專(zhuān)利名稱(chēng)：用于形成無(wú)殘余印刷電路板的工藝及其形成的印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過(guò)用激光切除除去籽晶層的選擇部分來(lái)形成印刷電路板的工藝，并涉及由此工藝形成的印刷電路板。
背景技術(shù)：
印刷電路板(PCB)廣泛用于固定和電連接選擇的電子元件。印刷電路板由被多層絕緣介質(zhì)材料隔離的銅電互連構(gòu)成。在水平的xy平面內(nèi)，在每個(gè)獨(dú)立層上構(gòu)圖銅互連線并連接這些層以形成一個(gè)合成體。然后在合成體的從頂部到底部的垂直z方向上鉆出通孔，這些通孔穿過(guò)合成體的每層，還穿過(guò)每層上的電連接所需的銅接合襯墊。然后將籽晶層，接著將一個(gè)或多個(gè)銅層施加給所鉆通孔的內(nèi)表面。
圖1示出了制造PCB的常規(guī)方法，它包括以下步驟1)用環(huán)氧預(yù)浸玻璃布(預(yù)浸材料)兩側(cè)上的銅互連線設(shè)計(jì)并制備預(yù)浸材料的子疊層，子疊層與許多需要的信號(hào)、電源和地層匯集并在升高的溫度和壓力下連接在一起，如圖1(a)所示；2)機(jī)械鉆出穿過(guò)PCB12的通孔10，如圖1(b)(通孔的內(nèi)表面特征沒(méi)有示出)所示；3)在PCB的表面上和通孔的內(nèi)表面上施加籽晶層14，如圖1(c)所示；4)給籽晶層14施加無(wú)電鍍銅的薄“電鍍基層”16，如圖1(d)所示；5)在PCB的外表面上施加并構(gòu)圖光致抗蝕劑18，如圖1(e)所示；6)使用電鍍基層作為電公用層電鍍銅20，如圖1(f)所示；以及7)清除光致抗蝕劑18并通過(guò)蝕刻除去暴露的電鍍基層，如圖1(g)所示。
在清除光致抗蝕劑之后，蝕刻掉被光致抗蝕劑保護(hù)的薄銅層，以在PCB外表面上形成銅互連圖形，并留下電鍍的通孔，這些通孔在通孔的絕大多數(shù)(如果不是全部的話)內(nèi)表面上具有導(dǎo)電銅層。由此，無(wú)論P(yáng)CB中的哪兩個(gè)銅互連層與通孔相連，銅都存在于整個(gè)通孔中，即，從PCB的頂部到底部，還有公知對(duì)信號(hào)完整性有不良影響的通孔處的額外的銅30(銅殘余)。
設(shè)計(jì)PCB通過(guò)電鍍的通孔將用于任何預(yù)浸材料層的任何一個(gè)銅互連線連接到另一個(gè)預(yù)浸材料層的另一個(gè)銅互連線。然而，因?yàn)槭窃诮M裝多層結(jié)構(gòu)之后形成了電鍍通孔，所以如上所述會(huì)在電鍍通孔的頂部和/或底部出現(xiàn)無(wú)關(guān)的銅殘余30。這些無(wú)關(guān)的銅殘余30限制了尤其在高頻下的銅互連的電性能，并因此，經(jīng)常需要除去它們。用于除去銅殘余的典型工藝包括重鉆或“回鉆”電鍍通孔以除去無(wú)關(guān)的和多余的銅，以提供如圖2中所示的回鉆的PCB。
回鉆工藝耗時(shí)、昂貴而且要使PCB經(jīng)過(guò)不必要的損傷，這會(huì)影響產(chǎn)品的產(chǎn)量。首先，此工藝很耗時(shí)，因?yàn)槊總€(gè)通孔必須只能小心地鉆到從孔到孔變化的限制深度。第二，回鉆留下了殘余30的一部分32，作為與鉆孔深度相關(guān)的允許容差部分。第三，有些PCB被回鉆損壞而不得不丟棄。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及在印刷電路板中的通孔上鍍銅的工藝。所述工藝包括提供具有在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板。所述印刷電路板還包括垂直方向上的通孔，以使所述互連線在所述通孔中提供銅接合區(qū)。然后在所述通孔的內(nèi)表面上施加籽晶層。然后用激光從所述通孔的內(nèi)表面除去籽晶層的最外部分。所述工藝還包括在籽晶層上施加銅。
本發(fā)明還涉及一種印刷電路板。所述印刷電路板包括在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)嵌入的銅互連線。同樣，所述至少兩個(gè)互連線的每個(gè)與公用通孔相交。所述印刷電路板還包括置于通孔的內(nèi)表面上的內(nèi)籽晶層，從互連線中的一個(gè)到另一個(gè)。接近印刷電路板的外平面的通孔的絕緣體直徑基本上等于所述至少兩個(gè)互連線之間的通孔的絕緣體直徑。所述印刷電路板還包括接近所述外平面的所述通孔的最外表面，其基本上由絕緣表面構(gòu)成。
在作為選擇的實(shí)施例中，一種印刷電路板包括至少一個(gè)嵌入的銅互連線和至少一個(gè)置于外絕緣層中的外銅互連線。同樣，所述嵌入的銅互連線和所述外互連線的每個(gè)與公用通孔相交。所述印刷電路板還包括置于所述公用通孔中的內(nèi)籽晶層，從所述嵌入的互連線到所述外互連線，和相對(duì)的外絕緣層。兩個(gè)外絕緣層的所述通孔的絕緣體直徑基本上等于所述嵌入的和外部的兩個(gè)互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑。同樣，所述印刷電路板包括接近相對(duì)的外絕緣層的所述通孔的最外表面，其基本上由絕緣表面構(gòu)成。
在另一個(gè)實(shí)施例中，一種印刷電路板包括至少一個(gè)嵌入的銅互連線和至少一個(gè)置于外絕緣層中的外銅互連線。同樣，所述嵌入的銅互連線和所述外互連線與公用通孔相交。所述印刷電路板包括置于所述公用通孔中的內(nèi)籽晶層，從所述嵌入的互連線到所述外互連線，和相對(duì)的外絕緣層。所述相對(duì)的外絕緣層的所述通孔的絕緣體直徑基本上大于所述嵌入的互連線和外互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑。同樣，所述印刷電路板包括接近相對(duì)的外絕緣層的所述通孔的最外表面，其基本上由絕緣表面構(gòu)成。
本發(fā)明還涉及在印刷電路板中的通孔上鍍銅的工藝。所述工藝包括提供具有在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板。所述印刷電路板還包括在垂直方向上的通孔，以使所述至少兩個(gè)互連線在所述通孔中提供銅接合區(qū)。然后除去所述通孔的圓周區(qū)域周?chē)耐饨^緣層的一部分，并給所述通孔的內(nèi)表面施加籽晶層。然后用激光從所述通孔的所述內(nèi)表面除去所述籽晶層的最外部分；以及在所述籽晶層上施加銅。


當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，在本發(fā)明的下列詳細(xì)描述的思想基礎(chǔ)上，本發(fā)明的這些和其它特征將變得明顯，所述附圖包括圖1(a)至1(g)為用于制造PCB的常規(guī)工藝的示意圖；
圖2為具有通過(guò)機(jī)械回鉆除去的部分銅殘余的PCB的示意圖；圖3(a)至3(c)為本發(fā)明的工藝的示意圖；圖4(a)至4(c)為本發(fā)明的另一種工藝的示意圖；以及圖5為本發(fā)明的PCB的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明涉及銅電鍍印刷電路板中的通孔的工藝。此工藝包括提供具有在垂直方向上被絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板(PCB)，并在PCB中在垂直方向上提供通孔，以使互連線在通孔中提供銅接合區(qū)。然后給通孔的內(nèi)表面施加籽晶層。然后用激光從通孔的內(nèi)表面除去籽晶層的最外部分。然后給籽晶層施加銅。術(shù)語(yǔ)垂直方向指穿過(guò)PCB的橫截面方向，即，從PCB的頂部外平面到PCB的相對(duì)的(底部)外平面。
施加銅的步驟可以包括無(wú)電鍍工藝，以在通孔的內(nèi)表面上形成第一銅層。無(wú)電鍍銅首先淀積在剩下的籽晶層上，由此留下通孔的基本上由絕緣表面組成的最外表面的部分。然后可以通過(guò)電鍍?cè)诘谝汇~層上施加第二銅層。施加銅的工藝還可以包括通過(guò)暴露通常在PCB修整期間除去的切口區(qū)域中的面板邊緣處的內(nèi)平面來(lái)提供用于掩埋過(guò)孔電鍍的電接觸。
本領(lǐng)域內(nèi)的一般技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明的工藝包括通孔的至少一側(cè)的激光工藝，由此最小化PCB的至少一側(cè)上的銅殘余。作為選擇，此工藝包括同時(shí)在通孔的頂部和底部區(qū)域進(jìn)行激光工藝，由此最小化PCB這兩側(cè)上的銅殘余。從通孔除去的籽晶層的最外部分從印刷電路板的外平面延伸到至少兩個(gè)互連線的其中一個(gè)的銅接合區(qū)，并從PCB的相對(duì)的外平面延伸到位于通孔中的另一個(gè)互連線的銅接合區(qū)。
在此工藝的許多應(yīng)用中，從通孔除去的籽晶層的最外部分從印刷電路板的外平面延伸到至少兩個(gè)銅互連線的其中一個(gè)的銅接合區(qū)。在其它應(yīng)用中，從通孔除去的籽晶層的最外部分從PCB的外平面延伸到至少兩個(gè)銅互連線的其中一個(gè)的銅接合區(qū)，并從印刷電路板的相對(duì)的外平面延伸到位于通孔中的另一個(gè)互連線的銅接合區(qū)。術(shù)語(yǔ)“最外”指離PCB板外表面最近的區(qū)域。結(jié)果，術(shù)語(yǔ)“籽晶層的最外部分”指籽晶層離PCB板的外表面最近的部分。
本工藝的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是最小化或完全消除了通孔的常規(guī)銅電鍍期間形成的許多銅殘余。由此，本工藝提供了消除最多(如果不是全部的話)銅殘余的設(shè)計(jì)契機(jī)，并因此消除或最小化了對(duì)通孔回鉆的需求。
本工藝依靠從一個(gè)或多個(gè)通孔內(nèi)表面的最外部分激光切除淀積的籽晶層，如圖3(a)至3(c)所示。可以在本工藝中使用的一類(lèi)激光器為具有反折射透鏡42的激光器40。在例如通過(guò)浸涂淀積籽晶層44之后，使用激光器40從通孔45的內(nèi)表面除去籽晶層的最外部分48，如圖3(b)所示。通孔內(nèi)表面中的銅接合區(qū)46作為用激光除去籽晶層44的有效蝕刻停止。一旦用激光除去籽晶層44的最外部分48，銅電鍍工藝就可以繼續(xù)。然而，因?yàn)閺耐?5的最外部分48除去了籽晶層44，所以通過(guò)無(wú)電鍍工藝在這些區(qū)域中很少或者沒(méi)有淀積銅50，并由此，還將不會(huì)在這些區(qū)域中電鍍銅52，如圖3(c)所示。結(jié)果，本發(fā)明的工藝消除了用于在被激光接觸的通孔的這些區(qū)域中回鉆銅殘余的需求。
應(yīng)該理解，本發(fā)明的工藝可與常規(guī)回鉆工藝結(jié)合使用，以提供無(wú)銅殘余的理想PCB。本發(fā)明不需要排除常規(guī)回鉆工藝的使用。例如，本發(fā)明的工藝仍可以包括通過(guò)回鉆除去銅殘余的形成，而且本發(fā)明的工藝可用于最小化所需回鉆的量。
在另一個(gè)實(shí)例中，本發(fā)明的工藝可以包括在施加籽晶層之前除去通孔圓周區(qū)域周?chē)囊徊糠滞饨^緣層。除去外絕緣層可以通過(guò)回鉆通孔的最外部分來(lái)實(shí)現(xiàn)，以有效擴(kuò)大通孔的外圓周。
在另一個(gè)實(shí)施例中，本工藝包括提供具有在垂直方向上被絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的PCB，并在PCB中提供垂直方向上的通孔，以使至少兩個(gè)互連線在通孔中提供銅接合區(qū)。然后除去通孔圓周區(qū)域周?chē)囊徊糠滞饨^緣層，并給通孔的內(nèi)表面施加籽晶層?？梢酝ㄟ^(guò)回鉆除去外絕緣層以形成凹入的通孔。然后用激光從通孔內(nèi)表面除去籽晶層的最外部分，并給籽晶層施加銅。如果內(nèi)部接合襯墊位于深入通孔的地方，其中在通孔外表面處沒(méi)有更大直徑開(kāi)口的情況下將很難從內(nèi)表面選擇性除去催化劑，此工藝很有用。
再次，施加銅可以包括無(wú)電鍍工藝，以在通孔的內(nèi)表面上形成第一銅層，接著在第一銅層上施加第二銅層。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，工藝包括兩個(gè)不同的激光切除步驟，如圖4(a)至4(c)所示。第一激光步驟用于在淀積籽晶層64之前將通孔60的直徑增加到內(nèi)部銅接合襯墊62，如圖4(a)和4(b)所示。籽晶層的缺乏消除了在第一激光切除步驟期間散射籽晶粒子的可能性，其可能在不需要的區(qū)域中導(dǎo)致無(wú)電鍍鍍覆?？梢栽诖瞬襟E中使用例如CO2激光器的高功率激光器70。在施加籽晶層64之后，使用第二激光切除步驟，如上所述，選擇性地從通孔的內(nèi)表面到內(nèi)部接合襯墊除去籽晶層64的最外部分66，如圖4(c)所示。如果內(nèi)部接合襯墊位于通孔內(nèi)部較深的地方，其中在通孔外表面處沒(méi)有更大直徑開(kāi)口的情況下將很難從內(nèi)表面選擇性除去催化劑，此工藝很有用。
這些新工藝較使用回鉆的現(xiàn)有工藝具有許多優(yōu)點(diǎn)。首先，因?yàn)閮?nèi)部互連線的接合襯墊提供了用于激光切除的就地蝕刻停止，所以此工藝比回鉆操作更精確而且沒(méi)有多余的銅殘余，并具有更高的總產(chǎn)量和更低的成本。第二，因?yàn)樵谥圃斐绦蛑兴霈F(xiàn)較早，所以由此步驟導(dǎo)致的任何產(chǎn)量問(wèn)題的代價(jià)就更低。第三，激光切除工具現(xiàn)在非常快而且是完全可編程的，這就允許生產(chǎn)能力比回鉆更快。第四，此工藝使用所謂的掩埋過(guò)孔，能夠有效制造互連內(nèi)部平面的過(guò)孔。
本發(fā)明還涉及一種PCB，包括被絕緣層81在垂直方向上隔離的至少兩個(gè)嵌入的銅互連線80和80’，以使兩個(gè)互連線的每個(gè)與公用通孔82相交。此PCB還包括位于兩個(gè)互連線80和80’之間的通孔的內(nèi)表面上的籽晶層84，如圖5所示。接近PCB外平面的通孔的絕緣體直徑基本上等于兩個(gè)互連線80和80’之間的通孔82的絕緣體直徑，以及通孔的最外內(nèi)表面87接近PCB的外平面85。最外內(nèi)表面87基本上由絕緣表面構(gòu)成。換句話說(shuō)，通孔的最外表面將具有微量的籽晶層，并因此在這些區(qū)域中將不會(huì)形成后面的銅層90和92。這些結(jié)構(gòu)與通過(guò)回鉆制造的結(jié)構(gòu)有所不同，這是因?yàn)椋诨劂@的情況下，回鉆部分的通孔直徑基本上大于嵌入的銅互連線80和80’之間的直徑。
此外，因?yàn)榭梢栽赑CB兩側(cè)上實(shí)施此工藝(如圖5中所示)，所以接近印刷電路板的相對(duì)外平面88的通孔的絕緣體直徑基本上等于兩個(gè)互連線80和80’之間的通孔的絕緣體直徑。同樣，接近印刷電路板的相對(duì)外平面88的通孔的最外內(nèi)表面87’基本上由絕緣表面構(gòu)成。
PCB還可以包括籽晶層84上的第一銅層90，該銅層通常是通過(guò)無(wú)電鍍工藝形成的銅層，如圖5所示。第一銅層90之后通常是第二銅層92，它通常是通過(guò)電鍍工藝形成的銅層。
本發(fā)明還涉及包括至少一個(gè)嵌入銅互連線和兩個(gè)互相相對(duì)的外絕緣層的PCB。每個(gè)外絕緣層包括置于外絕緣層中的外互連線。同樣，嵌入的互連線和外互連線相交于公用通孔。內(nèi)籽晶層設(shè)置在公用通孔中，從嵌入互連線到兩個(gè)外互連線中的一個(gè)。通孔的絕緣體直徑基本上到處相等，以及接近印刷電路板的兩個(gè)外絕緣層中的一個(gè)的通孔的最外表面基本上由絕緣表面構(gòu)成。
再次，PCB還可以包括內(nèi)籽晶層上的第一銅層，該銅層通常是通過(guò)無(wú)電鍍工藝形成的銅層。第一銅層后通常是第一銅層上的第二銅層，它通常是通過(guò)電鍍工藝形成的銅層。結(jié)果，PCB包括嵌入互連線和兩個(gè)外互連線的僅其中一個(gè)之間的銅接觸。
本發(fā)明同樣涉及一種PCB，包括至少兩個(gè)內(nèi)絕緣層和嵌入內(nèi)絕緣層中的多個(gè)銅互連線、和包括至少兩個(gè)銅接合區(qū)的多個(gè)通孔，以使至少兩個(gè)銅接合區(qū)的每個(gè)與多個(gè)嵌入銅互連線的至少兩個(gè)相連。PCB還包括置于銅接合區(qū)之間的銅導(dǎo)體，以使銅導(dǎo)體包括無(wú)電鍍施加銅的第一銅層和電鍍銅的第二銅層、和兩個(gè)外絕緣層，以使外絕緣層的通孔的絕緣體直徑基本上等于嵌入互連線之間的通孔的絕緣體直徑。PCB還包括與基本上由絕緣表面構(gòu)成的每個(gè)外絕緣層相連的通孔的內(nèi)表面。此PCB由圖5表示。
本發(fā)明同樣涉及包括至少一個(gè)嵌入銅互連線和至于外絕緣層中的至少一個(gè)外銅互連線的PCB。嵌入的互連線和外互連線相交于公用通孔。公用通孔包括從嵌入互連線延伸到外互連線的內(nèi)籽晶層。PCB包括相交于公用通孔的相對(duì)的外絕緣層。然而，相對(duì)外絕緣層的通孔的絕緣體直徑基本上大于嵌入互連線和外互連線之間的通孔的絕緣體直徑。PCB同樣包括接近印刷電路板的相對(duì)外絕緣層的最外表面。此最外表面與公用通孔相交，而且基本上由絕緣表面構(gòu)成。
與如上所述的其它PCB一樣，PCB還可以包括內(nèi)籽晶層上的第一銅層。通常，第一銅層是無(wú)電鍍施加的銅層。然后可以給第一銅層施加第二銅層。通常，第二銅層是電鍍的銅層。
PCB還可以包括從嵌入銅互連線到相對(duì)外絕緣層的通孔。在此情況下，通孔將在嵌入銅互連線和相對(duì)的外絕緣層之間的部分中具有更大的絕緣體直徑，在通孔的該部分上沒(méi)有銅。
權(quán)利要求
1.一種在印刷電路板中的通孔上鍍銅的工藝，包括以下步驟提供具有在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板；在所述印刷電路板中在垂直方向上提供通孔，以使所述互連線在所述通孔中提供銅接合區(qū)；在所述通孔的內(nèi)表面上施加籽晶層；利用激光器從所述通孔的所述內(nèi)表面除去所述籽晶層的最外部分；在所述籽晶層上施加銅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中所述施加銅的步驟包括無(wú)電鍍工藝，以在所述通孔的所述內(nèi)表面上形成第一銅層，并在所述第一銅層上施加第二銅層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中從所述通孔除去的所述籽晶層的所述最外部分從所述印刷電路板的外平面延伸到所述至少兩個(gè)互連線中的一個(gè)的所述銅接合區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中所述激光器包括反折射透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，其中從所述通孔除去的所述籽晶層的所述最外部分從所述印刷電路板的外平面延伸到所述互連線中的一個(gè)的所述銅接合區(qū)，并從所述印刷電路板的相對(duì)外平面延伸到位于所述通孔中的另一互連線的銅接合區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，還包括除去所述印刷電路板的外邊緣部分，以在切口區(qū)域暴露所述兩個(gè)互連線中的至少一個(gè)，由此允許形成到這些嵌入銅線的用于電鍍所述通孔的電接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的工藝，還包括在所述施加籽晶層的步驟之前，利用高功率激光器除去所述通孔的圓周區(qū)域周?chē)耐饨^緣層的一部分，直到所述銅接合區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的工藝，其中所述高功率激光器為CO2激光器。
9.一種印刷電路板，包括至少兩個(gè)嵌入的銅互連線，在垂直方向上由絕緣體隔離，其中所述至少兩個(gè)互連線的每個(gè)與公用通孔相交；內(nèi)籽晶層，設(shè)置在所述通孔的內(nèi)表面上，從所述互連線中的一個(gè)到另一個(gè)，其中接近所述印刷電路板的外平面的所述通孔的絕緣體直徑基本上等于所述至少兩個(gè)互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑；以及接近所述印刷電路板的所述外平面的所述通孔的最外表面基本上由絕緣表面構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的電路板，還包括所述內(nèi)籽晶層上的第一銅層，其中所述第一銅層是無(wú)電鍍施加的銅層，以及所述第一銅層上的第二銅層，其中所述第二銅層為電鍍的銅層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的電路板，其中接近所述印刷電路板的所述外平面的所述通孔的所述最外表面包括微量的無(wú)電鍍銅層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的電路板，其中接近所述印刷電路板的相對(duì)外平面的所述通孔的所述絕緣體直徑基本上等于所述至少兩個(gè)互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑，以及接近所述印刷電路板的所述相對(duì)外平面的所述通孔的最外表面基本上由絕緣表面構(gòu)成。
13.一種印刷電路板，包括至少一個(gè)嵌入的銅互連線和兩個(gè)互相相對(duì)的外絕緣層，其中所述外絕緣層的每個(gè)包括設(shè)置在所述外絕緣層中的外互連線，以及所述嵌入的互連線和所述外互連線與公用通孔相交；內(nèi)籽晶層，設(shè)置在所述公用通孔中，從所述嵌入的互連線到所述兩個(gè)外互連線中的一個(gè)，其中所述通孔的絕緣體直徑基本上到處相等，以及接近所述印刷電路板的所述兩個(gè)外絕緣層中的一個(gè)的所述通孔的最外表面基本上由絕緣表面構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的電路板，還包括所述內(nèi)籽晶層上的第一銅層，其中所述第一銅層是無(wú)電鍍施加的銅層，以及所述第一銅層上的第二銅層，其中所述第二銅層為電鍍的銅層。
15.一種印刷電路板，包括至少兩個(gè)內(nèi)絕緣層和嵌入所述內(nèi)絕緣層中的多個(gè)銅互連線；多個(gè)通孔，包括至少兩個(gè)銅接合區(qū)，其中所述至少兩個(gè)銅接合區(qū)的每個(gè)與所述多個(gè)嵌入的銅互連線的至少兩個(gè)相連；銅導(dǎo)體，設(shè)置在所述銅接合區(qū)之間，其中所述銅導(dǎo)體包括無(wú)電鍍施加的銅的第一銅層和電鍍的銅的第二銅層，以及兩個(gè)外絕緣層，其中所述外絕緣層的所述通孔的絕緣體直徑基本上等于所述嵌入的互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑；以及所述通孔的內(nèi)表面，與基本上由絕緣表面構(gòu)成的每個(gè)外絕緣層相連。
16.一種在印刷電路板中的通孔上鍍銅的工藝，包括以下步驟提供具有在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板；在所述印刷電路板中在垂直方向上提供通孔，以使所述至少兩個(gè)互連線在所述通孔中提供銅接合區(qū)；除去所述通孔的圓周區(qū)域周?chē)耐饨^緣層的一部分；在所述通孔的內(nèi)表面上施加籽晶層；利用激光器從所述通孔的所述內(nèi)表面除去所述籽晶層的最外部分；以及在所述籽晶層上施加銅。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的工藝，其中所述施加銅的步驟包括無(wú)電鍍工藝以在所述通孔的所述內(nèi)表面上形成第一銅層，并在所述第一銅層上施加第二銅層。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的工藝，其中通過(guò)高功率激光器或通過(guò)回鉆除去所述外絕緣層。
19.一種印刷電路板，包括至少一個(gè)嵌入的銅互連線和至少一個(gè)設(shè)置在外絕緣層中的外銅互連線，其中所述嵌入的互連線和所述外互連線與公用通孔相交；內(nèi)籽晶層，設(shè)置在所述公用通孔中，從所述嵌入的互連線到所述外互連線；相對(duì)的外絕緣層，其中所述相對(duì)的外絕緣層的所述通孔的絕緣體直徑基本上大于所述嵌入的互連線和外互連線之間的所述通孔的絕緣體直徑；以及接近所述印刷電路板的相對(duì)的外絕緣層的所述通孔的最外表面基本上由絕緣表面構(gòu)成。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的電路板，還包括所述內(nèi)籽晶層上的第一銅層，其中所述第一銅層是無(wú)電鍍施加的銅層，以及所述第一銅層上的第二銅層，其中所述第二銅層為電鍍的銅層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的電路板，還包括從所述嵌入的銅互連線到所述相對(duì)的外絕緣層的通孔，所述通孔在所述嵌入的銅互連線和所述相對(duì)的外絕緣層之間的部分中具有更大的絕緣體直徑，在所述通孔的所述部分上沒(méi)有銅。
全文摘要
一種在印刷電路板中的通孔上鍍銅的工藝，以及用此工藝形成的印刷電路板。所述工藝包括提供具有在垂直方向上由絕緣體隔離的至少兩個(gè)銅互連線的印刷電路板；在所述印刷電路板中在垂直方向上提供通孔，以使所述互連線在所述通孔中提供銅接合區(qū)；在所述通孔的內(nèi)表面上施加籽晶層；利用激光器從所述通孔的所述內(nèi)表面除去所述籽晶層的最外部分；在所述籽晶層上施加銅。
文檔編號(hào)H05K1/11GK101060757SQ20071009643
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月18日
發(fā)明者S·L·布赫沃特爾, R·A·巴德 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司