埋入式元件電路板與其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種埋入式元件電路板與其制作方法，該制作方法包含有下列步驟。提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層，并利用一粘著劑固定一埋入式元件于基材之上；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層于基材上，且第一絕緣膠片與絕緣層具有開孔對應(yīng)于埋入式元件。涂布一絕緣膠至第一絕緣膠片與絕緣層的開孔中，使絕緣膠的高度約等于絕緣層的高度。壓合一第二絕緣膠片與一金屬層于絕緣膠與絕緣層之上，以形成一核心層。由基材上剝離承載層與分離層。其中，銅箔層上形成有至少一開口，以露出埋入式元件的第一端電極與第二端電極。此外，一種埋入式元件電路板也同時揭露于此。
【專利說明】埋入式元件電路板與其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種埋入式元件電路板與其制作方法，特別是涉及一種具有01005芯片式電阻/電容的埋入式元件電路板與其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的日新月異，電子產(chǎn)品的外觀尺寸也越來越小。為了配合越來越小的電子產(chǎn)品，電路板的設(shè)計也日趨精密。
[0003]部分的電路板，可將電子元件，例如是有源元件(Active device)及無源元件(Passive device)等，埋入電路板的內(nèi)層中，然后經(jīng)由成導(dǎo)電孔等方式相互導(dǎo)通，稱之為元件埋入式兀件電路板(Device embedded printed circuit board)。當兀件內(nèi)置于電路板中后，其外層兩面與一般的電路板并無差異，仍然可以搭載其他有源元件或無源元件而成為組裝板。
[0004]然而，由于被埋入的電子元件的規(guī)格尺寸并不相同，而使得壓合后易產(chǎn)生凹陷，以致于后續(xù)影像轉(zhuǎn)移線路可能因此產(chǎn)生斷路的問題。
[0005]此外，由于部分埋入式電子元件的尺寸十分的小巧，而利用導(dǎo)電孔連接時，也有可能產(chǎn)生對準不易，以致于造成接觸不良的情況，然若進一步縮小導(dǎo)電孔的尺寸，則可能出現(xiàn)產(chǎn)品可靠度的問題。
[0006]因此，實有必要，進一步改善埋入小尺寸電子元件的埋入式元件電路板的產(chǎn)品可靠度，以及有效避免電路板產(chǎn)生凹陷的情況，并進一步降低影像轉(zhuǎn)移線路的斷路的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述的先前技術(shù)中所述，由于元件埋入式元件電路板中被埋入的電子元件的規(guī)格尺寸并不相同，而使得壓合后易產(chǎn)生凹陷，將造成后續(xù)影像轉(zhuǎn)移線路可能因此產(chǎn)生斷路的問題。另，由于部分小尺寸的埋入式電子元件，由于電極端子的尺寸十分的小，以致于與導(dǎo)電孔對準不易，容易造成接觸不良的情況，但若是進一步縮小導(dǎo)電孔的尺寸，則可能出現(xiàn)產(chǎn)品可靠度的問題。
[0008]本發(fā)明的目的之一是提供一種埋入式元件電路板與其制作方法，以避免電路板產(chǎn)生凹陷的情況，并降低影像轉(zhuǎn)移線路的斷路的問題，進一步提高埋入式元件電路板的產(chǎn)品
可靠度。
[0009]根據(jù)以上所述的目的，本發(fā)明的一態(tài)樣，是揭露一種埋入式元件電路板的制作方法，包含有下列步驟，首先，提供一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；利用一粘著劑固定一埋入式元件于基材之上，其中埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層于基材上，其中第一絕緣膠片與絕緣層具有開孔對應(yīng)于埋入式元件；涂布一絕緣膠至第一絕緣膠片與絕緣層的開孔中，其中絕緣膠的高度約等于絕緣層的高度；壓合一第二絕緣膠片與一金屬層于絕緣膠與絕緣層之上，以形成一核心層；以及由銅箔層上，剝離承載層與分離層，其中，銅箔層上形成有至少一開口，以露出第一端電極與第二端電極。
[0010]在一實施例中，上述的埋入式元件電路板制作方法，更包含利用激光移除銅箔層，以形成開口，開口的長度大于寬度；以及去除開口中的粘著劑，以露出第一端電極與第二端電極。上述的開口的寬度介于25微米(ym)至50微米之間，長度大于50微米，較佳地開口的寬度介于25微米(m)至40微米之間，而長度大于100微米。
[0011]在一實施例中，上述的銅箔層也可在第一端電極與第二端電極上分別形成有兩個以上的開口。上述的開口的直徑約為25微米至50微米之間。
[0012]在一實施例中，上述的埋入式元件電路板制作方法，也可以在利用一粘著劑固定一埋入式元件于基材之上的步驟之前，利用激光形成開口銅箔層上。
[0013]在一實施例中，上述的埋入式元件電路板制作方法，還包含，利用激光形成開口于銅箔層上，且開口是一長條形開口，由第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至第二端電極，移除長條形開口中的粘著劑，以由長條形開口中，露出第一端電極、第二端電極以及一非電極區(qū)域；形成一電鍍層；以及圖案化電鍍層，以形成一上方電路層、一下方電路層與兩個導(dǎo)電窗，并且同時電性隔離第一端電極與第二端電極上的兩個導(dǎo)電窗。上述的兩個導(dǎo)電窗的距離較佳地小于非電極區(qū)域的長度。
[0014]在一實施例中，上述的埋入式元件電路板制作方法，還包含，利用激光形成開口于銅箔層上，且開口是一長條形開口，由第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至第二端電極；移除長條形開口中的粘著劑，以由長條形開口中露出第一端電極、第二端電極以及一非電極區(qū)域；形成一導(dǎo)電層；形成一圖案化的光致抗蝕劑層于導(dǎo)電層之上；形成一電鍍層于圖案化的光致抗蝕劑層之中；移除圖案化的光致抗蝕劑層；以及蝕刻電鍍層開口中的銅箔層與導(dǎo)電層，以形成一上方電路層、一下方電路層與兩個導(dǎo)電窗，并且同時電性隔離第一端電極與第二端電極上的兩個導(dǎo)電窗。其中，上述的兩個導(dǎo)電窗的距離較佳地小于非電極區(qū)域的長度。
[0015]本發(fā)明的另一態(tài)樣是提供一種埋入式兀件電路板，包含有一基材，具有一銅箔層、一承載層與一分離層；一埋入式元件，其中埋入式元件包含一第一端電極與一第二端電極；一粘著劑，固定埋入式元件于基材之上；一第一絕緣膠片與一絕緣層，壓合于基材上，其中第一絕緣膠片與絕緣層具有開孔對應(yīng)于埋入式元件；一絕緣膠，涂布至第一絕緣膠片與絕緣層的開孔中，其中絕緣膠的高度約等于絕緣層的高度；以及一第二絕緣膠片與一金屬層，壓合于絕緣膠與絕緣層之上，以形成一核心層，其中，銅箔層上形成有至少一開口，以露出第一端電極與第二端電極，且當?shù)诙^緣膠片與金屬層，壓合于絕緣膠與絕緣層之后，承載層與分離層由基材上移除。
[0016]在一實施例中，上述的開口的寬度介于25微米(Pm)至50微米之間，開口的長度大于50微米，較佳地開口的寬度介于25微米(iim)至40微米之間，開口的長度大于100微米。
[0017]在一實施例中，上述的銅箔層在第一端電極上形成有兩個以上的開口，而銅箔層在第二端電極上也形成有兩個以上的開口。而開口的直徑約為25微米至50微米之間。
[0018]在一實施例中，上述的開口是一長條形開口，由第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至第二端電極；以及兩個導(dǎo)電窗，形成于長條形開口，且兩個導(dǎo)電窗彼此電性隔離。其中上述的兩個導(dǎo)電窗的距離較佳地小于非電極區(qū)域的長度。[0019]因此，本發(fā)明的埋入式元件電路板，可有效地避免埋入式元件電路板產(chǎn)生凹陷的情況，以改善影像轉(zhuǎn)移線路的斷路的問題，且可改善導(dǎo)電窗與元件電極對準不易的情況，進而提高埋入式元件電路板的產(chǎn)品可靠度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0021]圖1A至圖1I為本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第一實施例的流程示意圖；
[0022]圖2A至圖21為本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第二實施例的流程示意圖；[0023]圖3A至圖31為本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第三實施例的流程示意圖；
[0024]圖4A至圖41為本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第四實施例的流程示意圖；
[0025]圖5為本發(fā)明的埋入式元件電路板的導(dǎo)電窗的第一實施例示意圖；
[0026]圖6為本發(fā)明的埋入式元件電路板的導(dǎo)電窗的第二實施例示意圖；
[0027]圖7為本發(fā)明的埋入式元件電路板的導(dǎo)電窗的第三實施例示意圖。
[0028]主要元件符號說明
[0029]102:承載層318:絕緣膠
[0030]104:分離層320:絕緣膠片
[0031]106:銅箔層322:金屬層
[0032]108:對位孔324:開口
[0033]110:埋入式元件326:金屬導(dǎo)孔
[0034]111:第一端電極328:電鍍層
[0035]112:粘著劑330:上方電路層
[0036]113:第二端電極332:下方電路層
[0037]114:絕緣膠片340:上方層板
[0038]116:絕緣層342:絕緣層
[0039]118:絕緣膠344:金屬導(dǎo)孔
[0040]120:絕緣膠片350:下方層板
[0041]122:金屬層352:絕緣層
[0042]124:開口354:金屬導(dǎo)孔
[0043]126:金屬導(dǎo)孔360:開口
[0044]128:電鍍層362:長度
[0045]130:上方電路層364:寬度
[0046]132:下方電路層380:去除部分粘著劑
[0047]140:上方層板382:開口
[0048]142:絕緣層402:承載層[0049]144:金屬導(dǎo)孔404:分離層
[0050]150:下方層板406:銅箔層
[0051]152:絕緣層408:對位孔
[0052]154:金屬導(dǎo)孔410:埋入式元件
[0053]160:導(dǎo)電窗411:第一端電極
[0054]162:長度412:粘著劑 [0055]164:寬度413:第二端電極
[0056]202:承載層414:絕緣膠片
[0057]204:分離層416:絕緣層
[0058]206:銅箔層418:絕緣膠
[0059]208:對位孔420:絕緣膠片
[0060]210:埋入式元件422:金屬層
[0061]211:第一端電極424:開口
[0062]212:粘著劑426:金屬導(dǎo)孔
[0063]213:第二端電極430:上方電路層
[0064]214:絕緣膠片432:下方電路層
[0065]216:絕緣層460:開口
[0066]218:絕緣膠462:長度
[0067]220:絕緣膠片464:寬度
[0068]222:金屬層480:去除部分粘著劑
[0069]224:開口482:開口
[0070]226:金屬導(dǎo)孔486:開口
[0071]228:電鍍層490:導(dǎo)電層
[0072]230:上方電路層492:上方光致抗蝕劑層
[0073]232:下方電路層494:下方光致抗蝕劑層
[0074]240:上方層板4%:中間光致抗蝕劑
[0075]242:絕緣層496:圖案化的上方電鍍層
[0076]244:金屬導(dǎo)孔498:圖案化的下方電鍍層
[0077]250:下方層板510:元件長度
[0078]252:絕緣層520:元件寬度
[0079]254:金屬導(dǎo)孔530:電極長度
[0080]260:導(dǎo)電窗540:導(dǎo)電窗寬度
[0081]262:長度550:導(dǎo)電窗長度
[0082]264:寬度610:元件長度
[0083]272:開口620:元件寬度
[0084]302:承載層630:電極長度
[0085]304:分離層640:導(dǎo)電窗直徑
[0086]306:銅箱層650:導(dǎo)電窗
[0087]308:對位孔710:元件長度[0088]310:埋入式元件720:元件寬度
[0089]311:第一端電極730:電極長度
[0090]312:粘著劑740:導(dǎo)電窗寬度
[0091]313:第二端電極750:導(dǎo)電窗長度
[0092]314:絕緣膠片760:非電極區(qū)域的長度
[0093]316:絕緣層770:開口長度
【具體實施方式】
[0094]本發(fā)明是揭露一種埋入式元件電路板與其制作方法，可有效地避免埋入式元件電路板產(chǎn)生凹陷的情況，并改善影像轉(zhuǎn)移線路的斷路的問題，進而提高埋入式元件電路板的產(chǎn)品可靠度。以下將以圖示及詳細說明清楚說明本發(fā)明的精神，如熟悉此技術(shù)的人員在了解本發(fā)明的較佳實施例后，當可由本發(fā)明所教示的技術(shù)，加以改變及修飾，其并不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
[0095]圖1A至圖1I是繪示本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第一實施例的流程示意圖。參閱圖1A，如圖中所示，當制作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層106與一承載層102。而銅箔層106與承載層102之中，可以設(shè)置一分離層104，以方便后續(xù)制作工藝中進行分離。其中，承載層102、分離層104與銅箔層106上設(shè)置有對位孔108，以便于后續(xù)制作工藝中進行基板的對位。對位孔108可以是由機械鉆孔或激光鉆孔的方式形成，然并不限定于此。
[0096]接著，參閱圖1 B，如圖中所示，印刷粘著劑112于銅箔層106之上，并放置埋入式元件110于粘著劑112，以將埋入式元件110固定于基板之上。粘著劑112較佳地具有高粘度的特性，以減少粘著劑的流動，粘度較佳地大于IOPa.S。此外，粘著劑112較佳地更可以具備有低熱膨脹系數(shù)的特性。舉例來說，粘著劑112在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以下的溫度的熱膨脹系數(shù)可小于80ppm。而在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以上的熱膨脹系數(shù)可小于160ppm。
[0097]其中，埋入式元件110可以是有源元件(Active device)，例如是晶體管或二極管等，或者是無源元件(Passive device),例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法較佳地可使用在01005芯片式電阻/電容的埋入制作工藝中。埋入式元件110具有一第一端電極111與一第二端電極113以用來與銅箔層106或其他電路進行導(dǎo)通。
[0098]進一步參閱圖1C，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片114以及一絕緣層116，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件110。
[0099]參閱圖1D，如圖中所示，涂布一絕緣膠118至絕緣膠片114與絕緣層116的開孔中，較佳地一并抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然后再熱固化絕緣膠118。
[0100]參閱圖1E，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片120與一金屬層122于其上，以形成一核心層。由于上述的絕緣膠片120與金屬層122壓合于具有絕緣膠片114以及絕緣層116的基材之上時，其開口已被絕緣膠118所填滿，并填補埋入式元件110與絕緣膠片114以及絕緣層116的高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片120與金屬層122可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件110因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高后續(xù)的影像轉(zhuǎn)移的線路的品質(zhì)。[0101]在壓合絕緣膠片120與金屬層122于基材之后，接著將銅箔層106與承載層102利用分離層104剝離，亦即將承載層102與分離層104由銅箔層106上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。
[0102]參閱圖1F，利用激光開窗以移除銅箔層106，并去除粘著劑112以形成開口 124，進而露出部分的第一端電極111與第二端電極113。開口 124的形狀構(gòu)成導(dǎo)電窗160,其長度162大于寬度164，參閱上方的圖1F (a)。
[0103]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電窗，本發(fā)明的導(dǎo)電窗160的寬度164約介于25微米(ii m)至50微米之間，較佳地介于25微米至40微米之間，更佳地介于25微米至30微米之間。而導(dǎo)電窗160的長度162大于導(dǎo)電窗160的寬度164，因此，導(dǎo)電窗160的長度162大于25微米，較佳地大于50微米之間，更佳地大于100微米。
[0104]同時參閱圖5，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度510約為400微米，元件寬度520約為200微米，而其電極長度530約為100微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法，可形成一導(dǎo)電窗，其導(dǎo)電窗寬度540約為25微米，而導(dǎo)電窗長度550則可利用激光平行01005芯片式電阻/電容的短邊方向延伸，使其長度形成約在150微米左右。因此，本發(fā)明可有效地增加導(dǎo)電窗的面積，且可以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。
[0105]此外，參閱圖6，其是本發(fā)明的埋入式元件電路板的導(dǎo)電窗的另一實施例示意圖。如圖中所示，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度610約為400微米，元件寬度620約為200微米，而其電極長度630約為100微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法，可在每一電極上形成多個導(dǎo)電窗650，其數(shù)量大于兩個，較佳地大于三個。此外，導(dǎo)電窗直徑640約介于25微米至50微米之間。因此，本發(fā)明利用增加導(dǎo)電窗的數(shù)量，以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。
[0106]回到圖1G，如圖所示，進行鉆孔并進行電鍍銅，以與基材上的銅箔層106以及金屬層122，較佳地也為一銅箔層，形成所需的電鍍層128與金屬導(dǎo)孔126。然后參閱圖1H，如圖中所示，進一步利用光刻制作工藝，以進行電路影像轉(zhuǎn)移，以在基材上方與下方的電鍍層128形成上方電路層130與下方電路層132。
[0107]參閱圖1I，如圖中所示，本發(fā)明的埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板140，并在其下方壓合一金屬導(dǎo)孔144，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板140較佳地包含有一絕緣層142與一金屬導(dǎo)孔144，而下方層板150較佳地包含有一絕緣層152與一金屬導(dǎo)孔154。
[0108]圖2A至圖21是繪示本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第二實施例的流程示意圖。參閱圖2A，如圖中所示，當制作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層206與一承載層202。而銅箔層206與承載層202之中，可以設(shè)置一分離層204，以方便后續(xù)制作工藝中進行分離。其中，承載層202、分離層204與銅箔層206上設(shè)置有對位孔208，以便于后續(xù)制作工藝中進行基板的對位。對位孔208可以是由機械鉆孔或激光鉆孔的方式形成，然并不限定于此。在此實施例中，基板進一步利用激光在分離層204與銅箔層206上形成開口 272，以在后續(xù)制作工藝中形成所需的導(dǎo)電窗。
[0109]接著，參閱圖2B，如圖中所示，印刷粘著劑212于銅箔層206之上，并放置埋入式元件210于粘著劑212，以將埋入式元件210固定于基板之上。粘著劑212較佳地具有高粘度的特性，以減少粘著劑的流動，粘度較佳地大于IOPa.S。此外，粘著劑212較佳地更可以具備有低熱膨脹系數(shù)的特性。舉例來說，粘著劑212在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以下的溫度的熱膨脹系數(shù)可小于80ppm。而在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以上的熱膨脹系數(shù)可小于160ppm。
[0110]其中，此埋入式元件210也可以是有源元件(Active device),例如是晶體管或二極管等，或者是無源元件(Passive device),例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法較佳地可使用在01005芯片式電阻/電容的埋入制作工藝中。埋入式兀件210具有一第一端電極211與一第二端電極213以用來與銅箔層206或其他電路進行導(dǎo)通。
[0111]進一步參閱圖2C，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片214以及一絕緣層216，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件210。
[0112]參閱圖2D，如圖中所示，涂布一絕緣膠218至絕緣膠片214與絕緣層216的開孔中，較佳地一并抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然后再熱固化絕緣膠218。
[0113]參閱圖2E，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片220與一金屬層222于其上，以形成一核心層。由于上述的絕緣膠片220與金屬層222壓合于具有絕緣膠片214以及絕緣層216的基材之上時，其開口已被絕緣膠218所填滿，并填補埋入式元件210與絕緣膠片214以及絕緣層216的高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片220與金屬層222可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件210因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高后續(xù)的影像轉(zhuǎn)移的線路的品質(zhì)。
[0114]在壓合絕緣膠片220與金屬層222于基材之后，接著將銅箔層206與承載層202利用分離層204剝離，亦即將承載層202與分離層204由銅箔層206上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。
[0115]參閱圖2F，去除粘著劑212以形成開口 224，進而露出部分的第一端電極211與第二端電極213。開口 224的形狀構(gòu)成導(dǎo)電窗260，其長度262大于寬度264，參閱上方的圖2F(a)。
[0116]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電窗，本發(fā)明的導(dǎo)電窗260的寬度264約介于25微米Om)至50微米之間，較佳地介于25微米至40微米之間，更佳地介于25微米至30微米之間。而導(dǎo)電窗260的長度262大于導(dǎo)電窗260的寬度264。因此,導(dǎo)電窗260的長度262大于25微米，較佳地大于50微米之間，更佳地大于100微米。
[0117]同時參閱圖5，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度510約為400微米，元件寬度520約為200微米，而其電極長度530約為100微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第二實施例，可形成一導(dǎo)電窗，其導(dǎo)電窗寬度540約為25微米,而導(dǎo)電窗長度550則可利用激光平行01005芯片式電阻/電容的短邊方向延伸，使其長度形成約在150微米左右。因此，本發(fā)明可有效地增加導(dǎo)電窗的面積，且可以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。
[0118]此外，參閱圖6，其是本發(fā)明的埋入式元件電路板的導(dǎo)電窗的另一實施例示意圖。如圖中所示，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度610約為400微米，元件寬度620約為200微米，而其電極長度630約為100微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法，可在每一電極上形成多個導(dǎo)電窗650，其數(shù)量大于兩個，較佳地大于3個。此外，導(dǎo)電窗直徑640約介于25微米至50微米之間。因此，本發(fā)明利用增加導(dǎo)電窗的數(shù)量，以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。
[0119]回到圖2G，如圖所示，進行鉆孔并進行電鍍銅，以與基材上的銅箔層206以及金屬層222，較佳地也為一銅箔層，形成所需的電鍍層228與金屬導(dǎo)孔226。然后參閱圖2H，如圖中所示，進一步利用光刻制作工藝，以進行電路影像轉(zhuǎn)移，以在基材上方與下方的電鍍層228形成上方電路層230與下方電路層232。
[0120]參閱圖21，如圖中所示，本發(fā)明的埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板240，并在其下方壓合一金屬導(dǎo)孔244，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板240較佳地包含有一絕緣層242與一金屬導(dǎo)孔244，而下方層板250較佳地包含有一絕緣層252與一金屬導(dǎo)孔254。
[0121]圖3A至圖31是繪示本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第三實施例的流程示意圖。參閱圖3A，如圖中所示，當制作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層306與一承載層302。而銅箔層306與承載層302之中，可以設(shè)置一分離層304，以方便后續(xù)制作工藝中進行分離。其中，承載層302、分離層304與銅箔層306上設(shè)置有對位孔308，以便于后續(xù)制作工藝中進行基板的對位。對位孔308可以是由機械鉆孔或激光鉆孔的方式形成，然并不限定于此。
[0122]接著，參閱圖3B，如圖中所示，印刷粘著劑312于銅箔層306之上，并放置埋入式元件310于粘著劑312，以將埋入式元件310固定于基板之上。粘著劑312較佳地具有高粘度的特性，以減少粘著劑的流動，粘度較佳地大于IOPa.S。此外，粘著劑312較佳地更可以具備有低熱膨脹系數(shù)的特性。舉例來說，粘著劑312在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以下的溫度的熱膨脹系數(shù)可小于80ppm。而在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以上的熱膨脹系數(shù)可小于160ppm。
[0123]其中，埋入式元件310可以是有源元件(Active device)，例如是晶體管或二極管等，或者是無源元件(Passive device),例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法較佳地可使用在01005芯片式電阻/電容的埋入制作工藝中。埋入式兀件310具有一第一端電極311與一第二端電極313以用來與銅箔層306或其他電路進行導(dǎo)通。
[0124]進一步參閱圖3C，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片314以及一絕緣層316，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件310。
[0125]參閱圖3D，如圖中所示，涂布一絕緣膠318至絕緣膠片314與絕緣層316的開孔中，較佳地一并抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然后再熱固化絕緣膠318。
[0126]參閱圖3E，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片320與一金屬層322于其上，以形成一核心層。由于上述的絕緣膠片320與金屬層322壓合于具有絕緣膠片314以及絕緣層316的基材之上時，其開口已被絕緣膠318所填滿，并填補埋入式元件310與絕緣膠片314以及絕緣層316的高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片320與金屬層322可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件310因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高后續(xù)的影像轉(zhuǎn)移的線路的品質(zhì)。
[0127]在壓合絕緣膠片320與金屬層322于基材之后，接著將銅箔層306與承載層302利用分離層304剝離，亦即將承載層302與分離層304由銅箔層306上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。
[0128]參閱圖3F，利用激光開窗以移除銅箔層306，參閱標號380去除部分粘著劑312及/或絕緣材料，以形成開口 324，進而露出部分的第一端電極311、第二端電極313以及兩電極中間的非電極區(qū)域。開口 324，亦即用來后續(xù)形成所需形狀的導(dǎo)電窗的開口 360，其長度362大于寬度364，參閱上方的圖3F(a)。
[0129]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電窗，本發(fā)明的開口 360的寬度364約介于25微米(y m)至150微米之間，較佳地介于50微米至125微米之間，更佳地介于75微米至100微米之間。而開口 360的長度362大于開口 360的寬度364。因此，開口 360的長度362大于200微米，較佳地大于250微米之間，更佳地大于300微米。其中，于后續(xù)制作工藝中，開口 360中間將被電性隔離，以使其一分為二，使第一端電極311的導(dǎo)電窗與第二端電極313的導(dǎo)電窗電性隔離。
[0130]同時參閱圖7，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度710約為400微米，元件寬度720約為200微米，而其電極長度730約為100微米，而電極中間的非電極區(qū)域的非電極區(qū)域的長度760約為200微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法，可形成一開口長度770約為300微米的導(dǎo)電窗，然后在去除部分電極中間的非電極區(qū)域的材料，使形成左右各一個的導(dǎo)電窗，其導(dǎo)電窗寬度740約為25微米，而開口 770則是以激光平行01005芯片式電阻/電容的長邊方向延伸，使其長度形成約在300微米左右，而當去除部分電極中間的非電極區(qū)域的導(dǎo)電窗材料后，左右的導(dǎo)電窗長度750約為50微米以上。因此，本發(fā)明可有效地增加導(dǎo)電窗的面積，且可以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。其中，左右的導(dǎo)電窗的距離可小于非電極區(qū)域的長度760。
[0131]回到圖3G，如圖所示，進行鉆孔并進行電鍍銅，以與基材上的銅箔層306以及金屬層322，較佳地也為一銅箔層，形成所需的電鍍層328與金屬導(dǎo)孔326。然后參閱圖3H，如圖中所示，進一步利用光刻制作工藝，以進行電路影像轉(zhuǎn)移，以在基材上方與下方的電鍍層328形成上方電路層330與下方電路層332。此實施例在光刻制作工藝的同時，將連接兩電極的導(dǎo)電窗中間的部分移除，使形成兩獨立的導(dǎo)電窗，且整體導(dǎo)電窗是由激光平行埋入式元件310的方向形成所需的開口，故有效地增加了導(dǎo)電窗的大小，使其確保與埋入式元件310的第一端電極311與第二端電極313電連接。其中，導(dǎo)電窗中間的部分移除所形成的開口 382的寬度較佳地小于200微米，更佳地小于150微米。因此，所形成的導(dǎo)電窗甚至可連接埋入式元件310的第一端電極311與第二端電極313的側(cè)邊，以增加導(dǎo)電窗與電極的接觸面積。
[0132]參閱圖31，如圖中所示，本發(fā)明的埋入式元件電路板可進一步在其上方壓合一上方層板340，并在其下方壓合一金屬導(dǎo)孔344，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板340較佳地包含有一絕緣層342與一金屬導(dǎo)孔344，而下方層板350較佳地包含有一絕緣層352與一金屬導(dǎo)孔354。
[0133]圖4A至圖41是繪示本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法的第四實施例的流程示意圖。參閱圖4A，如圖中所示，當制作埋入式元件電路板時，首先提供一基板包含一銅箔層406與一承載層402。而銅箔層406與承載層402之中，可以設(shè)置一分離層404，以方便后續(xù)制作工藝中進行分離。其中，承載層402、分離層404與銅箔層406上設(shè)置有對位孔408，以便于后續(xù)制作工藝中進行基板的對位。對位孔408可以是由機械鉆孔或激光鉆孔的方式形成，然并不限定于此。
[0134]接著，參閱圖4B，如圖中所示，印刷粘著劑412于銅箔層406之上，并放置埋入式元件410于粘著劑412，以將埋入式元件410固定于基板之上。粘著劑412較佳地具有高粘度的特性，以減少粘著劑的流動，粘度較佳地大于IOPa.S。此外，粘著劑412較佳地更可以具備有低熱膨脹系數(shù)的特性。舉例來說，粘著劑412在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以下的溫度的熱膨脹系數(shù)可小于80ppm。而在玻璃轉(zhuǎn)移溫度以上的熱膨脹系數(shù)可小于160ppm。
[0135]其中，埋入式元件410可以是有源元件(Active device)，例如是晶體管或二極管等，或者是無源元件(Passive device),例如是電阻(resistor)、電容(capacitor)或電感(inductor)。其中，本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法較佳地可使用在01005芯片式電阻/電容的埋入制作工藝中。埋入式元件410具有一第一端電極411與一第二端電極413以用來與銅箔層406或其他電路進行導(dǎo)通。
[0136]進一步參閱圖4C，如圖中所示，接著壓合一絕緣膠片414以及一絕緣層416，其具有合適的開孔，以避開基板上的埋入式元件410。
[0137]參閱圖4D，如圖中所示，涂布一絕緣膠418至絕緣膠片414與絕緣層416的開孔中，較佳地一并抽真空，以達到填覆及無氣泡要求，然后再熱固化絕緣膠418。
[0138]參閱圖4E，如圖中所示，進一步壓合一絕緣膠片420與一金屬層422于其上，以形成一核心層。由于上述的絕緣膠片420與金屬層422壓合于具有絕緣膠片414以及絕緣層416的基材之上時，其開口已被絕緣膠418所填滿，并填補埋入式元件410與絕緣膠片414以及絕緣層416的高度差，例如是使兩者高度一致，故絕緣膠片420與金屬層422可以形成一較為平坦的表面，以改善埋入式元件410因高度不同，而造成凹陷的問題，進而提高后續(xù)的影像轉(zhuǎn)移的線路的品質(zhì)。
[0139]在壓合絕緣膠片420與金屬層422于基材之后，接著將銅箔層406與承載層402利用分離層404剝離，亦即將承載層402與分離層404由銅箔層406上分離，以形成雙面均具有金屬層的電路板基材。
[0140]參閱圖4F，利用激光開窗以移除銅箔層406，并參閱標號480去除部分粘著劑412及/或絕緣材料，以形成開口 424，進而露出部分的第一端電極411、第二端電極413以及兩電極中間的非電極區(qū)域。開口 424，亦即用來后續(xù)形成所需形狀的導(dǎo)電窗的開口 460的長度462大于寬度464，參閱上方的圖4F(a)。
[0141]相較于傳統(tǒng)的導(dǎo)電窗，本發(fā)明的開口 460的寬度464約介于25微米(y m)至150微米之間，較佳地介于50微米至125微米之間，更佳地介于75微米至100微米之間。而開口 460的長度462大于開口 460的寬度464。因此，開口 460的長度462大于200微米，較佳地大于250微米之間，更佳地大于300微米。其中，于后續(xù)制作工藝中，開口 460中間將被電性隔離，以使其一分為二分別形成所需的導(dǎo)電窗，使第一端電極411的導(dǎo)電窗與第二端電極413的導(dǎo)電窗電性隔離。
[0142]同時參閱圖7，以01005芯片式電阻/電容為例，01005芯片式電阻/電容的元件長度710約為400微米，元件寬度720約為200微米，而其電極長度730約為100微米，而電極中間的非電極區(qū)域的非電極區(qū)域的長度760約為200微米。因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板制作方法，可形成一開口長度770約為300微米的導(dǎo)電窗，然后在去除部分電極中間的非電極區(qū)域的材料，使形成左右各一個的導(dǎo)電窗，其導(dǎo)電窗寬度740約為25微米，而開口 770則是以激光平行01005芯片式電阻/電容的長邊方向延伸，使其長度形成約在300微米左右，而當去除部分電極中間的非電極區(qū)域的導(dǎo)電窗材料后，左右的導(dǎo)電窗長度750約為50微米以上。因此，本發(fā)明可有效地增加導(dǎo)電窗的面積，且可以有效避免導(dǎo)電窗無法對準01005芯片式電阻/電容的電極的問題，進而避免搭接不良的情況。其中，左右的導(dǎo)電窗的距離可小于非電極區(qū)域的長度760。
[0143]回到圖4G，如圖所示，進行鉆孔，并形成導(dǎo)電層490于基材的表面，接著再分別形成上方光致抗蝕劑層492與下方光致抗蝕劑層494于基材的兩面，并進行圖案化，使其產(chǎn)生所需的電路圖案，且于電極中間的非電極區(qū)域形成一中間光致抗蝕劑495，以用來隔離后續(xù)的導(dǎo)電窗。
[0144]接著，參閱圖4H，如圖中所示，進行電鍍銅，以形成一圖案化的上方電鍍層496與圖案化的下方電鍍層498于導(dǎo)電層490之外，較佳地金屬層422以及導(dǎo)電層490也為銅箔層。然后形成移除上方光致抗蝕劑層492與下方光致抗蝕劑層494，包含中間光致抗蝕劑495。
[0145]參閱圖41，如圖中所示，進行閃蝕(flash etching)，以移除未被圖案化的上方電鍍層496與圖案化的下方電鍍層498所覆蓋的銅箔層406、金屬層422以及導(dǎo)電層490，亦即利用閃蝕制作工藝，以將電鍍層496與下方電鍍層498開口與周圍所露出的銅箔層406、金屬層422以及導(dǎo)電層490移除，以在基材上方與下方形成上方電路層430與下方電路層432。此實施例在光刻制作工藝的同時，利用中間光致抗蝕劑495，以形成兩獨立的導(dǎo)電窗。其中，導(dǎo)電窗中間的開口 482的寬度可小于非電極區(qū)域的長度，較佳地小于200微米，更佳地小于150微米。因此，所形成的導(dǎo)電窗甚至可連接埋入式元件410的第一端電極411與第二端電極413的側(cè)邊，以增加導(dǎo)電窗與電極的接觸面積。同時參閱圖7左側(cè)的立體圖，導(dǎo)電窗的距離小于非電極區(qū)域的長度760，且下方電路層或銅墊的距離也小于非電極區(qū)域的長度760。
[0146]如前所述，本發(fā)明的埋入式元件電路板也可進一步在其上方壓合一上方層板，并在其下方壓合一金屬導(dǎo)孔，以增加電路板的電路變化。其中，上方層板較佳地包含有一絕緣層與一金屬導(dǎo)孔，而下方層板較佳地包含有一絕緣層與一金屬導(dǎo)孔。值得注意的是，此實施例較佳地是采用負光致抗蝕劑制作工藝，而圖3A至圖31較佳地則是采用正光致抗蝕劑制作工藝。
[0147]因此，利用本發(fā)明的埋入式元件電路板，可有效地避免埋入式元件電路板產(chǎn)生凹陷的情況，以改善影像轉(zhuǎn)移線路的斷路的問題，且可改善導(dǎo)電窗與元件電極對準不易的情況，進而提高埋入式元件電路板的產(chǎn)品可靠度。
[0148]如熟悉此技術(shù)的人員所了解的，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的權(quán)利要求。凡其它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的權(quán)利要求內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種埋入式元件電路板制作方法，包含: 提供一基材，具有銅箔層、承載層與分離層； 利用一粘著劑固定一埋入式元件于該基材之上，其中該埋入式元件包含第一端電極與第二端電極； 壓合一第一絕緣膠片與一絕緣層于該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應(yīng)于該埋入式元件； 涂布一絕緣膠至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等于該絕緣層的高度； 壓合一第二絕緣膠片與一金屬層于該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層；以及 由銅箔層上，剝離該承載層與分離層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露出該第一端電極與該第二端電極。
2.如權(quán)利要求1所述的埋入式元件電路板制作方法，還包含，利用激光移除該銅箔層，以形成該開口，該開口的長度大于寬度；以及 去除該開口中的該粘著劑，以露出該第一端電極與該第二端電極。
3.如權(quán)利要求2所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的開口的該寬度介于25微米Om)至50微米之間，該長度大于50微米。
4.如權(quán)利要求3所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的開口的該寬度介于25微米Om)至40微米之間,該長度大于100微米。
5.如權(quán)利要求1所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的銅箔層在該第一端電極上形成有兩個以上的該開口，而該銅箔層在該第二端電極上也形成有兩個以上的該開□。
6.如權(quán)利要求5所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的開口的直徑約為25微米至50微米之間。
7.如權(quán)利要求1所述的埋入式元件電路板制作方法，還包含，在該利用一粘著劑固定一埋入式元件于該基材之上的步驟之前，利用激光形成該開口該銅箔層上。
8.如權(quán)利要求1所述的埋入式元件電路板制作方法，還包含: 利用激光形成該開口于該銅箔層上，且該開口是一長條形開口，由該第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至該第二端電極； 移除該長條形開口中的該粘著劑，以由該長條形開口中，露出該第一端電極、該第二端電極以及一非電極區(qū)域； 形成一電鍍層；以及 圖案化該電鍍層，以形成一上方電路層、一下方電路層與兩個導(dǎo)電窗，并且同時電性隔離該第一端電極與該第二端電極上的該兩個導(dǎo)電窗。
9.如權(quán)利要求8所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的兩個導(dǎo)電窗的距離小于該非電極區(qū)域的長度。
10.如權(quán)利要求1所述的埋入式元件電路板制作方法，還包含: 利用激光形成該開口于該銅箔層上，且該開口是一長條形開口，由該第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至該第二端電極； 移除該長條形開口中的該粘著劑，以由該長條形開口中露出該第一端電極、該第二端電極以及一非電極區(qū)域； 形成一導(dǎo)電層； 形成一圖案化的光致抗蝕劑層于該導(dǎo)電層之上； 形成一電鍍層于該圖案化的光致抗蝕劑層之中； 移除該圖案化的光致抗蝕劑層；以及 蝕刻該電鍍層開口中的該銅箔層與該導(dǎo)電層，以形成一上方電路層、一下方電路層與兩個導(dǎo)電窗，并且同時電性隔離該第一端電極與該第二端電極上的該兩個導(dǎo)電窗。
11.如權(quán)利要求10所述的埋入式元件電路板制作方法，其中上述的兩個導(dǎo)電窗的距離小于該非電極區(qū)域的長度。
12.—種埋入式元件電路板，包含: 基材，具有銅箔層、承載層與分離層； 埋入式元件，其中該埋入式元件包含第一端電極與第二端電極； 粘著劑，固定該埋入式元件于該基材之上； 第一絕緣膠片與絕緣層，壓合于該基材上，其中該第一絕緣膠片與該絕緣層具有開孔對應(yīng)于該埋入式元件； 絕緣膠，涂布至該第一絕緣膠片與該絕緣層的開孔中，其中該絕緣膠的高度約等于該絕緣層的高度；以及 第二絕緣膠片與金屬層，壓合于該絕緣膠與該絕緣層之上，以形成一核心層，其中，該銅箔層上形成有至少一開口，以露`出該第一端電極與該第二端電極，且當該第二絕緣膠片與該金屬層，壓合于該絕緣膠與該絕緣層之后，該承載層與該分離層由該基材上移除。
13.如權(quán)利要求12所述的埋入式元件電路板，其中上述的開口的寬度介于25微米(m)至50微米之間，該開口的長度大于50微米。
14.如權(quán)利要求12所述的埋入式元件電路板，其中上述的開口的寬度介于25微米(m)至40微米之間，該開口的長度大于100微米。
15.如權(quán)利要求12所述的埋入式元件電路板，其中上述的銅箔層在該第一端電極上形成有兩個以上的該開口，而該銅箔層在該第二端電極上也形成有兩個以上的該開口。
16.如權(quán)利要求15所述的埋入式元件電路板，其中上述的開口的直徑約為25微米至50微米之間。
17.如權(quán)利要求12所述的埋入式元件電路板，其中上述的開口是一長條形開口，由該第一端電極經(jīng)一非電極區(qū)域，延伸至該第二端電極；以及 兩個導(dǎo)電窗，形成于該長條形開口，且該兩個導(dǎo)電窗彼此電性隔離。
18.如權(quán)利要求17所述的埋入式元件電路板，其中上述的兩個導(dǎo)電窗的距離小于該非電極區(qū)域的長度。
【文檔編號】H05K3/30GK103635028SQ201210300615
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月22日
【發(fā)明者】逢郭龍, 石漢青, 范字遠, 楊偉雄 申請人:健鼎（無錫）電子有限公司