專利名稱：一種c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
藍(lán)寶石(Sapphire)是一種氧化鋁(a -Al2O3)的單晶，又稱為剛玉，晶體具有優(yōu)異的光學(xué)性能、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，強(qiáng)度高、硬度大、耐沖刷，可在接近2000°C高溫的惡劣條件下工作，因而被廣泛的應(yīng)用于紅外軍事裝置、衛(wèi)星空間技術(shù)、高強(qiáng)度激光的窗口材料。其獨(dú)特的晶格結(jié)構(gòu)、優(yōu)異的力學(xué)性能、良好的熱學(xué)性能使藍(lán)寶石晶體成為實(shí)際應(yīng)用的半導(dǎo)體GaNAl2O3發(fā)光二極管(LED)，大規(guī)模集成電路SOI和SOS及超導(dǎo)納米結(jié)構(gòu)薄膜等最為理想的襯底材料。近年來(lái)，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)藍(lán)寶石晶體材料的尺寸、質(zhì)量不斷提出新的要求。例如，美國(guó)國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)作為L(zhǎng)IGO (Laser InterferometerGravitational Wave Observatory)計(jì)劃中分光透鏡用的藍(lán)寶石晶體，晶體尺寸:
350 X 120mm，光學(xué)均勻性:Λ n〈2 X 10'弱光吸收系數(shù)(1064nm):10_6/cm ;紅外成像探測(cè)設(shè)備的窗口材料，最小口徑為0 150mm，工作波段透過(guò)率>80%。另外，基于實(shí)際加工過(guò)程中加工余量和透波方向的考慮，藍(lán)寶石單晶坯體必須具有一定的外形尺寸方可滿足上述要求，所以低成本、高質(zhì)量地生長(zhǎng)大尺寸藍(lán)寶石單晶已成為當(dāng)前面臨的迫切任務(wù)。c面藍(lán)寶石襯底在制作GaN基LED方面有著廣泛的應(yīng)用。目前多采用泡生法生長(zhǎng)a軸圓柱狀藍(lán)寶石晶錠，沿側(cè)面掏棒可以獲得c向晶棒，切片加工后獲得c面藍(lán)寶石襯底，但該法藍(lán)寶石利用率較低；生長(zhǎng)c取向藍(lán)寶石可以從晶錠頂端掏棒，這大大提高了出棒率，但由于藍(lán)寶石沿c向生長(zhǎng)時(shí)固液界面處塑性區(qū)易發(fā)生滑移而產(chǎn)生大量位錯(cuò)，位錯(cuò)積聚還會(huì)形成晶界，因此c向生長(zhǎng)較a向生長(zhǎng)速度慢且缺陷密度高。目前c向藍(lán)寶石晶錠多采用提拉法進(jìn)行c向生長(zhǎng)，日本的Kyocera公司、臺(tái)灣地區(qū)的中美硅晶制品股份有限公司、重慶四聯(lián)藍(lán)寶石有限公司均實(shí)現(xiàn)了 4英寸藍(lán)寶石的提拉法生長(zhǎng)，但位錯(cuò)密度高達(dá)104/cm_2，而且進(jìn)一步增大尺寸較為困難。韓國(guó)STC公司采用VHGF法，a向生長(zhǎng)長(zhǎng)方體藍(lán)寶石然后進(jìn)行c向掏棒，目前只能做到6英寸，由于該方法對(duì)熱場(chǎng)要求較為特殊，熱場(chǎng)設(shè)計(jì)是生長(zhǎng)更大尺寸藍(lán)寶石的瓶頸。云南藍(lán)晶科技有限公司采用坩堝下降法已實(shí)現(xiàn)了 6英寸c向藍(lán)寶石的生長(zhǎng)，但該法無(wú)法克服c向生長(zhǎng)藍(lán)寶石存在的困難。美國(guó)ARC Energy公司也采用了類似的方法，其坩堝底部采用氦氣冷卻，這樣可以防止坩堝底部的籽晶熔化，同時(shí)改變?nèi)垠w內(nèi)的溫場(chǎng)，使晶體生長(zhǎng)時(shí)的固液界面凸向熔體，此時(shí)固液界面處的塑性區(qū)所受的是沿固液界面的切應(yīng)力，而此時(shí)固液界面已不再是c面，因此不易發(fā)生滑移，此方法較單純的坩堝下降法可以獲得更高的晶體質(zhì)量。但生長(zhǎng)速度緩慢，且對(duì)固液界面與c面所成角度的可調(diào)范圍較小。因此，針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題， 有必要提供一種能夠高質(zhì)量c取向生長(zhǎng)藍(lán)寶石單晶的方法，以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法，消除c取向藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)過(guò)程中易出現(xiàn)的晶界、晶格畸變等缺陷，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量c取向藍(lán)寶石單晶的生長(zhǎng)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:本發(fā)明的核心設(shè)計(jì)思想在于，通過(guò)改變固液界面與c軸的夾角，從而避免長(zhǎng)晶過(guò)程中晶體滑移，進(jìn)而獲得高品質(zhì)的目標(biāo)產(chǎn)物。本發(fā)明的c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法，具體包括以下步驟:在坩堝的籽晶槽內(nèi)放置c取向藍(lán)寶石籽晶，填充高純氧化鋁原料，抽真空后加熱，使氧化鋁原料全部熔化，籽晶部分熔化，以0.0re /h io°c /h的速率緩慢降溫，將固液界面控制為與C面呈一定角度的平面，待晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以2V /h 50°C /h的降溫速率退火，冷卻至室溫后取出晶體。具體的，通過(guò)坩堝、加熱器、側(cè)反射屏的三條對(duì)稱軸不重合使固液界面傾斜，從而將固液界面控制為與C面呈一定角度的平面。進(jìn)一步的，通過(guò)在坩堝頂端放置一圓臺(tái)形的反射屏以減小晶體和熔體的徑向溫度梯度，使固液界面為一平面；和/或使加熱器為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度；和/或使側(cè)反射屏為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度，從而將固液界面控制為與c面呈一定角度的平面。優(yōu)選的，所述真空是指5Pa以下的封閉環(huán)境。優(yōu)選的，所 述加熱采用的加熱器為鳥(niǎo)籠狀、網(wǎng)狀的筒形鎢加熱器或筒形石墨加熱器。進(jìn)一步的,所述的加熱器直徑為100_ 2000mm,高度為100_ 3000mm。優(yōu)選的，所述固液界面法線與坩堝對(duì)稱軸之間的角度為O 80°。優(yōu)選的，所述的坩堝為鎢坩堝、鑰坩堝、鎢鑰合金坩堝或銥坩堝。進(jìn)一步的，所述的坩堝底部形態(tài)為于直角、圓角或倒角形式。優(yōu)選的，所述的c取向藍(lán)寶石籽晶直徑為IOmm 60mm,高度為IOmm 100mm,所述的桿晶槽直徑為IOmm 60mm,深度為2mm 20mm。優(yōu)選的，所述高純氧化鋁原料優(yōu)選自Al2O3粉料、Al2O3餅料、粒狀A(yù)l2O3及藍(lán)寶石碎晶中的任意一種或兩種以上的組合。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明采用了使坩堝對(duì)稱軸、加熱器對(duì)稱軸、側(cè)反射屏對(duì)稱軸偏離的方法，使得藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面為一平面且與c面呈一定角度，生長(zhǎng)的c向晶淀較a向晶淀可以大大提聞晶淀的材料利用率；較傳統(tǒng)的c向晶淀生長(zhǎng)方法可以提聞晶淀的晶體質(zhì)量即減少生長(zhǎng)c向晶淀常出現(xiàn)的晶界和晶格崎變。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的有關(guān)本發(fā)明的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是采用本發(fā)明方法生長(zhǎng)c取向藍(lán)寶石單晶的示意圖，其中，圖1a為剖面圖，圖1b為俯視圖；圖2是本發(fā)明采用上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀加熱器生長(zhǎng)c取向藍(lán)寶石單晶的不意圖；圖3是本發(fā)明采用端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀側(cè)反射屏生長(zhǎng)c取向藍(lán)寶石單晶的不意圖；以上各圖中的組件及其附圖標(biāo)記分別為:加熱器1、坩堝2、氧化鋁熔體3、固液界面4、藍(lán)寶石晶體5、籽晶槽21、氦氣管6。
具體實(shí)施例方式如前所述，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的諸多缺陷，本案發(fā)明人旨在提出一種c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法，該方法主要包括放置籽晶(將籽晶放入坩堝底部)、裝料、抽真空、啟動(dòng)氦氣、加熱化料、晶體生長(zhǎng)、降溫退火及出爐等工序。更具體的講，前述工藝過(guò)程如下:( I)放置籽晶:將c取向籽晶放置在坩堝的籽晶槽內(nèi)；(2)裝料:將高純氧化鋁原料放入坩堝內(nèi)，關(guān)閉爐蓋；(3)抽真空:啟動(dòng)真空系統(tǒng)，優(yōu)選將爐腔壓力抽至5Pa以下；(4)啟動(dòng)氦氣:啟動(dòng)氦氣冷卻系統(tǒng),調(diào)節(jié)氦氣流量；(5)加熱化料: 啟動(dòng)加熱系統(tǒng)升溫，直至高純氧化鋁開(kāi)始熔化，用鎢探針探測(cè)固液界面的位置，控制升溫速率使籽晶部分熔化；(6)晶體生長(zhǎng):緩慢降溫配合改變氦氣流量控制固液界面為一法線與坩堝對(duì)稱軸方向呈一定角度的平面，直至所有熔體全部結(jié)晶；(7)降溫退火:逐步提高降溫速率使晶體冷卻至室溫；(8)出爐:待溫度降至室溫后打開(kāi)爐蓋取出晶體。具體而言，所述坩堝可選自但不限于鎢坩堝、鑰坩堝、鎢鑰合金坩堝、銥坩堝等，坩堝底部形態(tài)可選自但不限于直角、圓角、倒角形式。所述高純氧化鋁原料可選自但不限于Al2O3粉料、Al2O3餅料、粒狀A(yù)l2O3及藍(lán)寶石碎晶等。所述c取向藍(lán)寶石籽晶直徑為10_ 60mm,高度為10_ 100mm。所述氦氣冷卻系統(tǒng)優(yōu)選采用氦氣壓縮機(jī)為循環(huán)動(dòng)力，氦氣采用冷卻水進(jìn)行冷卻。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員亦可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用之需要而采用其它習(xí)見(jiàn)的各種冷卻裝置或冷卻結(jié)構(gòu)，其只要能達(dá)成對(duì)籽晶的溫度進(jìn)行控制的目的即可。所述加熱器的材料可以選自但不限于石墨、鎢，形式可選自但不限于片狀、棒狀和網(wǎng)狀。下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例1
采用附圖1所示的熱場(chǎng)進(jìn)行c取向藍(lán)寶石單晶的生長(zhǎng)。通過(guò)坩堝、加熱器、側(cè)反射屏的三條對(duì)稱軸不重合使固液界面傾斜，從而將固液界面控制為與c面呈一定角度的平面，其工藝過(guò)程具體如下:( I)放置籽晶:將c取向籽晶放置在坩堝的籽晶槽內(nèi)；(2)裝料:將20 IOOkg聞純氧化招原料放入樹(shù)禍內(nèi)，關(guān)閉爐蓋，啟動(dòng)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；(3)抽真空:啟動(dòng)真空系統(tǒng)，將爐腔壓力抽至4Pa ；(4)啟動(dòng)氦氣:啟動(dòng)氦氣冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)氦氣流量為40 lOOslm，防止化料過(guò)程中桿晶完全溶化；(5)加熱化料:啟動(dòng)加熱系統(tǒng)升溫，直至高純氧化鋁開(kāi)始熔化，用鎢探針探測(cè)固液界面的位置，控制升溫速率(0.5°C /h 500°C /h)使籽晶部分熔化；(6)晶體生長(zhǎng):緩慢降溫，降溫速率0.0re /h 10°C /h，配合改變氦氣流量控制固液界面為一法線與坩堝對(duì)稱軸方向呈一定角度(固液界面法線與坩堝對(duì)稱軸之間的角度為O 80° )的平面，直至所有熔體全部結(jié)晶；(7 )降溫退火:逐步提高降溫速率(2 °C /h 50 V /h )使晶體冷卻至室溫；(8)出爐:待溫度降至室溫后打開(kāi)爐蓋取出晶體。實(shí)施例2
采用附圖2所示的熱場(chǎng)進(jìn)行c取向藍(lán)寶石單晶的生長(zhǎng)。通過(guò)坩堝、加熱器、側(cè)反射屏的三條對(duì)稱軸不重合使固液界面傾斜，通過(guò)在坩堝頂端放置一圓臺(tái)形的反射屏以減小晶體和熔體的徑向溫度梯度，使固液界面為一平面，使加熱器為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度，從而將固液界面控制為與c面呈一定角度的平面，其工藝過(guò)程具體如下:( I)放置籽晶:將c取向籽晶放置在坩堝的籽晶槽內(nèi)；(2)裝料:將20 IOOkg高純氧化鋁原料放入坩堝內(nèi)，關(guān)閉爐蓋，啟動(dòng)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；(3)抽真空:啟動(dòng)真空系統(tǒng)，將爐腔壓力抽至4Pa ；(4)啟動(dòng)氦氣:啟動(dòng)氦氣冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)氦氣流量為40 lOOslm，防止化料過(guò)程中桿晶完全溶化；(5)加熱化料:啟動(dòng)加熱系統(tǒng)升溫，直至高純氧化鋁開(kāi)始熔化，用鎢探針探測(cè)固液界面的位置，控制升溫速率(0.5°C /h 500°C /h)使籽晶部分熔化；(6)晶體生長(zhǎng):緩慢降溫，降溫速率0.0re /h 10°C /h，配合改變氦氣流量控制固液界面為一法線與坩堝對(duì)稱軸方向呈一定角度(固液界面法線與坩堝對(duì)稱軸之間的角度為O 80° )的平面，直至所有熔體全部結(jié)晶；(7 )降溫退火:逐步提高降溫速率(2 °C /h 50 V /h )使晶體冷卻至室溫；(8)出爐:待溫度降至室溫后打開(kāi)爐蓋取出晶體。實(shí)施例3采用附圖3所示的熱場(chǎng)進(jìn)行c取向藍(lán)寶石單晶的生長(zhǎng)。通過(guò)坩堝、加熱器、側(cè)反射屏的三條對(duì)稱軸不重合使固液界面傾斜，通過(guò)在坩堝頂端放置一圓臺(tái)形的反射屏以減小晶體和熔體的徑向溫度梯度，使固液界面為一平面，使側(cè)反射屏為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度，從而將固液界面控制為與C面呈一定角度的平面，其工藝過(guò)程具體如下:( I)放置籽晶:將c取向籽晶放置在坩堝的籽晶槽內(nèi)；(2)裝料:將20 IOOkg高純氧化鋁原料放入坩堝內(nèi)，關(guān)閉爐蓋，啟動(dòng)冷卻水循環(huán)系統(tǒng)；(3)抽真空:啟動(dòng)真空系統(tǒng)，將爐腔壓力抽至4Pa ；(4)啟動(dòng)氦氣:啟動(dòng)氦氣冷卻系統(tǒng)，調(diào)節(jié)氦氣流量為40 lOOslm，防止化料過(guò)程中桿晶完全溶化；(5)加熱化料:啟動(dòng)加熱系統(tǒng)升溫，直至高純氧化鋁開(kāi)始熔化，用鎢探針探測(cè)固液界面的位置，控制升溫速率(0.5°C /h 500°C /h)使籽晶部分熔化；(6)晶體生長(zhǎng):緩慢降溫，降溫速率0.0re /h 10°C /h，配合改變氦氣流量控制固液界面為一法線與坩堝對(duì)稱軸方向呈一定角度(固液界面法線與坩堝對(duì)稱軸之間的角度為O 80° )的平面，直至所有熔體全部結(jié)晶；(7 )降溫退火:逐步提高降溫速率(2 °C /h 50 V /h )使晶體冷卻至室溫；(8)出爐:待溫 度降至室溫后打開(kāi)爐蓋取出晶體。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)改變固液界面與c軸的夾角，從而避免長(zhǎng)晶過(guò)程中晶體滑移，進(jìn)而獲得高品質(zhì)的目標(biāo)產(chǎn)物，本發(fā)明采用了使坩堝對(duì)稱軸、加熱器對(duì)稱軸、側(cè)反射屏對(duì)稱軸偏離的方法，使得c取向藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面為一平面且與c面呈一定角度，這樣可以有效避免C軸藍(lán)寶石生長(zhǎng)過(guò)程中的滑移，從而降低長(zhǎng)晶過(guò)程中位錯(cuò)、晶界等缺陷的產(chǎn)生。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書(shū)按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案，說(shuō)明書(shū)的這種敘述方式僅僅是為清楚起見(jiàn)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書(shū)作為一個(gè)整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。
權(quán)利要求
1.一種C取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法，其特征在于，包括下述步驟: 在坩堝的籽晶槽內(nèi)放置C取向藍(lán)寶石籽晶，填充高純氧化鋁原料，抽真空后加熱，使氧化鋁原料全部熔化，籽晶部分熔化，以0.0re /h io°c /h的速率緩慢降溫，將固液界面控制為與C面呈一定角度的平面，待晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以2V /h 50°C /h的降溫速率退火，冷卻至室溫后取出晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:通過(guò)坩堝、加熱器、側(cè)反射屏的三條對(duì)稱軸不重合使固液界面傾斜，從而將固液界面控制為與C面呈一定角度的平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:通過(guò)在坩堝頂端放置一圓臺(tái)形的反射屏以減小晶體和熔體的徑向溫度梯度，使固液界面為一平面；和/或使加熱器為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度；和/或使側(cè)反射屏為上端開(kāi)口小下端開(kāi)口大的圓臺(tái)形狀以增加軸向溫度梯度，從而將固液界面控制為與c面呈一定角度的平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述真空是指5Pa以下的封閉環(huán)境。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述加熱采用的加熱器為鳥(niǎo)籠狀、網(wǎng)狀的筒形鎢加熱器或筒形石墨加熱器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述的加熱器直徑為IOOmm 2000mm,高度為 IOOmm 3000mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述固液界面法線與坩堝對(duì)稱軸之間的角度為O 80°。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述的坩堝為鎢坩堝、鑰坩堝、鎢鑰合金坩堝或銥坩堝，所述的坩堝底部形態(tài)為于直角、圓角或倒角形式。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述的c取向藍(lán)寶石籽晶直徑為IOmm 60mm,高度為10mm 100mm,所述的桿晶槽直徑為10mm 60mm,深度為2mm 20mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)方法，其特征在于:所述高純氧化鋁原料優(yōu)選自Al2O3粉料、Al2O3餅料、粒狀A(yù)l2O3及藍(lán)寶石碎晶中的任意一種或兩種以上的組合。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種c取向藍(lán)寶石單晶的新型生產(chǎn)方法，在坩堝的籽晶槽內(nèi)放置c取向藍(lán)寶石籽晶，填充高純氧化鋁原料，抽真空后加熱，使氧化鋁原料全部熔化，籽晶部分熔化，以0.01℃/h～10℃/h的速率緩慢降溫，將固液界面控制為與c面呈一定角度的平面，待晶體生長(zhǎng)結(jié)束后以2℃/h～50℃/h的降溫速率退火，冷卻至室溫后取出晶體；本發(fā)明采用了使坩堝對(duì)稱軸、加熱器對(duì)稱軸、側(cè)反射屏對(duì)稱軸偏離的方法，使得藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)過(guò)程中固液界面為一平面且與c面呈一定角度，生長(zhǎng)的c向晶錠較a向晶錠可以大大提高晶錠的材料利用率；較傳統(tǒng)的c向晶錠生長(zhǎng)方法可以提高晶錠的晶體質(zhì)量即減少生長(zhǎng)c向晶錠常出現(xiàn)的晶界和晶格畸變。
文檔編號(hào)C30B29/20GK103215646SQ20131011292
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月2日
發(fā)明者劉海濱 申請(qǐng)人:蘇州海鉑晶體有限公司