用于制造印刷電路板的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于制造印刷電路板的方法，其中，用于剝離的保護(hù)膜和緊密地結(jié)合所述用于剝離的保護(hù)膜的金屬層形成于內(nèi)層襯墊上，以在與空腔處理相關(guān)且應(yīng)用蝕刻劑的激光處理時(shí)保護(hù)內(nèi)層襯墊，從而使提高產(chǎn)品的可靠性成為可能。
【專利說明】用于制造印刷電路板的方法
[0001]對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年11月2日提交的韓國專利申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0123420、標(biāo)題為“用于制造印刷電路板的方法”的專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，在此將它的全部內(nèi)容引入本申請(qǐng)中
以作參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種用于制造印刷電路板的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]目前，由于工業(yè)的發(fā)展需要各種不同設(shè)計(jì)的印刷電路板，在制造印刷電路板的過程中通過激光處理的空腔處理方法(包括專利文獻(xiàn)I)已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用。
[0005]與此相關(guān)，在制造印刷電路板的過程中進(jìn)行空腔處理時(shí)，由于過度處理，使得當(dāng)根據(jù)銅層的設(shè)計(jì)進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻處理進(jìn)行到不是蝕刻處理應(yīng)該進(jìn)行的區(qū)域，而且蝕刻劑滲透進(jìn)入由于過度處理產(chǎn)生的裂紋，因而經(jīng)常產(chǎn)生不能制造滿足操作者需求的印刷電路板的問題。
[0006]同時(shí)，由于印刷電路板已被應(yīng)用于各種產(chǎn)品，客戶要求不同類型的印刷電路板。因此，產(chǎn)生了印刷電路板的內(nèi)層襯墊需要被打開的情況。然而，由于上述問題，內(nèi)層襯墊在打開的時(shí)候被過度蝕刻了，這樣的內(nèi)層襯墊的可靠性被劣化。
[0007][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009](專利文獻(xiàn)I) US2006-0191709A

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明已經(jīng)努力提供一種制造印刷電路板的方法，該方法通過穩(wěn)定地進(jìn)行印刷電路板的空腔處理能夠提聞內(nèi)層襯塾的可罪性。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，提供了一種用于制造印刷電路板的方法，該方法包括:制備具有電路層的基底基板，該電路層形成于所述基底基板的一個(gè)表面或者另一個(gè)表面上，該電路層包括內(nèi)層襯墊和電路圖案；在電路層的內(nèi)層襯墊的外表面上形成用于剝離的絕緣層；在基底基板、電路層和用于剝離的絕緣層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有開口部，該開口部對(duì)應(yīng)于所述用于剝離的絕緣層；在所述第一絕緣層上形成覆銅箔層壓板(CCL)層，使得第一金屬層作為阻塞物接觸通過所述開口部暴露出的所述用于剝離的絕緣層的上表面；進(jìn)行空腔處理，使得第一金屬層的上表面的邊緣區(qū)域通過在CCL層上進(jìn)行激光處理而被暴露出；沿厚度方向除去暴露出的第一金屬層；除去由于沿厚度方向除去第一金屬層而暴露出的用于剝離的絕緣層；將與用于剝離的絕緣層接觸的第一金屬層和用于剝離的絕緣層彼此分離；以及除去用于剝離的絕緣層。
[0012]在基底基板的長度方向上，形成的第一金屬層的直徑可以大于所述用于剝離的絕緣層的直徑，所述第一金屬層為接觸用于剝離的絕緣層的上表面而形成。
[0013]在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層可以由不流動(dòng)的半固化片(prepreg)材料制成。
[0014]在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層可以為固化狀態(tài)。
[0015]該方法還可以包括:在形成CCL層之后且在空腔處理進(jìn)行之前，在CCL層上形成第
二絕緣層，并在第二絕緣層上形成第二金屬層。
[0016]該方法還可以包括:在形成所述第二金屬層之后，使第二金屬層圖案化。
[0017]在進(jìn)行空腔處理的過程中，所述空腔處理可以在第二金屬層、第二絕緣層和CCL層上進(jìn)行。
[0018]在形成第二絕緣層的過程中，所述第二絕緣層可以由半固化片材料制成。
[0019]在沿厚度方向除去用于剝離的絕緣層的過程中，所述用于剝離的絕緣層可以使用氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)的剝離溶液除去。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施方式，提供了一種用于制造印刷電路板的方法，該方法包括:制備具有電路層的基底基板，該電路層形成于所述基底基板的一個(gè)表面或者另一個(gè)表面上，該電路層包括內(nèi)層襯墊和電路圖案；在電路層的內(nèi)層襯墊的外表面上形成用于剝離的絕緣層；在基底基板、電路層和用于剝離的絕緣層上形成第一絕緣層，該第一絕緣層具有開口部，該開口部對(duì)應(yīng)于所述用于剝離的絕緣層；在所述第一絕緣層上形成CCL層，使得第一金屬層作為阻塞物接觸通過所述開口部暴露出的所述用于剝離的絕緣層的上表面；在CCL層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成第二金屬層；進(jìn)行空腔處理，使得第一金屬層的上表面的邊緣區(qū)域通過在CCL層、第二絕緣層和第二金屬層上進(jìn)行激光處理而被暴露出；沿厚度方向除去暴露出的第一金屬層；除去由于沿厚度方向除去第一金屬層而暴露出的用于剝離的絕緣層；將與用于剝離的絕緣層接觸的第一金屬層和用于剝離的絕緣層彼此分離；以及除去用于剝離的絕緣層。
[0021]在基底基板的長度方向上，形成的第一金屬層的直徑可以大于所述用于剝離的絕緣層的直徑，所述第一金屬層為接觸用于剝離的絕緣層的上表面而形成。
[0022]在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層可以由不流動(dòng)的半固化片材料制成。
[0023]在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層可以為固化狀態(tài)。
[0024]該方法還可以包括:在形成第二金屬層之后，使第二金屬層圖案化。
[0025]在形成第二絕緣層的過程中，所述第二絕緣層可以由半固化片材料制成。
[0026]在沿厚度方向除去用于剝離的絕緣層的過程中，所述用于剝離的絕緣層可以使用氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)的剝離溶液除去。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解，其中:
[0028]圖1-10為根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式依次示出的制造印刷電路板的方法的剖視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0029]通過以下結(jié)合附圖的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將被更清楚地理解。在整個(gè)附圖中，相同的附圖標(biāo)記用于指定相同或相似的部件，并省略其重復(fù)的說明。另外，在以下說明中，術(shù)語“第一”、“第二”、“一側(cè)”、“另一側(cè)”等是用來區(qū)分一個(gè)特定的部件與其它部件，而這些部件的結(jié)構(gòu)不應(yīng)該解釋為被這些術(shù)語所限制。另外，在本發(fā)明的描述中，當(dāng)確定對(duì)相關(guān)技術(shù)的詳細(xì)描述將會(huì)模糊本發(fā)明的主要內(nèi)容時(shí)，該部分的描述將被省略。
[0030]在下文中，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式將結(jié)合附圖來詳細(xì)描述。
[0031]用于制造印刷電路板的方法
[0032]圖1-10為根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式依次示出的制造印刷電路板的方法的首1J視圖。
[0033]如圖1所不，可以提供具有電路層120的基底基板110,該電路層形成于所述基底基板的一個(gè)表面或者另一個(gè)表面，其中，該電路層可以制成包括內(nèi)層襯墊和電路圖案。
[0034]在本文中，所述基底基板110可以為印刷電路板領(lǐng)域或者在具有形成于絕緣層上的電路且包括一層或多層連接襯墊的印刷電路板100中用作核心基板(core substrate)的常規(guī)絕緣層。
[0035]作為絕緣層，可以使用樹脂絕緣層。作為樹脂絕緣層的材料，可以使用熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂，熱塑性樹脂如聚酰亞胺樹脂，在熱固性樹脂和熱塑性樹脂中浸潰過的、具有增強(qiáng)材料(如玻璃纖維或無機(jī)填料)的樹脂，例如半固化片。此外，也可以使用熱固性樹脂、光固性樹脂等。然而，樹脂絕緣層的材料并不限定于此。
[0036]然后，如圖2所示，用于剝離的絕緣層130可以形成于電路層的內(nèi)層襯墊的外表面上。
[0037]在本文中，用于剝離的絕緣層130可以由任意能夠被用作防蝕涂層的材料制成，且該用于剝離的絕緣層130具有容易被除去的形式，如油墨形式或磁帶形式(tape form)。
[0038]所述用于剝離的絕緣層130用于在后續(xù)的暴露出內(nèi)層襯墊的處理過程中進(jìn)行與空腔處理有關(guān)的激光處理和金屬層的蝕刻處理時(shí)保護(hù)內(nèi)層襯墊。
[0039]然后，如圖3所示，具有對(duì)應(yīng)于用于剝離的絕緣層130的開口部(未示出)的第一絕緣層125可以形成于基底基板110、電路層120和用于剝離的絕緣層130上。
[0040]所述第一絕緣層125可以為固化狀態(tài)。
[0041]更具體地，所述第一絕緣層125可以由不流動(dòng)的半固化片材料制成。
[0042]在本文中，所述不流動(dòng)的半固化片定義為在實(shí)施加熱的條件下其中不產(chǎn)生流動(dòng)的半固化片，而不同于一般的半固化片。
[0043]S卩，所述第一絕緣層125由不流動(dòng)的半固化片材料制成，該不流動(dòng)的半固化片材料具有以與用于剝離的絕緣層130相同的尺寸沖孔的區(qū)域，且為固化狀態(tài)，該第一絕緣層125通過合適的方案以沖孔的狀態(tài)結(jié)合于用于剝離的絕緣層130。
[0044]在本文中，術(shù)語“相同”并不是指數(shù)學(xué)意義上的準(zhǔn)確地相同的厚度，而是指在考慮到設(shè)計(jì)誤差、制造誤差、測量誤差等的情況下基本相同的厚度。
[0045]然后，如圖3所示，覆銅箔層壓板(CCL)層140可以形成于所述第一絕緣層125上，如此使得形成于所述CCL層140上的第一金屬層141作為阻塞物接觸通過所述開口部暴露出的所述用于剝離的絕緣層130的上表面。
[0046]在本文中，在基板的長度方向上，可以形成第一金屬層141的直徑大于所述用于剝離的絕緣層130的直徑，所述第一金屬層141為接觸用于剝離的絕緣層130的上表面而形成。
[0047]使所述第一金屬層141所形成的直徑大于所述用于剝離的絕緣層130的直徑的原因是為了克服規(guī)整(alignment)缺陷，該規(guī)整缺陷會(huì)產(chǎn)生于印刷電路板制造工藝中的在用于剝離的絕緣層130的上表面上形成CCL層140的過程中。在這種情況下，規(guī)整的可靠性可以得到改善。
[0048]然后，如圖7所示，可以進(jìn)行空腔171處理，如此使得第一金屬層141的上表面的邊緣區(qū)域A通過在CCL層140上進(jìn)行激光處理而被暴露出。
[0049]接著，如圖8所示，暴露出的第一金屬層141可以沿厚度方向除去。此處，所述厚度方向被定義為基于基板的厚度方向。
[0050]接著，如圖8所示，通過去除第一金屬層141而暴露出的用于剝離的絕緣層130可以沿厚度方向除去(區(qū)域D可以被除去)。此處，所述厚度方向被定義為基于基板的厚度方向。
[0051]此處，通過空腔171處理而被暴露出的第一金屬層141被能夠蝕刻金屬的蝕刻劑除去。在這種情況下，由于用于剝離的絕緣層130由具有密合性的材料制成，對(duì)應(yīng)于附圖8中的區(qū)域B的所述金屬層141和用于剝離的絕緣層130保持相互粘合的狀態(tài)，從而使提前防止蝕刻劑滲入內(nèi)層襯墊成為可能。
[0052]如圖8所示，對(duì)應(yīng)于區(qū)域B的第一金屬層141是指所述第一金屬層141在空腔171處理時(shí)未被暴露出的部分。
[0053]接著，如圖8和圖9所示，接觸用于剝離的絕緣層130的所述第一金屬層141和所述用于剝離的絕緣層130可以被彼此分離。
[0054]更具體地，所述第一金屬層141和所述用于剝離的絕緣層130被彼此分離，使得圖8中的區(qū)域D除去。
[0055]在這種情況下，所述第一金屬層141和所述用于剝離的絕緣層130可以通過切割工具(如小刀)或通過手工的分離過程而被彼此分離。
[0056]接著，如圖10所示，所述用于剝離的絕緣層130可以被除去。
[0057]在這種情況下，所述用于剝離的絕緣層130可以使用氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)等能夠剝離絕緣材料的剝離溶液而被除去。
[0058]同時(shí)，如圖3所示，第二絕緣層151可以形成于CCL層140上。
[0059]在這種情況下，所述第二絕緣層151可以由半固化片材料制成，但是并不限于此。
[0060]接著，如圖3所示，第二金屬層153可以形成于所述第二絕緣層151上。
[0061]然后，如圖4-6所示，可以形成第三絕緣層161和第三金屬層163。此外，可以形成多層堆積(build-up)層。
[0062]接著，如圖3所示，所述第二金屬層153可以被圖案化。
[0063]在這種情況下，貫通所述印刷電路板的所有層和基底基板的通孔可以通過激光鉆孔處理、機(jī)械鉆孔處理、電鍍過程等被形成，但是并不限于此。
[0064]另外，在形成所述第二金屬層153和所述第二絕緣層151的情況下，所述空腔171處理可以在第二金屬層153、第二絕緣層151和CCL層140上進(jìn)行。
[0065]S卩，所述空腔171處理在CCL層140、第二絕緣層151和第二金屬層153上進(jìn)行，使得所述第一金屬層141的上表面的邊緣區(qū)域通過在CCL層140、第二絕緣層151和第二金屬層153上進(jìn)行激光處理而被暴露出。
[0066]在這種情況下，當(dāng)額外地形成多層堆積層時(shí)，所述空腔171處理也在所述多層堆積層上進(jìn)行。
[0067]另外，如圖5和圖6所示，進(jìn)行空腔171處理的窗口 165可以形成于對(duì)應(yīng)于最外層的第三金屬層163中。
[0068]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，在用于制造印刷電路板的方法中，用于剝離的保護(hù)膜和緊密地結(jié)合所述用于剝離的保護(hù)膜的金屬層形成于內(nèi)層襯墊上，以在與空腔處理相關(guān)且應(yīng)用蝕刻劑的激光處理時(shí)保護(hù)內(nèi)層襯墊，從而使提高產(chǎn)品的可靠性成為可能。
[0069]此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，使用該緊密結(jié)合保護(hù)膜的金屬層，從而使提前防止蝕刻劑對(duì)內(nèi)層襯墊產(chǎn)生影響的問題成為可能。
[0070]雖然為了闡明的目的本發(fā)明已經(jīng)公開了實(shí)施方式，應(yīng)該理解的是本發(fā)明并不局限于此，而且本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解的是在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的前提下，各種修改、添加和替換都是可能的。
[0071]因此，任意及所有修改和變形或等效替換都應(yīng)該被認(rèn)為在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，本發(fā)明的具體范圍由所附權(quán)利要求公開。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造印刷電路板的方法，該方法包括: 制備具有電路層的基底基板，該電路層形成于所述基底基板的一個(gè)表面或者另一個(gè)表面上，該電路層包括內(nèi)層襯墊和電路圖案； 在電路層的內(nèi)層襯墊的外表面上形成用于剝離的絕緣層； 在基底基板、電路層和用于剝離的絕緣層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有開口部，該開口部對(duì)應(yīng)于所述用于剝離的絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成覆銅箔層壓板層，使得第一金屬層作為阻塞物接觸通過所述開口部暴露出的所述用于剝離的絕緣層的上表面； 進(jìn)行空腔處理，使得第一金屬層的上表面的邊緣區(qū)域通過在覆銅箔層壓板層上進(jìn)行激光處理而被暴露出； 沿厚度方向除去暴露出的第一金屬層； 除去由于沿厚度方向除去第一金屬層而暴露出的用于剝離的絕緣層； 將與用于剝離的絕緣層接觸的第一金屬層和用于剝離的絕緣層彼此分離；以及 除去用于剝離的絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在基板的長度方向上，為接觸所述用于剝離的絕緣層的上表面而形成的第一金屬層所形成的直徑大于所述用于剝離的絕緣層的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層由不流動(dòng)的半固化片材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層為固化狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該方法還包括:在形成覆銅箔層壓板層之后且在空腔處理進(jìn)行之前，在覆銅箔層壓板層上形成第二絕緣層，并在第二絕緣層上形成第二金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，該方法還包括:在形成所述第二金屬層之后，使第二金屬層圖案化。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在進(jìn)行空腔處理的過程中，所述空腔處理在第二金屬層、第二絕緣層和覆銅箔層壓板層上進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，在形成第二絕緣層的過程中，所述第二絕緣層由半固化片材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在沿厚度方向除去用于剝離的絕緣層的過程中，所述用于剝離的絕緣層使用氫氧化鈉或氫氧化鉀的剝離溶液除去。
10.一種用于制造印刷電路板的方法，該方法包括: 制備具有電路層的基底基板，該電路層形成于所述基底基板的一個(gè)表面或者另一個(gè)表面上，該電路層包括內(nèi)層襯墊和電路圖案； 在電路層的內(nèi)層襯墊的外表面上形成用于剝離的絕緣層； 在基底基板、電路層和用于剝離的絕緣層上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有開口部，該開口部對(duì)應(yīng)于所述用于剝離的絕緣層； 在所述第一絕緣層上形成覆銅箔層壓板層，使得第一金屬層作為阻塞物接觸通過所述開口部暴露出的所述用于剝離的絕緣層的上表面；在所述覆銅箔層壓板層上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成第二金屬層； 進(jìn)行空腔處理，使得第一金屬層的上表面的邊緣區(qū)域通過在覆銅箔層壓板層、第二絕緣層和第二金屬層上進(jìn)行激光處理而被暴露出； 沿厚度方向除去暴露出的第一金屬層； 除去由于沿厚度方向除去第一金屬層而暴露出的用于剝離的絕緣層； 將與用于剝離的絕緣層接觸的第一金屬層和用于剝離的絕緣層彼此分離；以及 除去用于剝離的絕緣層， 其中，所述第一絕緣層為固化狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在基板的長度方向上，為接觸所述用于剝離的絕緣層的上表面而形成的第一金屬層所形成的直徑大于所述用于剝離的絕緣層的直徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層由不流動(dòng)的半固化片材料制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在形成第一絕緣層的過程中，所述第一絕緣層為固化狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，該方法還包括:在形成第二金屬層之后，使第二金屬層圖案化。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方 法，其中，在形成第二絕緣層的過程中，所述第二絕緣層由半固化片材料制成。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在沿厚度方向除去用于剝離的絕緣層的過程中，所述用于剝離的絕緣層使用氫氧化鈉或氫氧化鉀的剝離溶液除去。
【文檔編號(hào)】H05K3/06GK103813638SQ201310537981
【公開日】2014年5月21日 申請(qǐng)日期:2013年11月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月2日
【發(fā)明者】俞光善, 李丞烈, 樸相勛, 許卿進(jìn), 辛在浩, 鄭重赫 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社