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一種加熱線圈盤(pán)的制作方法

文檔序號(hào):8039715閱讀:179來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):一種加熱線圈盤(pán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新形涉及電磁感應(yīng)加熱領(lǐng)域,具體涉及一種加熱線圈盤(pán)。
背景技術(shù)
現(xiàn)今家電產(chǎn)品中特別是電磁爐,其能效的核心器件就是加熱線圈盤(pán)。線圈盤(pán)產(chǎn)生 的磁場(chǎng),使加載其上的器具產(chǎn)生感應(yīng)電流,即達(dá)到器具的自發(fā)熱,實(shí)現(xiàn)了能量的高效率轉(zhuǎn) 換。當(dāng)今電磁爐中的線圈盤(pán)主要是漆包線組繞制在PBT (Polybutylene Ter印hthalate,聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯)塑料支架盤(pán)上,形成同心圓形器具。一般線圈盤(pán)平 面的置于電磁爐微晶面板下表面,微晶上表面放置器具,其各區(qū)域與器具底部距離恒定為 6-13mm,但是由磁力場(chǎng)疊加和抵消原理、以及磁力線的正態(tài)分布可知,由于線圈盤(pán)外圈區(qū)域 磁力線較少,而靠近內(nèi)圈區(qū)域磁力線較集中,所以對(duì)于器具的加熱往往是不平衡的;在中心 位置由于磁力線的相互抵消和排斥往往造成中心磁力線較弱,從而普通平面分布的感應(yīng)線 圈其加熱效果為外圈和中心加熱效果均比較欠缺,而線圈盤(pán)的中心和外圍之間的環(huán)形區(qū) 域加熱較強(qiáng)。因此,本發(fā)明的發(fā)明人在對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的分析和實(shí)踐過(guò)程中發(fā)現(xiàn)在烹飪時(shí)加熱 不均,造成烹飪效果不佳,以及由于受熱不均對(duì)器具造成損害。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新形解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有技術(shù)中加熱線圈盤(pán)加熱不均勻的問(wèn)題,從而提 供了 一種加熱更均勻的加熱線圈盤(pán)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新形提供如下技術(shù)方案一種加熱線圈盤(pán),用于加熱位于其上的器具,所述線圈盤(pán)包括具有繞線部的線圈 盤(pán)支架,所述繞線部上繞有線圈,所述線圈沿從中心向外的方向上,其與所述器具底部之間 的距離逐漸減小。進(jìn)一步地,所述線圈盤(pán)支架的繞線部呈中心低、周?chē)叩碾A梯狀。進(jìn)一步地,所述線圈盤(pán)支架的剖面呈V形。進(jìn)一步地,所述表面與器具的底部之間的角度為150度-160度。進(jìn)一步地,所述線圈盤(pán)支架設(shè)有若干個(gè)擋板,相鄰擋板形成用于放置線圈的若干 個(gè)線圈槽。 進(jìn)一步地,所述線圈槽的內(nèi)圈線圈槽繞有多層線圈。進(jìn)一步地,所述線圈盤(pán)支架背面還設(shè)置有用于放置磁條的卡槽進(jìn)一步地,卡槽呈輻條狀分布。進(jìn)一步地,磁條為聚磁鐵氧體。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新形具有如下有益效果本實(shí)用新形實(shí)施例提供的一種 加熱線圈盤(pán),由于線圈的外圈與器具底部表面的距離小于線圈內(nèi)圈與器具底部表面的距 離,外圈線圈的磁力線向內(nèi)聚,內(nèi)圈線圈的磁力線向中心偏移,因此磁力線較均勻地分布在器具底部圓周上,使得磁場(chǎng)分布更均勻,加熱更均勻。
圖1是本實(shí)用新形第一實(shí)施例加熱線圈盤(pán)縱剖面示意圖。圖2是本實(shí)用新形第二實(shí)施例加熱線圈盤(pán)縱剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新形所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白,以下 結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新形進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施 例僅僅用以解釋本實(shí)用新形,并不用于限定本實(shí)用新形。一種加熱線圈盤(pán),用于加熱位于其上的器具,所述線圈盤(pán)包括具有繞線部的線圈 盤(pán)支架1,繞線部上繞有線圈3,所述線圈沿從中心向外的方向上,其與所述器具底部之間 的距離逐漸減小。由于線圈的外圈與器具底部表面的距離小于線圈內(nèi)圈與器具底部表面的 距離,外圈線圈的磁力線向內(nèi)聚,內(nèi)圈線圈的磁力線向中心偏移,因此磁力線較均勻地分布 在器具底部圓周上,使得磁場(chǎng)分布更均勻,加熱更均勻。圖1是本實(shí)用新形第一實(shí)施例加熱線圈盤(pán)剖面示意圖;該圖中線圈盤(pán)支架1的底 面為一水平面,線圈盤(pán)支架的繞線部呈階梯狀。階梯狀的劃分,可由內(nèi)向外各圈可分成等分 的若干段,處于同一段的一圈或者幾圈線圈槽深度是相同的,各段線圈槽的深度由外到內(nèi) 圈是依次加深的;從而在線圈盤(pán)支架1的繞線部的線圈形成了向下凹的特點(diǎn)。這樣就形成 了一圈為一個(gè)階梯或者幾圈為一個(gè)階梯的線圈盤(pán)。線圈3選用漆包線,漆包線可以由內(nèi)圈 往外圈逐圈繞制,漆包線在槽內(nèi)緊貼槽底;漆包線從最內(nèi)圈引進(jìn),最外圈引出并形成兩個(gè)端 子。漆包線也可以由外圈往內(nèi)圈逐圈繞制,漆包線在槽內(nèi)緊貼槽底;漆包線從最外圈引進(jìn), 最內(nèi)圈引出并形成兩個(gè)端子。線圈盤(pán)支架設(shè)有若干個(gè)擋板2,相鄰擋板形成用于放置線圈3的若干個(gè)線圈槽;線 圈槽使不同圈之間的線圈隔開(kāi),便于散熱,防止匝間短路。若干個(gè)擋板在不同的階梯處高度 不同,內(nèi)圈的擋板高度高于外圈的擋板高度,由于內(nèi)圈的擋板高度比較高,故在內(nèi)圈,每一 個(gè)繞線圈槽中可以繞多圈的線圈,從而實(shí)現(xiàn)一種塔式加熱,外圈的磁力線向內(nèi)偏移,向外發(fā) 散的磁力線有效減少,不但有效減少磁漏而且充分利用磁能,可以更好的彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中 加熱不均勻的問(wèn)題。在線圈盤(pán)支架1背面還設(shè)置有用于放置磁條4的卡槽(圖中未顯示); 卡槽呈輻條狀分布;本實(shí)施例中磁條4為聚磁鐵氧體。由于本實(shí)施例中線圈盤(pán)支架1的背 面為水平,其分布的卡槽和聚磁鐵氧體也為水平分布。圖2是本實(shí)用新形第二實(shí)施例加熱線圈盤(pán)剖面示意圖;該圖中線圈盤(pán)支架1的各 部分高度相同,但線圈盤(pán)支架1從內(nèi)圈和外圈不在同一水平面內(nèi),線圈盤(pán)支架1的外圈高于 內(nèi)圈,即外圈與器具底部的距離小于內(nèi)圈與器具底部的距離,這樣線圈盤(pán)支架的縱剖面與 器具底部表面之間呈一角度;線圈盤(pán)支架的縱剖面呈“V”形的圖形,形成內(nèi)低外高傾斜的 斜面,可以更好的彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)中加熱不均勻的問(wèn)題。在一實(shí)施例中,所述V形開(kāi)口的角度 優(yōu)選150° -160°,即圖中角α的角度為150° -160°。線圈盤(pán)支架1設(shè)有若干個(gè)擋板,相鄰擋板形成用于放置線圈3的若干個(gè)線圈槽;線 圈槽使不同圈之間的線圈隔開(kāi),便于散熱,防止匝間短路;所有擋板的高度相同。在線圈盤(pán)支架1背面還設(shè)置有用于放置磁條4的卡槽(圖中未顯示);卡槽呈輻條狀分布;本實(shí)施例中 磁條4為聚磁鐵氧體。由于本實(shí)施例中線圈盤(pán)支架1的背面為傾斜的,其分布的卡槽和聚 磁鐵氧體也與水平面傾斜,線圈盤(pán)支架的縱剖面是內(nèi)低外高傾斜的“V”形斜面;其上的線 圈槽深度雖然相同,但是由于線圈盤(pán)支架1是傾斜的,使得其上的線圈是呈向下凹的特點(diǎn)。 線圈盤(pán)支架1傾斜的角度視具體要求而定。線圈3選用漆包線,漆包線可以由內(nèi)圈往外圈 逐圈繞制,漆包線在槽內(nèi)緊貼槽底;漆包線從最內(nèi)圈引進(jìn),最外圈引出并形成兩個(gè)端子。漆 包線也可以由外圈往內(nèi)圈逐圈繞制,漆包線在槽內(nèi)緊貼槽底;漆包線從最外圈引進(jìn),最內(nèi)圈 引出并形成兩個(gè)端子。線圈3形成一“V”形圓環(huán),使得外圈磁力線向內(nèi)聚,內(nèi)部磁力磁力線 向中心偏移,向外發(fā)散的磁力線有效減少。不但有效減少磁漏而且充分利用磁能;因此磁力 線較均勻地分布在器具底部圓周上,使得器具底部受熱更均勻。 以上所述僅為本實(shí)用新形的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新形,凡在本 實(shí)用新形的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新形 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種加熱線圈盤(pán),用于加熱位于其上的器具,所述線圈盤(pán)包括具有繞線部的線圈盤(pán) 支架,所述繞線部上繞有線圈,其特征在于,所述線圈沿從中心向外的方向上,其與所述器 具底部之間的距離逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述線圈盤(pán)支架的繞線部呈中心 低、周?chē)叩碾A梯狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述線圈盤(pán)支架的剖面呈V形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述V形開(kāi)口的角度為150度-160度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述線圈盤(pán)支架設(shè)有若 干個(gè)擋板,相鄰擋板形成用于放置線圈的若干個(gè)線圈槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述線圈槽的內(nèi)圈線圈槽繞有多 層線圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,所述線圈盤(pán)支架背面還 設(shè)置有用于放置磁條的卡槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,卡槽呈輻條狀分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的加熱線圈盤(pán),其特征在于,磁條為聚磁鐵氧體。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新形公開(kāi)了一種加熱線圈盤(pán),用于加熱位于其上的器具,所述線圈盤(pán)包括具有繞線部的線圈盤(pán)支架,所述繞線部上繞有線圈,其特征在于,所述線圈沿從中心向外的方向上,其與所述器具底部之間的距離逐漸減小。由于線圈的外圈與器具底部表面的距離小于線圈內(nèi)圈與器具底部表面的距離,外圈線圈的磁力線向內(nèi)聚,內(nèi)圈線圈的磁力線向中心偏移,因此磁力線較均勻地分布在器具底部圓周上,使得磁場(chǎng)分布更均勻,加熱更均勻。
文檔編號(hào)H05B6/36GK201910943SQ20102063316
公開(kāi)日2011年7月27日 申請(qǐng)日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者葉成剛, 李梅, 王都, 黃慶 申請(qǐng)人:比亞迪股份有限公司
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