新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法，所述結(jié)構(gòu)包括自上而下依次布置的一層線路層（1）、二層線路層（2）、三層線路層（3）、四層線路層（4）、第一連接銅柱（5）、第二連接銅柱（6）和第三連接銅柱（7），所述一層線路層（1）和四層線路層（4）表面及外圍包覆有絕緣感光材料（10），所述絕緣感光材料（10）在一層線路層（1）正面位置開設(shè)有裝片區(qū)域（11），絕緣感光材料（10）在四層線路層（4）背面位置開設(shè)有植球區(qū)域（12）。本發(fā)明一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法，它提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
【專利說明】新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法，屬于半導(dǎo)體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前高密度基板封裝結(jié)構(gòu)如圖33所示，其制作工藝主要是在玻璃纖維核心材料的基礎(chǔ)上通過鉆通孔及利用積成材料的方式疊加形成多層線路板，線路層之間通過激光鉆盲孔的方式開孔，再鍍孔完成電性連接。
[0003]上述高密度基板封裝結(jié)構(gòu)存在以下不足和缺陷:
1、中心芯板材料由樹脂材料及玻纖布材料構(gòu)成，由于玻纖布本身是一種發(fā)泡物質(zhì)，所以容易因?yàn)榉胖玫臅r(shí)間與環(huán)境吸入水分以及濕氣，直接影響到可靠性的安全能力或是可靠性等級；
2、中心芯板材料由于需要確保一定的強(qiáng)度，其厚度一般都要在150um以上，難以做到超薄的要求；同時(shí)芯板材料的材質(zhì)決定了其具有較高的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗，影響了高頻高速電子產(chǎn)品的電性能；
3、中心芯板由于帶有玻纖布，材料表面粗糙度較高，難以直接在其表面制作精細(xì)線路，更高密度精細(xì)線路制作時(shí)需要在其表面外加新的打底材料，成本高、工藝復(fù)雜；
4、線路層之間的連接是用激光鉆孔方式進(jìn)行開孔，再進(jìn)行鍍銅，通過激光鉆孔形成的孔徑大，難以做到高密度的設(shè)計(jì)與制造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)及制作方法，其工藝簡單，不需使用帶玻璃纖維層的芯板，提高了封裝體的安全性和可靠性，減少了玻璃纖維材料帶來的環(huán)境污染，同時(shí)在高頻、高速電子產(chǎn)品上具有更高的電性能；在工藝制作上，基板線路層之間的電性連接采用的是電鍍方法，能夠真正做到高密度線路的設(shè)計(jì)和制造。
[0005]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)的制作方法，所述方法包括以下步驟:
步驟一、取金屬基板
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
步驟三、基板雙面貼光阻膜
在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟四、光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行銅柱電鍍的區(qū)域圖形；
步驟五、電鍍銅柱在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅
柱；
步驟六、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜；
步驟七、包封
在金屬基板正面采用塑封料進(jìn)行塑封；
步驟八、絕緣材料表面減薄
對絕緣材料的表面進(jìn)行機(jī)械減薄，減薄到露出銅柱為止；
步驟九、基板雙面貼光阻膜
在步驟八完成絕緣材料減薄的金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟十、光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；
步驟^^一、去除金屬基板
將金屬基板背面進(jìn)行蝕刻，去除金屬基板，露出中心芯板的銅柱和絕緣材料；` 步驟十二、去除光阻膜 去除基板表面的光阻膜；
步驟十三、基板雙面金屬化
對基板絕緣材料正反面進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電鍍；
步驟十四、基板雙面貼光阻膜
在步驟十三完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟十五、基板雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行二層線路層和三層線路層電鍍的區(qū)域圖形；
步驟十六、電鍍金屬線路層
在步驟十五中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為二層線路層和三層線路層；
步驟十七、基板雙面貼光阻膜
在步驟十六中完成二層線路層和三層線路層電鍍的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟十八、基板雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出基板正面二層線路層及背面三層線路層中后續(xù)需要進(jìn)行連接銅柱電鍍的區(qū)域圖形；
步驟十九、電鍍銅柱
在步驟十八中基板正面二層線路層及背面三層線路層去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱；步驟二十、去除光阻膜 去除基板雙面的光阻膜；
步驟二十一、快速蝕刻
對基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬；
步驟二十二、基板雙面覆蓋絕緣材料層
基板二層線路層表面和三層線路層表面覆蓋絕緣材料；
步驟二十三、絕緣材料表面減薄
將基板雙面的絕緣材料進(jìn)行機(jī)械減薄，直到露出銅柱層為止；
步驟二十四、基板雙面絕緣材料表面金屬化
對基板雙面絕緣材料的表面同時(shí)進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電鍍；
步驟二十五、基板雙面貼光阻膜
在步驟二十四完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜；
步驟二十六、基板 雙面光阻膜顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行一層線路層和四層線路層電鍍的區(qū)域圖形；
步驟二十七、電鍍金屬線路層
在步驟二十六中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)同時(shí)電鍍上金屬線路層作為一層線路層和四層線路；
步驟二十八、去除光阻膜
去除金屬化的基板正面及背面的光阻膜；
步驟二十九、快速蝕刻
對金屬化的基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬；
步驟三十、基板雙面覆蓋絕緣感光材料層
在基板正面一層線路層及背面四層線路層分別刷上可進(jìn)行曝光顯影的絕緣感光材
料；
步驟三十一、基板雙面絕緣感光材料層顯影開窗
利用曝光顯影設(shè)備將基板正面一層線路層及背面四層線路層進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形絕緣感光材料，以露出基板的正面一層線路層后續(xù)需要裝片的區(qū)域圖形和背面四層線路層后續(xù)需要植球的區(qū)域圖形。
[0006]一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)，它包括自上而下依次布置的一層線路層、二層線路層、三層線路層和四層線路層，所述一層線路層和二層線路層之間通過第一連接銅柱相連接，所述第二線路層與三層線路層之間通過第二連接銅柱相連接，所述三層線路層與四層線路層之間通過第三連接銅柱相連接，所述第二連接銅柱外圍包封有塑封料，所述二層線路層和第一連接銅柱外圍以及三層線路層和第三連接銅柱外圍包覆有絕緣材料，所述一層線路層和四層線路層表面及外圍包覆有絕緣感光材料，所述絕緣感光材料在一層線路層正面位置開設(shè)有裝片區(qū)域，絕緣感光材料在四層線路層背面位置開設(shè)有植球區(qū)域。[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
1、本發(fā)明在金屬板的基礎(chǔ)上，通過電鍍及預(yù)包封或壓合絕緣材料的方式制作多層基板的芯板層，不需要使用玻纖布，其可靠性的等級可以再提高，相對封裝體的安全性就會(huì)提高；同時(shí)也可以減少玻璃纖維材料所帶來的環(huán)境污染；
2、本發(fā)明中心芯板材料由樹脂及實(shí)心銅柱構(gòu)成，決定了其具有更低的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗,可以滿足高頻高速電子產(chǎn)品的高電性能要求；
3、本發(fā)明多層基板層間連接銅柱所采用的是電鍍方式形成，其制作銅柱直徑比傳統(tǒng)鉆孔孔徑小，可以真正地做到高密度線路的技術(shù)能力；
4、本發(fā)明多層基板，各層材料都由樹脂構(gòu)成，不帶玻纖布，表面粗糙度低，其制作精細(xì)線路的能力強(qiáng)，利用加成工藝制作的線路，線寬線距可以容易達(dá)到15Mffl/15um及以下的要求；
5、本發(fā)明多層基板，采用的是雙面積層的工藝，通過在金屬板表面進(jìn)行雙面同時(shí)制作，相比單面積層工藝，多層基板結(jié)構(gòu)對稱，多種材料間的應(yīng)力互相平衡，可以有效改善封裝制程中翹曲的問題，滿足封裝生產(chǎn)要求；
6、本發(fā)明多層基板制作，采用的是雙面積層的工藝，相比單面積層的工藝，整個(gè)制作流程短、效率高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖廣圖31為本發(fā)明一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)制作方法的各工序不意圖。
[0009]圖32為本發(fā)明一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0010]圖33為當(dāng)前高密度基板封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0011]其中:
一層線路層I 二層線路層2 三層線路層3 四層線路層4 第一連接銅柱5 第二連接銅柱6 第三連接銅柱7 塑封料8
絕緣材料9 絕緣感光材料10 裝片區(qū)域11 植球區(qū)域12。
【具體實(shí)施方式】
[0012]參見圖32，本發(fā)明一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)，它包括自上而下依次布置的一層線路層1、二層線路層2、三層線路層3和四層線路層4，所述一層線路層I和二層線路層2之間通過第一連接銅柱5相連接，所述第二線路層2與三層線路層3之間通過第二連接銅柱6相連接，所述三層線路層3與四層線路層4之間通過第三連接銅柱7相連接，所述第二連接銅柱6外圍包封有塑封料8，所述二層線路層2和第一連接銅柱5外圍以及三層線路層3和第三連接銅柱7外圍包覆有絕緣材料9，所述一層線路層I和四層線路層4表面及外圍包覆有絕緣感光材料10，所述絕緣感光材料10在一層線路層I正面位置開設(shè)有裝片區(qū)域11，絕緣感光材料10在四層線路層4背面位置開設(shè)有植球區(qū)域12。
[0013]其制造方法如下:
步驟一、取金屬基板
參見圖1，取一片厚度合適的金屬基板，金屬基板的材質(zhì)可以依據(jù)芯片的功能與特性進(jìn)行變換，例如:銅材、鐵材、鎳鐵材或鋅鐵材等；
步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材
參見圖2，在金屬基板表面電鍍一層銅材薄膜，目的是為后續(xù)電鍍作基礎(chǔ)，所述電鍍的方式可以采用化學(xué)鍍或是電解電鍍；
步驟三、基板雙面貼光阻膜
參見圖3，在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，所述光阻膜可以采用濕式光阻膜或干式光阻膜；
步驟四、光阻膜顯影開窗
參見圖4，利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行銅柱電鍍的區(qū)域圖形；
步驟五、電鍍銅柱
參見圖5，在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱；
步驟六、去除光阻膜
參見圖6，去除金屬基板表面的光阻膜，去除方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴
除；
步驟七、包封
參見圖7，在金屬基板正面采用塑封料進(jìn)行塑封，塑封方式可以采用模具灌膠方式、噴涂設(shè)備的噴涂方式或是用貼膜方式，所述塑封料可以采用有填料物質(zhì)或是無填料物質(zhì)的環(huán)氧樹脂；目的是為了作為二層線路和三層線路層的絕緣層，同時(shí)作后續(xù)電鍍二層線路層、三層線路層的基礎(chǔ)；
步驟八、絕緣材料表面減薄
參見圖8，對絕緣材料的表面進(jìn)行機(jī)械減薄，減薄到露出銅柱為止，目的是為了使銅柱與后續(xù)的二層線路層連接，同時(shí)能增加后續(xù)化學(xué)銅的結(jié)合力；
步驟九、基板雙面貼光阻膜
參見圖9，在步驟八完成絕緣材料減薄的金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，所述光阻膜可以采用濕式光阻膜或干式光阻膜；
步驟十、光阻膜顯影開窗
參見圖10，利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形；步驟^^一、去除金屬基板
參見圖11，將金屬基板背面進(jìn)行蝕刻，去除金屬基板，露出中心芯板的銅柱和絕緣材料，目的是為了絕緣材料背面做三層線路層，同時(shí)使銅柱與后續(xù)的三層線路層連接，蝕刻藥水可以采用氯化銅或是氯化鐵；
步驟十二、去除光阻膜
參見圖12，去除基板表面的光阻膜，去除方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除；
步驟十三、基板雙面金屬化
參見圖13，對基板絕緣材料正反面進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電鍍；
步驟十四、基板雙面貼光阻膜
參見圖14，在步驟十三完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，所述光阻膜可以采用濕式光阻膜或干式光阻膜；
步驟十五、基板雙面光阻膜顯影開窗
參見圖15，利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行二層線路層和三層線路層電鍍的區(qū)域圖形；
步驟十六、電鍍金屬線路層
參見圖16，在步驟十五中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為二層線路層和三層線路層；
步驟十七、基板雙面貼光阻膜
參見圖17，在步驟十六中完成二層線路層和三層線路層電鍍的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，所述光阻膜可以采用濕式光阻膜或干式光阻膜；
步驟十八、基板雙面光阻膜顯影開窗
參見圖18，利用曝光顯影設(shè)備將基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出基板正面二層線路層及背面三層線路層中后續(xù)需要進(jìn)行連接銅柱電鍍的區(qū)域圖形；
步驟十九、電鍍銅柱
參見圖19，在步驟十八中基板正面二層線路層及背面三層線路層去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱；
步驟二十、去除光阻膜
參見圖20，去除基板雙面的光阻膜，去除方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除； 步驟二十一、快速蝕刻
參見圖21，對基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬；
步驟二十二、基板雙面覆蓋絕緣材料層
參見圖22，基板二層線路層表面和三層線路層表面覆蓋絕緣材料，目的是為了作為一層線路層和二層線路層、三層線路層和四層線路層的絕緣層，同時(shí)作后續(xù)電鍍一層線路層、四層線路的基礎(chǔ)；
步驟二十三、絕緣材料表面減薄
參見圖23，將基板雙面的絕緣材料進(jìn)行機(jī)械減薄，直到露出銅柱層為止，目的是為了使二層線路層表面銅柱與后續(xù)的一層線路層連接，三層線路層表面銅柱與后續(xù)的四層線路層連接，同時(shí)能增加后續(xù)化學(xué)銅的結(jié)合力；
步驟二十四、基板雙面絕緣材料表面金屬化
參見圖24，對基板雙面絕緣材料的表面同時(shí)進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電
鍍；
步驟二十五、基板雙面貼光阻膜
參見圖25，在步驟二十四完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜，所述光阻膜可以采用濕式光阻膜或干式光阻膜；
步驟二十六、基板雙面光阻膜顯影開窗
參見圖26，利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行一層線路層和四層線路層電鍍的區(qū)域圖形；
步驟二十七、電鍍金屬線路層
參見圖27，在步驟二十六中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)同時(shí)電鍍上金屬線路層作為一層線路層和四層線路；
步驟二十八、去除光阻膜
參見圖28，去除金屬化的基板正面及背面的光阻膜，去除方法采用化學(xué)藥水軟化并采用高壓水噴除；
步驟二十九、快速蝕刻
參見圖29，對金屬化的基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬；
步驟三十、基板雙面覆蓋絕緣感光材料層
參見圖30，在基板正面一層線路層及背面四層線路層分別刷上可進(jìn)行曝光顯影的絕緣感光材料；
步驟三十一、基板雙面絕緣感光材料層顯影開窗
參見圖31，利用曝光顯影設(shè)備將基板正面一層線路層及背面四層線路層進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形絕緣感光材料，以露出基板的正面一層線路層后續(xù)需要裝片的區(qū)域圖形和背面四層線路層后續(xù)需要植球的區(qū)域圖形。
【權(quán)利要求】
1.一種新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于所述方法包括以下步驟: 步驟一、取金屬基板 步驟二、金屬基板表面預(yù)鍍銅材 步驟三、基板雙面貼光阻膜 在完成預(yù)鍍銅材薄膜的金屬基板的雙面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟四、光阻膜顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板正面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板正面后續(xù)需要進(jìn)行銅柱電鍍的區(qū)域圖形； 步驟五、電鍍銅柱 在步驟四中金屬基板正面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱； 步驟六、去除光阻膜 去除金屬基板表面的光阻膜； 步驟七、包封 在金屬基板正面采用塑封料進(jìn)行塑封； 步驟八、絕緣材料表面減`薄 對絕緣材料的表面進(jìn)行機(jī)械減薄，減薄到露出銅柱為止； 步驟九、基板雙面貼光阻膜 在步驟八完成絕緣材料減薄的金屬基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十、光阻膜顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將金屬基板背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬基板背面后續(xù)需要進(jìn)行蝕刻的區(qū)域圖形； 步驟^^一、去除金屬基板 將金屬基板背面進(jìn)行蝕刻，去除金屬基板，露出中心芯板的銅柱和絕緣材料； 步驟十二、去除光阻膜 去除基板表面的光阻膜； 步驟十三、基板雙面金屬化 對基板絕緣材料正反面進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電鍍； 步驟十四、基板雙面貼光阻膜 在步驟十三完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十五、基板雙面光阻膜顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行二層線路層和三層線路層電鍍的區(qū)域圖形； 步驟十六、電鍍金屬線路層 在步驟十五中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為二層線路層和三層線路層； 步驟十七、基板雙面貼光阻膜 在步驟十六中完成二層線路層和三層線路層電鍍的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟十八、基板雙面光阻膜顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出基板正面二層線路層及背面三層線路層中后續(xù)需要進(jìn)行連接銅柱電鍍的區(qū)域圖形； 步驟十九、電鍍銅柱 在步驟十八中基板正面二層線路層及背面三層線路層去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)電鍍上金屬線路層作為連接銅柱； 步驟二十、去除光阻膜 去除基板雙面的光阻膜； 步驟二十一、快速蝕刻 對基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬； 步驟二十二、基板雙面覆蓋絕緣材料層 基板二層線路層表面和三層線路層表面覆蓋絕緣材料； 步驟二十三、絕緣材料表面減薄 將基板雙面的絕緣材料進(jìn)行機(jī)械減薄，直到露出銅柱層為止； 步驟二十四、基板雙面絕緣材料表面金屬化 對基板雙面絕緣材料的表面同時(shí)進(jìn)行金屬化處理，使其表面后續(xù)能進(jìn)行電鍍； 步驟二十五、基板雙面貼光阻膜 在步驟二十四完成絕緣材料雙面金屬化的基板的正面及背面分別貼上可進(jìn)行曝光顯影的光阻膜； 步驟二十六、基板雙面光阻膜顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將金屬化的基板正面及背面進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形光阻膜，以露出金屬化的基板正面及背面后續(xù)需要進(jìn)行一層線路層和四層線路層電鍍的區(qū)域圖形； 步驟二十七、電鍍金屬線路層 在步驟二十六中金屬化的基板正面及背面去除部分光阻膜的區(qū)域內(nèi)同時(shí)電鍍上金屬線路層作為一層線路層和四層線路； 步驟二十八、去除光阻膜 去除金屬化的基板正面及背面的光阻膜； 步驟二十九、快速蝕刻 對金屬化的基板雙面進(jìn)行快速蝕刻，去除基板表面金屬化的金屬； 步驟三十、基板雙面覆蓋絕緣感光材料層 在基板正面一層線路層及背面四層線路層分別刷上可進(jìn)行曝光顯影的絕緣感光材料； 步驟三十一、基板雙面絕緣感光材料層顯影開窗 利用曝光顯影設(shè)備將基板正面一層線路層及背面四層線路層進(jìn)行圖形曝光、顯影與去除部分圖形絕緣感光材料，以露出基板的正面一層線路層后續(xù)需要裝片的區(qū)域圖形和背面四層線路層后續(xù)需要植球的區(qū)域圖形。
2.一種采用權(quán)利要求1所述的制作方法制備的新型高密度高性能多層基板表面對稱結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括自上而下依次布置的一層線路層(I)、二層線路層(2)、三層線路層(3)和四層線路層(4)，所述一層線路層(I)和二層線路層(2)之間通過第一連接銅柱(5)相連接，所述第二線路層(2)與三層線路層(3)之間通過第二連接銅柱(6)相連接，所述三層線路層(3)與四層線路層(4)之間通過第三連接銅柱(7)相連接，所述第二連接銅柱(6)外圍包封有塑封料(8)，所述二層線路層(2)和第一連接銅柱(5)外圍以及三層線路層(3)和第三連接銅柱(7 )外圍包覆有絕緣材料(9 )，所述一層線路層(I)和四層線路層(4 )表面及外圍包覆有絕緣感光材料(10)，所述絕緣感光材料(10)在一層線路層(I)正面位置開設(shè)有裝片 區(qū)域(11)，絕緣感光材料(10)在四層線路層(4)背面位置開設(shè)有植球區(qū)域(12)。
【文檔編號】H05K3/46GK103874347SQ201410122831
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月28日
【發(fā)明者】陳靈芝, 鄒建安, 王孫艷, 梁新夫, 王新潮 申請人:江蘇長電科技股份有限公司