專利名稱：電路載板的散熱結構的成型方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電路載板的散熱結構的成型方法，尤其是利用鍍鎳制程來改善填孔鍍銅能力以及多次鍍銅所產(chǎn)生的不均勻性。
背景技術：
參考圖A至圖F，分別為現(xiàn)有技術電路載板的散熱結構的成型方法的流程圖，如圖A所不,首先準備一電路基板1，該電路基板I包含一第一基板10 ;二第二基板15分別位于該第一基板10的上下兩側；二內(nèi)部銅層21位于該第一基板10與該第二基板15之間；以及二外部銅層23位于該第二基板15的外表面；接著，如圖B所示，同在電路基板I的表層形成多個開口，而暴露出內(nèi)部銅層21，所述開口包含至少一第一開口 31以及至少一第二開口 33，第一開口 31小于第二開口 33，而該第二開口大于或等于150x lOOum2。如圖C所示形成至少一第一鍍銅層25在電路基板I的表面,而該第一鍍銅層25填滿第一開口 31,但未填滿第二開口 33而使填入各該第二開口 33的第一鍍銅層25具有一凹陷(Dimple)處40。接著，如圖D所示，現(xiàn)有技術是透過至少一次鍍銅，而形成一鍍銅層60，該鍍銅層60較厚，以填滿整個凹陷處40，進一步用機械研磨方式，使表面平整。再來如圖E及圖F所示，是在鍍銅層60的表面形成圖案化的干膜。再經(jīng)過蝕刻并移除干膜后，在電路基板I的表面上形成具有第一銅凸塊71、第二銅凸塊73以及銅墊75的散熱結構層70，該散熱結構層70與內(nèi)部銅層21電氣連接?，F(xiàn)有技術的制作方式上，由于對于大于或等于150x IOOum2的開口不易一次填滿，需要多次鍍銅方式來完成，然而，多次鍍銅由于接口問題，過大容易產(chǎn)生不均勻的狀況，使電阻值不平均，另外，每次鍍銅將增加電阻值，因此需要后續(xù)的研磨，以達到符合標準的電阻規(guī)格，但此研磨方式不易控制，而使得電阻值不易標準化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法包含基板準備步驟、鉆孔步驟、第一鍍銅步驟、阻隔層形成步驟、阻隔層去除步驟、鍍鎳及化學移除步驟、第二鍍銅步驟、防蝕層形成步驟、蝕刻步驟、第二蝕刻及減薄步驟、干膜形成步驟以及散熱結構形成步驟?；鍦蕚洳襟E、鉆孔步驟、第一鍍銅步驟與現(xiàn)有技術相同，本發(fā)明的特點在第一鍍銅步驟后，在第一鍍銅層上形成一阻隔層，再移除除了在凹陷處的第一鍍銅層上的阻隔層，接著鍍鎳，再將第一鍍銅層上的阻隔層及其上的鍍鎳層移除，接著，在鍍鎳層及具有凹陷處的第一鍍銅層的表面形成一第二鍍銅層，使在第二孔洞中的第二鍍銅層與第一鍍銅層的總高度高于在第一孔洞中的第一鍍銅層的高度，而第二鍍銅層具有第二凹陷處。接著在第二凹陷處填入防蝕刻材料，再以化學方式去除除了被防蝕刻材料所遮蔽的第二鍍銅層，接著利用研磨方式及/或化學剝除方式將鍍鎳層、防蝕刻材料去除，而由于填入在第二孔洞中的第二鍍銅層高度大于第一鍍銅層，因此在研磨時會被移除，而形成相同的高度，最后依照現(xiàn)有技術形成圖案化的干膜，再蝕刻并移除干膜而得到所需的散熱結構層。本發(fā)明的特點在于利用鍍鎳的制程，透過鎳與銅的材料特性不同，作為開口大小不一、無法一次完成鍍層的基板在鍍銅時的阻擋層，避免多次鍍銅所產(chǎn)生的不均勻性，并且以鍍鎳層作為銅層之間的間隔，而定義出銅的臨界面，較能控制鍍銅的電阻值，而能來克服先前技術所面臨的問題。


圖IA至圖IF為現(xiàn)有技術電路載板的散熱結構的成型方法的逐步剖面示意圖；圖2為本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法的流程圖；圖3A至圖3L為本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法的逐步剖面示意圖。
具體實施方式
以下配合圖式及組件符號對本發(fā)明的實施方式做更詳細的說明，俾使熟悉本領域的技術人員在研讀本說明書后能據(jù)以實施。參考圖2以及圖3A至圖3L，分別為本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法的流程圖，以及本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法的逐步剖面示意圖。如圖2所示，本發(fā)明電路載板的散熱結構的成型方法SI包含基板準備步驟S11、鉆孔步驟S13、第一鍍銅步驟S15、阻隔層形成步驟S17、阻隔層去除步驟S19、鍍鎳及化學移除步驟S21、第二鍍銅步驟S23、防蝕層形成步驟S25、蝕刻步驟S27、第二蝕刻及減薄步驟S29、干膜形成步驟S31以及散熱結構形成步驟S33。同時參考圖3A,基板準備步驟Sll準備一電路基板，該電路基板I包含一第一基板10 ;二第二基板15分別位于該第一基板10的上下兩側；二內(nèi)部銅層21位于該第一基板10與該第二基板15之間；以及二外部銅層23位于該第二基板15的外表面，此電路基板I為現(xiàn)有的三層板，本發(fā)明僅用于示例，但不限于此。同時參考圖3B，鉆孔步驟S 13是在電路基板I的表層形成多個開口，而暴露出內(nèi)部銅層21，所述開口包含至少一第一開口 31以及至少一第二開口 33，第一開口 31小于第二開口 33，而該第二開口大于或等于150x lOOum2。同時參考圖3C，第一鍍銅步驟S15是形成至少一第一鍍銅層25在電路基板I的表面，而該第一鍍銅層25填滿第一開口 31，但未填滿第二開口 33而使填入各該第二開口 33的第一鍍銅層25具有一凹陷(Dimple)處40。同時參考圖3D及圖3E，阻隔層形成步驟S17是在第一鍍銅層25上形成一阻隔層52，阻隔層去除步驟S19，再以機械方式移除阻隔層52，由于在凹陷處40上的阻隔層52較低而被保留下來。同時參考圖3F，鍍鎳及化學移除步驟S19是在第一鍍銅層25及阻隔層52的表面形成一鍍鎳層27，再以化學方式移除在凹陷處40上保留的阻隔層52及阻隔層上的部分鍍鎳層27，使在凹陷處40沒有形成鍍鎳層27。同時參考圖3G，第二鍍銅步驟S23是在鍍鎳層27及具有凹陷處40的第一鍍銅層25的表面形成一第二鍍銅層29，使在第二孔洞33中的第二鍍銅層29與第一鍍銅層25的總高度高于在第一孔洞31中的第一鍍銅層25的高度，而第二鍍銅層29具有第二凹陷處42。同時參考圖3H，防蝕層形成步驟S25是在第二凹陷處42填入一防蝕刻材料54。蝕刻步驟S27是以化學方式去除除了被防蝕刻材料54所遮蔽的第二鍍銅層29。同時參考圖31，第二蝕刻及減薄步驟S29是以研磨方式及/或化學剝除方式將鍍鎳層27、防蝕刻材料54去除，而由于填入在第二孔洞33中的第二鍍銅層29高度大于第一鍍銅層25，因此在研磨時會被移除，而形成相同的高度，而形成如圖3J所示的結構，進一步可以在依照所需的電阻減薄第一鍍銅層25的厚度。參考圖3K，干膜形成步驟S31，是在電路基板I的表面形成一第二鍍銅層29形成圖案化的干膜或光阻56。參考圖3L，散熱結構形成步驟S33經(jīng)過蝕刻并移除干膜后，在電路基板I的表面上形成具有第一銅凸塊81、第二銅凸塊83以及銅墊85的散熱結構層80，該散熱結構層80與內(nèi)部銅層21電氣連接。本發(fā)明的特點在于利用鍍鎳的制程，透過鎳與銅的材料特性不同，作為對于開口大小不一、無法一次完成鍍層的基板鍍銅時的阻擋層，避免多次鍍銅所產(chǎn)生的不均勻性，并 且以鍍鎳層作為銅層之間的間隔，而定義出銅的臨界面，較能控制鍍銅的電阻值，而能來克服先前技術所面臨的問題。以上所述者僅為用以解釋本發(fā)明的較佳實施例，并非企圖據(jù)以對本發(fā)明做任何形式上的限制，因此，凡是在相同的精神下所作有關本發(fā)明的任何修飾或變更，皆仍應包括在本發(fā)明意圖保護的范疇。
權利要求
1.一種電路載板的散熱結構的成型方法，其特征在于，該成型方法包含 一基板準備步驟，準備一電路基板； 一鉆孔步驟，在該電路基板的表層形成多個開口，而在所述開口中暴露出該電路基板中的至少一內(nèi)部銅層，所述開口包含至少一第一開口以及至少一第二開口，該至少一第一開口小于該至少一第二開口，而該至少一第二開口大于或等于150X IOOum2 ； 一第一鍍銅步驟，形成至少一第一鍍銅層在該電路基板的表面，該第一鍍銅層填滿該至少一第一開口，但未填滿該至少一第二開口，而使填入各該第二開口的該第一鍍銅層具有一凹陷處； 一阻隔層形成步驟，是該第一鍍銅層上形成一阻隔層， 一阻隔層去除步驟，移除除了在該凹陷處上的該阻隔層； 一鍍鎳及化學移除步驟，是在該第一鍍銅層及在該凹陷處上的該阻隔層上形成一鍍鎳層，再以化學方式移除該凹陷處上的該阻隔層及該阻隔層上的部分鍍鎳層，使在該凹陷處沒有該鍍鎳層； 一第二鍍銅步驟，在該鍍鎳層及具有該凹陷處的該第一鍍銅層的表面形成一第二鍍銅層，使該第二孔洞中的第一鍍銅層及第二鍍銅層的總高度高于在該第一孔洞中第一鍍銅層的高度，在第二孔洞中該第二鍍銅層具有一第二凹陷處； 一防蝕層形成步驟，是在該第二凹陷處填入一防蝕刻材料； 一蝕刻步驟，是以化學方式去除除了被防蝕刻材料遮蔽的第二鍍銅層； 一第二蝕刻及減薄步驟，是以研磨方式將該鍍鎳層、該防蝕刻材料去除，并使填入在所述第二孔洞中的該第二鍍銅層形成與該第一鍍銅層相同的高度； 一干膜形成步驟，是在該第一鍍銅層與該第二鍍銅層的表面形成圖案化的一干膜；以及 一散熱結構形成步驟，蝕刻并移除將該干膜移除，而形成具有多個第一銅凸塊、多個第二銅凸塊以及多個銅墊的一散熱結構層。
2.如權利要求I所述的方法，其特征在于，進一步在該第二蝕刻及減薄步驟減薄該第一鍍銅層的高度。
3.如權利要求I所述的方法，其特征在于，該散熱結構層與該內(nèi)部銅層電氣連接。
4.如權利要求I所述的方法，其特征在于，該電路基板包含 一第一基板; 二第二電路基板，分別位于該第一基板的上下兩側； 二該內(nèi)部銅層位于該第一基板與該第二基板之間；以及 二外部銅層位于該第二基板的外表面。
全文摘要
一種電路載板的散熱結構的成型方法，包括阻隔層形成步驟、阻隔層去除步驟、鍍鎳及化學移除步驟、第二鍍銅步驟、防蝕層形成步驟、蝕刻步驟，及第二蝕刻及減薄步驟，在第一鍍銅層的凹陷處上形成阻隔層，接著鍍鎳，移除凹陷處中阻隔層及鍍鎳層，再形成第二鍍銅層，使第二孔洞中鍍銅的總高度高于第一孔洞中鍍銅層的高度，填入防蝕刻材料、去除第二鍍銅層，再以研磨及化學剝除去除鍍鎳層及防蝕刻材料，使鍍銅層高度相同，再以影像轉移形成圖案，藉由鍍鎳作為無法一次完成鍍銅的阻擋層及臨界面，改善因多次鍍銅所產(chǎn)生的厚度不均，且容易控制電阻值。
文檔編號H05K3/00GK102905470SQ201110213260
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月28日 優(yōu)先權日2011年7月28日
發(fā)明者張謙為, 林定皓, 陳亞詳, 盧德豪 申請人:景碩科技股份有限公司