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發(fā)光裝置的制作方法

文檔序號:8123035閱讀:170來源:國知局
專利名稱:發(fā)光裝置的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置。
背景技術
近年來,在基板上具備有機EL元件(有機電致發(fā)光元件)等發(fā)光 元件的發(fā)光裝置,作為顯示裝置和電子照片方式的圖像形成裝置的曝光 裝置等被廣泛利用。
雖然上述發(fā)光裝置被要求具備可承受長期間發(fā)光的耐久性,但作為 造成有機EL元件的發(fā)光特性劣化的原因之一,例如有黑點(dark spot) 的產(chǎn)生。造成黑點的原因是,附著在有機EL元件的構成部件表面上的 水分和侵入到有機EL元件內(nèi)的水分(濕氣)以及氧氣等氣氛氣體,從 背面電極表面的缺陷等侵入到通過將透明電極、發(fā)光層(有機層)和背 面電極順序疊層而形成的疊層體內(nèi),使有機層與背面電極之間發(fā)生背 離,
在這樣的發(fā)光裝置中,為了實現(xiàn)有機EL元件的高可靠性和長壽命 化,關鍵是要把構成有機EL元件的發(fā)光層和各個電極確實地與氣氛氣 體隔離。為此,公知有一種通過使用粘合劑將形成了有機EL元件部的 基板(透明基板)和密封部件粘合成一體,把密封在它們之間的有機 EL元件與氣氛氣體等隔離的技術。
例如,公知有一種如專利文獻l所公開的發(fā)光裝置,該發(fā)光裝置通 過在由玻璃材料構成的透光性基板上,順序疊層成為陽極的ITO等透 明電極、由有機化合物構成的至少具有發(fā)光層的有機層、和成為陰極的 鋁(Al)等非透光性背面電極而形成疊層體,使用粘合劑在基板上氣密 設置覆蓋該疊層體的由玻璃材料構成的凹部形狀的密封部件,在密封部 件的與疊層體對置的面上配置由以化學方式吸收水分,并且吸收水分后 仍維持固體狀態(tài)的化合物形成的吸濕劑.特開加02 - !280168號>^才艮
但是,在利用粘合劑和玻璃等的蓋體的中空密封中,即使因涂敷的 粘合劑的厚度和寬度等稍微存在差異,氣氛氣體也會從粘合劑的粘合力 不足的密封部件與基板的界面侵入到內(nèi)部空間內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是為了解決上述問題的至少一部分而提出的,可作為以下 的實施方式或應用例來實現(xiàn)。在上述的發(fā)光裝置中,所述多個密封部件的形狀形成為 俯視呈矩形的形狀。
由此,可容易形成密封部件。在上述的發(fā)光裝置中,上述第l吸附劑比上述第2吸附 劑的吸附水分和氧的吸附量大。
由此,可長期抑制發(fā)光元件因水分等的劣化。
應用例71在上述的發(fā)光裝置中,上述第2吸附劑比上述第l吸附 劑的吸附水分和氧的吸附速度快.
由此,可防止發(fā)光元件附近的第l吸附劑的吸附能力的劣化,從而 可長期抑制發(fā)光元件因水分等的劣化。
[應用例8
在上述的發(fā)光裝置中,包括將所述第l支撐部與所述 第2支撐部局部連接而形成的封口部;在所述封口部中,所述笫l支撐部 上的所述第1密封部件的框形狀被中途切斷的第1不連續(xù)部;和在所述封 口部中,所述第2支撐部上的所述第2密封部件的框形狀被中途切斷的第 2不連續(xù)部,所述第1不連續(xù)部向外周延伸到所述第2不連續(xù)部,所述封 口部由多個封口密封部件密封。
由此,可容易地有效防止發(fā)光元件的損壞。
[應用例9在上述的發(fā)光裝置中,多個上述封口密封部件被一體成形.
由此,可減小封口密封部件的差異。
[應用例10在上述的發(fā)光裝置中,上述吸附劑未形成在上述密封基 板上的與上述基板的上述疊層體對置的位置上。
由此,容易實現(xiàn)小型化,并具有所希望的性能。


圖l是本實施方式的有機EL裝置的平面結構圖和剖面結構圖.
圖2是用于說明本實施方式的有機EL裝置的制造工序的平面工序 圖和剖面工序圖。
圖3是用于說明本實施方式的有機EL裝置的制造工序的平面工序 圖和剖面工序圖。
圖4是用于說明本實施方式的有機EL裝置的制造工序的平面工序 圖和剖面工序圖。
圖5是用于說明本實施方式的有機EL裝置的制造工序的平面工序 圖和剖面工序圖。
圖6是表示本實施方式的有機EL裝置的其他方式的平面結構圖和 剖面結構圖。
圖7是表示本實施方式的有機EL裝置的其他方式的平面結構圖和 剖面結構圖。
圖8是表示本實施方式的有機EL裝置的其他方式的平面結構圖。 圖9是本實施例的有機EL顯示裝置的電路結構圖。 圖IO是本實施例的有機EL顯示裝置的平面結構圖。
圖ll是表示本實施例的有機EL顯示裝置的l個像素區(qū)域的平面結 構圖。
圖12是本實施例的有機EL顯示裝置的1個像素區(qū)域的剖面結構圖。
圖13是本實施例的光寫入頭用有機EL裝置的平面結構圖。
圖14是本實施例的光寫入頭的概略結構圖。
圖15是表示本實施例的電子設備的一例的立體結構圖。
圖中2、 4、 6、 8-有機EL裝置(發(fā)光裝置);lO-基板;12-發(fā)光元件(疊層體);14-密封基板;16-保護層;18-第l吸附劑; 20-第l密封部件;22-第2吸附劑;24-笫2密封部件;26-第1凹 部(第1配置部);28 -第2凹部(第2配置部);30 -第1凸部(第1 支撐部);32-第2凸部(第2支撐部);34 -陽極;36-空穴輸送層; 38-發(fā)光層;40-陰極;42、 44-間隙;50 -密封基板;52-第3凹部; 54-第3吸附劑;56-第3凸部;58-第3密封部件;60-間隙;70 -密封基板;72-封口部;74-第l不連續(xù)部;76-第2不連續(xù)部;78-封口密封部件;IOO-有機EL顯示裝置;102-4象素;104-掃描線; 106-信號線;108-共用供電線(電源線);110-數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路;112 一掃描側(cè)驅(qū)動電路;114 —開關用TFT(薄膜晶體管);116 —驅(qū)動用TFT; 118-像素電極;120-共用電極;122-發(fā)光部(有機功能層);122A -空穴輸送層;122B-發(fā)光層;124-基板;126-顯示區(qū)域;128 -第 1吸附劑;130 -第1密封部件;132 -第2吸附劑;134 -第2密封部件; 136 -密封基板;138 -半導體層;140 -中繼電極;142 -半導體層;144A -源極區(qū)域;144B-漏極區(qū)域;144C-溝道區(qū)域;144G-柵電極;146 -源電極;148-漏電極;150 -電極;152-有機EL元件;154 -無機 圍堰(bank)(第1隔壁層);156 -有機圍堰(笫2隔壁層);158 -開 口部;160畫柵極絕緣膜;162-第l層間絕緣膜;164、 166-接觸孔; 168-第2層間絕緣膜;170-保護層;172-基板;174-發(fā)光元件區(qū)域; 176-驅(qū)動元件;178-連接布線;180-第1吸附劑;182 -第1密封部 件;184-第2吸附劑;186-第2密封部件;188 -密封基板;190 -光 學系統(tǒng);192 -感光鼓(感光體);200 -移動電話;202 -顯示部;204
-操作按鈕部;206-受話部;208-送話部。
具體實施例方式
(有機EL裝置)
圖1 (A)是作為本實施方式的發(fā)光裝置的有機EL裝置(有機電 致發(fā)光裝置)2的平面結構圖,圖1 (B)是沿著圖1 (A)的I-I線的剖 面結構圖。
本實施方式的有機EL裝置2如圖1 (A)和圖1 (B)所示,以基 板10、設在基板10上的作為疊層體的發(fā)光元件12、和夾持發(fā)光元件12 與基板10對置的密封基板14作為主體而構成。在基板10與密封基板 14之間形成有覆蓋發(fā)光元件12的保護層16、與保護層16對置設置 的第1吸附劑18、包圍保護層16而設置的第1密封部件20、包圍第l 密封部件20而設置的笫2吸附劑22、和包圍第2吸附劑22而設置的第 2密封部件24。另外,在圖1 (A)中為了l更于,見察圖面,省略了密封 基板14的圖示,
本實施方式的有機EL裝置2,可以采用將來自發(fā)光元件12的光從 基板10側(cè)向裝置外部射出的方式(底發(fā)光型)、和從密封基板14側(cè)射 出的方式(頂發(fā)光型)的任意一種。在采用底發(fā)光型的情況下,基板IO 利用可透光的透明或半透明的材料,例如透明玻璃、石英、藍寶石、或 聚酯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚酮醚等透明的合成樹脂等形成.在采用頂 發(fā)光型的情況下,對于保護層16、第1吸附劑18、和密封基板14而言, 可使用透明或透光性的材質(zhì)。
密封基板14在與基板10的對置面上設有與發(fā)光元件12對置的 作為第1配置部的第1凹部26、和包圍該第1凹部26外周的俯視形成 為矩形框狀的作為第2配置部的笫2凹部28。密封基板14是被設置成 覆蓋發(fā)光元件12、保護層16、以及第1和第2吸附劑18、 22的基板, 通過設在第1凹部26外周的作為第1支撐部的第1凸部30上的第1密 封部件20、和設在第2凹部28外周的作為第2支撐部的第2凸部32 上的笫2密封部件24,與基板10接合,對發(fā)光元件12進行密封。
作為密封基板14,只要具有能夠良好地保護發(fā)光元件12、保護層
16、以及笫1和第2吸附劑18、 22的功能即可,例如可以使用玻璃或 石英、合成樹脂、或金屬等水分透過率小的材料。作為玻璃,例如可以 使用堿石灰玻璃、鉛堿玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硅玻璃等。 作為合成樹脂,可以使用聚烯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚酮醚 等透明的合成樹脂等。作為金屬,可以使用鋁或不銹鋼等。
通過使用玻璃基板作為密封基板14,并覆蓋保護層16的表面全體, 可良好地防止水分(濕氣)和氧氣等向發(fā)光元件12的侵入。另外,如 果通過調(diào)整第1和第密封部件20、 24的厚度,可確保發(fā)光元件12和保 護層16的厚度,則也可以不在密封基板14形成各個凹部、凸部,而在 第1密封部件20、笫1吸附劑18、第2密封部件24、和第2吸附劑22 的各設置部上分區(qū)域形成,然后與基板10貼合。
發(fā)光元件12是在基板10上由作為第1電極和笫2電極的2片電極 膜夾持了包含作為電光物質(zhì)的有機發(fā)光層的有機功能層的有機EL元 件,如圖2(B)所示,具有疊層了陽極34、空穴輸送層36、發(fā)光層38、 陰極40的構造。發(fā)光元件12根據(jù)有機EL裝置2的用途,可構成為各 種形態(tài),例如,如果是照明用途,則發(fā)光元件12形成為平面狀態(tài)。而 如果是作為電子設備的顯示裝置的用途,則可將多個發(fā)光元件12排列 配置成俯視觀察呈大致矩陣狀。另外,如果是作為打印機的膝光裝置的 用途,則多個發(fā)光元件12被排列配置成一列或多列的形態(tài)。
返回到圖1,保護層16是無機絕緣材料的薄膜,具有抑制水分等侵 入到發(fā)光元件12的功能。作為用于形成保護層16的形成材料,可以使 用氮氧化硅(SiON)、 二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiN)等。
另外,在本實施方式的情況下,說明了在發(fā)光元件12與密封基板 14之間只設置了一層保護層16的結構,但在發(fā)光元件12與密封基板 14之間也可以不設置保護層16?;蛘?,在發(fā)光元件12與密封基板14 之間疊層多層保護層16。通過疊層多層保護層16,可防止龜裂的產(chǎn)生。 另外,如果把保護層16設置成多層構造,則可進一步提高對發(fā)光元件 12的密封性能。
第1吸附劑18被設置在密封基板14的笫1凹部26內(nèi)。笫1吸附 劑18與形成為俯視呈大致矩形形狀的保護層16對置,被設置成俯視呈
大致矩形形狀。另外,在本實施方式中,雖然第1吸附劑18形成為俯 視呈大致矩形形狀,但也可以例如形成為與發(fā)光元件12和保護層16等 的形狀對應的框狀,還可以形成為包圍發(fā)光元件12的任意的框狀。在 本實施方式的情況下,如圖1 (B)所示,第l吸附劑18被配置成在與 其對置的保護層16之間形成有間隙42,并且與夾持該第1吸附劑18 的基板10及密封基板14中的密封基板14抵接.即,優(yōu)選第1吸附劑 18能夠保持規(guī)定的平面形狀和截面形狀,例如,通過使用在樹脂或蠟、 油脂等粘合劑(binder)中分散了具有水分(濕氣)和氧氣等的吸附作 用的吸附材料(脫水材料和脫氧劑)的制劑,可以使吸附劑具有良好的 成形性。
作為上述吸附材料,可使用不容易與構成粘合劑的有機化合物發(fā)生 反應的材料,例如,可以使用氫氧化鈣、氫氧化鍶、氫氧化鈀、氫氧化 鋁鋰、氧化鈉、氧化鉀、氧化鈣、氧化鈀、氧化鎂等。
作為粘合劑,可以使用樹脂、蠟(wax)、油脂等,如果列舉具體例, 則可列舉出聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂等樹脂材料、石蠟(paraffin wax )、 微晶蠟(microcrystallinewax)等石油類蠟、植物類蠟、動物類蠟、礦 物類蠟、脂肪酸、脂肪酸酯、脂肪酸酰胺、脂肪族胺等。
另外,在針對第1吸附劑18不使用粘合劑與吸附材料的混合材料 的情況下,如果在包含基板10與密封基板14之間的間隙42的密封空 間中,具備所希望的吸附功能,則不限于上述的吸附材料而可以使用各 種吸附材料。例如,可單獨或混合使用硅膠、沸石、活性炭、氧化鈣、 氧化鍺、五氧化磷、氯化鈣等。另外,如果設置有這樣的間隙42,則即 使在水分(濕氣)和氧氣等通過第1密封部件20侵入到間隙42的情況 下,也能夠使水分(濕氣)和氧氣等在間隙42中擴散,使對第1吸附 劑18的負荷在其周面均勻化。因此,根據(jù)上述結構,可在長時期內(nèi)獲 得良好的吸附效果,從而可提高有機EL裝置的可靠性和耐久性。
笫1密封部件20被^t置在密封基板14的第1凸部30上。第1密 封部件20形成為包圍保護層16的外周的俯視呈矩形框狀的形狀,被夾 在基板10與密封基板14之間。在本實施方式的情況下,第l密封部件 20還發(fā)揮作為粘合基板10和密封基板14的粘合劑的功能。作為用于形 成第1密封部件20的材料,只要是能夠維持穩(wěn)定的粘接強度、具有良
好的氣密性的材料,則沒有特別的限定,例如可以使用熱固化性樹脂材
料.作為形成第1密封部件20的材料,也可以使用通過紫外光(UV) 的照射而固化的光固化性環(huán)氧樹脂等。
優(yōu)選第1密封部件20使用彈性率小的材料形成,并且優(yōu)選使用比 后述的笫2密封部件24的彈性率小的材料形成。由于通過使其彈性率 比第2密封部件24的小,可構成由笫2密封部件24支撐密封基板14 的構造,所以可容易地形成。
另外,第1密封部件20也可以采用在其內(nèi)部混入了使基板10與密 封基板14離開規(guī)定間隔的粒狀物(間隔物(spacer))的構造,通過采 用這樣的構造,可防止因被覆密封基板14時的按壓力而造成發(fā)光元件 12損壞的情況。而且,還具有將發(fā)光元件12上的笫1吸附劑18和保護 層16的間隙42保持為一定的作用。
第2吸附劑22被設置在密封基板14的第2凹部28內(nèi)。第2吸附 劑22形成為包圍第1密封部件20的外周的俯視呈大致矩形形狀,被夾 在基板10與密封基板14之間。在本實施方式的情況下,如圖1 (B) 所示,第2吸附劑22與夾持該第2吸附劑22的基板10及密封基板14 中的密封基板14抵接,在與基板10之間設置有間隙44。即,第2吸附 劑22與笫l吸附劑18同樣,優(yōu)選能夠保持規(guī)定的平面形狀和截面形狀, 例如,通過使用在樹脂或蠟、油脂等粘合劑中分散了具有水分(濕氣) 和氧氣等的吸附作用的吸附劑,可以使吸附劑具有良好的成形性.
而且,如果形成有這樣的間隙44,則即使在水分(濕氣)和氧氣等 通過第2密封部件24侵入到間隙44中的情況下,也能夠使水分(濕氣) 和氧氣等在間隙44中擴散,使對第2吸附劑22的負荷均勻分配在其周 面。因此,根據(jù)上述結構,可在長時期內(nèi)獲得良好的吸附效果,從而可 提高有機EL裝置的可靠性和耐久性。
另外,也可以使笫2吸附劑22設置成與基板10和密封基板14的 雙方相接。由此,即使在通過最外周的第2密封部件24,水分(濕氣) 和氧氣等侵入到裝置內(nèi)部的情況下,由于該水分(濕氣)和氧氣等肯定 與第2吸附劑22接觸并被吸附,所以,可有效地防止水分(濕氣)和 氧氣等通過第2吸附劑22進一步侵入到內(nèi)部。此外,第1吸附劑18和
第2吸附劑22可以使用同一種吸附劑,也可以使用不同吸附能力的吸 附劑。例如,可以使第2吸附劑22使用比第1吸附劑18的吸附水分(濕 氣)和氧氣等的速度大的吸附劑。通過使第2吸附劑22吸附發(fā)光裝置 形成初期的大部分水分等,可防止接近發(fā)光元件12的第1吸附劑18的 吸附能力劣化。由此,可長期防止發(fā)光元件12的因水分等引起的劣化。 另外,可以使用比第2吸附劑22的水分等的吸附量大的吸附劑作為笫1 吸附劑18。由此,可長期抑制發(fā)光元件12的因水分等引起的劣化。此 外,也可以使第1吸附劑18使用比第2吸附劑22的吸附速度快的吸附 劑,第2吸附劑22使用比第1吸附劑18的吸附量大的吸附劑。
笫2密封部件24被設置在密封基板14的第2凸部32上。第2密 封部件24形成為包圍笫2吸附劑22外周的俯視呈矩形框狀的形狀,被 夾在基板10與密封基板14之間。在本實施方式的情況下,第2密封部 件24還發(fā)揮作為粘合基板10和密封基板14的粘合劑的功能。作為第2 密封部件24的形成材料,只要是能夠維持穩(wěn)定的粘接強度、具有良好 的氣密性的材料,則沒有特別的限定,例如可以使用通過紫外光(UV) 的照射而固化的光固化性環(huán)氧樹脂,除了環(huán)氧類、乙烯基醚等陽離子系 材料以外,也可以使用酯丙烯酸酯、丙烯氨基曱酸酯丙烯酸酯等丙烯酸 酯、氨基甲酸酯聚酯等自由基系材料。
笫2密封部件24優(yōu)選使用比第1密封部件20的水分(濕氣)和氧 等的透過率低的材料形成。這樣,通過采用在裝置的最外周部利用水分 (濕氣)和氧的透過率低的材料進行隔離的結構,可減少到達被配置在 內(nèi)側(cè)的第2吸附劑22的水分(濕氣)和氧等的到達量,從而可減少到 達發(fā)光元件12的水分量,并且可延長水分(濕氣)和氧等到達發(fā)光元 件12的時間,實現(xiàn)發(fā)光元件12的長壽命化。
另外,第2密封部件24與第1密封部件20同樣,也可以采用在其 內(nèi)部混入了使基板10與密封基板14離開規(guī)定距離的粒狀物(間隔物) 的構造,通過采用這樣的構造,可防止因粘合密封基板14時的按壓力 造成發(fā)光元件12的損壞。另外,還具有將發(fā)光元件12上的第1吸附劑 18的厚度保持為一定的作用。
如以上說明的那樣,通過^L置了第l和第2吸附劑18、 22、第l和 第2密封部件20、 24,可使從外部侵入的水分(濕氣)和氧等被設在第
2凹部28中的第2吸附劑22吸附,在侵入超過了第2吸附劑22的吸附 能力的水分(濕氣)和氧等的情況下,由于水分(濕氣)和氧等侵入到 笫1凹部26,所以,能夠延長致使針對水分(濕氣)和氧等耐受力弱的 發(fā)光元件12發(fā)生劣化的時間。另外,本實施方式的有機EL裝置2通 過第1及第2吸附劑18、 22、和第1及第2密封部件20、 24的雙重密 封構造,可實現(xiàn)對發(fā)光元件12的良好的密封性能。
(有機EL裝置的制造方法)
下面,參照圖2~圖5所示的示意圖,對具有上述構造的有機EL裝 置2的制造方法進行說明。在圖2 圖5中,圖(A)是各個工序中的平 面工序圖,圖(B)是與沿著圖(A)的各個剖面線的位置對應的剖面 工序圖。另外,在圖5(A)中,為了便于觀察圖面,省略了密封基板 14的圖示。
首先,如圖2所示,在基板10上形成發(fā)光元件12.雖然在圖2中 未示出,但在形成發(fā)光元件12的基板10上,已經(jīng)形成有驅(qū)動控制發(fā)光 元件12的驅(qū)動電路等。
發(fā)光元件12可通過在基板10上的規(guī)定區(qū)域上順序疊層陽極34、空 穴輸送層36、發(fā)光層38、和陰極40而形成。具備了這樣的疊層構造的 發(fā)光元件12,當從驅(qū)動電路被供給驅(qū)動信號時,在陽極34與陰極40 之間流過電流,使發(fā)光層38發(fā)光,在底發(fā)光型的情況下,光向透明的 基板IO的外面?zhèn)壬涑觥?br> 在圖2所示的疊層構造中,陽極34與未圖示的驅(qū)動電路連接,利 用從驅(qū)動電路施加的電壓,向空穴輸送層36注入空穴,對于其形成材 料而言,例如可以使用ITO (Indium Tin Oxide:銦錫氧化物)等透明 導電材料,或鋁、銀等金屬材料。
空穴輸送層36用于把陽極34的空穴輸送/注入到發(fā)光層38,可使 用公知的材料。例如,可以使用聚瘞吩、聚苯胺、聚吡咯等.更具體而 言,可以使用聚(3、 4-二氧乙基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)等。
發(fā)光層38是利用從空穴輸送層36注入的空穴、與從陰極40注入 的電子的再結合而發(fā)光的層。作為形成發(fā)光層38的材料,可以使用能
夠發(fā)出熒光或磷光的公知的發(fā)光材料。例如,可以使用聚芴衍生物(PF )、 聚對苯乙烯撐衍生物(PPV )、聚苯衍生物(PP )、聚對苯衍生物(PPP )、 聚乙烯^唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅 烷類等。
另外,也可以在發(fā)光層38與陰極40之間設置電子輸送層。通過設 置電子輸送層,可提高從陰極40向發(fā)光層38注入電子的效率。作為電 子輸送層的形成材料,可以使用瞎二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、 苯敏及其衍生物、萘醍及其衍生物、蒽醍及其衍生物、四氛基對醌二甲 烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二噻吩衍 生物、8-羧基奩啉及其衍生物的金屬絡合物等。
陰極40由能夠高效率進行向發(fā)光層38注入電子的、低功函數(shù)的金 屬,例如鋁(Al)、鎂(Mg)、金(Au)、銀(Ag)、或鉀(Ca)等金屬 材料形成,也可以是在該金屬膜上疊層了 ITO等透明導電膜的構造。
在設置構成發(fā)光元件12的上述各層時,例如,可以使用光刻法或 液滴噴出法等公知的構圖方法,由此,能夠設置在基板10上的規(guī)定區(qū) 域疊層了各層的構造的發(fā)光元件12.
在由金屬材料或透明導電材料構成的陽極34、陰極40的形成中, 優(yōu)選使用濺射法、真空蒸鍍法、或光刻法,另外,在由高分子材料構成 的空穴輸送層36和發(fā)光層38的形成中,可以優(yōu)選使用液滴噴出法。
所謂液滴噴出法是,將要形成的功能層的形成材料制成液狀體,通 過使用分配器或噴墨裝置等液滴噴出裝置,定量地噴出該液狀體,從而 在所希望的區(qū)域涂敷上述形成材料的方法。具體而言,是在使設置于液 滴噴頭(噴墨頭)的噴嘴與基板10對置的狀態(tài)下,使噴嘴與基板10相 對移動,同時通過從噴嘴噴出被控制了每l滴的液量的液狀體的液滴, 在基板10上形成液狀體的具有所希望的形狀的膜圖形的技術。
通過使用液滴噴出法形成空穴輸送層36和發(fā)光層38,可降低制造 成本。即,由于液滴噴出法能夠把材料配置在基板10上的所希望的局 部區(qū)域上,所以,與光刻法等相比,膜形成的工序簡單,并且使用材料 的浪費少。
在將發(fā)光元件12形成在基板10上后,如圖3所示,采用規(guī)定的方 法,在發(fā)光元件12上覆蓋保護層16。在本實施方式中,使用離子鍍法、 或濺射法等成膜法在發(fā)光元件12的表面上覆蓋保護層16。由此,能夠 以覆蓋發(fā)光元件12的方式在發(fā)光元件12的表面上連接保護層16。通過 在發(fā)光元件12的表面上覆蓋具有規(guī)定厚度的保護層16,在有機EL裝 置2的制造工序中,也可防止發(fā)光元件12與水分等的接觸,使發(fā)光元 件12得到良好的密封。
然后,如圖4所示,沿著配置了發(fā)光元件12 —側(cè)的基板面周緣, 形成俯視呈矩形框狀的第1和第2密封部件20、 24。例如,使用分配器 或噴墨裝置,將環(huán)氧樹脂等樹脂材料涂敷成圖示的平面形狀。此時,上 述樹脂材料可以使用混入了用于調(diào)整基板10與密封基板14的間隔的隔 離物的樹脂材料,作為隔離物,可以使用玻璃珠、樹脂珠等。另外,為 了防止發(fā)光元件12的劣化,優(yōu)選各個制造工序在氮氣或氬氣等惰性氣 體氣氛下進行.
對于配置在基板10上的上述樹脂材料而言,優(yōu)選在后段的工序中 配置了密封基板14時,能夠與密封基板14緊密接合,可獲得良好的密 封性。為此,雖然在以后的工序中被保持為能夠與密封基板14粘接的 狀態(tài),但在配置到基板10上后,也可以進行不影響粘接性的程度的固 化(預固化)。由于通過進行預固化,可提高構成第1和第2密封部件 20、 24的樹脂材料的粘度,在基板10上可保持良好的形狀,所以,可 防止因第1和笫2密封部件20、 24的形狀不良而造成的成品率低下, 而且可提高后續(xù)工序中的基板的操作性(handling),
然后,如圖5所示,將干燥劑形成材料以與保護層16對置的俯視 呈矩形框狀,配置在第1密封部件20內(nèi)側(cè)的密封基板14上,形成第1 吸附劑18。進而,將干燥劑形成材料以包圍第1密封部件20的俯視呈 矩形框狀,配置在第1密封部件20和第2密封部件24之間的密封基板 14上,形成第2吸附劑22。作為干燥劑形成材料,如前面所記栽那樣, 優(yōu)選使用將吸附材料與粘合劑混合的材料。通過使用分配器或噴墨裝置 涂敷這樣的干燥劑形成材料,可容易地形成圖5所示的平面形狀的第1 吸附劑18。
上述干燥劑形成材料優(yōu)選被設定為當配置到密封基板14上時的粘
度為20Pa*s以上。通過配置這樣的比較高粘度的材料,可良好地保持 配置到密封基板14上之后的干燥劑形成材料的形狀.另外,優(yōu)選干燥 劑形成材料具有比在后段的工序中被配置在包圍第1吸附劑18的區(qū)域 的、用于形成第1密封部件20的樹脂材料大的粘度。
另外,在將干燥劑形成材料涂敷到密封基板14上后,也可以與形 成之前的第1和第2密封部件20、 24的工序同樣,進行干燥劑形成材 料的預固化。通過進行預固化,可有效防止干燥劑形成材料隨著時間的 經(jīng)過而在密封基板14上過度潤展,從而防止與發(fā)光元件12和第2密封 部件24的接觸、干涉,有利于提高有機EL裝置的成品率、和基板的 操作性。
在本實施方式中,第l吸附劑18被配置在與保護層16之間具有間 隙42 (參照圖1 (B))的位置。通過預先形成這樣的間隙42,可利用 間隙42作為在將密封基板14粘貼到基板10上時的緩沖區(qū)域,而且, 如果在粘貼了密封基板14后仍保持間隙42,則還可以作為對通過第1 密封部件20侵入到裝置內(nèi)部的水分和氧等進行保持的區(qū)域而發(fā)揮功能, 從而可緩和從保護層16向內(nèi)側(cè)侵入水分等。
并且,第2吸附劑22被配置在與基板10之間具有間隙44 (參照圖 1 (B))的位置。通過預先形成這樣的間隙44,可利用間隙44作為在 將密封基板14粘貼到基板10上時的緩沖區(qū)域,而且,如果在粘貼了密 封基板14后仍保持間隙44,則還可以作為對通過第2密封部件24侵入 到裝置內(nèi)部的水分和氧等進行保持的區(qū)域而發(fā)揮功能,從而可緩和從第 1密封部件20向內(nèi)側(cè)侵入水分等。
而且,在密封基板14上形成了第l和第2吸附劑18、 12后,在基 板10上粘貼密封基板14 (參照圖1)。在本實施方式的有機EL裝置2 的制造工序中,為了防止在密封基板14與第1密封部件20之間混入氣 泡等,在減壓環(huán)境下實施配置該密封基板14的工序,在粘貼了密封基 板14后,通過恢復到大氣壓下,利用大氣壓把密封基板14壓向發(fā)光元 件12側(cè)。然后,在作為用于形成第1密封部件20的樹脂材料而使用了 熱固化性樹脂材料的情況下,對基板10上的樹脂材料施加規(guī)定的熱。
通過以上的工序,使樹脂材料固化,形成了第l密封部件20,從而 可制造出借助第1密封部件20與密封基板14粘接的有機EL裝置.
本實施方式中,在把上述樹脂材料配置到基板10上時,已經(jīng)設置 在基板10上的保護層16規(guī)定了樹脂材料在基板10上的擴展區(qū)域,從 而可防止因樹脂材料過度擴展而導致第1密封部件20的層厚變得比設 計值薄的情況,而且可防止在密封基板14與第1密封部件20之間形成 空隙的情況。
如以上說明的那樣,才艮據(jù)本實施方式的制造方法,由于在發(fā)光元件 12上配置了保護層16之后,進行樹脂材料和干燥劑形成材料的配置, 所以可以防止在密封工序中,樹脂材料和干燥劑形成材料中所包含的溶 劑等與發(fā)光元件12接觸,使發(fā)光元件12劣化的情況,從而能夠以高成 品率制造有機EL裝置2。
(有機EL裝置的其他實施方式)
圖6是本實施方式的其他實施方式的有機EL裝置4的平面結構圖 和剖面結構圖。另外,在圖6(A)中,為了便于觀察視圖,省略了密 封基板50的圖示。本實施方式的有機EL裝置4與前面的實施方式的 有機EL裝置2的不同點是,在密封基板50上設有形成為包圍第2凹 部28外周的俯視為矩形框狀的第3凹部52,其他結構與前面的實施方 式相同。
密封基板50是覆蓋第1、第2和第3吸附劑18、 22、 54、發(fā)光元 件12、和保護層16而設置的基板,其通過設在第1凹部26外周的第1 凸部30上的第1密封部件20、設在第2凹部28外周的第2凸部32上 的第2密封部件24、和i殳在第3凹部52外周的第3凸部56上的第3 密封部件58與基板10連接,以密封發(fā)光元件12。
第3吸附劑54被"i殳在密封基板50的第3凹部52內(nèi)。笫3吸附劑 54形成為包圍第2密封部件24外周的俯視呈矩形框狀的形狀,并被夾 在基板IO與密封基板50之間。在本實施方式的情況下,如圖6(B) 所示,第3吸附劑54與夾持該第3吸附劑54的基板10和密封基板50 中的密封基板50接觸,并且在與基板10之間形成有間隙60。
在前面的實施方式的有機EL裝置2中,由于由第1密封部件20和
第2密封部件24雙重包圍了保護層16,所以,可防止通過了第2密封 部件24的水分(濕氣)和氧等從第l吸附劑22侵入到內(nèi)側(cè),從而可確 保發(fā)光元件12的保護。而在本實施方式的有機EL裝置4中,由于由 第1密封部件20、第2密封部件24、和第3密封部件58三重包圍了保 護層16,所以,進一步確保了發(fā)光元件12的保護,因此,成為高可靠 性、長壽命的有機EL裝置。
圖7是本實施方式的其他形態(tài)的有機EL裝置6的平面結構圖和剖 面結構圖。另外,在圖7(A)中,為了便于觀察視圖,省略了密封基 板70的圖示。本實施方式的有機EL裝置6與前面的實施方式的有機 EL裝置2的不同點是,在密封基板70上,第1凸部30與第2凸部32 局部相連,并設有封口部72,其他結構與前面的實施方式相同。
第1凸部30上的第1密封部件20在封口部72處,具有第1密封 部件20的框形狀被中途切斷的第1不連續(xù)部74。第2凸部32上的第2 密封部件24在封口部72處,具有第2密封部件24的框形狀被中途切 斷的第2不連續(xù)部76。第1不連續(xù)部74向外周延伸到第2不連續(xù)部76。
而且,封口部72如圖8(A)所示,被封口密封部件78密封。并且, 封口密封部件78也可以如圖8 (B)所示,在密封基板外周附近連續(xù)。
這里,在根據(jù)需要對基板10進行加壓,使其與密封基板70緊密接 觸的情況下,如果加壓力作用到基板10上的發(fā)光元件12,則有可能對 該發(fā)光元件12造成傷害。而且,加壓力有可能破壞基板10上的第l和 第2密封部件20、 24的氣密性,
例如,在基板10上涂敷第1和第2密封部件20、 24,然后,把該 基板10與密封基板70重合,把發(fā)光元件12密封在由這兩個基板和第1 及第2密封部件20、 24包圍的空間(密封空間)內(nèi)。然后,通過壓接 基板10和密封基板70,將被夾在這兩個基板之間的笫1和第2密封部 件20、 24壓延,然后,使該第1和笫2密封部件20、 24固化。
另外,在把密封基板70重合壓接在基板10上時,密封空間的容積 因第1和第2密封部件20、 24的被壓延而減少,由此使得密封空間的 內(nèi)壓上升。由于該內(nèi)壓上升,會造成第1和第2密封部件20、 24不均
勻延展,使得接合基板10與密封基板70的密封線的形狀不均勻,因此, 在制成的制品之間其粘接強度會產(chǎn)生差異。而且,由于密封空間內(nèi)的氣 體會在第1和第2密封部件20、 24中鉆出孔(氣道)而釋放出來,并 且該氣道一直殘留到第1和第2密封部件20、 24固化后,因此,在制 成的制品之間會產(chǎn)生基于內(nèi)壓的差異而引起的面板壽命的差異,并且在 氣道的殘存嚴重的情況下,會導致發(fā)光元件12的密封不良。因此,在 本實施方式的有機EL裝置6中,通過使用上述的封口部72,可利用該 封口部72吸收加壓力,以防止上述的損壞。
(實施例)
(有機EL顯示裝置)
下面,參照圖9~圖12,對有機EL裝置的一個實施例的有機EL 顯示裝置100進行說明。
圖9是本實施例的有機EL顯示裝置100的電路結構圖,圖10是 該顯示裝置的平面結構圖.圖11是表示該顯示裝置的像素102的平面 結構圖,圖(A)是主要表示像素102中的TFT(薄膜晶體管)等像素 驅(qū)動部分的圖,圖(B)是表示劃分像素之間的圍堰(隔壁部件)等的 圖。圖12是沿著圖11的XII-XII線的剖面結構圖。
在圖9所示的電路結構中,有機EL顯示裝置IOO分別配置了多條 掃描線104、在與這些掃描線104交叉的方向延伸的多條信號線106、 和與這些信號線106并列延伸的多條共用供電線108,并且在掃描線104 與信號線106的各個交點上,設有像素102。
針對信號線106,設置有具有位移寄存器、電平位移器、視頻線、 以及模擬開關等的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動電路IIO。另外,針對掃描線104設置有 具有位移寄存器和電平位移器等的掃描側(cè)驅(qū)動電路112。在各個像素102 中設有通過掃描線104向柵電極供給掃描信號的開關用TFT(薄膜晶 體管)114;保持通過該開關用TFT114從信號線106供給的圖像信號 的保持電容CAP;由保持電容CAP保持的圖像信號被供給到柵電極的 驅(qū)動用TFT116;在通過該驅(qū)動用TFT116與共用供電線108電連接時, 從共用供電線108流入驅(qū)動電流的像素電極118;和被夾在該像素電極118與共用電極120之間的發(fā)光部122。由像素電極118、共用電極120、 和發(fā)光部122構成的元件是有機EL元件(發(fā)光元件)。
基于這樣的結構,當掃描線104被驅(qū)動,使開關用TFT114導通時, 此時的信號線106的電位被保持電容CAP保持,對應保持電容CAP的 狀態(tài),來決定驅(qū)動用TFT116的導通、截止狀態(tài)。而且,通過^f吏電流從 共用供電線108經(jīng)由驅(qū)動用TFT116的溝道流入到像素電極118,進而 使電流穿過發(fā)光部122流入到共用電極120,使發(fā)光部122對應流入的 電流量發(fā)光。
然后,如圖IO的平面結構所示,有機EL顯示裝置IOO在矩形形狀 基板124的大致中央部具有將多個像素102配置為俯視呈矩陣狀的顯示 區(qū)域126,并且覆蓋顯示區(qū)域126地形成第1吸附劑128.設有包圍顯 示區(qū)域126和第1吸附劑128的俯視呈矩形框狀的第1密封部件130, 以及包圍第1密封部件130的俯視呈矩形框狀的第2吸附劑132。并且, 設置有包圍第2吸附劑132的俯視呈矩形框狀的第2密封部件134。而 且,以平面覆蓋顯示區(qū)域126、第1吸附劑128、第1密封部件130、第 2吸附劑132、以及第2密封部件134的方式配置了密封基板136。
即,有機EL顯示裝置IOO是具備了與前面實施方式的有機EL裝 置2相同的基本結構的顯示裝置,其具備如下結構,即,對于排列配置 具有與有機EL裝置2的發(fā)光元件12對應的有機EL元件的像素102而 構成的顯示區(qū)域126,由第1密封部件130和第2密封部件134雙重密 封,并且在這些密封部件130、 134之間設置了第2吸附劑132。
而且,在第l吸附劑128與顯示區(qū)域126之間,設置有間隙42(參 照圖1 (B)),與前面的實施方式同樣,能夠使通過第1密封部件130 侵入到內(nèi)部的水分等擴散,使對第l吸附劑128的負荷在其周面上均勻, 抑制第1吸附劑128的局部劣化,提高可靠性。并且,在第2吸附劑132 與基板124之間設有間隙44(參照圖1 (B)),與前面的實施方式同樣, 能夠使通過第2密封部件134侵入到內(nèi)部的水分等擴散,使對第2吸附 劑132的負荷在其周面上均勻,抑制第2吸附劑132的局部劣化,從而 提高可靠性。
然后,如果觀察圖11 ( A)所示的像素102的平面構造,則像素102
被配置成俯視呈大致矩形形狀的像素電極118的四邊,被信號線106、 共用供電線108、掃描線104、和未圖示的其他像素電極用掃描線包圍。 在像素電極118的附近設有開關用TFT114、和驅(qū)動用TFT116。
開關用TFT114是以矩形島狀的半導體層138為主體構成的頂柵極 型薄膜晶體管,與半導體層138交叉的掃描線104在該交叉部分成為開 關用TFT114的柵電極。另外,半導體層138通過接觸孔Cl,與從在 圖示的上下方向延伸的信號線106沿著掃描線104的方向延伸的分支布 線106A電連接。并且,半導體層138通過接觸孔C2,與配置在像素電 極118的圖示右側(cè)的俯視呈矩形形狀的中繼電極140電連接。
驅(qū)動用TFT116是以矩形鳥狀的半導體層142為主體構成的頂柵極 型薄膜晶體管,具有柵極電極144G、源極電極146(電源線108的一部 分)、和漏極電極148。漏極電極148通過未圖示的接觸孔(參照圖12) 與像素電極118電連接。柵極電極144G從與半導體層142重疊的位置 向圖示的下側(cè)延伸,與保持電容CAP的電極150形成一體'并且,電 極150向圖示的下側(cè)延伸,通過接觸孔C3與和其平面重疊配置的中繼 電極140電連接。從而,通過中繼電極140使驅(qū)動用TFT116的柵極與 開關用TFT114的漏極電連接.
另外,如果觀察圖12所示的像素102的剖面構造,則在基板124 上設有驅(qū)動用TFT116,在隔著覆蓋驅(qū)動用TFT116而形成了多層絕緣 膜的基板124上,形成有機EL元件152。有機EL元件152以i殳置在 由豎立設置于基板124上的圍堰(無機圍堰154和有機圍堰156)包圍 的區(qū)域內(nèi)的有機功能層(發(fā)光部)122為主體而構成,具有把該有機功 能層122夾在像素電極118與共用電極120之間的結構。這里,如果觀 察圖11 (B)所示的平面構造,則有機圍堰156具有與像素電極118的 形成區(qū)域?qū)母┮暢蚀笾戮匦涡螤畹拈_口部158,在該開口部158中 形成有上述的有機功能層122。
如圖12所示,驅(qū)動用TFT116以形成在半導體層142上的源極區(qū)域 144A、漏極區(qū)域144B、和溝道區(qū)域144C、和隔著形成在半導體層表面 的柵極絕緣膜160與溝道區(qū)域144C對置的柵電極144G為主體而構成。 形成有覆蓋半導體層142和柵極絕緣膜160的笫1層間絕緣膜162,在 貫通該笫1層間絕緣膜162到達半導體層142的接觸孔164、 166內(nèi),
分別埋設漏極電極148、源極電極146,各個電極與漏極區(qū)域144B及源 極區(qū)域144A導電連接。在第1層間絕緣膜162上形成有第2層間絕緣 膜168,在貫通設置于該第2層間絕緣膜168的接觸孔中,埋設像素電 極118的一部分。而且,通過使像素電極118與漏極電極148導電連接, 使驅(qū)動用TFT116與像素電極118 (有機EL元件152 )電連接。
在第2層間絕緣膜168上,形成有由無機絕緣材料構成的無機圍堰 (第1隔壁層)154,無機圍堰154被配置成其一部分跨在像素電極118 的周緣部上。無機圍堰154上疊層有由有機材料構成的有機圍堰(笫2 隔壁層)156,成為該有機EL裝置中的隔壁部件。
有機EL元件152通過在像素電極118上疊層空穴輸送層122A和發(fā) 光層122B,并形成覆蓋該發(fā)光層122B和有機圍堰156的共用電極120 而構成。即,本實施例的有機EL元件152與前面實施方式的發(fā)光元件 12對應,^象素電極118、空穴輸送層122A、發(fā)光層122B、和共用電極 120是分別相當于發(fā)光元件12的陽極34、空穴輸送層36、發(fā)光層38、 和陰極40的構成要素。
空穴輸送層122A形成為覆蓋像素電極118的表面,其周緣部覆蓋 從有機圍堰156的下端側(cè)向像素電極118的中央側(cè)延伸的無機圍堰154 的端緣部。
在共用電極120上,形成與前面實施方式的保護層16對應的保護 層170,并覆蓋該保護層170地形成第1吸附劑128。
具備了上述結構的有機EL顯示裝置IOO與前面實施方式的有機EL 裝置2同樣,成為設置了笫l和笫2吸附劑128、 132、第1和第2密封 部件130、 134的結構。由此,基于第1密封部件130和第2密封部件 134的雙重密封構造,可實現(xiàn)對有機EL元件152的良好的密封性能。
(光寫入頭)
下面,參照圖13和圖14,對作為其他實施例的使用了有機EL裝 置的光寫入頭進行說明。
圖13是本實施例的具備了適合光寫入頭用途的結構的有機EL裝
置的平面結構圖。
如圖13所示,在構成有機EL裝置8的基板172上,排列配置了 未圖示的有機EL元件的發(fā)光元件區(qū)域174沿著基板172的長度方向延 長設置,沿著發(fā)光元件區(qū)域174排列配置有多個驅(qū)動元件176。雖然省 略了詳細說明,但設在發(fā)光元件區(qū)域174中的各個有機EL元件,與從 各個驅(qū)動元件176延伸的連接布線178電連接,被從驅(qū)動元件176供給 的電信號驅(qū)動。
本實施例的有機EL裝置8也具備了與前面實施方式的有機EL裝 置2相同的密封構造。即,在設置于發(fā)光元件區(qū)域174的有機EL元件 的表面上形成未圖示的保護層,并覆蓋發(fā)光元件區(qū)域174地形成第l吸 附劑180,形成有包圍第1吸附劑180的第1密封部件182、包圍第1 密封部件182的笫2吸附劑184、和包圍第2吸附劑184的第2密封部 件186。而且,以覆蓋第1吸附劑180、第1密封部件182、第2吸附劑 184、和第2密封部件186的方式粘合密封基板188。
具備了上述結構的有機EL裝置8與前面實施方式的有機EL裝置2 同樣,成為設置了第1和第2吸附劑180、 184、笫1和第2密封部件 182、 186的結構。由此,基于第1密封部件182和第2密封部件186 的雙重密封構造,可實現(xiàn)對發(fā)光元件區(qū)域174的良好的密封性能。
圖14是表示把上述的有機EL裝置8應用在電子照片方式打印機的 光寫入頭(打印頭)中的一例。圖14中,在有機EL裝置8的光射出 方向(圖示上方)設有光學系統(tǒng)l卯,在光學系統(tǒng)190的上方設有感光 鼓(感光體)192。有機EL裝置8向光學系統(tǒng)l卯射出光,射入到光 學系統(tǒng)190的光由光學系統(tǒng)190聚光,射入到感光鼓192。在本例中, 能夠?qū)崿F(xiàn)對發(fā)光元件12的良好的密封性能,從而可提高電子照片方式 打印機整體的可靠性。
(電子設備)
下面,對具備了上述實施例的有機EL顯示裝置100的電子設備進 行說明。
圖15是表示本實施例的移動電話機的一例的立體圖。圖15所示
的移動電話機200具有使用了上述實施例的有機EL顯示裝置100的 顯示部202、操作按鈕部204、受話部206、和送話部208。圖15所示 的電子設備由于具有上述實施例的有機EL顯示裝置100,所以,基于 第1密封部件130和第2密封部件134的雙重密封構造,成為可實現(xiàn)對 有機EL元件的良好密封性能的電子設備。
權利要求
1. 一種發(fā)光裝置,其特征在于,包括:基板,其形成有由第1電極和第2電極夾持至少具有發(fā)光層的電光學物質(zhì)的疊層體;密封基板,其借助多個密封部件與所述基板接合,該多個密封部件形成為雙重或雙重以上地包圍所述基板的所述疊層體外周的框狀;多個配置部,其分別形成在所述密封基板上的由所述密封部件包圍的每個區(qū)域;和多個吸附劑,其被配置在每個所述配置部中,發(fā)揮吸附水分及氧的吸附作用。
2. 根據(jù)權利要求l所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 所述多個密封部件的形狀被形成為俯視呈矩形形狀。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 所述多個密封部件包括包圍所述基板的所述疊層體的外周的第1密封部件;和 包圍所述第1密封部件外周的第2密封部件; 所述多個配置部包括形成在所述密封基板上的被所述第1密封部件包圍的區(qū)域中的第1 配置部;和形成在所述密封基板上的被所述第1密封部件和所述第2密封部件 包圍的區(qū)域中的第2配置部,所述多個吸附劑包括配置在所述第1配置部的第1吸附劑;和配置在所述第2配置部的第2吸附劑。
4. 根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 所述第1和第2配置部分別形成凹部,所述第1密封部件被^1在由所述第l配置部的凹部外周的凸部構成 的第l支撐部上, 所述第2密封部件被設在由所述第2配置部的凹部外周的凸部構成 的第2支撐部上。
5. 根據(jù)權利要求3或4所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 所述第l和第2吸附劑的吸附能力不同。
6. 根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述第l吸附劑比所述第2吸附劑的吸附水分和氧的吸附量大。
7. 根據(jù)權利要求5或6所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述第2吸附劑比所述第1吸附劑的吸附水分和氧的吸附速度快。
8. 根據(jù)權利要求3 7中任意一項所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 包括將所述第1支撐部與所述第2支撐部局部連接而形成的封口部;在所述封口部中,所述第i支撐部上的所述第i密封部件的框形狀 被中途切斷的第l不連續(xù)部;和在所述封口部中,所述第2支撐部上的所述第2密封部件的框形狀被中途切斷的第2不連續(xù)部,所述第1不連續(xù)部向外周延伸到所述第2不連續(xù)部, 所述封口部由多個封口密封部件密封.
9. 根據(jù)權利要求8所述的發(fā)光裝置,其特征在于, 多個所述封口密封部件被一體成形。
10. 根據(jù)權利要求1 9中任意一項所述的發(fā)光裝置,其特征在于,所述吸附劑未形成在所述密封基板上的與所述基板的所述疊層體 對置的位置上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置,其基于雙重以上的密封構造實現(xiàn)了對發(fā)光元件的良好密封性能。發(fā)光裝置(2)包括形成有由第1電極和第2電極夾持至少具有發(fā)光層的電光物質(zhì)的疊層體(12)的基板(10);隔著形成為雙重或雙重以上包圍基板(10)的疊層體(12)外周的框狀的多個密封部件(20、24),與基板(10)接合的密封基板(14);分別形成在密封基板(14)上的由密封部件(20、24)包圍的每個區(qū)域的多個配置部(26、28);和被配置在每個配置部(26、28)中的發(fā)揮吸附水分和氧的吸附作用的吸附劑(18、22)。
文檔編號H05B33/04GK101389167SQ200810212189
公開日2009年3月18日 申請日期2008年9月9日 優(yōu)先權日2007年9月11日
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