專(zhuān)利名稱(chēng)：通訊裝置及其電路板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通訊裝置及其電路板結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種多個(gè)電路之間不易被 彼此噪聲干擾的通訊裝置及其電路板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)多個(gè)不同電路設(shè)置于一個(gè)電路板上時(shí)，每一部分的電路都有自 己的金屬遮蔽層，而每一電路的接地端都會(huì)連接到各自的金屬遮蔽層，以加強(qiáng)噪聲隔離的 效果。且已知的金屬遮蔽層下方會(huì)采用密集的金屬柵欄型式再插入電路板以加強(qiáng)電路之間 的遮蔽效果。但是隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)電子裝置的要求愈來(lái)愈走向精致化，既要體積 小又要功能性強(qiáng)，而當(dāng)電子裝置的尺寸愈來(lái)愈小、但需要的功能卻又愈來(lái)愈多時(shí)，電子裝置 內(nèi)已沒(méi)有足夠空間讓每一部分的電路有自己的金屬遮蔽層，因此，多個(gè)電路必須共享同一 個(gè)金屬遮蔽層，而且各個(gè)金屬遮蔽層也僅以一個(gè)金屬壁隔離。同時(shí)，為減少電路板整體體 積，各個(gè)金屬遮蔽層下方的金屬柵欄也變得較稀疏。然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，即便多個(gè)電路共享一個(gè)電子遮蔽層，各電路的接地端還是連 接金屬遮蔽層，因此，多個(gè)電路之間的噪聲隔離效果降低，而容易被彼此的噪聲干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是彌補(bǔ)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種通訊裝置及 其電路板結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有電路板中多個(gè)電路共享一個(gè)金屬遮蔽層時(shí)彼此間容易產(chǎn)生噪聲 干擾的問(wèn)題。本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下的技術(shù)方案予以解決—種電路板結(jié)構(gòu)，所述電路板結(jié)構(gòu)包含一電路層、一絕緣層及一接地層，所述電路 層包括一第一電路區(qū)及一第二電路區(qū)；所述絕緣層設(shè)置于所述電路層的下方，所述接地層 設(shè)置于絕緣層的下方，且接地層向上穿過(guò)絕緣層延伸一隔離體以隔離第一電路區(qū)與第二電 路區(qū)；第一電路區(qū)與第二電路區(qū)的接地端電氣連接接地層，而第二電路區(qū)與隔離體系間隔
一空隙。優(yōu)選的，絕緣層具有多個(gè)開(kāi)孔，且每一開(kāi)孔中形成有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一電路區(qū) 與所述第二電路區(qū)系透過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電氣連接接地層。優(yōu)選的，所述第一電路區(qū)為鉛、錫、銀、銅、金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲、鎵、鈀及
前述金屬所組成的合金中的一種。優(yōu)選的，所述第二電路區(qū)為鉛、錫、銀、銅、金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲、鎵、鈀及
前述金屬所組成的合金中的一種。本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下進(jìn)一步的技術(shù)方案予以解決一種通訊裝置，包含一電路板結(jié)構(gòu)、一第一金屬屏蔽結(jié)構(gòu)、一射頻電路及一基頻電 路；所述電路板結(jié)構(gòu)包含一電路層、一絕緣層和一接地層；所述電路層包括一第一電路區(qū)及一第二電路區(qū)，所述絕緣層設(shè)置于電路層的下方，所述接地層置于絕緣層的下方，且接地 層系向上穿過(guò)絕緣層延伸一隔離體以隔離第一電路區(qū)與第二電路區(qū)；所述第一電路區(qū)與該 第二電路區(qū)的接地端電氣連接所述接地層，而所述第二電路區(qū)與隔離體系間隔一空隙；所 述第一金屬屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于電路板結(jié)構(gòu)上方，并與所述隔離體電氣連接，所述射頻電路設(shè) 置于所述第一電路區(qū)，所述基頻電路設(shè)置于第二電路區(qū)。優(yōu)選的，所述絕緣層具有多個(gè)開(kāi)孔，且每一開(kāi)孔中形成有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，第一電路區(qū) 與第二電路區(qū)系透過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電氣連接接地層。優(yōu)選的，所述第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng)于所述射頻電路的上方。優(yōu)選的，所述第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)包覆所述射頻電路。優(yōu)選的，所述通訊裝置還包含一第二金屬屏敝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基頻電路的上方。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對(duì)比的有益效果是(1)本發(fā)明的通訊裝置及其電路板結(jié)構(gòu)可借由接地層往電路層延伸之隔離體，與 金屬遮蔽層電氣連接，使各電路之間不易被彼此的噪聲干擾。(2)本發(fā)明的通訊裝置及其電路板結(jié)構(gòu)的第一電路區(qū)與第二電路區(qū)，可借由絕緣 層開(kāi)孔中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電氣連接接地層，并借由隔離體使接地層與金屬遮蔽層電氣連接，而 使金屬遮蔽層不須設(shè)置金屬柵欄，依然能達(dá)到屏蔽效果，進(jìn)而有效減少包含多種電路的電 路板整體體積。


圖1是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的電路板結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖；圖2是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的電路板結(jié)構(gòu)的隔離體的示意圖；圖3是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的電路板結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖4是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的通訊裝置的分解圖；圖5是本發(fā)明具體實(shí)施方式
的通訊裝置的俯視圖。符號(hào)說(shuō)明1 電路層11 第一電路區(qū)12:第二電路區(qū)13 空隙2 絕緣層3:接地層31 隔離體4 開(kāi)孔41 射頻接地孔42 基頻接地孔51 射頻電路52:基頻電路61 第一金屬屏蔽62 第二金屬屏蔽
71 射頻噪聲干擾72:基頻噪聲干擾
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施方式
并對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。如圖1所示，為本實(shí)施方式的電路板結(jié)構(gòu)的部分剖面示意圖。圖1中，電路板結(jié)構(gòu) 包含電路層1、絕緣層2及接地層3，其中絕緣層2設(shè)置于電路層1的下方，而接地層3又設(shè) 置于絕緣層2的下方。電路板結(jié)構(gòu)包含多個(gè)開(kāi)孔4，各開(kāi)孔4具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，使得電路層1 可透過(guò)開(kāi)孔4與接地層3電氣連接。其中，電路層1可以為鉛、錫、銀、銅、金、鉍、銻、鋅、鎳、 鋯、鎂、銦、碲、鎵、鈀及前述金屬所組成的合金中的一種。如圖2所示，為本實(shí)施方式的電路板結(jié)構(gòu)的隔離體的示意圖。圖2中，接地層3向 上延伸至少一隔離體31，隔離體31向上穿過(guò)絕緣層，并將電路層1區(qū)分為第一電路區(qū)11及 第二電路區(qū)12，且位于第一電路區(qū)11的開(kāi)孔為射頻接地孔41，而位于第二電路區(qū)12的開(kāi) 孔為基頻接地孔42。在本實(shí)施方式中，電路層1區(qū)分為第一電路區(qū)11及第二電路區(qū)12，但 并不以此為限。請(qǐng)參閱圖1及圖3，其中圖3為本實(shí)施方式的電路板結(jié)構(gòu)的俯視圖。隔離體31與 第二電路區(qū)12之間具有一個(gè)空隙13，第一電路區(qū)11與第二電路區(qū)12的電路隔離。請(qǐng)參閱圖4及圖5，圖4為本實(shí)施方式的通訊裝置的分解圖，圖5為本實(shí)施方式的 的通訊裝置的俯視圖。本實(shí)施方式的通訊裝置中包含如圖1至圖3所示之電路板結(jié)構(gòu)，還 包含一射頻電路51、一基頻電路52、一第一金屬屏蔽61及一第二金屬屏蔽62，其中，射頻電 路51設(shè)置于第一電路區(qū)11上，基頻電路52設(shè)置于第二電路區(qū)12上，且第一金屬屏蔽61 設(shè)于射頻電路51之上方，并遮蔽射頻電路51，第一金屬屏蔽61之周緣貼靠于隔離體31，而 與接地層3電氣連接，而第二金屬屏蔽62設(shè)置于基頻電路52的上方，并遮蔽基頻電路52。射頻噪聲干擾71與基頻噪聲干擾72，因第一金屬屏蔽61借由隔離體31電氣連 接接地層3，且第二金屬屏蔽62并未與隔離體31接觸，且第一電路區(qū)11與第二電路區(qū)12 又因隔離體31與空隙13而彼此電路隔離，因而使射頻噪聲干擾71被隔離在第一金屬屏蔽 61內(nèi)，而基頻噪聲干擾72則被隔離在第二金屬屏蔽62內(nèi)，使得彼此間不易被噪聲干擾，而 使電路層1上之各電路均能充分發(fā)揮其效能。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，不能認(rèn)定 本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應(yīng)當(dāng)視為 屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電路板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電路板結(jié)構(gòu)包含一電路層、一絕緣層和一接地 層；所述電路層包括一第一電路區(qū)及一第二電路區(qū)；所述絕緣層，設(shè)置于所述電路層的下 方；所述接地層，設(shè)置于所述絕緣層的下方，且該接地層向上穿過(guò)該絕緣層延伸至少一隔離 體以隔離該第一電路區(qū)與該第二電路區(qū)；該第一電路區(qū)與該第二電路區(qū)的接地端電氣連接 該接地層，而該第二電路區(qū)與該隔離體系間隔一空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣層具有多個(gè)開(kāi)孔，且每一 開(kāi)孔中形成有一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一電路區(qū)與所述第二電路區(qū)透過(guò)所述多個(gè)開(kāi)孔中的導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)電氣連接該接地層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一電路區(qū)為鉛、錫、銀、銅、 金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲、鎵、鈀及前述金屬所組成的合金中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二電路區(qū)為鉛、錫、銀、銅、 金、鉍、銻、鋅、鎳、鋯、鎂、銦、碲、鎵、鈀及前述金屬所組成的合金中的一種。
5.一種通訊裝置，包含一電路板結(jié)構(gòu)、一第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)、一射頻電路和一基頻電 路，其特征在于所述電路板結(jié)構(gòu)包含一電路層、一絕緣層和一接地層；所述電路層包括一 第一電路區(qū)及一第二電路區(qū)；所述絕緣層設(shè)置于所述電路層的下方；所述接地層設(shè)置于所 述絕緣層的下方，且該接地層向上穿過(guò)該絕緣層延伸至少一隔離體以隔離該第一電路區(qū)與 該第二電路區(qū)；該第一電路區(qū)與該第二電路區(qū)的接地端電氣連接所述接地層，而該第二電 路區(qū)與所述隔離體系間隔一空隙；所述第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述電路板結(jié)構(gòu)上方，并 與所述隔離體電氣連接；所述射頻電路，設(shè)置于所述第一電路區(qū)；所述基頻電路，設(shè)置于所 述第二電路區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的通訊裝置，其特征在于所述第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)的位置對(duì)應(yīng) 于所述射頻電路的上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的通訊裝置，其特征在于所述第一金屬屏敝結(jié)構(gòu)包覆所述射 頻電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的通訊裝置，其特征在于所述通訊裝置還包含一第二金屬屏 敝結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述基頻電路的上方。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種通訊裝置，其包含一電路板、一第一金屬屏蔽結(jié)構(gòu)、一射頻電路及一基頻電路。其中，電路板的結(jié)構(gòu)包含一電路層、一絕緣層及一接地層。絕緣層設(shè)置于電路層下方，接地層設(shè)置于絕緣層下方，接地層向上穿過(guò)絕緣層延伸一隔離體以隔離電路層為第一電路區(qū)與第二電路區(qū)。第一電路區(qū)與第二電路區(qū)的接地端電氣連接接地層，而第二電路區(qū)與隔離體系間隔一空隙。射頻電路設(shè)置于第一電路區(qū)上，基頻電路設(shè)置于第二電路區(qū)上，且第一金屬屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)置于電路板結(jié)構(gòu)上方，并與隔離體電氣連接，使第一電路區(qū)與第二電路區(qū)不易被彼此的噪聲干擾。
文檔編號(hào)H05K1/02GK102123559SQ201010004509
公開(kāi)日2011年7月13日 申請(qǐng)日期2010年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月7日
發(fā)明者許振賢 申請(qǐng)人:宏碁股份有限公司