專利名稱：多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種負(fù)氫離子源的磁場(chǎng)組件，特別涉及一種多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置。
背景技術(shù)：
多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源等離子體腔分為高溫放電腔和低溫離子引出區(qū)兩部分。在高溫放電腔中，熱燈絲發(fā)射的快電子(> IOeV)在弧壓加速下與氫分子(或氫原子)碰撞產(chǎn)生激發(fā)態(tài)氫分子(H/)。激發(fā)態(tài)氫分子與慢電子(< IeV)在放電腔中相互作用產(chǎn)生負(fù)氫離子(H_)，此反應(yīng)稱為離解吸附反應(yīng)。高溫放電腔和低溫離子引出區(qū)被過(guò)濾磁場(chǎng)分割成兩部分，過(guò)濾磁場(chǎng)實(shí)際上是一個(gè)橫向的二極磁場(chǎng)，其作用是保證放電腔中的慢電子進(jìn)入到引出區(qū)以便于產(chǎn)生負(fù)氫離子，同時(shí)阻止快電子進(jìn)入到引出區(qū)破壞已形成的負(fù)氫離子。過(guò)濾磁場(chǎng)是多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源極為關(guān)鍵的組成部分，其結(jié)構(gòu)直接影響負(fù)氫離子的產(chǎn)額?，F(xiàn)有多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)強(qiáng)度普遍偏弱，負(fù)氫離子產(chǎn)額低；容易導(dǎo)致形成的負(fù)氫離子束流方向偏移，不能在管道中心引出；另外，還會(huì)同時(shí)引出過(guò)多的電子。
發(fā)明內(nèi)容為解決現(xiàn)有多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)強(qiáng)度普遍偏弱，負(fù)氫離子產(chǎn)額低；容易導(dǎo)致形成的負(fù)氫離子束流方向偏移，不能在管道中心引出；會(huì)同時(shí)引出過(guò)多的電子等問(wèn)題，提供了一種多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置。一種多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置，具體技術(shù)方案為:在多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源引出電極中增加兩對(duì)永磁體；其中第一永磁體與第二永磁體之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相同，位于過(guò)濾磁場(chǎng)近端；第三永磁體與第四永磁體之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相反，位于過(guò)濾磁場(chǎng)遠(yuǎn)端；四塊永磁體以多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源放電腔中心為軸，對(duì)稱分布在同一橢圓上，形成兩個(gè)相反方向的磁場(chǎng)。本實(shí)用新型的多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置提高了過(guò)濾磁場(chǎng)強(qiáng)度，增加了負(fù)氫離子的產(chǎn)額；有效地矯正了負(fù)氫離子束流方向，使負(fù)氫離子在管道中心引出；同時(shí)還偏轉(zhuǎn)掉了被引出的過(guò)多的電子；另外，還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)。

圖1多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置圖中，①第一永磁體，②第二永磁體,③第三永磁體,④第四永磁體,⑤燈絲，⑥引出電極，⑦多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源放電腔，⑧過(guò)濾磁場(chǎng)第一磁體，⑨過(guò)濾磁場(chǎng)第二磁體，⑩引出區(qū)。
具體實(shí)施方式
[0010]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式做進(jìn)一步說(shuō)明。
實(shí)施例如圖1所示的多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置，在現(xiàn)有多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源引出電極6中增加兩對(duì)永磁體；其中第一永磁體I與第二永磁體2之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相同，位于過(guò)濾磁場(chǎng)近端；第三永磁體3與第四永磁體4之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相反，位于過(guò)濾磁場(chǎng)遠(yuǎn)端；四塊永磁體以多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源放電腔7中心為軸，對(duì)稱分布在同一橢圓上，形成兩個(gè)相反方向的磁場(chǎng)。燈絲5放電產(chǎn)生的快電子與氫氣碰撞產(chǎn)生激發(fā)態(tài)氫分子,激發(fā)態(tài)氫分子和慢電子穿過(guò)過(guò)濾磁場(chǎng)進(jìn)入到引出區(qū)10，在引出區(qū)10慢電子與激發(fā)態(tài)氫分子碰撞產(chǎn)生負(fù)氫離子。多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置第一永磁體I與第二永磁體2之間形成的磁場(chǎng)提高了過(guò)濾磁場(chǎng)強(qiáng)度，增加了負(fù)氫離子的產(chǎn)額；第三永磁體3與第四永磁體4之間形成的磁場(chǎng)矯正了負(fù)氫離子束流方向，同時(shí)偏轉(zhuǎn)掉了被引出的過(guò)多的電子。
權(quán)利要求1.一種多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置，其特征在于:在多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源引出電極(6 )中增加兩對(duì)永磁體；其中第一永磁體(I)與第二永磁體(2 )之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相同，位于過(guò)濾磁場(chǎng)近端；第三永磁體(3)與第四永磁體(4)之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相反，位于過(guò)濾磁場(chǎng)遠(yuǎn)端；四塊永磁體以多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源放電腔(7)中心為軸,對(duì)稱分布在同一橢圓上,形成兩個(gè)相反方向的磁場(chǎng)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種負(fù)氫離子源的磁場(chǎng)組件。為解決現(xiàn)有多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源負(fù)氫離子產(chǎn)額低，負(fù)氫離子束流方向偏移，同時(shí)引出過(guò)多的電子等問(wèn)題，提供了一種多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置，具體技術(shù)方案為在多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源引出電極中增加兩對(duì)永磁體；第一永磁體與第二永磁體之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相同；第三永磁體與第四永磁體之間形成的磁場(chǎng)與過(guò)濾磁場(chǎng)方向相反；四塊永磁體以多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源放電腔中心為軸，對(duì)稱分布在同一橢圓上，形成兩個(gè)相反方向的磁場(chǎng)。所述多峰場(chǎng)負(fù)氫離子源過(guò)濾磁場(chǎng)調(diào)節(jié)及束流矯正裝置增加了負(fù)氫離子的產(chǎn)額，有效地矯正了負(fù)氫離子束流方向，同時(shí)還偏轉(zhuǎn)掉了被引出的過(guò)多的電子。
文檔編號(hào)H05H1/10GK202998637SQ20122062577
公開日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者賈先祿, 張?zhí)炀?申請(qǐng)人:中國(guó)原子能科學(xué)研究院