塊專(zhuān)用芯片開(kāi)始發(fā)熱,熱量首先從芯片傳導(dǎo)到該P(yáng)CB板10與芯片接觸的位置,然后通過(guò)該多個(gè)過(guò)孔108快速傳導(dǎo)至該P(yáng)CB板10的第三銅箔層103,并均勻擴(kuò)散到該第三銅箔層103的整體,再逐步垂直傳導(dǎo)至其他各個(gè)層,最終大部分熱量由該P(yáng)CB板10的第七銅箔層107傳導(dǎo)到外界(如移動(dòng)電源的外殼坐^
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[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的PCB板通過(guò)增加銅箔層的厚度、減小相鄰銅箔層之間的間距(即基材層的厚度)以及增加過(guò)孔的壁厚的方式,有效地提升了 PCB板的導(dǎo)熱和散熱能力,保證了移動(dòng)電源產(chǎn)品的安全穩(wěn)定工作。
[0034]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種PCB板,包括:第一銅箔層、第二基材層、第三銅箔層、第四基材層、第五銅箔層、第六基材層和第七銅箔層,所述第一銅箔層、第二基材層、第三銅箔層、第四基材層、第五銅箔層、第六基材層和第七銅箔層依次重疊貼合設(shè)置,形成一疊層結(jié)構(gòu),所述第一銅箔層為該疊層結(jié)構(gòu)的頂層,所述第七銅箔層為該疊層結(jié)構(gòu)的底層,所述第四基材層為該疊層結(jié)構(gòu)的中心層,其特征在于,所述第一銅箔層和第七銅箔層的厚度均在68微米?72微米之間,所述第三銅箔層和第五銅箔層的厚度均在102微米?108微米之間。
2.如權(quán)利要求1所述的PCB板,其特征在于,所述第二基材層和第六基材層的厚度均在190微米?210微米之間。
3.如權(quán)利要求2所述的PCB板,其特征在于,所述第二基材層和第六基材層的厚度均為200微米。
4.如權(quán)利要求1所述的PCB板,其特征在于,所述第一銅箔層和第七銅箔層的厚度均為70微米。
5.如權(quán)利要求1所述的PCB板,其特征在于,所述第三銅箔層和第五銅箔層的厚度均為105微米。
6.如權(quán)利要求1所述的PCB板,其特征在于,所述第四基材層的厚度在240微米?260微米之間。
7.如權(quán)利要求6所述的PCB板,其特征在于,所述第四基材層的厚度為250微米。
8.如權(quán)利要求1所述的PCB板,其特征在于,進(jìn)一步包括多個(gè)過(guò)孔,所述多個(gè)過(guò)孔均貫穿該疊層結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的PCB板,其特征在于,所述多個(gè)過(guò)孔的內(nèi)徑均在280微米?320微米之間,所述多個(gè)過(guò)孔的外徑均在380微米?420微米之間。
10.如權(quán)利要求8所述的PCB板,其特征在于,所述多個(gè)過(guò)孔的壁厚均在102微米?108微米之間。
【文檔編號(hào)】H05K1/02GK104411085SQ201410589705
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】衛(wèi)亞?wèn)|, 田學(xué)紅, 李仕勝, 李仕熾, 張海霞 申請(qǐng)人:北京鴻智電通科技有限公司
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