多晶鑄錠晶體冷卻工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，采用保溫籠罩罩住晶錠，從而降低晶錠在爐體外的冷卻速度。本發(fā)明能夠降低晶錠在爐體外的冷卻速度，隨之降低出現(xiàn)晶錠內(nèi)部的熱應(yīng)力與隱裂缺陷現(xiàn)象的幾率，最終降低切片環(huán)節(jié)中隱裂片的比例。
【專利說明】多晶鑄錠晶體冷卻工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，多晶鑄錠【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，晶錠出爐后，在車間環(huán)境中自然冷卻，不做任何保溫措施，晶錠在爐體外的冷卻速度過快，經(jīng)常出現(xiàn)晶錠內(nèi)部的熱應(yīng)力與隱裂缺陷的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，它能夠降低晶錠在爐體外的冷卻速度，隨之降低出現(xiàn)晶錠內(nèi)部的熱應(yīng)力與隱裂缺陷現(xiàn)象的幾率，最終降低切片環(huán)節(jié)中隱裂片的比例。
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，采用保溫籠罩罩住晶錠，從而降低晶錠在爐體外的冷卻速度。
[0005]進一步為了降低晶錠在爐體中的運行周期而提高晶錠的產(chǎn)出，在晶錠出爐體前，提高晶錠的出爐溫度，從而降低晶錠在爐體中的冷卻時間。
[0006]進一步限定了最優(yōu)的出爐溫度使得晶錠的產(chǎn)出最多，所述的晶錠的出爐溫度為400。C。
[0007]更進一步提供了一種保溫籠罩的結(jié)構(gòu)，所述的保溫籠罩由框架和石墨保溫層組成，石墨保溫層設(shè)置在框架的內(nèi)側(cè)壁上。
[0008]采用了上述技術(shù)方案后，晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，使用設(shè)計的保溫籠罩住晶錠，顯著地降低晶錠在爐體外的冷卻速度，隨之降低出現(xiàn)晶錠內(nèi)部的熱應(yīng)力與隱裂的現(xiàn)象的幾率，最終降低切片環(huán)節(jié)中隱裂片的比例，可以使得硅片隱裂片比例下降0.2~0.3%;同時可以提高晶錠出爐溫度，降低晶錠在爐體中的冷卻時間，進而降低晶錠在爐體中的運行周期而提高晶錠產(chǎn)出，當晶錠的出爐溫度為400°C的時候，可以使得在爐體中的周期降低
1.2小時，最終晶錠的產(chǎn)出提升1.5%。
【具體實施方式】
[0009]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例，對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0010]一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，采用保溫籠罩罩住晶錠，從而降低晶錠在爐體外的冷卻速度。
[0011]為了降低晶錠在爐體中的運行周期而提高晶錠的產(chǎn)出，在晶錠出爐體前，提高晶錠的出爐溫度，從而降低晶錠在爐體中的冷卻時間。
[0012]為了使得晶錠的產(chǎn)出最多，所述的晶錠的出爐溫度優(yōu)選為400°C，從原來的350°C提高到400°C。
[0013]所述的保溫籠罩由框架和石墨保溫層組成，石墨保溫層設(shè)置在框架的內(nèi)側(cè)壁上。[0014]本發(fā)明的工作原理如下:
晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，使用設(shè)計的保溫籠罩住晶錠，顯著地降低晶錠在爐體外的冷卻速度，隨之降低出現(xiàn)晶錠內(nèi)部的熱應(yīng)力與隱裂的現(xiàn)象的幾率，最終降低切片環(huán)節(jié)中隱裂片的比例，可以使得硅片隱裂片比例下降0.2~0.3% ;同時可以提高晶錠出爐溫度，降低晶錠在爐體中的冷卻時間，進而降低晶錠在爐體中的運行周期而提高晶錠產(chǎn)出，當晶錠的出爐溫度為400°C的時候，可以使得在爐體中的周期降低1.2小時，最終晶錠的產(chǎn)出提升1.5%。
[0015]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應(yīng)理 解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種多晶鑄錠晶體冷卻工藝，其特征在于:晶錠出爐體后的爐體外冷卻中，采用保溫籠罩罩住晶錠，從而降低晶錠在爐體外的冷卻速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶鑄錠晶體冷卻工藝，其特征在于:在晶錠出爐體前，提高晶錠的出爐溫度，從而降低晶錠在爐體中的冷卻時間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶鑄錠晶體冷卻工藝，其特征在于:所述的晶錠的出爐溫度為400°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的多晶鑄錠晶體冷卻工藝，其特征在于:所述的保溫籠罩由框架和石墨保溫層組成，石墨保溫層設(shè)置在框架的內(nèi)側(cè)壁上。
【文檔編號】C30B29/06GK103924296SQ201410175059
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年4月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月29日
【發(fā)明者】周基江 申請人:常州天合光能有限公司