專利名稱：放電燈點(diǎn)亮裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放電燈點(diǎn)亮裝置。
背景技術(shù)：
以往，由于金屬卣化物燈等HID (High Intensity Discharge,高 強(qiáng)度放電)燈是高效率且高亮度的，所以被用作道路照明等室外照明 用等，而且還被用作DLP (digital light processing,數(shù)字光處理)或 液晶投影儀等投影裝置的光源。
在點(diǎn)亮這樣的HID燈的以往的放電燈點(diǎn)亮裝置中，例如采用在日 本特表2005-507553號(hào)公報(bào)(以下，稱為專利文獻(xiàn)1)中所公開的起 動(dòng)器。
專利文獻(xiàn)l的裝置是對(duì)燈供給如使得在燈中持續(xù)引起電弧放電那 樣的較小振幅且較低頻率的方形波供給電壓，并且在起動(dòng)時(shí)對(duì)燈供給 使線圏以及蓄電器電諧振的較高頻率的供給電壓的裝置。在專利文獻(xiàn) 1的裝置中，可以對(duì)燈供給起動(dòng)時(shí)的較高的電壓，并且可以對(duì)燈供給 維持燈的通常點(diǎn)亮的電壓。
另外，為了提高通常的串聯(lián)諧振電路的電容器兩端電壓，需要較 大的電感、較小的靜電電容、較小的寄生電阻的條件。在專利文獻(xiàn)1 的裝置中，還附加了高頻率下的電橋驅(qū)動(dòng)的條件，作為起動(dòng)時(shí)的電壓， 無(wú)法得到充分的電壓。因此，在專利文獻(xiàn)l的裝置中，在再點(diǎn)亮?xí)r需 要長(zhǎng)時(shí)間或需要另外準(zhǔn)備產(chǎn)生用于起動(dòng)的更高的電壓的電路。
另外，為了產(chǎn)生高電壓，必須增加升壓電路中使用的變壓器的次 級(jí)側(cè)線團(tuán)的匝數(shù)。另外，為了確保針對(duì)所產(chǎn)生的高電壓的電絕緣性， 必須確保變壓器的次級(jí)側(cè)線圏的開始巻繞的端部與巻繞結(jié)束的端部 之間的空間距離以及沿面距離，次級(jí)側(cè)線圏需要構(gòu)成為沿著 一 個(gè)方向單層巻繞。因此，導(dǎo)致變壓器大型化。
本發(fā)明的目的在于，提供一種可以用小型且簡(jiǎn)單的電路產(chǎn)生燈起 動(dòng)時(shí)的較高的電壓，進(jìn)而可以進(jìn)行預(yù)熱控制的放電燈點(diǎn)亮裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置包括第1串聯(lián)電路部， 構(gòu)成為串聯(lián)連接初級(jí)側(cè)線圏和電容器；第2串聯(lián)電路部，構(gòu)成為串聯(lián) 連接次級(jí)側(cè)線圏和放電燈，該次級(jí)側(cè)線圏由以比上述初級(jí)側(cè)線圏更多 的匝數(shù)在棒狀的磁芯的側(cè)面部上沿著上述磁芯的軸向巻繞的繞組構(gòu) 成，并與上迷初級(jí)側(cè)線圏一起構(gòu)成變壓器，上述繞組的與上述磁芯的 軸向平行的方向的截面尺寸為上述磁芯的徑向的截面尺寸以下；以及 橋式直流交流變換電路，具有四個(gè)晶體管，將來(lái)自電源部的直流電壓 變換為交流電壓，向并聯(lián)連接的上述第1以及第2串聯(lián)電路部的兩端 供給交流電壓。
另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置包括第1電路 部，包含串聯(lián)連接的第1初級(jí)側(cè)線圏、第2初級(jí)側(cè)線圏以及第1電容 器；第2電路部，構(gòu)成為串聯(lián)連接第1次級(jí)側(cè)線團(tuán)和放電燈，該第1 次級(jí)側(cè)線圏與上述第1初級(jí)側(cè)線圏一起構(gòu)成變壓器并具有比上述第1 初級(jí)側(cè)線圏更多的匝數(shù)；直流交流變換電路，將來(lái)自電源部的直流電 壓變換為交流電壓，向并聯(lián)連接的上述第1電路部以及第2電路部的 兩端供給交流電壓；第2次級(jí)側(cè)線圏，構(gòu)成在上述第l電路部中，并 與上述第2初級(jí)側(cè)線圏一起構(gòu)成變壓器，具有比上述第2初級(jí)側(cè)線團(tuán) 更多的匝數(shù)；笫2電容器，構(gòu)成在上述第l電路部中，經(jīng)由充電路徑 對(duì)該第2電容器施加在上述第2次級(jí)側(cè)線圏產(chǎn)生的電壓；以及放電間 隙，構(gòu)成在上述第1電路部中，基于上述第2電容器的端子電壓達(dá)到 放電間隙電壓而導(dǎo)通，經(jīng)由放電路徑將上述第2電容器的端子電壓供 給到上述第l初級(jí)側(cè)線圏。
另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置包括第1電路 部，隨著極性反轉(zhuǎn)生成所希望的電壓，并將該電壓供給到初級(jí)側(cè)線團(tuán)；第2電路部，構(gòu)成為串聯(lián)連接次級(jí)側(cè)線圏和放電燈，并與上述第l電 路部并聯(lián)連接，該次級(jí)側(cè)線圏與上述初級(jí)側(cè)線圈一起構(gòu)成變壓器并具 有比上述初級(jí)側(cè)線圏更多的匝數(shù)；直流交流變換電路，將來(lái)自電源部 的直流電壓變換為交流電壓，向并聯(lián)連接的上述第1電路部以及第2 電路部的兩端供給交流電壓；以及控制部，控制上述直流交流變換電 路，連續(xù)地進(jìn)行向上迷第1電路部的交流電壓的供給。


圖l是示出本發(fā)明的第1實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。
圖2是從磁芯的軸向觀察第1實(shí)施方式的變壓器T的圖。
圖3是圖2的HI-III截面圖。
圖4是示出鐵氧體磁芯的變形例的圖。
圖5是用于說明實(shí)施方式的動(dòng)作的流程圖。
圖6是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的燈12 的兩端電壓(無(wú)負(fù)載起動(dòng)電壓)的波形圖。
圖7是將圖6的時(shí)間軸放大到IO倍而示出的波形圖。
圖8A是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電流而示出預(yù)熱時(shí)的燈電 流的變化的波形圖。
圖8B是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電流而示出預(yù)熱時(shí)的燈電 流的變化的波形圖。
圖9A是放大圖8的時(shí)間軸而示出的波形圖。
圖9B是放大圖8的時(shí)間軸而示出的波形圖。
圖IO是示出第1實(shí)施方式的變形例的電路圖。
圖ll是示出本發(fā)明第2實(shí)施方式的電路圖。
圖12是示出第2實(shí)施方式的線團(tuán)的截面圖。
圖13是示出第2實(shí)施方式的變形例的電路圖。
圖14是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的電路圖。
圖15是示出第3實(shí)施方式的線圏的截面圖。
圖16是示出第3實(shí)施方式的變形例的電路圖。圖17是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。 圖18是示出圖17中的初級(jí)升壓電路14的一個(gè)具體例的電路圖。 圖19是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的燈12
的兩端電壓(無(wú)負(fù)載起動(dòng)電壓)的波形圖。
圖20是示出圖19的高電壓起動(dòng)期間的燈12的電壓波形(高電
壓起動(dòng)波形)的波形圖。
圖21是示出圖19的低電壓起動(dòng)期間的燈12的電壓波形(低電
壓起動(dòng)波形)的波形圖。
圖22是示出第4實(shí)施方式的變形例的電路圖。
圖23是示出本發(fā)明第5實(shí)施方式的電路圖。
圖24是示出第5實(shí)施方式的變形例的電路圖。
圖25是示出本發(fā)明的第6實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。
圖26是示出圖25中的初級(jí)升壓電路140的一個(gè)具體例的電路圖。
圖27是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的燈12
的兩端電壓的波形圖。
圖28是示出圖25的實(shí)施方式的第1變形例的電路圖。 圖29是示出圖25的實(shí)施方式的第2變形例的電路圖。 圖30是示出圖25的實(shí)施方式的第3變形例的電路圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。圖l是示出 本發(fā)明的第1實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。
電源部ll產(chǎn)生直流電壓。電源部ll是產(chǎn)生恒定功率的部件。在 實(shí)際的電路中，例如可以由恒定功率控制斬波電路的輸出平滑電容器 等構(gòu)成電源部11。
電源部11的正極性輸出端經(jīng)由電源線與晶體管Ql、 Q3的各漏 極連接。另外，電源部11的負(fù)極性輸出端經(jīng)由基準(zhǔn)電位線與晶體管 Q2、 Q4的各源極連接。晶體管Ql的源極與晶體管Q2的漏極相互連 接。另外，晶體管Q3的源極與晶體管Q4的漏極相互連接。這些晶體管Q1 Q4構(gòu)成將來(lái)自電源部11的直流電壓變換為交流 電壓的橋式直流交流變換電路。
晶體管Ql的源極與晶體管Q2的漏極的連接點(diǎn)(以下，稱為第1 連接點(diǎn))經(jīng)由線團(tuán)Ll與電容器C的第1串聯(lián)電路與晶體管Q3的源 極與晶體管Q4的漏極的連接點(diǎn)(以下，稱為第2連接點(diǎn))連接。另 外，在第l連接點(diǎn)與笫2連接點(diǎn)之間，連接有線圏L2與燈12的第2 串聯(lián)電路。作為燈12采用HID燈。
為了振動(dòng)波形形成以及電流限制而設(shè)置電容器C。另外，由線圏 Ll、 L2構(gòu)成變壓器T。此外，將線圏L1設(shè)為變壓器T的初級(jí)側(cè)，將 線圏L2設(shè)為變壓器的次級(jí)側(cè)。在本實(shí)施方式中，線圏L2的匝數(shù)被設(shè) 定為線圏Ll的匝數(shù)的n倍(n是正數(shù))。作為匝數(shù)比n，例如設(shè)定幾 倍到幾百倍的值。
控制部13產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)晶體管Q1 Q4的控制信號(hào)?？刂撇?3 使晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通，并且使晶體管Q2、 Q3截止。另外，控制部 13使晶體管Q1、 Q4截止，并且使晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通。控制部13 按照燈12的點(diǎn)亮?xí)r的各相位改變晶體管Q1 Q4的導(dǎo)通/截止的切換頻 率(驅(qū)動(dòng)頻率)。
即，在本實(shí)施方式中，控制部13在起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)，以較高 的頻率驅(qū)動(dòng)晶體管Q1 Q4，在通常點(diǎn)亮?xí)r，以較低的頻率驅(qū)動(dòng)晶體管 Q1 Q4。
在此，參照?qǐng)D2以及圖3說明本實(shí)施方式的變壓器T的結(jié)構(gòu)。圖 2是從磁芯的軸向觀察本發(fā)明的第1實(shí)施方式的變壓器T的圖。圖3 是圖2的III-III截面圖。
如圖2所示，本實(shí)施方式的變壓器T構(gòu)成為在作為由磁性體構(gòu)成 的棒狀磁芯的鐵氧體磁芯33的側(cè)面部上，分別以單層巻繞被絕緣包 覆的導(dǎo)電線、所謂的作為磁導(dǎo)線的次級(jí)側(cè)繞組32以及初級(jí)側(cè)繞組31。 次級(jí)側(cè)繞組32以及初級(jí)側(cè)繞組31分別構(gòu)成作為次級(jí)側(cè)線圏的線圏 L2以及作為初級(jí)側(cè)線團(tuán)的線圏Ll。
如圖3所示，次級(jí)側(cè)繞組32是通過軋制或拉制等而形成截面形狀為大致長(zhǎng)方形形狀的扁平形狀的銅制線材。換言之，次級(jí)側(cè)繞組32 構(gòu)成為在側(cè)面部具有平行的二個(gè)面。具有如本實(shí)施方式的次級(jí)側(cè)繞組 32那樣的截面形狀的線材通常被稱為扁線。此外，以下，將次級(jí)側(cè)繞 組32的導(dǎo)體部的截面形狀的長(zhǎng)度方向尺寸稱為幅度W，將寬度方向 尺寸稱為厚度t。
次級(jí)側(cè)繞組32以單層巻繞在鐵氧體磁芯33的側(cè)面上，以使截面 形狀的長(zhǎng)度方向沿著鐵氧體磁芯33的徑向。本實(shí)施方式的扁線的巻 繞方法通常被稱為沿邊或幅度方向巻繞的方法。這樣，通過以單層沿 著一個(gè)方向巻繞次級(jí)側(cè)線圏32，可以確保線圏L2的兩端部El與E2 之間的空間距離以及沿面距離，可以針對(duì)由變壓器T產(chǎn)生的電壓確保 充分的電絕緣性。此外，在本實(shí)施方式中，例如次級(jí)側(cè)繞組32的壓 數(shù)為200匝，導(dǎo)體部的截面的尺寸是幅度為3.8mm、厚度t為O.lmm。 另外，線圏L2的鐵氧體磁芯33的軸向的尺寸A2、即線圏L2的兩端 部El與E2之間的距離為27mm。
在作為沿邊巻繞的扁線的由次級(jí)側(cè)繞組構(gòu)成的線圏L2的外周部， 構(gòu)成線圏Ll的初級(jí)側(cè)繞組31在鐵氧體磁芯33的軸向以單層巻繞。 初級(jí)側(cè)繞組31是導(dǎo)體部的截面形狀成圓形形狀的線材。在本實(shí)施方 式中，例如初級(jí)側(cè)繞組31的匝數(shù)為7匝，導(dǎo)體部的直徑為0.4mm。 另外，在次級(jí)側(cè)繞組32與初級(jí)側(cè)繞組31之間，插入有由具有電絕緣 性的材料構(gòu)成的絕緣材料34。
此外，在圖2以及圖3中，鐵氧體磁芯33圖示為具有圓形形狀 的截面的中間實(shí)心的圓柱部件，但鐵氧體磁芯33的形狀也可以是截 面為四邊形狀或橢圓形狀等，還可以是中間空心的筒狀部件。例如如 圖4所示，如果將鐵氧體磁芯33a的截面形狀設(shè)為橢圓形狀，則可以 使變壓器T薄型化。
根據(jù)上述本實(shí)施方式的變壓器T，與將具有與次級(jí)側(cè)繞組32相同
的軸向上巻繞的情況相比，可以減小線團(tuán)L2的鐵氧體磁芯33的軸向 的尺寸A2。例如，具有與本實(shí)施方式的次級(jí)側(cè)繞組32相同的截面面積的圓 截面的磁導(dǎo)線的導(dǎo)體部的直徑為0.7mm。以單層巻繞200臣該圓截面 的磁導(dǎo)線而形成的線圏的鐵氧體磁芯的軸向的尺寸為140mm以上。 與之相對(duì)，在本實(shí)施方式中，線圏L2的鐵氧體磁芯33的軸向的尺寸 A2為27mm。
即，根據(jù)本實(shí)施方式，通過以單層沿一個(gè)方向巻繞次級(jí)側(cè)繞組32， 可以確保較高的電絕緣性，且不會(huì)減少次級(jí)側(cè)繞組的截面面積，而可 以減小線圏L2的鐵氧體磁芯33的軸向的尺寸A2，可以使變壓器T 小型化。
鐵氧體磁芯33的形狀、次級(jí)側(cè)繞組32的導(dǎo)體部的幅度W和厚 度t以及兩者之比按照具備變壓器T的本實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置 的方式進(jìn)行恰當(dāng)?shù)剡x擇，而不限于上述值。
另外，次級(jí)側(cè)繞組32的導(dǎo)體部的截面形狀不限于長(zhǎng)方形形狀， 當(dāng)然如果是橢圓形形狀或長(zhǎng)圓形形狀、或者與它們類似的扁平形狀， 也能夠得到等同的效果。另外，在次級(jí)側(cè)繞組32的導(dǎo)體部的截面形 狀為正方形的情況下，如果是巻繞成成為內(nèi)側(cè)的面與鐵氧體磁芯33 的側(cè)面部平行的結(jié)構(gòu)，則與上述結(jié)構(gòu)同樣地，可以減小線圏L2的鐵 氧體磁芯33的軸向的尺寸A2，可以得到同樣的效果。
接下來(lái)，參照?qǐng)D5至圖9對(duì)如上構(gòu)成的實(shí)施方式的動(dòng)作進(jìn)行說明。 圖5是用于說明實(shí)施方式的動(dòng)作的流程圖。
<起動(dòng)時(shí)>
電源部11向電源線供給正極性輸出，向基準(zhǔn)電位線供給負(fù)極性 輸出。向電源線與基準(zhǔn)電位線之間施加的直流電壓被供給到構(gòu)成橋式 直流交流變換電路的晶體管Q1 Q4。
在燈12開始點(diǎn)亮?xí)r，從圖5的步驟S1向步驟S2轉(zhuǎn)移處理，控 制部13將第1高頻率設(shè)定為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率?？刂撇?3 向晶體管Q1 Q4提供第1高頻率的控制信號(hào)，使其導(dǎo)通、截止(步 驟S3 )。
即，構(gòu)成電橋電路的晶體管Ql、 Q4同時(shí)被控制為導(dǎo)通、截止，晶體管Q2、 Q3也同時(shí)被控制為導(dǎo)通、截止。在晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通 時(shí)，晶體管Q2、 Q3截止，在晶體管Ql、 Q4截止時(shí)，晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通。此外，為了防止短路，僅在短時(shí)間內(nèi)晶體管Q1 Q4全部被 設(shè)定為截止?fàn)顟B(tài)。
在晶體管Ql、 Q4導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端經(jīng)由晶 體管Q1、線圏L1、電容器C以及晶體管Q4向負(fù)極性輸出端流過電 流。反之，在晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端 經(jīng)由晶體管Q3、電容器C、線圏Ll以及晶體管Q2向負(fù)極性輸出端 流過電流。
在晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)由線圏L1對(duì)電容器C充電，電容 器C的端子電壓上升到大致電源部11的電壓Vin。接下來(lái)，由于在 線圏Ll產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，在線圏Ll產(chǎn)生的電壓VL被加到電容器C 的端子電壓，而電容器C的端子電壓上升到Vin+VL。接下來(lái)，在線 圏Ll與電容器C之間產(chǎn)生自由振動(dòng)，電容器C的端子電壓改變極性， 同時(shí)收斂于規(guī)定值。在晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通時(shí)，也進(jìn)行與晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)相同的動(dòng)作。
在本實(shí)施方式中，由于在線圏Ll產(chǎn)生的電壓，在線圏L2產(chǎn)生與 匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的高電壓。在線團(tuán)L2產(chǎn)生的電壓是與在線圏Ll以及電容 器C產(chǎn)生的電壓大致相同的波形，振幅根據(jù)匝數(shù)比變?yōu)槌浞执蟮闹怠?在線圍L2產(chǎn)生的電壓被施加到燈12。
圖6是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的燈12 的兩端電壓(無(wú)負(fù)載起動(dòng)電壓)的波形圖。另外，圖7是將圖6的時(shí) 間軸放大到IO倍而示出的波形圖。在圖6中，期間Tl是晶體管Ql、 Q4導(dǎo)通的期間，期間T2是晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通的期間。
如圖6所示，在燈12的兩端，當(dāng)晶體管Q1、 Q4分別開始導(dǎo)通 時(shí)以及晶體管Q2、 Q3分別開始導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生極高的電壓。圖6的例 子示出了在將Vin設(shè)為220V、 Ll為2.1|nH且為7匝、L2為1.3mH 且為200匝、C為O.OlpF的情況下將晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率設(shè)定 為17kHz時(shí)的特性。在圖6的例子中，燈12的兩端電壓的最大值約為6640V，最小值約為-4800V。每當(dāng)全橋驅(qū)動(dòng)的極性反轉(zhuǎn)時(shí)對(duì)燈12 施加該高電壓。此外，作為起動(dòng)時(shí)的驅(qū)動(dòng)頻率，可以使用幾百Hz 幾 百kHz。
這樣，通過以第1高頻率使晶體管Ql、 Q4和晶體管Q2、 Q3導(dǎo) 通截止來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可以對(duì)燈12施加高電壓的振動(dòng)電壓。
另外，如圖7所示，可知施加到燈12的電壓波形為失真較少的 衰減振動(dòng)波形。
這樣，在起動(dòng)時(shí)，當(dāng)全橋的極性反轉(zhuǎn)時(shí)由線圏Ll和電容器C產(chǎn) 生自由振動(dòng)。并且，在該自由振動(dòng)時(shí)，施加到線圏Ll的電壓根據(jù)線 圏Ll與線圏L2的匝數(shù)比被感應(yīng)到線圏L2。此外，如上所述，第1 串聯(lián)電路的自由振動(dòng)收斂到下一次極性反轉(zhuǎn)為止，電流大致成為零。
<預(yù)熱時(shí)>
當(dāng)對(duì)燈12施加在線圏L2產(chǎn)生的大電壓時(shí)，燈12引起絕緣擊穿。 當(dāng)燈12由于起動(dòng)期間的控制而引起絕緣擊穿時(shí)，接下來(lái)轉(zhuǎn)移到預(yù)熱 期間(步驟S4)。預(yù)熱期間是用于從剛剛開始放電后的不穩(wěn)定的放電 狀態(tài)向穩(wěn)定的放電狀態(tài)轉(zhuǎn)移的期間。
以絕緣擊穿為契機(jī)，燈12轉(zhuǎn)移到輝光放電，進(jìn)而轉(zhuǎn)移到電弧放 電而成為通常點(diǎn)亮狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，在起動(dòng)期間、預(yù)熱期間以 及通常點(diǎn)亮期間的整個(gè)期間，利用來(lái)自電源部11的能量使燈12點(diǎn)亮。
在預(yù)熱時(shí)，在燈12中流過較多的燈電流的燈，在短時(shí)間內(nèi)得到 穩(wěn)定的放電狀態(tài)。但是，在燈電流大的情況下，導(dǎo)致?lián)p壞燈12的電 極等。因此，在預(yù)熱時(shí)，優(yōu)選可以控制燈電流。在本實(shí)施方式中，通 過控制晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率來(lái)進(jìn)行預(yù)熱控制。
圖8A以及圖8B是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電流而示出預(yù)熱 時(shí)的燈電流的變化的波形圖。圖8A示出在與圖6的例子相同的條件 下將預(yù)熱時(shí)的晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率(預(yù)熱頻率)設(shè)定為10kHz 時(shí)的特性，圖8B示出設(shè)定為12kHz時(shí)的特性。圖8A、圖8B的例子 是在起動(dòng)時(shí)和預(yù)熱時(shí)將晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率設(shè)定為相同的例子。 此外，預(yù)熱時(shí)的燈電流的特性受到燈內(nèi)部的環(huán)境溫度等的影響，圖8A以及圖8B是在特定的條件下的例子。
在圖8A、圖8B中的任一例子的情況下，而且在未圖示的 8kHz 15kHz的任一例子的情況下，在預(yù)熱剛剛開始后，燈電流不成 為交流而成為脈動(dòng)電流。此外，當(dāng)將燈12的端子逆向連接時(shí)，該極 性反轉(zhuǎn)。另外，剛剛開始預(yù)熱后的脈動(dòng)電流隨著時(shí)間的經(jīng)過而變?yōu)榻?流。另外，預(yù)熱頻率從8kHz到15kHz變得越高，預(yù)熱時(shí)的燈電流值 越來(lái)越小。另外，預(yù)熱頻率如從8kHz到15kHz那樣變得越高，從脈 動(dòng)電流變化到交流為止的時(shí)間越長(zhǎng)。即，當(dāng)減小預(yù)熱電流時(shí)，變化到 交流為止的時(shí)間變長(zhǎng)。
根據(jù)以上，被認(rèn)為在剛剛開始放電(開始預(yù)熱)后不穩(wěn)定的放電 隨著時(shí)間而穩(wěn)定，并變?yōu)榻涣鳌Ｔ陬A(yù)熱期間，流過的燈電流越大，內(nèi) 部氣體或電極的溫度上升越快，而在短時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定的放電狀 態(tài)。該燈電流可以通過改變預(yù)熱頻率來(lái)進(jìn)行控制。
圖9A以及圖9B是放大圖8的時(shí)間軸而示出的波形圖。圖9A以 及圖9B是預(yù)熱頻率為12kHz的例子，圖9A示出圖8B的脈動(dòng)電流區(qū) 間，圖9B示出圖8B的交流區(qū)間。
如圖9A以及圖9B所示，燈電流變?yōu)殇忼X波狀。由于線圏的電感 部分，電流變?yōu)殇忼X狀。電流值的峰值由晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率 來(lái)決定。在圖9A的脈動(dòng)電流區(qū)間，燈電流成為少許飽和狀態(tài)，與其 相對(duì)如圖9B所示，在交流區(qū)間，得到失真少的鋸齒狀波形的燈電流。 與脈沖電流區(qū)間相比，在交流區(qū)間流向同一方向的電流峰值變小，所 以不易飽和。
在圖8A、圖8B例子中，當(dāng)采用比10kHz高一些的頻率來(lái)作為預(yù) 熱頻率時(shí)，被認(rèn)為預(yù)熱電流的峰值降低，預(yù)熱時(shí)間也較長(zhǎng)。這樣，通 過恰當(dāng)控制預(yù)熱頻率，可以不損壞燈電極等而進(jìn)行預(yù)熱。
<通常點(diǎn)亮期間>
接下來(lái)，結(jié)束預(yù)熱而轉(zhuǎn)移到通常點(diǎn)亮期間。在該情況下，控制部 13從步驟S6向步驟S7轉(zhuǎn)移處理，作為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率， 設(shè)定為比起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)的驅(qū)動(dòng)頻率還低的頻率。在圖8A、圖8B的例子中，示出了在通常點(diǎn)亮期間將驅(qū)動(dòng)頻率設(shè)為100Hz的例子。
在通常點(diǎn)亮?xí)r，根據(jù)由晶體管Q1 Q4形成的直流交流變換電路 所產(chǎn)生的矩形波電壓，主要經(jīng)由線圏L2以及燈12流過電流。此外， 即使驅(qū)動(dòng)頻率降低，由于在線圏Ll側(cè)串聯(lián)連接了電容器C，所以也 不會(huì)持續(xù)流過電流。另外，在通常點(diǎn)亮?xí)r，電源部ll的電壓Vin也 成為低的電壓值，所以極性反轉(zhuǎn)時(shí)的線圏1的電流大幅度降低。在通 常點(diǎn)亮期間，燈12轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定的電弧放電，而得到穩(wěn)定的燈電流。
這樣，在本實(shí)施方式中，并聯(lián)連接由進(jìn)行自由振動(dòng)的初級(jí)側(cè)線圏 以及電容器構(gòu)成的第1串聯(lián)電路、與由次級(jí)側(cè)線圏以及燈構(gòu)成的第2 串聯(lián)電路，利用使用了四個(gè)晶體管的橋式直流交流變換電路向第l以 及第2串聯(lián)電路的兩端供給矩形波電壓。可以根據(jù)初級(jí)側(cè)線圏與次級(jí) 側(cè)線圏的匝數(shù)比在次級(jí)側(cè)線團(tuán)產(chǎn)生大電壓，進(jìn)而當(dāng)起動(dòng)期間結(jié)束而變 為預(yù)熱期間時(shí)，通過控制晶體管的驅(qū)動(dòng)頻率，可以不損壞燈電極等而 轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定放電狀態(tài)。例如，在以往的高壓脈沖起動(dòng)方式中，從電源 流過無(wú)法控制的燈沖擊電流，但在本實(shí)施方式中，可以一邊充分地抑 制該燈沖擊電流， 一邊進(jìn)行預(yù)熱。由此，可以實(shí)現(xiàn)燈的長(zhǎng)壽命化。
這樣，在本實(shí)施方式中，利用具備小型變壓器的較簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的電 路，可以從起動(dòng)到通常點(diǎn)亮為止點(diǎn)亮高壓放電燈，由于起動(dòng)電路為一 級(jí)即可，所以有利于小型化以及低成本化。
此外，控制部13也可以根據(jù)例如從起動(dòng)開始的時(shí)間來(lái)控制起動(dòng) 期間、預(yù)熱期間以及通常點(diǎn)亮期間的切換。
圖IO是示出第1實(shí)施方式的變形例的電路圖。在圖10中，對(duì)與 圖1相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
圖IO的例子是將圖1中配置于線圏L1的一端側(cè)的電容器C配置 在線圏Ll的另一端側(cè)的例子。在該情況下，由電容器C以及線圏Ll 構(gòu)成的第1串聯(lián)電路呈現(xiàn)與圖1的電容器C以及線圏L1相同的動(dòng)作。
其他結(jié)構(gòu)以及作用與圖1的實(shí)施方式相同。
圖ll是示出本發(fā)明第2實(shí)施方式的電路圖。圖12是說明線閨的 結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖11以及圖12中，對(duì)與圖l相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，將圖1中構(gòu)成變壓器
T的線圏L1、 L2中的次級(jí)側(cè)線圏L2分割為線圏L21、 L22,將線圏 L21、 L22的兩端連接到燈12。線圏L21、 L22與第1實(shí)施方式同樣 地分別是將扁線沿邊巻繞而成的線圏。如圖12所示，線圏L21、 L22 是通過在同一鐵氧體磁芯33的兩端側(cè)分別將扁線沿邊巻繞而構(gòu)成的。 線圏L1位于線圏L21、 L22之間，通過在鐵氧體磁芯33的周圍巻繞 圓截面的磁導(dǎo)線而構(gòu)成。
在本實(shí)施方式中，通過恰當(dāng)設(shè)定線圏Ll的匝數(shù)與線圏L21、 L22 的匝數(shù)的和之比，可以將各線圏L21、 L22的端子電壓設(shè)定為充分高 的電壓。由此，在本實(shí)施方式中，與第l實(shí)施方式同樣地，也可以得 到燈12的起動(dòng)所需要的充分高的電壓。
此外，在本實(shí)施方式中，對(duì)于燈12的起動(dòng)所需要的電壓，在線 圏L21、 L22中分開而各自產(chǎn)生不同極性的電壓即可，在一個(gè)線圏中 產(chǎn)生的電壓為一半即可。即，可以減少各線圏的對(duì)地電壓，可以進(jìn)一
步降低對(duì)周邊元件的有害影響。
圖13是示出第2實(shí)施方式的變形例的電路圖。在圖13中，對(duì)與 圖ll相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
圖13的例子是將圖11中配置于線圏Ll 一端側(cè)的電容器C配置 在線圏Ll的另一端側(cè)的例子。在該情況下，由電容器C以及線圏Ll 構(gòu)成的第1串聯(lián)電路也呈現(xiàn)與圖ll的電容器C以及線圏Ll相同的動(dòng) 作。
其他結(jié)構(gòu)以及作用與圖11的實(shí)施方式相同。
圖14以及圖15是示出本發(fā)明第3實(shí)施方式的電路圖。在圖14 以及圖15中，對(duì)與圖1相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說 明。
本實(shí)施方式與第1實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，釆用線圏L3來(lái)代替 變壓器T。電容器C的一端與第2串聯(lián)電路的第2連接點(diǎn)連接，另一 端與線圏L3的中點(diǎn)連接。線圏L3如圖15所示，與第l實(shí)施方式的線圏L2同樣地是將扁線沿邊巻繞而成的線圏。
從線圏L3的中點(diǎn)到燈12側(cè)的線圏部分L32的臣數(shù)n2與從線圏 L3的中點(diǎn)到第1連接點(diǎn)側(cè)的線圏部分L31的匝數(shù)nl的匝數(shù)比n2/nl 被設(shè)定為比1大。
在第1連接點(diǎn)與第2連接點(diǎn)之間，串聯(lián)連接線圏L3的線圏部分 L31和電容器C而構(gòu)成第1串聯(lián)電路。因此，在起動(dòng)時(shí)，電容器C的 兩端電壓與第1實(shí)施方式的電容器C同樣地地變化。另外，在線圏部 分L32感應(yīng)出與匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的電壓，所以對(duì)燈12的兩端施加與圖6 同樣的電壓。
其他作用與第1實(shí)施方式相同。
這樣，在本實(shí)施方式中，也可以得到與第1實(shí)施方式同樣的效果。
圖16是示出第3實(shí)施方式的變形例的電路圖。在圖16中，對(duì)與 圖14相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
圖16的例子是在圖14的第1連接點(diǎn)側(cè)配置燈12以及電容器C、 在第2連接點(diǎn)側(cè)配置線團(tuán)L3的例子。
其他結(jié)構(gòu)以及作用與圖14的實(shí)施方式相同。
圖17是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。 在圖17中，對(duì)與圖l相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
式更高的充分的電壓。
晶體管Ql的源極與晶體管Q2的第1連接點(diǎn)經(jīng)由包含線圏Ll、 初級(jí)升壓電路14以及電容器C的第1電路部與晶體管Q3的源極與 晶體管Q4的漏極的第2連接點(diǎn)相連接。初級(jí)升壓電路14與線圏Ll 以及第l連接點(diǎn)相連接。另外，在第l連接點(diǎn)與第2連接點(diǎn)之間，連 接有線圏L2與燈12的第2電路部。作為燈12采用HID燈。
此外，為便于說明，以下，將線圏Ll與初級(jí)升壓電路14的連接 點(diǎn)設(shè)為x，將初級(jí)升壓電路14與電容器C的連接點(diǎn)設(shè)為y，將第1連 接點(diǎn)與初級(jí)升壓電路14的連接點(diǎn)設(shè)為z。
為了振動(dòng)波形形成以及電流限制而設(shè)置電容器C。另外，由線團(tuán)Ll、 L2構(gòu)成變壓器T。此外，將線圏L1設(shè)為變壓器T的初級(jí)側(cè)，將 線圏L2設(shè)為變壓器的次級(jí)側(cè)。在本實(shí)施方式中，線圏L2的臣數(shù)被設(shè) 定為線圏Ll的匝數(shù)的n倍(n是正數(shù))。作為匝數(shù)比n，例如設(shè)定幾 倍到幾百倍的值。
圖18是示出圖17中的初級(jí)升壓電路14的一個(gè)具體例的電路圖。 在連接點(diǎn)x、 y相互之間連接線圏L21。在連接點(diǎn)z與連接點(diǎn)x 之間，串聯(lián)連接放電間隙15以及電容器C21。對(duì)電容器C21并聯(lián)連 接線圏L22以及二極管Dl的電路。由線圏L21、 L22構(gòu)成變壓器。
控制部13產(chǎn)生用于驅(qū)動(dòng)晶體管Q1 Q4的控制信號(hào)?？刂撇?3 使晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通，并且使晶體管Q2、 Q3截止。另外，控制部 13使晶體管Ql、 Q4截止，并且使晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通?？刂撇?3 按照燈12點(diǎn)亮?xí)r的各相位改變晶體管Q1 Q4的導(dǎo)通/截止的切換頻率 (驅(qū)動(dòng)頻率)。
即，在本實(shí)施方式中，控制部13在起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)，以較高 的頻率驅(qū)動(dòng)晶體管Q1 Q4，在通常點(diǎn)亮?xí)r，以較低的頻率驅(qū)動(dòng)晶體管 Q1 Q4。
接下來(lái)，參照?qǐng)D5、圖19至圖21來(lái)說明如此構(gòu)成的實(shí)施方式的 動(dòng)作。在本實(shí)施方式中，也與上述實(shí)施方式同樣地按照?qǐng)D5的流程進(jìn)
行動(dòng)作。
<起動(dòng)時(shí)>
電源部11向電源線供給正極性輸出，向基準(zhǔn)電位線供給負(fù)極性 輸出。向電源線與基準(zhǔn)電位線之間施加的直流電壓被供給到構(gòu)成橋式 直流交流變換電路的晶體管Q1 Q4。
在燈12開始點(diǎn)亮?xí)r，從圖5的步驟S1向步驟S2轉(zhuǎn)移處理，控 制部13將第1高頻率設(shè)定為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率?？刂撇?3 向晶體管Q1 Q4提供第1高頻率的控制信號(hào)，使其導(dǎo)通、截止(步 驟S3)。
即，構(gòu)成電橋電路的晶體管Ql、 Q4同時(shí)被控制為導(dǎo)通、截止， 晶體管Q2、 Q3也同時(shí)被控制為導(dǎo)通、截止。在晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)，晶體管Q2、 Q3截止，在晶體管Ql、 Q4截止時(shí)，晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通。此外，為了防止短路，僅在短時(shí)間內(nèi)晶體管Q1 Q4全部被 設(shè)定為截止?fàn)顟B(tài)。
在晶體管Ql、 Q4導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端經(jīng)由晶 體管Ql、線圏Ll、初級(jí)升壓電路14的連接點(diǎn)x、 y間(線圏L21 )、 電容器C以及晶體管Q4向負(fù)極性輸出端流過電流。反之，在晶體管 Q2、 Q3導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端經(jīng)由晶體管Q3、電容 器C、初級(jí)升壓電路14的連接點(diǎn)y、 x間(線圏L21)、線圏Ll以 及晶體管Q2向負(fù)極性輸出端流過電流。
在晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)由線圏Ll以及線圏21對(duì)電容器C 充電，電容器C的端子電壓上升到大致電源部11的電壓Vin。接下 來(lái)，由于在線圏Ll以及L21產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，在線圏L1、 L21產(chǎn)生 的電壓VL+VL21被加到電容器C的端子電壓，而電容器C的端子電 壓上升到Vin+VL+VL21。接下來(lái)，在線圏Ll、 L21與電容器C之間 產(chǎn)生自由振動(dòng)，電容器C的端子電壓改變極性，同時(shí)收斂于規(guī)定值。 在晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通時(shí)，也進(jìn)行與晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)同樣的動(dòng) 作。
在本實(shí)施方式中，可以通過在線團(tuán)L21產(chǎn)生的電壓，而在線團(tuán) L22產(chǎn)生與匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的電壓。
線圏L22的電壓通過二極管Dl被整流，并在電容器C21中積蓄 電荷。電容器C21每當(dāng)通過晶體管Q1、 Q4與晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通、 截止而切換電橋電路的導(dǎo)通路徑(以下，稱為電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng) 作)時(shí)被反復(fù)充電。由此，電容器C21的端子電壓逐漸上升。當(dāng)電容 器C21的端子電壓上升到放電間隙15的間隙電壓(GAP電壓)時(shí)， 在放電間隙15中發(fā)生放電，在電容器C21、放電間隙15以及線圏Ll 的環(huán)路中流過電流，由于電磁感應(yīng)在線圏L2產(chǎn)生充分大的燈起動(dòng)電 壓。在線圍L2產(chǎn)生的電壓被施加到燈12。
另外，每當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，在線圏L1也產(chǎn)生電壓， 所以在線團(tuán)L2產(chǎn)生與線團(tuán)Ll與線圏L2的匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的電壓，并被施加到燈12的兩端。
圖19是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的燈12 的兩端電壓(無(wú)負(fù)載起動(dòng)電壓)的波形圖。圖20是將圖19的電壓軸 設(shè)為5倍、將時(shí)間軸設(shè)為1/50倍而示出圖19的高電壓起動(dòng)期間的燈 12的電壓波形(高電壓起動(dòng)波形)的波形圖。另外，圖21是將圖19 的電壓軸設(shè)為1/2倍、將時(shí)間軸設(shè)為1/20倍而示出圖19的低電壓起 動(dòng)期間的燈12的電壓波形(低電壓起動(dòng)波形)的波形圖。每當(dāng)電橋 電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生低電壓起動(dòng)波形。
圖19的高電壓起動(dòng)期間包含放電間隙15的放電期間。在該期間， 如圖20所示，在放電間隙15放電的瞬間在燈12的兩端產(chǎn)生極高的 電壓。在圖20的例子中，燈12的兩端電壓的最大值約為24kV，最 小值約為-17.22V。每當(dāng)放電間隙15放電時(shí)對(duì)燈12施加該極高的電壓。 此外，作為起動(dòng)時(shí)的驅(qū)動(dòng)頻率，可以使用幾百Hz 幾百kHz。
這樣，通過以第1高頻率對(duì)晶體管Ql、 Q4和晶體管Q2、 Q3導(dǎo) 通截止進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，初級(jí)升壓電路14進(jìn)行升壓動(dòng)作，電容器C21的端 子電壓上升。該升壓動(dòng)作與電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作同步地進(jìn)行。作 為一個(gè)例子，通過幾次到幾萬(wàn)次的動(dòng)作，電容器C21達(dá)到放電間隙電 壓而進(jìn)行放電。
通過放電間隙15放電，對(duì)線圏Ll施加電容器C21的電壓，由于 變壓器T的電磁感應(yīng)作用，在線圏L2產(chǎn)生高電壓，并對(duì)燈12施加高 電壓。
進(jìn)而，在與這樣的高電壓發(fā)生動(dòng)作不同的時(shí)刻，每當(dāng)電橋電路的 極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，被施加到線圏Ll的電壓根據(jù)線圏Ll與線圏L2的 匝數(shù)比而電磁感應(yīng)到線圏L2。由此，在燈12的兩端產(chǎn)生低電壓。
即，在本實(shí)施方式中，每當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，可以在 線圏L2產(chǎn)生低電壓并施加到燈12，并且可以與幾次到幾萬(wàn)次的極性 反轉(zhuǎn)動(dòng)作同步地在線圏L2產(chǎn)生高電壓并施加到燈12。另外，即使以 在線圏L2產(chǎn)生的低電壓而未點(diǎn)亮燈12的情況下，通過反復(fù)進(jìn)行極性 反轉(zhuǎn)動(dòng)作，在線圏L2產(chǎn)生高電壓，由此燈12也可以可靠地點(diǎn)亮。如果燈12點(diǎn)亮，則之后在線圏L2不會(huì)產(chǎn)生點(diǎn)亮燈12程度的較大電壓。 這樣，在起動(dòng)時(shí)，當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，通過線圏Ll 以及線圏L21和電容器C的自由振動(dòng)動(dòng)作，而在電容器C21產(chǎn)生升 壓動(dòng)作，同時(shí)，在變壓器T也產(chǎn)生升壓動(dòng)作。并且，在該自由振動(dòng)時(shí)， 被施加到線圏L21的電壓通過與線圏L21和線圏L22的匝數(shù)比對(duì)應(yīng) 的升壓動(dòng)作，而被感應(yīng)到線圏L22。該電壓通過二極管Dl ;波整流后 被充電到電容器C21。此外，如上所述，線圏L1、 L21、電容器C的 自由振動(dòng)收斂至下一次極性反轉(zhuǎn)為止，而電流大致成為零。
并且，向燈12施加的起動(dòng)電壓有每當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作 時(shí)可以產(chǎn)生的低電壓、和每當(dāng)放電間隙放電時(shí)可以產(chǎn)生的高電壓這兩 種。由此，在本實(shí)施方式中，在燈溫度低等易于實(shí)現(xiàn)燈起動(dòng)的條件下， 可以用低電壓進(jìn)行起動(dòng)，在燈溫度較高等難以實(shí)現(xiàn)燈起動(dòng)的條件下， 可以用高電壓進(jìn)行起動(dòng)。 <預(yù)熱時(shí)>
當(dāng)對(duì)燈12施加了在線圏L2產(chǎn)生的大電壓時(shí)，燈12引起絕緣擊 穿。當(dāng)通過起動(dòng)期間的控制而使燈12引起絕緣擊穿時(shí)，接下來(lái)轉(zhuǎn)移 到預(yù)熱期間(步驟S4)。預(yù)熱期間是用于從剛剛開始放電后的不穩(wěn)定 的放電狀態(tài)向穩(wěn)定的放電狀態(tài)轉(zhuǎn)移的期間。
以絕緣擊穿為契機(jī)，燈12轉(zhuǎn)移到輝光放電，進(jìn)而轉(zhuǎn)移到電孤放 電而成為通常點(diǎn)亮狀態(tài)。在本實(shí)施方式中，在起動(dòng)期間、預(yù)熱期間以 及通常點(diǎn)亮期間的整個(gè)期間，利用來(lái)自電源部11的能量使燈12點(diǎn)亮。
在預(yù)熱時(shí)，燈12中流過較多的燈電流的燈，在短時(shí)間內(nèi)得到穩(wěn) 定的放電狀態(tài)。但是，在燈電流大的情況下，導(dǎo)致?lián)p壞燈12的電極 等。因此，在預(yù)熱時(shí)，優(yōu)選可以控制燈電流。在本實(shí)施方式中，通過 控制晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率來(lái)進(jìn)行預(yù)熱控制。
預(yù)熱時(shí)的燈電流的變化可以通過與上述圖8A以及圖8B同樣的波 形圖來(lái)表示。即，在本實(shí)施方式中，在剛剛預(yù)熱開始后，燈電流不成 交流而成為脈動(dòng)電流。此外，當(dāng)將燈12的端子逆向連接時(shí)，該極性 反轉(zhuǎn)。另外，剛剛開始預(yù)熱后的脈動(dòng)電流隨著時(shí)間的經(jīng)過變?yōu)榻涣?。另夕卜，預(yù)熱頻率從8kHz到15kHz變得越高，預(yù)熱時(shí)的燈電流值越來(lái) 越小。另外，預(yù)熱頻率如從8kHz到15kHz那樣變得越高，從脈動(dòng)電 流變化到交流為止的時(shí)間越長(zhǎng)。即，當(dāng)減小預(yù)熱電流時(shí)，變化到交流 為止的時(shí)間變長(zhǎng)。
根據(jù)以上，在本實(shí)施方式中，也被認(rèn)為在剛剛開始放電(開始預(yù) 熱)后不穩(wěn)定的放電隨著時(shí)間而穩(wěn)定，并變?yōu)榻涣?。在預(yù)熱期間，流 過的燈電流越大，內(nèi)部氣體或電極的溫度上升越快，而在短時(shí)間內(nèi)轉(zhuǎn) 移到穩(wěn)定的放電狀態(tài)。該燈電流可以通過改變預(yù)熱頻率來(lái)進(jìn)行控制。 另外，在脈動(dòng)電流區(qū)間，燈電流成為少許飽和狀態(tài)，與其相對(duì)在交流 區(qū)間，得到失真少的鋸齒狀波形的燈電流。與脈沖電流區(qū)間相比，在 交流區(qū)間流向同一方向的電流峰值較小，所以不易飽和。
在本實(shí)施方式中，當(dāng)采用比10kHz高一些的頻率來(lái)作為預(yù)熱頻率 時(shí)，被認(rèn)為預(yù)熱電流的峰值降低，預(yù)熱時(shí)間也較長(zhǎng)。這樣，通過恰當(dāng) 控制預(yù)熱頻率，可以不損壞燈電極等而進(jìn)行預(yù)熱。
<通常點(diǎn)亮期間>
接下來(lái)，結(jié)束預(yù)熱而轉(zhuǎn)移到通常點(diǎn)亮期間。在該情況下，控制部 13從步驟S6向步驟S7轉(zhuǎn)移處理，作為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率， 設(shè)定為比起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)的驅(qū)動(dòng)頻率低的頻率。
在通常點(diǎn)亮?xí)r，根據(jù)由晶體管Q1 Q4形成的直流交流變換電路 所產(chǎn)生的矩形波電壓，主要經(jīng)由線圏L2以及燈12流過電流。此外， 當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻率降低時(shí)，在連接了電容器C的第1電路部中，不會(huì)持續(xù)流 過電流。因此，不會(huì)產(chǎn)生圖20以及圖21的高電壓以及低電壓。另夕卜， 在通常點(diǎn)亮?xí)r，電源部11的電壓Vin也成為較低的電壓值，所以在 極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，第1電路部中的電容器C的電流大幅度降低。在通 常點(diǎn)亮期間，燈12轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定的電弧放電，而得到穩(wěn)定的燈電流。
這樣，在本實(shí)施方式中，并聯(lián)連接第1電路部和第2電路部，利 用使用了四個(gè)晶體管的橋式直流交流變換電路向第1電路部以及第2 電路部的兩端供給矩形波電壓?？梢愿鶕?jù)初級(jí)升壓電路的升壓動(dòng)作以 及初級(jí)側(cè)線圏與次級(jí)側(cè)線圏的匝數(shù)比在次級(jí)側(cè)線圏產(chǎn)生大電壓，進(jìn)而當(dāng)起動(dòng)期間結(jié)束而變?yōu)轭A(yù)熱期間時(shí)，通過控制晶體管的驅(qū)動(dòng)頻率，可 以不損壞燈電極等而轉(zhuǎn)移到穩(wěn)定放電狀態(tài)。例如，在以往的高壓脈沖 起動(dòng)方式中，從電源流過無(wú)法控制的燈沖擊電流，但在本實(shí)施方式中， 可以一邊充分地抑制該燈沖擊電流， 一邊進(jìn)行預(yù)熱。由此，可以實(shí)現(xiàn) 燈的長(zhǎng)壽命化。
另外，在本實(shí)施方式中，通過反復(fù)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作，可以對(duì)燈
12施加高電壓，但在燈12用低電壓點(diǎn)亮的情況下，不產(chǎn)生高電壓。 因此，可以抑制產(chǎn)生噪聲等。
這樣，利用較簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的電路，可以從起動(dòng)到通常點(diǎn)亮為止點(diǎn)亮 高壓放電燈，由于起動(dòng)電路簡(jiǎn)單即可，所以有利于小型化以及低成本 化。
此外，控制部13也可以根據(jù)例如從起動(dòng)開始的時(shí)間來(lái)控制起動(dòng) 期間、預(yù)熱期間以及通常點(diǎn)亮期間的切換。
圖22是示出第4實(shí)施方式的變形例的電路圖。該變形例是作為 初級(jí)升壓電路采用了初級(jí)升壓電路141而代替初級(jí)升壓電路14的例子。
初級(jí)升壓電路141與初級(jí)升壓電路14相比，調(diào)換了電容器C21 與放電間隙15的位置。即，初級(jí)升壓電路141的電容器C21的充放 電路徑與初級(jí)升壓電路14不同。
圖18的初級(jí)升壓電路14通過線圏L22、 二極管Dl以及電容器 C21的路徑進(jìn)行充電，通過從電容器C21到放電間隙15、連接點(diǎn)z 的路徑進(jìn)行放電。與其相對(duì)，在圖22的初級(jí)升壓電路141中，通過 線圏L22、 二極管Dl、電容器C21、線圏Ll、連接點(diǎn)x以及線圏L22 的路徑進(jìn)行充電，通過從電容器C21到放電間隙15、連接點(diǎn)x、線圏 Ll、連接點(diǎn)z的路徑進(jìn)行放電。
其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第4實(shí)施方式相同。
圖23是示出本發(fā)明第5實(shí)施方式的電路圖。在圖23中，對(duì)與圖 18相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
本實(shí)施方式與第4實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，釆用附加了升壓用電容器C22以及二極管D2的初級(jí)升壓電路142。線圏L22的一端經(jīng)由 電容器C22與二極管Dl的陽(yáng)極連接，線圏L22的另一端經(jīng)由二極管 D2與二極管Dl的陽(yáng)極連接。即，由電容器C22以及二極管D2構(gòu)成 倍壓電路。
從線圏L22經(jīng)由二極管D2對(duì)電容器C22進(jìn)行充電。對(duì)電容器 C22還施加在線圏L22產(chǎn)生的電壓。對(duì)電容器C22與二極管Dl的連 接點(diǎn)供給在線圏L22產(chǎn)生的電壓的倍電壓。由此，電容器C21的端子 電壓在較短時(shí)間內(nèi)達(dá)到放電間隙電壓。
這樣，在本實(shí)施方式中，由于采用了倍壓電路，所以即使在由線 圏L21、 L22構(gòu)成的變壓器的性能降低，而無(wú)法得到充分的電壓的情 況下，也可以將電容器C21可靠地充電到放電間隙電壓。
圖24是示出第5實(shí)施方式的變形例的電路圖。該變形例是作為 初級(jí)升壓電路采用了初級(jí)升壓電路143而代替初級(jí)升壓電路142的例 子。
初級(jí)升壓電路143與初級(jí)升壓電路142相比，調(diào)換了電容器C21 與放電間隙15的位置。即，初級(jí)升壓電路143與初級(jí)升壓電路142 不同點(diǎn)僅在于電容器C21的充放電路。
其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第5實(shí)施方式相同。
此外，在上述各實(shí)施方式中，示出了將橋式電路用作直流交流變 換電路的例子，但當(dāng)然也可以使用半橋型的直流交流變換電路。
圖25是示出本發(fā)明的第6實(shí)施方式的放電燈點(diǎn)亮裝置的電路圖。 在圖25中，對(duì)與圖17相同的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
本實(shí)施方式與第4實(shí)施方式不同點(diǎn)在于，采用了初級(jí)升壓電路114 來(lái)代替初級(jí)升壓電路14。
圖26是示出圖25中的初級(jí)升壓電路114的一個(gè)具體例的電路圖。
連接點(diǎn)z與第l連接點(diǎn)直接串聯(lián)連接，并且經(jīng)由線圏L21與連接 點(diǎn)y連接。連接點(diǎn)y經(jīng)由電容器C與第2連接點(diǎn)連接。即，在第l連 接點(diǎn)與第2連接點(diǎn)之間，串聯(lián)連接線團(tuán)L21以及電容器C。連接點(diǎn)z 經(jīng)由線圏L22、 二極管Dl以及電容器C21也與連接點(diǎn)x連接。連接點(diǎn)x經(jīng)由線圏Ll與第1連接點(diǎn)連接。二極管Dl與電容器C21的連 接點(diǎn)經(jīng)由放電間隙15與連接點(diǎn)z連接。由線圏L21、L22構(gòu)成變壓器。 在本實(shí)施方式中，控制部13在起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)，也以較高的 頻率驅(qū)動(dòng)晶體管Ql Q4，在通常點(diǎn)亮?xí)r，以較低的頻率驅(qū)動(dòng)晶體管 Q1 Q4。
接下來(lái)，參照?qǐng)D27的波形圖來(lái)說明如此構(gòu)成的實(shí)施方式的動(dòng)作。 在本實(shí)施方式中，也按照?qǐng)D5的流程進(jìn)行動(dòng)作。
即，在起動(dòng)時(shí)，電源部11向電源線供給正極性輸出，向基準(zhǔn)電 位線供給負(fù)極性輸出。向電源線與基準(zhǔn)電位線之間施加的直流電壓被 供給到構(gòu)成橋式直流交流變換電路的晶體管Q1 Q4。
在燈12開始點(diǎn)亮?xí)r，從圖5的步驟Sl向步驟S2轉(zhuǎn)移處理，控 制部13將第1高頻率設(shè)定為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率。晶體管 Q1 Q4按照該控制信號(hào)而導(dǎo)通、截止(步驟S3)。
在晶體管Ql、 Q4導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端經(jīng)由晶 體管Q1、初級(jí)升壓電路114的連接點(diǎn)z、 y間(線圏L21)、電容器 C以及晶體管Q4向負(fù)極性輸出端流過電流。反之，在晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通時(shí)，從電源部11的正極性輸出端經(jīng)由晶體管Q3、電容器C、 初級(jí)升壓電路114的連接點(diǎn)y、 z間(線圏L21)以及晶體管Q2向負(fù) 極性輸出端流過電流。
在晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)，經(jīng)由初級(jí)升壓電路114內(nèi)的線圏L21 對(duì)電容器C充電，電容器C的端子電壓上升到大致電源部11的電壓 Vin。接下來(lái)，由于在線圏L21產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)，在線圏L21產(chǎn)生的 電壓VL21被加到電容器C的端子電壓，而電容器C的端子電壓上升 到Vin+VL21。接下來(lái)，在線圏L21與電容器C之間產(chǎn)生自由振動(dòng)， 電容器C的端子電壓改變極性，并收斂于規(guī)定值。在晶體管Q2、 Q3 導(dǎo)通時(shí)，也進(jìn)行與晶體管Q1、 Q4導(dǎo)通時(shí)同樣的動(dòng)作。
在本實(shí)施方式中，也可以利用在線圏L21產(chǎn)生的電壓，而在線圏 L22產(chǎn)生與匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的電壓。
進(jìn)而，對(duì)線圏L22連接初級(jí)側(cè)的線圏L21的一端，線圏L22的端子電壓呈現(xiàn)與線圏L21的匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的基于電磁耦合產(chǎn)生的電壓、 與在線圏L21產(chǎn)生的電壓之和的電壓。
線圏L22的電壓通過二極管D1被整流，并在電容器C21中積蓄 電荷。即，電容器C21將線圏L22、 二極管D1、電容器C21、線圏 Ll以及連接點(diǎn)z作為充電路徑進(jìn)行充電。
該電容器C21每當(dāng)通過晶體管Ql、 Q4與晶體管Q2、 Q3導(dǎo)通、 截止而進(jìn)行電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)被反復(fù)充電。由此，當(dāng)電容器 C21的端子電壓上升到放電間隙15的間隙電壓(GAP電壓)時(shí)，在 放電間隙15中發(fā)生放電，在電容器C21、放電間隙15以及線圏Ll 的環(huán)路中流過電流，由于電磁感應(yīng)在線圏L2產(chǎn)生充分大的燈起動(dòng)電 壓。在線圏L2產(chǎn)生的電壓被施加到燈12。
圖27是將橫軸設(shè)為時(shí)間、將縱軸設(shè)為電壓而示出起動(dòng)時(shí)的電容 器C21的端子電壓(虛線)以及施加到燈12的兩端電壓(實(shí)線)的 波形圖。此外，在圖27中，對(duì)于縱軸的刻度，針對(duì)電容器C21的端 子電壓，每個(gè)刻度為500V，針對(duì)輸出脈沖，每個(gè)刻度為IOKV。另夕卜， 在圖27中，還示出了通過2次輸出脈沖點(diǎn)亮了燈12后的電容器C21 的端子電壓。此外，通過放大圖27的時(shí)間軸，而得到與圖20同樣的 波形圖。
通過電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作對(duì)電容器C21進(jìn)行充電，電容器 C21的端子電壓達(dá)到放電間隙電壓，從而在線圏L2呈現(xiàn)圖27以及圖 20所示的輸出脈沖。即，在放電間隙15放電的瞬間，在燈12的兩端 產(chǎn)生極高的電壓。
這樣，通過以第1高頻率對(duì)晶體管Ql、 Q4和晶體管Q2、 Q3導(dǎo) 通截止進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，初級(jí)升壓電路114進(jìn)行升壓動(dòng)作，電容器C21的端 子電壓上升。該升壓動(dòng)作與電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作同步地進(jìn)行。作 為一個(gè)例子，通過幾次到幾萬(wàn)次的動(dòng)作，電容器C21達(dá)到放電間隙電 壓而進(jìn)行放電。
即，在本實(shí)施方式中，每當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，連續(xù)地 對(duì)電容器C21進(jìn)行充電。然后，當(dāng)電容器C21的端子電壓超過放電間隙電壓時(shí)，在線圏L2產(chǎn)生極高的電壓，并點(diǎn)亮燈12。
之后，當(dāng)進(jìn)入預(yù)熱狀態(tài)時(shí)，在第1電路部流過的電流變小，電容 器C21的充電時(shí)間變長(zhǎng)，反復(fù)進(jìn)行充放電。然后，當(dāng)轉(zhuǎn)移到通常點(diǎn)亮 狀態(tài)時(shí)，在第1電路部流過的電流變得充分小，在線圏L2不會(huì)產(chǎn)生 點(diǎn)亮燈12程度的較大的電壓。
這樣，在起動(dòng)時(shí)，當(dāng)電橋電路的極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作時(shí)，通過線圏L21 和電容器C的自由振動(dòng)動(dòng)作，在電容器C21產(chǎn)生升壓動(dòng)作。并且， 在該自由振動(dòng)時(shí)，；故施加到線圏L21的電壓通過與線圏L21和線圏 L22的匝數(shù)比對(duì)應(yīng)的升壓動(dòng)作而被感應(yīng)到線圏L22。其電壓通過二極 管D1被整流后被充電到電容器C21。此外，如上所述，線圏L21與 電容器C的自由振動(dòng)收斂到下一次極性反轉(zhuǎn)為止，而電流大致成為 零。
在本實(shí)施方式中，預(yù)熱控制也與上述實(shí)施方式相同，通過控制晶 體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率，而進(jìn)行預(yù)熱控制。另外，通常點(diǎn)亮期間的 動(dòng)作也與上述本實(shí)施方式相同，作為晶體管Q1 Q4的驅(qū)動(dòng)頻率，i殳 定為比起動(dòng)時(shí)以及預(yù)熱時(shí)的驅(qū)動(dòng)頻率低的頻率。
這樣，在本實(shí)施方式中，也可以得到與上述本實(shí)施方式同樣的效果。
另外，在本實(shí)施方式中，通過電橋電路反復(fù)進(jìn)行極性反轉(zhuǎn)動(dòng)作而 連續(xù)地對(duì)初級(jí)升壓電路內(nèi)的電容器進(jìn)行充電，從而該電容器的端子電 壓超過放電間隙電壓，由此可以對(duì)燈12施加極高的電壓。由此，燈 12的點(diǎn)亮變得更可靠。
這樣，利用較簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的電路，可以從起動(dòng)到通常點(diǎn)亮為止點(diǎn)亮 高壓放電燈，由于起動(dòng)電路簡(jiǎn)單即可，所以有利于小型化以及低成本 化。
圖28是示出圖25的實(shí)施方式的第1變形例的電路圖。第l變形 例是作為初級(jí)升壓電路釆用了初級(jí)升壓電路1141而代替初級(jí)升壓電 路114的例子。
初級(jí)升壓電路1141與初級(jí)升壓電路114相比，調(diào)換了電容器C21與放電間隙15的位置。即，初級(jí)升壓電路1141與初級(jí)升壓電路114 的不同點(diǎn)在于電容器C21的充放電路。
圖26的初級(jí)升壓電路114通過線團(tuán)L22、 二極管Dl以及電容器 C21的路徑進(jìn)行充電，通過從電容器C21到放電間隙15、連接點(diǎn)z 的路徑進(jìn)行放電。與其相對(duì)，在圖28的初級(jí)升壓電路1141中，通過 線圏L22、 二極管D1、電容器C21、以及連接點(diǎn)z的路徑進(jìn)行充電， 通過從放電間隙15到電容器C21的路徑進(jìn)行放電。
其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與圖25的實(shí)施方式相同。
圖29是示出第2變形例的電路圖。在圖29中，對(duì)與圖26相同 的結(jié)構(gòu)要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略說明。
在第2變形例中，與圖26的初級(jí)升壓電路114不同點(diǎn)在于，采 用附加了升壓用電容器C22以及二極管D2的初級(jí)升壓電路1142。線 圏L22的一端經(jīng)由電容器C22與二極管Dl的陽(yáng)極連接，線圍L22的 另一端經(jīng)由二極管D2與二極管Dl的陽(yáng)極連接。即，由電容器C22 以及二極管D2構(gòu)成倍壓電路。
從線圏L22經(jīng)由二極管D2對(duì)電容器C22進(jìn)行充電。對(duì)電容器 C22還施加在線圏L22產(chǎn)生的電壓，對(duì)電容器C22與二極管D1的連 接點(diǎn)供給在線圏L22產(chǎn)生的電壓的倍電壓。由此，電容器C21的端子 電壓在較短時(shí)間內(nèi)達(dá)到放電間隙電壓。
這樣，在第2變形例中，由于采用了倍壓電路，所以即使在由線 圏L21、 L22構(gòu)成的變壓器的性能降低，而無(wú)法得到充分的電壓的情 況下，也可以將電容器C21可靠地充電到放電間隙電壓。
圖30是示出第3變形例的電路圖。該變形例是作為初級(jí)升壓電 路采用了初級(jí)升壓電路1143而代替初級(jí)升壓電路1142的例子。
初級(jí)升壓電路1143與初級(jí)升壓電路1142相比，調(diào)換了電容器C21 與放電間隙15的位置。即，初級(jí)升壓電路1143與初級(jí)升壓電路1142 的不同點(diǎn)僅在于電容器C21的充放電路。
其他結(jié)構(gòu)、作用以及效果與第2變形例相同。
此外，在上述實(shí)施方式中，示出了將橋式電路用作直流交流變換電路的例子，但當(dāng)然可以使用半橋型的直流交流變換電路。
本申請(qǐng)是將2006年7月20日在日本申請(qǐng)的日本特愿 2006-198591號(hào)、2006年9月26日在日本申請(qǐng)的日本特愿2006-260565 號(hào)以及2006年9月26日在日本申請(qǐng)的日本特愿2006-260566號(hào)作為 優(yōu)先權(quán)的基礎(chǔ)而申請(qǐng)的發(fā)明，將上述公開內(nèi)容作為在本申請(qǐng)說明書、 權(quán)利要求書、附圖中所引用的內(nèi)容。
權(quán)利要求
1. 一種放電燈點(diǎn)亮裝置，包括串聯(lián)連接初級(jí)側(cè)線圈和電容器而構(gòu)成的第1串聯(lián)電路部；串聯(lián)連接次級(jí)側(cè)線圈和放電燈而構(gòu)成的第2串聯(lián)電路部，該次級(jí)側(cè)線圈由以比上述初級(jí)側(cè)線圈更多的匝數(shù)在棒狀的磁芯的側(cè)面部上沿著上述磁芯的軸向卷繞的繞組構(gòu)成，并與上述初級(jí)側(cè)線圈一起構(gòu)成變壓器，上述繞組的與上述磁芯的軸向平行的方向的截面尺寸為上述磁芯的徑向的截面尺寸以下；以及橋式直流交流變換電路，具有四個(gè)晶體管，將來(lái)自電源部的直流電壓變換為交流電壓，向并聯(lián)連接的上述第1以及第2串聯(lián)電路部的兩端供給交流電壓。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 在上述放電燈的兩端分割設(shè)置上述次級(jí)側(cè)線圏而構(gòu)成上述第2串聯(lián)電路部。
3. —種放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，包括串聯(lián)電路部，構(gòu)成為串聯(lián)連接通過巻繞繞組而形成的線圏和放電燈 ；電容器，在上述串聯(lián)電路部的一端和上述線圏的中點(diǎn)之間該電容 器與上述放電燈并聯(lián)連接；以及橋式直流交流變換電路，具有四個(gè)晶體管，將來(lái)自電源部的直流 電壓變換為交流電壓，向上述串聯(lián)電路部的兩端供給交流電壓，其中，上述中點(diǎn)被設(shè)定在使上述線圏的上述串聯(lián)電路部的一端側(cè)的匝 數(shù)比另一側(cè)的匝數(shù)更多的點(diǎn)上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組具有正方形狀的截面形狀，被巻繞成成為內(nèi)側(cè)的面與上述磁芯的側(cè)面部平行。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組具有正方形狀的截面形狀，被巻繞成成為內(nèi)側(cè)的面與上述磁芯的側(cè)面部平行。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組具有正方形狀的截面形狀，被巻繞成成為內(nèi)側(cè)的面與上述磁芯的側(cè)面部平行。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所迷的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組在由與上述繞組的中心軸正交的平面所致的截面上具有關(guān)于相互正交的兩個(gè)方向的截面尺寸不同的扁平狀的截面形狀，并 被巻繞成該截面形狀的長(zhǎng)度方向沿著上述磁芯的徑向。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組在由與上述繞組的中心軸正交的平面所致的截面上具有關(guān)于相互正交的兩個(gè)方向的截面尺寸不同的扁平狀的截面形狀，并 被巻繞成該截面形狀的長(zhǎng)度方向沿著上述磁芯的徑向。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組在由與上述繞組的中心軸正交的平面所致的截面上具有關(guān)于相互正交的兩個(gè)方向的截面尺寸不同的扁平狀的截面形狀，并 被巻繞成該截面形狀的長(zhǎng)度方向沿著上述磁芯的徑向。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組是扁線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組是扁線。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述繞組是扁線。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，還包括 控制部，在起動(dòng)時(shí)，以第1頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在上述起動(dòng)后的預(yù)熱時(shí)，以與上述第l頻率相同或不同的第2頻率驅(qū)動(dòng) 上述直流交流變換電路，在上述預(yù)熱后的通常點(diǎn)亮?xí)r，以比上述第1 以及第2頻率低的第3頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路。
14. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，還包括: 控制部，在起動(dòng)時(shí)，以第l頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在上述起動(dòng)后的預(yù)熱時(shí)，以與上述第l頻率相同或不同的第2頻率驅(qū)動(dòng) 上述直流交流變換電路，在上述預(yù)熱后的通常點(diǎn)亮?xí)r，以比上述第1 以及第2頻率低的第3頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路。
15. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，還包括 控制部，在起動(dòng)時(shí)，以第1頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在上述起動(dòng)后的預(yù)熱時(shí)，以與上述第l頻率相同或不同的第2頻率驅(qū)動(dòng) 上述直流交流變換電路，在上述預(yù)熱后的通常點(diǎn)亮?xí)r，以比上述第1 以及第2頻率低的第3頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路。
16. —種放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，包括第1電路部，包括串聯(lián)連接的第1初級(jí)側(cè)線圏、第2初級(jí)側(cè)線圏 以及第1電容器；串聯(lián)連接第1次級(jí)側(cè)線圏和放電燈而構(gòu)成的第2電路部，該第1 次級(jí)側(cè)線圏與上述第1初級(jí)側(cè)線圏一起構(gòu)成變壓器并具有比上述第1 初級(jí)側(cè)線圏更多的匪數(shù)；直流交流變換電路，將來(lái)自電源部的直流電壓變換為交流電壓， 向并聯(lián)連接的上述第1電路部以及第2電路部的兩端供給交流電壓；第2次級(jí)側(cè)線圏，構(gòu)成在上述第l電路部中，并與上述第2初級(jí) 側(cè)線圏一起構(gòu)成變壓器，具有比上述第2初級(jí)側(cè)線團(tuán)更多的匝數(shù)；第2電容器，構(gòu)成在上述第1電路部中，經(jīng)由充電路徑對(duì)該第2 電容器施加在上述第2次級(jí)側(cè)線圏產(chǎn)生的電壓；以及放電間隙，構(gòu)成在上述第l電路部中，基于上述第2電容器的端 子電壓達(dá)到放電間隙電壓而導(dǎo)通，經(jīng)由放電路徑將上述第2電容器的 端子電壓供給到上述第l初級(jí)側(cè)線圈。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所迷的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于，還包括控制部，在起動(dòng)時(shí)，以第l頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在 上述起動(dòng)后的預(yù)熱時(shí)，以與上述第1頻率相同或不同的第2頻率驅(qū)動(dòng) 上述直流交流變換電路，在上述預(yù)熱后的通常點(diǎn)亮?xí)r，以比上迷第1 以及第2頻率低的第3頻率驅(qū)動(dòng)上迷直流交流變換電路。
18. —種放電燈點(diǎn)亮裝置，包括第1電路部，隨著極性反轉(zhuǎn)生成所希望的電壓，并將該電壓供給 到初級(jí)側(cè)線圏；串聯(lián)連接次級(jí)側(cè)線圏和放電燈而構(gòu)成的第2電路部，該第2電路 部與上述第1電路部并聯(lián)連接，該次級(jí)側(cè)線圏與上述初級(jí)側(cè)線圏一起 構(gòu)成變壓器并具有比上述初級(jí)側(cè)線圏更多的匪數(shù)；直流交流變換電路，將來(lái)自電源部的直流電壓變換為交流電壓， 向并聯(lián)連接的上述第1電路部以及第2電路部的兩端供給交流電壓； 以及控制部，控制上述直流交流變換電路，連續(xù)地進(jìn)行向上述第l電 路部的交流電壓的供給。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的放電燈點(diǎn)亮裝置，其特征在于， 上述控制部控制上述直流交流變換電路，在起動(dòng)時(shí)，以第l頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在上述起動(dòng)后的預(yù)熱時(shí)，以與上述第1 頻率相同或不同的第2頻率驅(qū)動(dòng)上述直流交流變換電路，在上迷預(yù)熱 后的通常點(diǎn)亮?xí)r，以比上述第1以及第2頻率低的第3頻率驅(qū)動(dòng)上迷 直流交流變換電路。
全文摘要
一種放電燈點(diǎn)亮裝置，包括第1串聯(lián)電路部，構(gòu)成為串聯(lián)連接初級(jí)側(cè)線圈和電容器；第2串聯(lián)電路部，構(gòu)成為串聯(lián)連接次級(jí)側(cè)線圈和放電燈，該次級(jí)側(cè)線圈由以比上述初級(jí)側(cè)線圈更多的匝數(shù)在棒狀的磁芯的側(cè)面部上沿著上述磁芯的軸向卷繞的繞組構(gòu)成，并與上述初級(jí)側(cè)線圈一起構(gòu)成變壓器，上述繞組的與上述磁芯的軸向平行的方向的截面尺寸為上述磁芯的徑向的截面尺寸以下；以及橋式直流交流變換電路，具有四個(gè)晶體管，將來(lái)自電源部的直流電壓變換為交流電壓，向并聯(lián)連接的上述第1以及第2串聯(lián)電路部的兩端供給交流電壓，可以用小型且簡(jiǎn)單的電路產(chǎn)生燈起動(dòng)時(shí)的電壓，進(jìn)而可以進(jìn)行預(yù)熱控制。
文檔編號(hào)H05B41/18GK101422084SQ20078001370
公開日2009年4月29日 申請(qǐng)日期2007年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月20日
發(fā)明者巖尾明男 申請(qǐng)人:哈利盛東芝照明株式會(huì)社