專利名稱：一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的制備方法，以及由該方法制得的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料。
背景技術(shù)：
目前，對有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管的研究已經(jīng)受到了廣泛的關(guān)注，這不僅是因為有機(jī)單晶能夠反映有機(jī)半導(dǎo)體最基本的材料特征，有利于對電子本質(zhì)特性的研究；還因為單晶的晶界、電荷陷阱密度被減少到了最小，從而有可能達(dá)到比有機(jī)薄膜場效應(yīng)晶體管更高的遷移率。另外，在實際應(yīng)用中，有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管具有突出的性能，與有機(jī)薄膜器件相比，有機(jī)單晶場效應(yīng)晶體管具有更高的器件性能。
現(xiàn)有技術(shù)中，生長有機(jī)單晶的方法有溶液法和物理氣相沉積法等。但是這些方法制備的單晶用于器件制備均有著各自的局限性。溶液法制得的有機(jī)單晶不易分離，且晶體內(nèi)存在大量缺陷；現(xiàn)有技術(shù)中物理氣相沉積法的操作步驟是:將襯底和蒸發(fā)源置于水平反應(yīng)器(石英管)中，在流動載氣存在的條件下，通過利用管式爐加熱蒸發(fā)源而在襯底上得到有機(jī)單晶，這樣制得的有機(jī)單晶需要進(jìn)行單晶轉(zhuǎn)移步驟并使單晶附著于介電材料后才能用于器件，因此與介電材料的接觸不好，界面質(zhì)量差，而且操作較繁瑣，單晶表面粗糙。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供一種直接在介電材料表面制備微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的方法，從而制得高質(zhì)量的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料及其制備方法，該方法包括利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在介電材料表面形成有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜，并在無水無氧條件下將表面形成有有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的介電材料進(jìn)行退火，使所述納米薄膜轉(zhuǎn)化為有機(jī)單晶納米材料，再利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長，以在介電材料表面形成微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，其中，所述納米薄膜的厚度為0.l-10nm。
優(yōu)選地，所述納米薄膜的制備方法為真空蒸發(fā)鍍膜法，所述有機(jī)半導(dǎo)體材料為并五苯。
通過上述技術(shù)方案，在介電材料表面上直接得到了微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，從而在很大程度上解決了有機(jī)單晶尺度偏小和與介電材料表面的接觸問題，即有可能提高了單晶尺寸和與介電材料表面之間的界面質(zhì)量，這些將有利于高性能器件的制備及器件傳輸性能的研究。本發(fā)明制備的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料具有極好的晶體完整性、豐富的宏觀形貌及一定分布范圍的二維尺度等特性，如具有二維尺度在0.1-10 μ m的塊狀或片狀結(jié)構(gòu)，或長度在1-20 μ m的棒狀或帶狀結(jié)構(gòu)。另外，通過延長氣相生長時間，可以進(jìn)一步增大微米尺度有機(jī) 小分子單晶材料的尺寸，從而為器件制備和材料分析表征提供高質(zhì)量的單晶材料。
而且，本發(fā)明提供的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的制備方法可以在較低溫度、常壓的條件下進(jìn)行，制備條件簡單；所得產(chǎn)物在介電材料的原位生成，無需晶體轉(zhuǎn)移步驟；在單晶生長過程中晶粒不會受到污染或損壞；可以通過控制晶體生長的溫度和時間來控制和調(diào)整單晶材料的形狀和最終尺寸，具有制備工藝簡單、易于控制的特點；且本發(fā)明的方法具有一定的普適性。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式
部分予以詳細(xì)說明。


附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實施方式
一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
圖1為管式爐的結(jié)構(gòu)示意圖2為并五苯納米薄膜原子力顯微鏡(AFM)形貌圖3為并五苯單晶納米材料掃描電鏡(SEM)形貌圖4為微米尺度并五苯單晶材料掃描電鏡(SEM)形貌圖5為微米尺度并五苯單晶材料電子透射電鏡(TEM)形貌圖6為微 米尺度并五苯單晶材料電子衍射花樣(SAED)圖。
附圖標(biāo)記說明
A表示退火后的產(chǎn)物放置的位置；
B表示蒸發(fā)源放置的位置。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式
僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
本發(fā)明提供一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的制備方法，其特征在于，該方法包括利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在介電材料表面形成有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜，并在無水無氧條件下將表面形成有有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的介電材料進(jìn)行退火，使所述納米薄膜轉(zhuǎn)化為有機(jī)單晶納米材料，再利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長，以在介電材料表面形成微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，其中，所述納米薄膜的厚度為0.Ι-lOnm，優(yōu)選為0.8-3.2nm。
根據(jù)本發(fā)明，所述納米薄膜可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的方法制得，如真空蒸發(fā)鍍膜法。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過真空蒸發(fā)鍍膜法制得納米薄膜可進(jìn)一步提高微米尺度有機(jī)小分子單晶材料質(zhì)量。
優(yōu)選地，所述真空蒸發(fā)鍍膜的條件包括沉積速度為0.001-0.0lnm/s，真空度為I X 10_5-1 X IO^mbar,沉積時介電材料所處的溫度為20_30°C，沉積時間為30_300s。
根據(jù)本發(fā)明，為了進(jìn)一步保證所述微米尺度有機(jī)小分子單晶材料質(zhì)量，還可以在制備納米薄膜之前對所述介電材料進(jìn)行清洗，清洗的方式可以為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的清洗方法，優(yōu)選情況下，用濃度為5-29重量％的氨水溶液對介電材料進(jìn)行超聲清洗。
根據(jù)本發(fā)明，所述介電材料可以為本領(lǐng)域常規(guī)的能夠耐受高溫(至少能耐受170°C高溫且不變形)的高分子聚合物或無機(jī)材料，優(yōu)選情況下，所述介電材料為SiO2、聚苯乙烯(PS)、聚酰亞胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的一種。
其中，可以根據(jù)器件的需求確定所述介電材料的厚度，一般情況下，所述介電材料的厚度為250-300nm。
根據(jù)本發(fā)明，所述介電材料可以為在襯底上形成介電層的形式。由于制備介電層的方法已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再贅述。
其中，所述方法還可以包括在利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長之后進(jìn)行襯底去除的步驟。
根據(jù)本發(fā)明，所述有機(jī)半導(dǎo)體材料可以為本領(lǐng)域常用的具有聯(lián)苯結(jié)構(gòu)的有機(jī)小分子材料，優(yōu)選為并五苯。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，運用本發(fā)明的方法以并五苯作為所述有機(jī)半導(dǎo)體材料制得并五苯微米尺度有機(jī)小分子單晶材料質(zhì)量比溶液法和單純的物理氣相沉積法制得的并五苯微米尺度有機(jī)小分子單晶材料質(zhì)量更高。
根據(jù)本發(fā)明，在所述退火過程中，所述納米薄膜中的分子發(fā)生了遷移，即原來形成納米薄膜的分子進(jìn)行了重聚，從而所述納米薄膜由原來二維的薄膜結(jié)構(gòu)向三維的晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，形成小尺寸的晶粒(整個過程并沒有脫離介電層表面)。因此，所述退火可以在較寬的條件下進(jìn)行，只要使所述納米薄膜轉(zhuǎn)化為有機(jī)單晶納米材料即可，優(yōu)選情況下，所述退火在無水無氧條件和溫度為60-160°C下保溫20-360min,更優(yōu)選在無水無氧條件和溫度為100-120°C下保溫60-120min。其中，所述無水無氧是指反應(yīng)器中的水含量在0.5ppm以下，氧氣含量在0.05ppm以下，可以通過反復(fù)往反應(yīng)器中充惰性氣體(如Ar和/或隊)再抽真空來實現(xiàn)。
所述退火只要在無水無氧條件下進(jìn)行即可實現(xiàn)本發(fā)明的目的，考慮到純凈的退火條件可以進(jìn)一步提高微米尺度有機(jī)小分子單晶材料質(zhì)量，優(yōu)選情況下，在惰性氣氛中進(jìn)行退火步驟，其中，所述惰性氣體可以與上述通入反應(yīng)器中的惰性氣體相同(如Ar和/或隊)。
根據(jù)本發(fā)明，只要將所述退火后的產(chǎn)物與蒸發(fā)源一起進(jìn)行氣相生長步驟即可制得微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，所述氣相生長法可以參照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行，優(yōu)選情況下，利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長的方式包括在載氣流動或在無水無氧的密封條件下，讓蒸發(fā)源蒸發(fā)得到的蒸汽與所述退火后的產(chǎn)物接觸以使有機(jī)單晶納米材料生長，所述蒸發(fā)源與所述有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的材質(zhì)相同。
為了得到宏觀形貌良好的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，所述氣相生長的沉積速度優(yōu)選為Ι-lOnm/s。優(yōu)選 地，所述蒸汽的溫度為220-300°C，所述退火后的產(chǎn)物所處的溫度為60-180°C。一般情況下，相對于內(nèi)直徑為IOmm的反應(yīng)器，所述載氣流動的速率為30_200sccmo
其中，所述載氣為超高純的Ar和/或N2。
本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，所述微米尺度有機(jī)小分子單晶材料具有二維尺度在0.1-10 μ m的塊狀或片狀結(jié)構(gòu)或具有二維長度在1-20 μ m的棒狀或帶狀結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選的實施方式，所述氣相生長步驟可以使用圖1所示的工藝流程進(jìn)行，如圖1所示，所述氣相生長步驟可以在管式爐的石英管中進(jìn)行，所述退火后的產(chǎn)物放置在石英管內(nèi)的位置A，蒸發(fā)源放置在石英管內(nèi)的位置B，按照載氣流向，位置B位于位置A的前方，用機(jī)械泵使載氣從石英管的一端通入，另一端排出，載氣的流動方向如箭頭所示，啟動管式爐和泵，蒸發(fā)源蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸汽隨載氣流動并與位置A的有機(jī)單晶納米材料接觸，通過控溫儀控制溫度，使得有機(jī)單晶納米材料所處的溫度較低，且低于蒸汽的溫度，從而蒸發(fā)源的蒸汽附著在有機(jī)單晶納米材料表面，使得有機(jī)單晶納米材料生長。
以下將通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。以下實施例中，并五苯從Sigma-Aldrich公司商購獲得，純度為97% ;使用的電阻爐為天津電爐廠生產(chǎn)的SK2_4_10A型管式爐，配備一根可抽真空和充入氣體的石英管(以下所用石英管的內(nèi)直徑為30_)，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1，箭頭表示惰性氣體的流動方向，石英管位于電阻爐內(nèi)部，退火后的產(chǎn)物放置于合適溫度處(圖1中的A處)，蒸發(fā)源放入石英管中央(圖1中的B處)，電阻爐是國產(chǎn)(天津瑪福爾公司)SK2-4-10A型管式馬弗爐，使用KSY-5-12A型控溫儀控制其溫度；惰性氣體為Ar ;機(jī)械泵為國產(chǎn)優(yōu)成4升泵；AFM購于Veeco公司，型號為NanoscopeIII型；SEM為日立4800型；TEM購于FEI公司，型號為Tecnai G2 F20 U-Twin型。
以下實施例中，納米薄膜的制備方法為:在Icm2的硅襯底上制備SiO2、聚苯乙烯或聚酰亞胺介電層(厚度為250-300nm)，用濃度為3重量％的氨水溶液超聲清洗介電層，再在真空度為I X 10_5-1 X 10_7mbar的真空條件下，采用真空蒸發(fā)鍍膜的方法在介電層表面沉積并五苯薄膜，沉積時介電材料所處的溫度為20-30°C，沉積速度為0.001-0.0lnm/s，沉積時間為30-300s,沉積的并五苯薄膜厚度對應(yīng)為0.Ι-lOnm,圖2為沉積在介電層表面的并五苯納米薄膜(厚0.8nm)的AFM形貌圖。納米薄膜及微米尺度并五苯單晶材料的厚度由AFM表征測得；微米尺度并五苯單晶材料的二維尺度/長度通過SEM表征測得。
實施例1
將沉積有并五苯薄膜(厚0.8nm)和SiO2介電層(厚300nm)的Si襯底放入石英管，將石英管置于管式爐中后封閉石英管，用機(jī)械泵抽真空至IOPa以下，然后充入惰性氣體至常壓，再抽真空至IOPa以下，后充入惰性氣體至常壓，如此反復(fù)操作2次，盡可能保證石英管內(nèi)無氧無水；最后一次充入惰性氣體，待石英管內(nèi)氣壓為常壓后，保持惰性氣體以50sCCm的速率流動。將管式爐升溫，達(dá)到80°C后保溫。保溫60min后，即可得到并五苯單晶納米材料，圖3為0.8nm并五苯薄膜退火后的SEM形貌圖。
另取IOmg并五苯作為蒸發(fā)源放到石英坩鍋中，將石英坩堝和上述得到的并五苯單晶納米材料作為籽晶置于另一石英管中，籽晶偏離石英坩堝約12cm，然后封閉石英管。同以上制備并五苯單晶納米材料過程，對封閉后的石英管進(jìn)行除氧和除水步驟，然后將管式爐升溫，待石英坩堝處和并五苯單晶納米材料處的溫度分別達(dá)到225°C和125°C后，繼續(xù)保溫600min即可得到微米尺度并五苯單晶材料，圖4、圖5和圖6分別為所得微米尺度并五苯單晶材料的SEM形貌圖、TE M形貌圖和SAED衍射花樣圖。
測得微米尺度并五苯單晶材料具有長度為ΙΟμπκ厚度為Ιμπι的六邊形塊狀結(jié)構(gòu)。從并五苯單晶納米材料和微米尺度并五苯單晶材料的SEM形貌圖可以看出，并五苯塊狀單晶納米材料的形狀與微米尺度并五苯單晶材料的形狀相同。
對比例I
取IOmg并五苯作為蒸發(fā)源放到石英 甘鍋中，將有SiO2介電層(厚300mm)的Si襯底與石英坩堝一起放入石英管內(nèi)，封閉石英管。襯底與石英坩堝的放置位置與實施例1相同。用機(jī)械泵抽真空至IOPa以下，然后充入惰性氣體至常壓，再抽真空至IOPa以下，后充入惰性氣體至常壓，如此反復(fù)操作2次，盡可能保證石英管內(nèi)無氧無水；最后一次充入惰性氣體，待石英管內(nèi)氣壓為常壓后，保持惰性氣體以50SCCH1的速率流動。然后將管式爐升溫，待石英坩堝處和并五苯單晶納米材料處的溫度分別達(dá)到225°C和125°C后，繼續(xù)保溫600min即可得到微米尺度并五苯單晶材料，分別觀察其SEM、TEM與SAED衍射花樣圖，測得微米尺度并五苯單晶材料具有直徑為200-300nm的圓斑狀結(jié)構(gòu)。
實施例2
將沉積有并五苯薄膜(厚6nm)和聚苯乙烯介電層(厚IOnm)的Si襯底放入石英管，將石英管置于管式爐后封閉石英管，用機(jī)械泵抽真空至IOPa以下，然后充入惰性氣體至常壓，再抽真空至IOPa以下，后充入惰性氣體至常壓，如此反復(fù)操作2次，盡可能的保證石英管內(nèi)無氧無水；最后一次充入惰性氣體，待石英管內(nèi)氣壓為常壓后，保持惰性氣體以50sCCm的速率流動。將管式爐升溫，達(dá)到130°C后保溫。保溫120min后，即可得到并五苯單晶納米材料。
另取IOmg并五苯為升華原料放到石英坩鍋中，將石英坩堝和上述得到的并五苯單晶納米材料作為籽晶置于另一石英管內(nèi)，籽晶偏離石英坩堝約12cm，封閉石英管。如同上面制備并五苯單晶納米材料過程，對封閉后的石英管進(jìn)行除氧和除水步驟，然后將管式爐升溫，待坩堝處和并五苯單晶納米材料處的溫度分別達(dá)到265°C和125°C后，繼續(xù)保溫300min即可得到微米尺度并五苯單晶材料，分別觀察其SEM、TEM與SAED衍射花樣圖，測得微米尺度并五苯單晶材料具有長度為5 μ m、厚度為0.5 μ m的塊狀結(jié)構(gòu)。
實施例3
將沉積有并五苯薄膜(厚IOnm)和聚酰亞胺介電層(厚20nm)的Si襯底放入石英管，將石英管置于管式爐后封閉石英管，用機(jī)械泵抽真空至IOPa以下，然后充入惰性氣體至常壓，再抽真空至IOPa以下，后充入惰性氣體至常壓，如此反復(fù)操作2次，盡可能的保證石英管內(nèi)無氧無水；最后一次充入惰性氣體，待石英管內(nèi)氣壓為常壓后，保持惰性氣體以50sCCm的速率流動。將管式爐升溫，達(dá)到160°C后保溫。保溫120min后，即可得到并五苯單晶納米材料。
另取IOmg并五苯作為蒸發(fā)源放到石英坩鍋中，將石英坩堝和上述得到的并五苯單晶納米材料作為籽晶置于另一石英管內(nèi)，籽晶偏離石英坩堝約12cm，封閉石英管。如同上面制備并五苯單晶納米材料過程，對封閉后的石英管進(jìn)行除氧和除水步驟，然后將管式爐升溫，待坩堝處和并五苯單晶納米材料處的溫度分別達(dá)到285°C和180°C后，繼續(xù)保溫300min即可得到微米尺度并五苯單晶材料，分別觀察其SEM、TEM與SAED衍射花樣圖，測得微米尺度并五苯單晶材料具有長度為2 μ m、厚度為0.2 μ m的塊狀結(jié)構(gòu)。
從實施例1-3和對比例I制備的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的單晶尺度和形狀可以看出，運用本發(fā) 明的方法制備微米尺度有機(jī)小分子單晶材料大大改善了有機(jī)單晶的晶體尺寸；本發(fā)明制得的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料具有極好的晶體性、良好的宏觀形貌及一定分布范圍的二維尺度等特性；而且本發(fā)明在介電材料原位生成微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，無需晶體轉(zhuǎn)移步驟即可直接用于器件，操作簡單。
以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
另外需要說明的是，在上述具體實施方式
中所描述的各個具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。
此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的`內(nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的制備方法，其特征在于，該方法包括利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在介電材料表面形成有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜，并在無水無氧條件下將表面形成有有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的介電材料進(jìn)行退火，使所述納米薄膜轉(zhuǎn)化為有機(jī)單晶納米材料，再利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長，以在介電材料表面形成微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，其中，所述納米薄膜的厚度為0.l-10nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述納米薄膜的厚度為0.8-3.2nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述納米薄膜的制備方法為真空蒸發(fā)鍍膜法，所述真空蒸發(fā)鍍膜的條件包括沉積速度為0.001-0.0lnm/s，真空度為I X 10_5_1 X 10_7mbar，沉積時介電材料所處的溫度為20-30°C，沉積時間為30-300S。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述介電材料為SiO2、聚苯乙烯、聚酰亞胺和聚甲基丙烯酸甲酯中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有機(jī)半導(dǎo)體材料為并五苯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述退火的條件包括溫度為60-160°C和時間為20_360mino
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長的方式包括:在載氣流動或在無水無氧的密封條件下，讓蒸發(fā)源蒸發(fā)得到的蒸汽與所述退火后的產(chǎn)物接觸以使有機(jī)單晶納米材料生長，所述蒸發(fā)源與所述有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的材質(zhì)相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述氣相生長的沉積速度為1-lOnm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中，所述蒸汽的溫度為220-300°C，所述退火后的產(chǎn)物所處的溫度為60-180°C。
10.由權(quán)利要求1-9 中任意一項所述的方法制得的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種微米尺度有機(jī)小分子單晶材料的制備方法，該方法包括利用有機(jī)半導(dǎo)體材料在介電材料表面形成有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜，并在無水無氧條件下將表面形成有有機(jī)半導(dǎo)體納米薄膜的介電材料進(jìn)行退火，使所述納米薄膜轉(zhuǎn)化為有機(jī)單晶納米材料，再利用氣相生長法使所述有機(jī)單晶納米材料生長，以在介電材料表面形成微米尺度有機(jī)小分子單晶材料，其中，所述納米薄膜的厚度為0.1-10nm。本發(fā)明方法在介電材料原位生成產(chǎn)物，單晶生長過程中晶粒不會受到污染或損壞，工藝簡單而又易控制，具有一定的普適性；制得的微米尺度有機(jī)小分子單晶材料具有極好的晶體完整性、豐富的宏觀形貌及一定分布范圍的二維尺度等特性。
文檔編號C30B29/54GK103147123SQ20111040432
公開日2013年6月12日 申請日期2011年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月7日
發(fā)明者江潮, 金橋, 李德興, 祁瓊 申請人:國家納米科學(xué)中心