Led恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路，包括：?jiǎn)纹瑱C(jī)、MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路、BJT保護(hù)電路、采樣電阻和LED電路；單片機(jī)的脈沖寬度調(diào)制PWM引腳通過(guò)電阻R與MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路和BJT保護(hù)電路相連，單片機(jī)的ADC引腳與采樣電阻相連，該采樣電阻的一端接地，另一端還連接BJT保護(hù)電路的基極和MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的源極，BJT保護(hù)電路的基極與MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的源極相連，BJT保護(hù)電路的發(fā)射極接地，BJT保護(hù)電路的集電極與MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的柵極相連，MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的漏極與LED電路的負(fù)極相連。該短路及過(guò)流保護(hù)電路反應(yīng)時(shí)間只需幾十微秒，反應(yīng)時(shí)間極大地縮短，電路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，使產(chǎn)品更穩(wěn)定，壽命更長(zhǎng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域，具體涉及一種LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]目前LED以安全性高、能耗少、適用性強(qiáng)、可多色發(fā)光、抗震、壽命長(zhǎng)、環(huán)保、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)作為新型光源在照明領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。現(xiàn)在大多數(shù)LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路采用自恢復(fù)保險(xiǎn)絲，但是這種方法在LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)時(shí)反應(yīng)時(shí)間要幾十毫秒，反應(yīng)時(shí)間太長(zhǎng)，經(jīng)常會(huì)將LED恒壓調(diào)光器燒壞，使用壽命縮短等缺點(diǎn)。且目前在市場(chǎng)上還沒(méi)有用硬件和軟件相結(jié)合來(lái)保護(hù)LED恒壓調(diào)光器。具備反應(yīng)速度快且穩(wěn)定的LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路功能對(duì)于產(chǎn)品來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，其不僅保護(hù)產(chǎn)品本身，而且滿足了特殊環(huán)境下的使用要求。例如煤礦井下等具有爆炸性氣體的環(huán)境中，在煤礦中使用沒(méi)有短路及過(guò)流保護(hù)功能的產(chǎn)品是不可想象的，因此，為產(chǎn)品設(shè)計(jì)可靠的短路及過(guò)流保護(hù)電路意義重大。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是提供一種LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路，以克服現(xiàn)有LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路反應(yīng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)和不穩(wěn)定的問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0005]一種LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路，包括:
[0006]單片機(jī)、M0S-FET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)驅(qū)動(dòng)電路、BJT (雙極結(jié)型晶體管，BipolarJunctionTransistor)保護(hù)電路、采樣電阻和LED電路；
[0007]所述單片機(jī)的脈沖寬度調(diào)制PWM引腳通過(guò)電阻R與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路和所述BJT保護(hù)電路相連，所述單片機(jī)的模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC引腳連接所述采樣電阻，所述采樣電阻的一端接地，另一端還連接所述BJT保護(hù)電路的基極和所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的源極，所述BJT保護(hù)電路的基極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的源極相連，所述BJT保護(hù)電路的發(fā)射極接地，所述BJT保護(hù)電路的集電極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的柵極相連，所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路的漏極與所述LED電路的負(fù)極相連。
[0008]本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果為:LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路反應(yīng)時(shí)間只需幾十微秒，反應(yīng)時(shí)間極大地縮短了，電路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，使產(chǎn)品更穩(wěn)定，延長(zhǎng)產(chǎn)品的壽命，保護(hù)人們的生命和財(cái)產(chǎn)更安全。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路圖。
[0011]圖中:1單片機(jī)；2M0S-FET驅(qū)動(dòng)電路；3BJT保護(hù)電路；4采樣電阻；5LED電路。
【具體實(shí)施方式】
[0012]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例的LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路包括:單片機(jī)I，MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路2，BJT保護(hù)電路3，采樣電阻4，LED電路5 ；
[0014]所述單片機(jī)I的脈沖寬度調(diào)制PWM引腳通過(guò)電阻R與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路2和所述BJT保護(hù)電路3相連，所述單片機(jī)I的模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC引腳與所述采樣電阻4相連，所述采樣電阻4的一端接地，所述采樣電阻4的另一端接BJT的基極和MOSFET的源極，所述BJT保護(hù)電路3的基極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路2的源極相連，所述BJT保護(hù)電路3的發(fā)射極接地，所述BJT保護(hù)電路3的集電極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路2的柵極相連，所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路2的漏極與所述LED電路5的負(fù)極相連。所述LED電路5的正極與VCC連接。
[0015]具體操作時(shí)，當(dāng)LED恒壓調(diào)光器正常工作時(shí)單片機(jī)I的PWM引腳輸出P麗信號(hào)發(fā)送給MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路，LED正常發(fā)光。當(dāng)LED恒壓調(diào)光器的發(fā)生短路及過(guò)流保護(hù)時(shí)，電流非常大，首先BJT保護(hù)電路3將會(huì)工作，BJT保護(hù)電路3的反應(yīng)時(shí)間非?？?，但是保護(hù)不太徹底，同時(shí)單片機(jī)的ADC引腳采集采樣電阻R上的電壓，檢測(cè)到發(fā)生LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流，單片機(jī)I將關(guān)閉PWM信號(hào)，能徹底保護(hù)LED恒壓調(diào)光器，防止LED恒壓調(diào)光器被損壞。本實(shí)施例可使LED恒壓調(diào)光器更穩(wěn)定，壽命更長(zhǎng)。
[0016]本實(shí)用新型實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于:LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路反應(yīng)時(shí)間只需幾十微秒，反應(yīng)時(shí)間極大地縮短了，電路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，使產(chǎn)品更穩(wěn)定，延長(zhǎng)產(chǎn)品的壽命，保護(hù)人們的生命和財(cái)產(chǎn)更安全。
[0017]以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型實(shí)施例各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路，其特征在于，所述LED恒壓調(diào)光器的短路及過(guò)流保護(hù)電路包括: 單片機(jī)(I )、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2)、雙極結(jié)型晶體管BJT保護(hù)電路(3)、采樣電阻(4)和LED電路(5)； 所述單片機(jī)(I)的脈沖寬度調(diào)制PWM引腳通過(guò)電阻(R)與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2)和所述BJT保護(hù)電路(3)相連，所述單片機(jī)(I)的模數(shù)轉(zhuǎn)換ADC引腳連接所述采樣電阻(4)，所述采樣電阻(4)的一端接地，另一端還連接所述BJT保護(hù)電路(3)的基極和所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2 )的源極，所述BJT保護(hù)電路(3 )的基極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2 )的源極相連，所述BJT保護(hù)電路(3)的發(fā)射極接地，所述BJT保護(hù)電路(3)的集電極與所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2)的柵極相連，所述MOS-FET驅(qū)動(dòng)電路(2)的漏極與所述LED電路(5)的負(fù)極相連。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK203504844SQ201320650611
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月21日
【發(fā)明者】孟永彪, 黃葉萍, 張啟露 申請(qǐng)人:上海歐切斯實(shí)業(yè)有限公司