專利名稱：一種晶體生長熱場用保溫桶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種人工晶體生產(chǎn)設(shè)備，特別涉及一種晶體生長熱場保溫桶。
背景技術(shù)：
在晶體生長中，溫度梯度的控制十分重要，控制熱場的溫度梯度更是生長出優(yōu)質(zhì)晶體材料的關(guān)鍵。不同的晶體材料不同的生長方法，對溫度梯度要求不同，溫度梯度成為生長出優(yōu)質(zhì)晶體的關(guān)鍵技術(shù)之一。傳統(tǒng)的保溫桶多采用單層保溫裝置，并且通過分別將保溫桶或坩堝上下移動，使保溫桶與坩堝產(chǎn)生相對位移，從而獲得晶體生產(chǎn)所需的溫度梯度。 而采用這種方式，單層的保溫結(jié)構(gòu)，保溫效果不明顯；移動保溫桶或坩堝影響晶體的生長環(huán)境，并且位移的精確度難以把握。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種保溫效果良好、并能獲得穩(wěn)定的溫度梯度的晶體生長熱場保溫桶。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題，所采用的技術(shù)方案是提供一種晶體生長熱場用保溫桶，該保溫桶包括外保溫屏和內(nèi)保溫屏，所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏之間設(shè)有保溫夾層， 所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。作為一優(yōu)選方案，所述保溫夾層內(nèi)設(shè)有多根直桿、上圓環(huán)和下圓環(huán)，所述上圓環(huán)位于所述多根直桿的上方，所述下圓環(huán)位于多根直桿的下方，所述上圓環(huán)、下圓環(huán)用于固定所述多根直桿；所述多根直桿、上圓環(huán)和下圓環(huán)都是采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。作為一優(yōu)選方案，所述直桿的長度小于所述外保溫屏或所述內(nèi)保溫屏的長度，所述直桿在所述保溫夾層內(nèi)的高度可調(diào)。作為一優(yōu)選方案，所述直桿的截面形狀是圓形、三角形、長方形。作為一優(yōu)選方案，所述內(nèi)保溫屏的內(nèi)徑是250mm-350mm、厚度3mm-6mm、高度 300mm-360mmo作為一優(yōu)選方案，所述保溫夾層的厚度為15mm-25mm。作為一優(yōu)選方案，所述直桿的長度為200mm-250mm。本發(fā)明的上述技術(shù)方案相對于現(xiàn)有技術(shù)，取得的有益效果是(1)本發(fā)明采用雙層保溫屏(即內(nèi)保溫屏與外保溫屏)的結(jié)構(gòu)，以及在雙層保溫屏之間設(shè)有一保溫夾層，加強了保溫的效果，從而保證了晶體生產(chǎn)的高溫環(huán)境；內(nèi)保溫屏與外保溫屏采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物的材質(zhì)制成，充分利用了鎢、鉬等材質(zhì)熔點高、熱傳導(dǎo)性能好的特點，進(jìn)一步保證了晶體的生產(chǎn)環(huán)境，并減少了能量損耗的特點。(2)本發(fā)明所說的保溫夾層進(jìn)一步采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成的多根直桿、 上圓環(huán)和下圓環(huán)，更進(jìn)一步利用鎢、鉬等材質(zhì)熔點高、熱傳導(dǎo)性能好的特點，為晶體的生長環(huán)境提供了保障，減少了能量的損耗。(3)直桿的長度小于外保溫屏或內(nèi)保溫屏的高度，直桿在保溫夾層內(nèi)的高度可以調(diào)節(jié)?？梢愿鶕?jù)晶體的生長需要，預(yù)先設(shè)定好直桿在保溫夾層的高度，從而達(dá)到預(yù)期的晶體生長溫度曲線。(4)內(nèi)保溫屏的內(nèi)徑大小、厚度、高度可根據(jù)需要生產(chǎn)的晶體大小進(jìn)行設(shè)置。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中圖1是本發(fā)明所述晶體生長熱場保溫桶剖視示意圖；圖2是本發(fā)明所述晶體生長熱場保溫桶另一實施例剖視示意圖；圖3是本發(fā)明所述晶體生長熱場保溫桶俯視示意圖(去除上圓環(huán))。
具體實施例方式為了使本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，以下結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。如圖1、圖3所示，本發(fā)明所述的晶體生長熱場保溫，包括外保溫屏10和內(nèi)保溫屏 20，外保溫屏10與內(nèi)保溫屏20之間設(shè)有保溫夾層，保溫夾層內(nèi)設(shè)有多根直桿30、上圓環(huán)40 和下圓環(huán)50，上圓環(huán)40位于多根直桿30的上方，下圓環(huán)50位于多根直桿30的下方，上圓環(huán)40、下圓環(huán)50用于固定多根直桿30。其中，外保溫屏10、內(nèi)保溫屏20采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成，同理，多根直桿30、上圓環(huán)40和下圓環(huán)50都是采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。本發(fā)明采用雙層保溫屏結(jié)構(gòu)(內(nèi)保溫屏10和外保溫屏20)，以及在雙層保溫屏之間設(shè)有一保溫夾層，加強了保溫的效果，從而保證了晶體生產(chǎn)的高溫環(huán)境。并且，上述雙保溫屏10、20、直桿30、上圓環(huán)40和下圓環(huán)50都采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成，充分利用了鎢、鉬等材質(zhì)熔點高、熱傳導(dǎo)性能好的特點，進(jìn)一步保證了晶體的生產(chǎn)環(huán)境，并減少了能量損耗的特點。如圖1所示，直桿30的長度小于外保溫屏10或內(nèi)保溫屏20的高度，直桿30在保溫夾層內(nèi)的高度可調(diào)。因此，可以根據(jù)晶體的生長需要，預(yù)先設(shè)定好直桿30在保溫夾層的高度，從而達(dá)到預(yù)期的晶體生長溫度曲線。例如，晶體生長所需要環(huán)境，需要中間的溫度較高，則將由鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成的直桿30設(shè)置于中部區(qū)域，以達(dá)到中部區(qū)域較好的保溫效果，有利于晶體的生長。如圖2所示，當(dāng)晶體生產(chǎn)環(huán)境的底部需要較高溫度時，則將直桿30往底部移動，并用上圓環(huán)40、下圓環(huán)50用于固定直桿30。因此，在晶體生產(chǎn)過程中，不需要移動坩堝(圖中未示出)的高度以使晶體生長過程中對不同溫度的需求。如圖2 所示，為達(dá)到較好的熱輻射、熱對流和熱傳導(dǎo)的效果，直桿30的截面形狀可以是圓形、三角形、長方形等，但不限于此。在晶體的實際生產(chǎn)過程中，晶體生長的環(huán)境的兩種實施例如下表所示。
權(quán)利要求
1.一種晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，包括外保溫屏和內(nèi)保溫屏，所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏之間設(shè)有保溫夾層，所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述保溫夾層內(nèi)設(shè)有多根直桿、上圓環(huán)和下圓環(huán)，所述上圓環(huán)位于所述多根直桿的上方，所述下圓環(huán)位于多根直桿的下方，所述上圓環(huán)、下圓環(huán)用于固定所述多根直桿；所述多根直桿、上圓環(huán)和下圓環(huán)都是采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述直桿的長度小于所述外保溫屏或所述內(nèi)保溫屏的高度，所述直桿在所述保溫夾層內(nèi)的高度可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述直桿的截面形狀是圓形、三角形、長方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述內(nèi)保溫屏的內(nèi)徑是 250mm-350mm、厚度 3mm-6mm、高度 300mm-360mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述保溫夾層的厚度為 15mm-25mm0
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長熱場用保溫桶，其特征在于，所述直桿的長度為 200mm-250mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體生長熱場用保溫桶，包括外保溫屏和內(nèi)保溫屏，所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏之間設(shè)有保溫夾層，所述外保溫屏與所述內(nèi)保溫屏采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物制成。采用上述技術(shù)方案，采用雙層保溫屏(即內(nèi)保溫屏與外保溫屏)的結(jié)構(gòu)，以及在雙層保溫屏之間設(shè)有一保溫夾層，加強了保溫的效果，從而保證了晶體生產(chǎn)的高溫環(huán)境；內(nèi)保溫屏與外保溫屏采用鎢、鉬或鎢、鉬的組合物的材質(zhì)制成，充分利用了鎢、鉬等材質(zhì)熔點高、熱傳導(dǎo)性能好的特點，進(jìn)一步保證了晶體的生產(chǎn)環(huán)境，并減少了能量損耗的特點；直桿在保溫夾層內(nèi)的高度可以調(diào)節(jié)，可以根據(jù)晶體的生長需要，預(yù)先設(shè)定好直桿在保溫夾層的高度，從而達(dá)到預(yù)期的晶體生長溫度曲線。
文檔編號C30B11/00GK102304768SQ201110206889
公開日2012年1月4日 申請日期2011年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月22日
發(fā)明者葉長圳, 趙慧彬, 黃小衛(wèi) 申請人:福建鑫晶精密剛玉科技有限公司