外延片基盤的制作方法
【專利摘要】外延片基盤，由盤體、中心容槽、容槽組成，其特征是中心容槽設(shè)置在盤體的中心位置上，容槽均勻設(shè)置在中心容槽的四周，中心容槽、容槽內(nèi)設(shè)置外延片，中心容槽、容槽設(shè)置為直徑相等的圓形，本實用新型的有益效果是外延片基盤一次能生長37片，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，外延片的均勻性較好，外延片的質(zhì)量穩(wěn)定。
【專利說明】外延片基盤
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于晶體生長設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體的說是一種晶體生長過程中使用的外延片基盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，晶體外延片生長的主流工藝中采用的是生長基盤，現(xiàn)有技術(shù)的生長外延片所使用的基盤，一臺一次只能生長31片，該工藝生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本高，外延片的均勻性較差，質(zhì)量不穩(wěn)定。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述問題，本實用新型提供了一種一次能生長37片、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低、外延片的均勻性較好、質(zhì)量穩(wěn)定的外延片基盤，其具體方案為:所述的外延片基盤由盤體、中心容槽、容槽組成，其特征是中心容槽設(shè)置在盤體的中心位置上，容槽均勻設(shè)置在中心容槽的四周，中心容槽、容槽內(nèi)設(shè)置外延片，中心容槽、容槽設(shè)置為直徑相等的圓形。
[0004]本實用新型所述的中心容槽、容槽，其特征在于中心容槽、容槽的深度設(shè)置為O?650um。
[0005]本實用新型所述的中心容槽、容槽，其特征在于中心容槽、容槽的底部形式設(shè)置為平底型、斜底型、凹型、凸型、階梯型中的一種或二種以上的混合形式，其底部高度差設(shè)置為
0.001 ?0.5um。
[0006]本實用新型所述的容槽，其特征在于容槽的布置形式為:盤體的中心位置上設(shè)置一個中心容槽，中心容槽的四周均勻設(shè)置3周容槽，每周容槽設(shè)置個數(shù)從內(nèi)向外依次分別為:6、12、18。
[0007]本實用新型的有益效果是外延片基盤一次能生長37片，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，外延片的均勻性較好，外延片的質(zhì)量穩(wěn)定。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]附圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖1中:
[0009]1.盤體，2.中心容槽，3.容槽。
【具體實施方式】
[0010]結(jié)合附圖1對本實用新型進一步詳細描述，以便公眾更好地掌握本實用新型的實施方法，本實用新型具體的實施方案為:所述的外延片基盤由盤體1、中心容槽2、容槽3組成，其特征是中心容槽2設(shè)置在盤體I的中心位置上，容槽3均勻設(shè)置在中心容槽2的四周，中心容槽2、容槽3內(nèi)設(shè)置外延片，中心容槽2、容槽3設(shè)置為直徑相等的圓形。
[0011]本實用新型所述的中心容槽2、容槽3，其特征在于中心容槽2、容槽3的深度設(shè)置為 O ?650um。[0012]本實用新型所述的中心容槽2、容槽3，其特征在于中心容槽2、容槽3的底部形式設(shè)置為平底型、斜底型、凹型、凸型、階梯型中的一種或二種以上的混合形式，其底部高度差設(shè)置為0.001?0.5um。
[0013]本實用新型所述的容槽3，其特征在于容槽3的布置形式為:盤體的中心位置上設(shè)置一個中心容槽2，中心容槽2的四周均勻設(shè)置3周容槽3，每周容槽3設(shè)置個數(shù)從內(nèi)向外依次分別為:6、12、18。
[0014]本實用新型的有益效果是外延片基盤一次能生長37片，生產(chǎn)效率高，生產(chǎn)成本低，外延片的均勻性較好，外延片的質(zhì)量穩(wěn)定。
【權(quán)利要求】
1.外延片基盤，由盤體(I)、中心容槽(2)、容槽(3)組成，其特征是中心容槽(2)設(shè)置在盤體(I)的中心位置上,容槽(3)均勻設(shè)置在中心容槽(2)的四周，中心容槽(2)、容槽(3)內(nèi)設(shè)置外延片，中心容槽(2)、容槽(3)設(shè)置為直徑相等的圓形；所述的中心容槽(2)、容槽(3)的深度設(shè)置為O?650um ;所述的中心容槽(2)、容槽(3)的底部形式設(shè)置為平底型、斜底型、凹型、凸型、階梯型中的一種，其底部高度差設(shè)置為0.0Ol?0.5um;所述的容槽(3)的布置形式為:盤體的中心位置上設(shè)置一個中心容槽(2)，中心容槽(2)的四周均勻設(shè)置3周容槽(3 )，每周容槽(3 )設(shè)置個數(shù)從內(nèi)向外依次分別為:6、12、18。
【文檔編號】C30B25/02GK203474959SQ201320559607
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月10日
【發(fā)明者】鄧順達, 林溪漢, 陳浩中 申請人:冠銓（山東）光電科技有限公司