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電子器件模塊的安裝方法、采用該方法的電子設(shè)備的制造方法以及該電子器件模塊的制作方法

文檔序號:8173224閱讀:409來源:國知局
專利名稱:電子器件模塊的安裝方法、采用該方法的電子設(shè)備的制造方法以及該電子器件模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子器件模塊的安裝方法、采用該方法的電子設(shè)備的制造方法以 及該電子器件模塊,詳細(xì)地說,涉及通過用吸附頭進(jìn)行吸附來保持電子器件模塊的 同時(shí)經(jīng)過安裝于安裝對象的工序而進(jìn)行安裝的電子器件模塊的安裝方法,采用該方 法的電子設(shè)備的制造方法,以及在該方法中所使用的電子器件模塊。
背景技術(shù)
圖ll是表示過去的電子器件模塊的結(jié)構(gòu)圖。該電子器件模塊61如圖11所 示,在將端子電極53配置于下表面的陶瓷基板等的電子器件素域51上,搭載表 面安裝器件(SMD)52(例如,電容器52a、電阻52b、晶體管52c、線圈52d),同時(shí) 上表面具有配置了平坦的金屬罩56的結(jié)構(gòu)以覆蓋配置了表面安裝器件52的面。 另外,作為具有與圖11的電子器件模塊61相同結(jié)構(gòu)的電子器件模塊,提出了各種各樣的結(jié)構(gòu)(參照專利文獻(xiàn)l),眾所周知的是圖ll所示的結(jié)構(gòu)。然而,在上述的電子器件模塊61中所使用的金屬罩56大致可以分成以下2種功能,即包括(a) 表面安裝器件52對其它的電子設(shè)備產(chǎn)生電磁性的影響、卻很難受到來自 其它電子設(shè)備52的電磁性的影響的電磁屏蔽功能,(b) 確保利用安裝用的吸附頭62(圖13)吸附電子器件模塊61時(shí)的吸附表面 54(圖13)的功能(目卩,使上述金屬罩56平坦的上表面成為吸附表面54)。另外,如圖12所示,還知道一種取代金屬罩56而利用鑄型樹脂57來密封表 面安裝器件52后得到的電子器件模塊61a,在這種情況下,鑄型樹脂57的上表面 57a作為吸附表面54來起作用。另外,在圖12中,與圖1 l標(biāo)有相同標(biāo)號的部分表示相同或者相當(dāng)?shù)牟糠帧A硗?,在將上述的電子器件模塊61(圖11)安裝在作為安裝對象的母板55上 時(shí), 一般按照下面的順序來進(jìn)行該安裝(參照圖13、圖14)。(1) 將電子器件模塊61的金屬罩56的上表面作為吸附表面54,如圖13所示, 用吸附頭62進(jìn)行吸附。(2) 利用吸附頭62保持電子器件模塊61,將其運(yùn)送到作為安裝對象的母板55 的上方,并將其搭載在預(yù)先印刷了焊錫糊劑64的規(guī)定的連接盤電極65上(圖14)。(3) 然后送入回流爐中并在規(guī)定的條件下進(jìn)行加熱,使焊錫糊劑64中的焊錫 熔融,利用焊錫64a將電子器件模塊61固定于母板55上的連接盤電極65。但是,近些年,由于表面安裝器件本身性能的改善以及電子設(shè)備屏蔽性能 的提高,也有不需要金屬罩所起的功能之中的上述(a)的功能的情況。另外,近些年,手機(jī)等電子設(shè)備的小型化不斷發(fā)展,伴隨著這種情況,對 于電子設(shè)備中所采用的電子模塊低背化(low profile)的要求也變高了 。然而,在以往的電子設(shè)備模塊中,如圖14所示,在電容器52a、電阻52b、 晶體管52c、線圈52d等表面安裝器件與金屬罩56的下表面之間具有空隙G,而 且由于金屬罩56本身具有厚度T,所以存在著這部分(S卩,空隙G與厚度T)使制 品高度變高的問題。而且,由于金屬罩56與電容器52a、電阻52b、晶體管52c、線圈52d等表面 安裝器件之間也需要橫向間隔,向電子器件素域51搭載表面安裝器件的可搭載 面積變小,所以會妨礙制品的小型化。艮口,由于上述的空隙G、以及金屬罩56的厚度T等的存在,僅通過實(shí)現(xiàn)電子 器件素域51的薄型化,以及電容器52a、電阻52b、晶體管52c、線圈52d等表面 安裝器件的小型化,使電子器件模塊整體的具有足夠的低背化是很困難的。另外,圖12的用鑄型樹脂57密封表面安裝器件后的電子器件模塊61a的情 況與使用金屬罩的情況相比,雖然能夠增大表面安裝器件的可搭載面積(平面面 積),但是由于鑄型樹脂57的上表面57a變得比表面安裝器件的上端部要高,所 以存在著由于鑄型樹脂57的上表面57a與表面安裝器件的上端部之間的距離D 而使得制品高度變高的問題。專利文獻(xiàn)l:日本專利特開平5— 190380號公報(bào)本發(fā)明是用于解決上述問題而設(shè)計(jì)的,目的在于提供電子器件模塊的安裝 方法,該安裝方法能夠使用吸附頭來吸附并保持電子器件模塊,并且能夠高效 地將其安裝在安裝對象上,同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)安裝狀態(tài)中充足的低背化;并且提供 釆用該方法的電子設(shè)備的制造方法,以及在安裝狀態(tài)下能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的低背化 的電子器件模塊。發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題,本發(fā)明采用下面的結(jié)構(gòu)。艮P,權(quán)利要求l的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于,包括 在將表面安裝器件搭載于電子器件素域而構(gòu)成的電子器件模塊的、搭載了 上述表面安裝器件的表面一側(cè),在比表面安裝器件的上端部高的位置,以形成利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面的狀態(tài)來配置吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的工序;通過利用吸附頭吸附上述吸附表面來保持所述電子器件模塊,并將其搭載在安裝對象上的工序;以及在將所述電子器件模塊搭載到安裝對象上之后,為了解除上述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于安裝在上述電子器件素域中的上述表面安裝器件的上端部的狀態(tài),除去上述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,或者使其變形的工序。另外,權(quán)利要求2的電子器件模塊的安裝方法,在權(quán)利要求l的發(fā)明的構(gòu)成中,還具備下述特征,即,上述吸附表面構(gòu)件是有機(jī)構(gòu)件,除去該構(gòu)件或者使其變形的工序至少是(a) 通過加熱使上述有機(jī)構(gòu)件消失的工序;(b) 通過加熱使上述有機(jī)構(gòu)件的體積減小的工序;(c) 通過加熱,不是使上述有機(jī)構(gòu)件的體積變化、而是使其形狀發(fā)生變化的 工序之中的一個(gè)工序。另外,權(quán)利要求3的電子器件模塊的安裝方法在權(quán)利要求1或2的發(fā)明的構(gòu) 成中,還具備下述特征,即,在將上述電子器件模塊搭載到印刷過焊錫糊劑的 安裝對象上,通過回流焊接而將其安裝于安裝對象的情況下,將使印刷在安裝 對象表面上的焊錫糊劑之中的焊錫熔融的工序、以及除去上述吸附表面構(gòu)成構(gòu) 件或者使其變形的工序作為在安裝對象上焊接上述電子器件模塊時(shí)的回流工序同時(shí)實(shí)施。另外,權(quán)利要求4的電子器件模塊的安裝方法在權(quán)利要求3的發(fā)明的構(gòu)成 中,還具備下述特征,即,直到上述回流工序的前面階段,上述吸附表面構(gòu)成 構(gòu)件以固體形式存在著,由于上述回流工序中的焊錫的溫度而發(fā)生氣化、液化、 軟化以及體積減小之中的任一種情況。另外,權(quán)利要求5的電子器件模塊的安裝方法在權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的 發(fā)明的構(gòu)成中,還具備下述特征,即,上述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件由萘形成。另外,權(quán)利要求6的電子器件模塊的安裝方法在權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)的 發(fā)明的構(gòu)成中,還具備下述特征,即,將多個(gè)表面安裝器件搭載在上述電子器 件素域中,同時(shí)在比上述多個(gè)表面安裝器件之中的最高的表面安裝器件的上端 部更高的位置上形成上述吸附表面。另外,本發(fā)明的電子設(shè)備的制造方法如權(quán)利要求7所述,是一種在安裝對 象上具有電子器件模塊的電子設(shè)備的制造方法,其特征在于,具有利用權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)中所述的方法,在上述安裝對象上安裝電子器件模塊的工序。 另外,本發(fā)明的電子器件模塊如權(quán)利要求8所述,是一種將表面安裝器件搭載在電子器件素域中而構(gòu)成的電子器件模塊,其特征在于,在搭載了上述表 面安裝器件的安裝面一側(cè),在比上述表面安裝器件的上端部更高的位置上,具 有以固體狀態(tài)進(jìn)行配置的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,從而形成利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面;上述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件以根據(jù)通過焊錫而進(jìn)行的安裝中所使用的 焊錫的熔融溫度,會發(fā)生氣化、液化、軟化以及體積減小之中的任一種情況的 條件構(gòu)成。另外,權(quán)利要求9的電子器件模塊在權(quán)利要求8的發(fā)明的構(gòu)成中,還具備下述特征,即,在上述電子器件素域中搭載多個(gè)表面安裝器件,上述吸附表面被 形成于比上述多個(gè)表面安裝器件之中的最高的表面安裝器件的上端部更高的位置。本發(fā)明的電子器件模塊的安裝方法中,在將表面安裝器件搭載于電子器件 素域中而構(gòu)成的電子器件模塊的、搭載了表面安裝器件的表面一側(cè),在比表面 安裝器件的上端部更高的位置上,以形成利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面的 形態(tài)配置吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,用吸附頭吸住該吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的吸附表面, 在保持電子器件模塊將其安裝到安裝對象上之后,為了消除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件 的上端部高于搭載在電子器件素域中的表面安裝器件的上端部的狀態(tài),除去吸 附表面構(gòu)成構(gòu)件或者使其變形,因此,在安裝工序中,通過利用吸附頭來吸附 吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的吸附表面,從而能夠使用自動安裝器等,容易且確實(shí)地進(jìn) 行控制以有效地進(jìn)行安裝。另外,在安裝之后,能夠確實(shí)地消除吸附表面構(gòu)成 構(gòu)件的上端部高于搭載在電子器件素域中的表面安裝器件的上端部的狀態(tài),并 且實(shí)現(xiàn)制品最終的低背化。另外,在將電子器件模塊搭載到安裝對象上之后,當(dāng)吸附表面與最高的表 面安裝器件上端部等高時(shí),為了實(shí)現(xiàn)電子器件模塊的低背化,不需要特別地使吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部、即吸附表面的位置降低。但是,在這種情況下, 當(dāng)然也不會妨礙除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件或使其變形的處理的進(jìn)行。作為吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,能夠使用例如以通過加熱而發(fā)生氣化、液化、軟 化以及體積減小之中的任一種現(xiàn)象的樹脂材料為代表的有機(jī)構(gòu)件。例如,作為通過加熱而氣化的物質(zhì),可例示萘。萘是不經(jīng)過液態(tài)而直接從固態(tài)變成氣態(tài)的升華性材料,適合作為本發(fā)明中 的吸附表面構(gòu)件來使用。另外,作為升華性的物質(zhì),其它也可以舉例對二氯苯。另外,作為本發(fā)明的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,不僅限于升華性物質(zhì),也可以采 用經(jīng)過液態(tài)而變化成氣態(tài)的材料。而且,作為本發(fā)明的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,能夠使用通過加熱而使體積減小 (收縮)的樹脂,例如通過樹脂本身的聚合反應(yīng)等而使體積收縮的物質(zhì),或者例 如先在樹脂中混入氣泡、然后利用加熱時(shí)的脫氣作用使總體積減小而構(gòu)成的物 質(zhì)等。另外,即使是不進(jìn)行除去且體積也不會減小的物質(zhì),只要是通過加熱而液 化(熔融)或者軟化的物質(zhì)也可以使用,例如合成樹脂或者天然樹脂、玻璃類組 合物等。即,能夠使用通過加熱而熔融 軟化、發(fā)生流動,藉此可以解除上端 部高于搭載在電子器件素域中的表面安裝器件上端部的狀態(tài)的各種物質(zhì)。另外,吸附表面構(gòu)成構(gòu)件是有機(jī)構(gòu)件,作為除去該構(gòu)件或使其變形的工序, (a)通過加熱有機(jī)構(gòu)件而使其消失;(b)通過加熱有機(jī)構(gòu)件而使其體積減??;(C)通 過加熱上述有機(jī)構(gòu)件不是使其體積發(fā)生變化,而是使其形狀發(fā)生變化的方法; 通過采用上述3種方法之中的至少一種,能夠有效地消除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的 上端部高于搭載在電子器件素域中的表面安裝器件的上端部的狀態(tài),使本發(fā)明 具有實(shí)效。另外,作為上述(a)的通過加熱有機(jī)構(gòu)件而使其消失的方法,雖然例示了使 有機(jī)構(gòu)件全部蒸發(fā)或者升華(即,使其氣化)的方法,但是也能夠使用利用溶劑 溶解除去整個(gè)有機(jī)構(gòu)件的方法或者其它方法。另,作為上述(b)的通過加熱使有機(jī)構(gòu)件的體積減小的方法,雖然例示了 使有機(jī)構(gòu)件的一部分蒸發(fā)或使其升華的方法,或者使用通過加熱而體積減小的 樹脂的方法等,但是也可以采用利用溶劑溶解除去有機(jī)構(gòu)件的一部分的方法等 或者其它方法。另外,在本發(fā)明中,通過加熱而使有機(jī)構(gòu)件的體積減小的方法是本發(fā)明中[吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的變形]的概念中的一種形態(tài)。另外,作為上述(C)的通過加熱不是使有機(jī)構(gòu)件的體積變化而是使其變形的 方法,雖然例示了使有機(jī)構(gòu)件軟化或者熔融(液化)以改變其形狀的方法等,但 是也可以采用其它的方法。另外,將電子器件模塊搭載于印刷過焊錫糊劑的安裝對象,通過進(jìn)行回流 而焊接,從而將其安裝在安裝對象上的情況下,將使印刷于安裝對象表面的焊 錫糊劑中的焊錫熔融的工序、以及除去上述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件或使其變形的工 序作為將電子器件模塊焊接于安裝對象時(shí)的回流工序同時(shí)實(shí)施時(shí),不設(shè)置特別 的工序,就能夠進(jìn)行用于消除吸附表面構(gòu)成結(jié)構(gòu)上端部高于搭載在電子器件素 域中的表面安裝器件上端部的狀態(tài)的處理,從而使本發(fā)明更具有實(shí)效。另外, 在電子器件模塊的安裝中,雖然可采用利用回流方式的焊接方法,但也可以采 用流動方式的焊接方法。另外,作為吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,通過采用直到回流工序的前面階段為止, 即直到安裝工序完成為止一直以固態(tài)形式存在著,在回流工序中的焊錫溫度下 會發(fā)生氣化、液化、軟化以及體積減小之中的任一種情況的物質(zhì),在回流工序 中,除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,使其體積減小或者使其變形,從而能夠確實(shí)地消 除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件上端部高于搭載在電子器件素域中的表面安裝器件上端 部的狀態(tài),這樣可使本發(fā)明更加具有實(shí)效。另外,如果吸附表面構(gòu)成構(gòu)件在保管或搬運(yùn)電子器件模塊等時(shí)的溫度下發(fā) 生變形等,則在安裝工序中不可能利用吸附頭進(jìn)行吸附,所以即使在保管或搬 運(yùn)的階段,也希望能夠使其以固態(tài)形式存在。即,希望電子器件模塊在制品保證溫度(通常為50 8(TC)下能夠穩(wěn)定在固態(tài)狀態(tài)。另外,吸附表面構(gòu)成構(gòu)件采用由萘構(gòu)成的構(gòu)件,通過這樣,例如在將電子 器件模塊焊接于安裝對象時(shí)的回流工序中,能夠容易且確實(shí)地除去吸附表面構(gòu) 成構(gòu)件或者使其體積減小,從而能夠確實(shí)地消除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件上端部高于 搭載在電子器件素域中的表面安裝器件上端部的狀態(tài),使本發(fā)明更加具有實(shí)效。萘是熔點(diǎn)為8TC、沸點(diǎn)為217'C的升華性物質(zhì),熔點(diǎn)要比通常的電子器件 模塊的制品保證溫度高,而且在回流溫度下發(fā)生氣化,因此適合作為吸附表面 構(gòu)成構(gòu)件來使用。另外,在電子器件素域中搭載多個(gè)表面安裝器件,同時(shí)在比多個(gè)表面安裝器件之中的最高的表面安裝器件的上端部更高的位置上形成吸附表面的情況 下,不會影響到所搭載的多個(gè)表面安裝器件之中的任何的表面安裝器件,能夠 更加確實(shí)地利用吸附頭來吸附吸附表面。但是,在本發(fā)明中,設(shè)置吸附表面的位置不僅限于比最高的表面安裝器件 上端部更高的位置,也能夠?qū)⑽奖砻嬖O(shè)置在比最高的表面安裝構(gòu)件上端部要 低的位置上。例如,在電子器件素域的一部分區(qū)域中安裝最高的表面安裝器件,在主要 部分中安裝比其低的表面安裝器件的情況下,在比安裝于主要部分中的表面安 裝器件的上端部要高的位置上形成吸附表面,通過這樣,即使最高的表面安裝 器件的上端部位于比該吸附表面更高的位置時(shí),利用吸附頭來吸附該吸附表面 也沒有什么特別的問題。因此,在本發(fā)明中,能夠根據(jù)不同的情況來決定吸附表面的高度、配置位 置,即能夠?qū)惭b器件搭載面形成為任意形狀。另外,由于本發(fā)明的電子設(shè)備制造方法具有利用本發(fā)明的電子器件模塊 的安裝方法、在母板等安裝對象上安裝電子器件模塊的工序,所以能夠利用吸 附頭確實(shí)地吸附保持電子器件模塊將其安裝于安裝對象,有效地制造具有電子 器件模塊的電子設(shè)備,使生產(chǎn)性提高,可以低成本地提供電子設(shè)備。另外,本發(fā)明的電子器件模塊具有在利用焊錫進(jìn)行安裝時(shí)所采用的焊錫的 熔融溫度下會發(fā)生氣化、液化、軟化以及體積減小的任一種情況的吸附表面構(gòu) 成構(gòu)件,該構(gòu)件在搭載了表面安裝器件的搭載面一側(cè),在高于表面安裝器件上 端部的位置上以固態(tài)被配設(shè),從而形成利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面,所 以在安裝工序中,通過用吸附頭來吸附吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的吸附面,能夠使用 自動安裝器等來有效地進(jìn)行安裝,而且,例如在用回流焊接的方法進(jìn)行安裝時(shí) 的回流工序中,能容易且確實(shí)地除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,并且使其體積減小或 變形,從而能夠有效地消除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件上端部高于搭載在電子器件素域 中的表面安裝器件上端部的狀態(tài)。因此,能夠提供一種可以在本發(fā)明的安裝方法中所使用的電子器件模塊。另外,通過在電子器件素域中搭載多個(gè)表面安裝器件,在比多個(gè)表面安裝 器件之中最高的表面安裝器件上端部更高的位置上形成吸附表面,不會影響到 所搭載的多個(gè)表面安裝器件之中的任何的表面安裝器件,能夠更加確實(shí)地利用 吸附頭來吸附吸附表面,使本發(fā)明更加具有實(shí)效。


圖l是表示構(gòu)成本發(fā)明實(shí)施例l的電子器件模塊的電子器件模塊主體的結(jié) 構(gòu)的圖。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施例1的電子器件模塊的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是說明使用吸附頭吸附、保持本發(fā)明實(shí)施例l的電子器件模塊,并將其 安裝于作為安裝對象的母板的方法的圖。圖4是表示使用吸附頭吸附、保持本發(fā)明實(shí)施例l的電子器件模塊,并將其 搭載于作為安裝對象的母板的狀態(tài)的圖。圖5是表示使用吸附頭吸附、保持本發(fā)明實(shí)施例l的電子器件模塊,并將其 搭載于作為安裝對象的母板,然后除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,再進(jìn)行處理,從而 消除了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于安裝在電子器件素域中的最高的表面 安裝器件上端部的狀態(tài)的圖。圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例2的電子器件模塊結(jié)構(gòu)的圖,是表示將其搭載于作 為安裝對象的母板的狀態(tài)圖。圖7是表示將本發(fā)明實(shí)施例2的電子器件模塊搭載于母板上,然后使吸附表 面構(gòu)成構(gòu)件的體積減小,再進(jìn)行處理,從而消除了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部 高于搭載于電子器件素域中的最高的表面安裝器件上端部的狀態(tài)的圖。圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例3的電子器件模塊結(jié)構(gòu)的圖。圖9是表示將本發(fā)明實(shí)施例3的電子器件模塊搭載于母板,然后使吸附表面 構(gòu)成構(gòu)件變形,再進(jìn)行處理,從而消除了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于搭載 于電子器件素域中的最高的表面安裝器件上端部的狀態(tài)的圖。 圖10是表示本發(fā)明實(shí)施例3的電子器件模塊的變形例的圖。 圖ll是表示具有密封表面安裝器件的金屬罩的以往電子器件模塊的圖。 圖12是表示代替金屬罩而利用鑄型樹脂密封表面安裝器件后得到的電子 器件模塊的圖。圖13是表示將以往的電子器件模塊安裝于母板等安裝對象的安裝方法的圖。圖14是表示將以往的電子器件模塊安裝于母板等安裝對象的安裝方法的圖。標(biāo)號說明1電子器件素域(陶瓷基板) 2表面安裝器件2a電容器2b電阻2c晶體管2d線圈6端子電極10電子器件模塊主體12a吸附表面13吸附頭14母板15連接盤電極16焊錫糊劑20電子器件模塊T,比電子器件素域的上表面更偏向上側(cè)的高度T2與最高的表面安裝器件的高度相同的高度T3發(fā)生體積減小以及變形后的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的高度具體實(shí)施方式
下面表示本發(fā)明的實(shí)施例,并且更加詳細(xì)地說明作為本發(fā)明特征的地方。 實(shí)施例l(1) 首先,如圖1所示,準(zhǔn)備電子器件模塊主體IO,該電子器件模塊主體的結(jié)構(gòu)是在電子器件素域(在本實(shí)施例中為陶瓷基板)l的下表面一側(cè)上形成用于 與作為安裝對象的母板連接的端子電極6,而在該電子器件素域l的上表面一側(cè)上搭載了表面安裝器件2(例如,電容器2a、電阻2b、晶體管2c、線圈2d)。(2) 然后,使作為芳香烴的萘(Cu)H8)以液態(tài)流入電子器件模塊主體10的、搭 載了表面安裝器件2的表面一側(cè),在使其固化之后,研磨表面即圖2中的上表面, 使其平坦,以此形成具有利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面12a的吸附表面構(gòu)成 構(gòu)件12。通過這樣,得到圖2所示結(jié)構(gòu)的電子器件模塊12a,該模塊12a中,在搭 載了表面安裝器件2(電容器2a、電阻2b、晶體管2c、線圈2d)的搭載表面一側(cè), 在高于作為最高的表面安裝器件的晶體管2c的上端部的位置配置了吸附表面構(gòu)件12以形成利用吸附頭13(參照圖13)被吸附的吸附表面12a。另外,在該電子器 件模塊20中構(gòu)成吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的萘是在常溫附近以及制品保證溫度(例 如75。C)下以固態(tài)形式存在著、在下述回流工序中的焊錫溫度下發(fā)生氣化的物 質(zhì),吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12能夠在回流工序中確實(shí)地被除去。(3) 接著,如圖3、圖4所示,利用吸附頭13來吸附具有吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12 的電子器件模塊20的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的上表面即表面12a,通過這樣,能夠 保持電子器件模塊20,并且將其搭載于作為安裝對象的母板14。這時(shí),在母板 14的連接盤電極15上預(yù)先印刷上焊錫糊劑16。(4) 接著,停止利用吸附頭13進(jìn)行的吸附并使吸附頭13上升,然后將電子器 件模塊20與母板14一起送入回流爐中,通過在約22(TC、 5分鐘的條件下進(jìn)行加 熱處理,使焊錫糊劑16中的焊錫熔融,如圖5所示,將電子器件模塊20的端子 電極6連接并固定在母板14的連接盤電極15上,同時(shí)使由萘構(gòu)成的吸附表面構(gòu) 成構(gòu)件12氣化將其除去。如上所述,在該實(shí)施例l的電子器件模塊的安裝方法中,在安裝工序中, 通過利用吸附頭13來吸附吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的吸附表面12a,能夠利用自動安 裝器等的吸附頭13容易且確實(shí)地控制電子器件模塊安裝20,有效地將其安裝到 母板14上。另外,在安裝時(shí)的回流焊接工序中,因?yàn)槭刮奖砻鏄?gòu)成構(gòu)件12氣化確實(shí) 地將其除去,所以如圖5所示,能夠使在形成吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的狀態(tài)下的 電子器件模塊20的、比電子器件素域1的上表面更上側(cè)的高度T,(圖5)降低至與 作為最高的表面安裝器件的晶體管2c的高度相同的高度T2,可實(shí)現(xiàn)電子器件模 塊的大幅度的低背化。實(shí)施例2圖6是表示本發(fā)明實(shí)施例2的電子器件模塊20的結(jié)構(gòu)的圖,是表示將其安裝 于作為安裝對象的母板的狀態(tài)的圖,圖7是表示將圖6的電子器件模塊20安裝在 母板14上之后的狀態(tài)的圖。另外,在圖6及圖7中,與圖1 5標(biāo)有相同標(biāo)號的部分表示相同或者相當(dāng)?shù)牟糠?。該?shí)施例2的電子器件模塊20的結(jié)構(gòu)是吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12在回流焊接 的工序中體積減小,并且使其低于安裝在電子器件素域l中的最高的表面安裝 器件即晶體管2c的上端部。另外,該實(shí)施例2的電子器件模塊20,如實(shí)施例l的情況所述,除了下所述 結(jié)構(gòu),其它的結(jié)構(gòu)、制造方法、安裝方法與上述實(shí)施例l的情況相同,該結(jié)構(gòu) 是在回流焊接工序中,不除去整個(gè)吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12,而是通過減小其體 積,使其上端部低于安裝在電子器件素域l中的最高的表面安裝器件即晶體管2c的上端部。另外,在該實(shí)施例2中,作為吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12,也是采用作為芳香烴 的萘(C^H8)。萘是加熱而發(fā)生升華的物質(zhì),如果加熱溫度變高或者加熱時(shí)間變長,則如 上述實(shí)施例l的情況所述,全部發(fā)生氣化而完全消失,但是通過調(diào)整加熱溫度或加熱時(shí)間,可以只除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的一部分,能變成除此以外的部分殘留的狀態(tài)、即形成體積減小的狀態(tài)。另外,作為能夠用于該實(shí)施例2的電子器件模塊20的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件用 材料、即在回流工序中體積減小的材料,能夠使用通過聚合反應(yīng)等體積收縮的 樹脂,例如,預(yù)先在樹脂中混入氣泡,利用加熱時(shí)的脫泡作用來減小總體積的 材料等。另外,在該實(shí)施例2的電子器件模塊20的情況下,例如將電子器件模塊20 與母板14一起送入回流爐,通過在低于上述實(shí)施例l的溫度、例如20(TC的溫度 下進(jìn)行5分鐘的加熱處理,使其體積減小,從而能夠使其上表面的位置變得比 最高表面安裝器件(晶體管)2c的高度要低。在該實(shí)施例2的電子器件模塊20的情況下,在進(jìn)行回流之后,殘留厚度T3(圖 7)的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12,但是由于其厚度比最高的表面安裝器件(晶體管)2c 的高度T2要小,所以如圖7所示,能夠使在形成吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的狀態(tài)下的 電子器件模塊20的、比電子器件素域1的上表面更上側(cè)的高度T,(圖6)降低至與 作為最高的表面安裝器件的晶體管2c的高度相同的高度T2。實(shí)施例3圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例3的電子器件模塊20的結(jié)構(gòu)的圖,圖9是表示將圖8 的電子器件模塊20安裝于母板14后的狀態(tài)的圖。另外,在圖8及圖9中,與圖1 5標(biāo)有相同標(biāo)號的部分表示相同或者相當(dāng)?shù)牟糠?。在該?shí)施例3的電子器件模塊20中,由回流溫度下發(fā)生變形、其上端部位 置在作為最高的表面安裝器件的晶體管2c的高度以下的材料所構(gòu)成的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12,在使其從電子器件素域l的上表面浮起的狀態(tài)下配置,并且使吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的上表面作為利用吸附頭進(jìn)行吸附的吸附表面12a來起作用。另外,該實(shí)施例3的電子器件模塊20,除了作為吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12,采 用在回流焊接的工序中發(fā)生變形、且上端部的位置變低的材料以外,其它的結(jié) 構(gòu)、制造方法、安裝方法與上述實(shí)施例l的情況相同。另外,在該實(shí)施例3的電子器件模塊20中,作為吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12所使 用的材料,能夠使用熔融溫度或軟化溫度高于制品保證溫度且低于回流溫度的 各種材料,例如P —萘酚(熔點(diǎn)123°C、沸點(diǎn)285'C)等。在該實(shí)施例3的電子器件模塊20的情況下,在回流焊接的工序中,吸附表 面構(gòu)成構(gòu)件12變形,厚度變成T3(圖9),由于該厚度T3比最高的表面安裝器件(晶 體管)2c的高度要低,所以如圖9所示,能夠使在形成了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的 狀態(tài)下的電子器件模塊20的、比電子器件素域1上表面更上側(cè)的高度T,降低至與 作為最高的表面安裝器件的晶體管2c的高度相同的高度丁2。另外,作為具備由回流溫度下發(fā)生變形、且其上端部的位置在作為最高的 表面安裝器件的晶體管2c的高度以下的材料形成的的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的電 了-器件模塊,不僅限于上述圖8所示的結(jié)構(gòu),如圖10所示,其結(jié)構(gòu)還能夠是 配置吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12使其在電子器件素域1的中央部分突起,并且使比作 為最高的表面安裝器件的晶體管2c的高度要高的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的上表面 成為吸附表面12a。在圖10的結(jié)構(gòu)中也同樣如此,吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12在回流焊接的工序中變 形,如圖9所示,由于其上端部的位置在作為最高的表面安裝構(gòu)件的晶體管2c 的高度丁2以下,所以如圖9所示,能夠使在形成了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12的狀態(tài)下 的電子器件模塊20的、比電子器件素域1上表面更上側(cè)的高度L降低至與作為最 高的表面安裝器件的晶體管2c的高度相同的高度T2。另外,本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例,根據(jù)吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的具體形狀, 配置方法,構(gòu)成電子器件模塊的電子器件素域的結(jié)構(gòu),搭載在電子器件素域中 的表面安裝器件的種類,用于通過除去吸附表面構(gòu)成構(gòu)件或使其變形而消除吸 附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于表面安裝構(gòu)件上端部的狀態(tài)的條件等,在發(fā)明的 范圍內(nèi),能夠增加各種應(yīng)用或變形。產(chǎn)業(yè)上的實(shí)用性如上所述,如果采用本發(fā)明,則在安裝工序中,通過利用吸附頭來吸附吸 附表面構(gòu)成構(gòu)件的吸附表面,可使用自動安裝器等容易且確實(shí)地進(jìn)行控制,有 效地進(jìn)行安裝。在安裝之后,由于確實(shí)地解除了吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高 丁-搭載在電子器件素域中的表面安裝器件的上端部的狀態(tài),所以能夠?qū)崿F(xiàn)制品 最終的低背化。另外,在同時(shí)進(jìn)行用于消除吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于搭載在電子器 件素域中的表面安裝構(gòu)件的上端部而實(shí)施的處理,以及在安裝對象上焊接電子 器件模塊時(shí)的回流工序的情況下,不需要設(shè)置特別的工序,就能夠?qū)嵤┥鲜鎏幚怼A硗?,通過采用本發(fā)明的電子器件模塊的安裝方法,能夠高效地制造具有 電子器件模塊的電子設(shè)備,并且能夠提高生產(chǎn)性。因此,本發(fā)明能夠廣泛地應(yīng)用于具有安裝電子器件模塊的工序的各種技術(shù) 領(lǐng)域,特別廣泛地適用于搭載有電子器件模塊的電子設(shè)備的制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種電子器件模塊的安裝方法,其特征在于,包括在將表面安裝器件搭載于電子器件素域中而構(gòu)成的電子器件模塊的、搭載了所述表面安裝器件的表面一側(cè),在比表面安裝器件的上端部高的位置上,以形成利用吸附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面的狀態(tài)配置吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的工序;通過利用吸附頭吸附所述吸附表面來保持所述電子器件模塊,并將其搭載于安裝對象的工序;以及將所述電子器件模塊搭載于安裝對象后,為了解除所述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于搭載于所述電子器件素域的所述表面安裝器件的上端部的狀態(tài),除去所述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,或者使其變形的工序。
2. 如權(quán)利要求l所述的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于, 所述吸附表面構(gòu)件是有機(jī)構(gòu)件,除去該構(gòu)件或者使其變形的工序至少是(a) 通過加熱使所述有機(jī)構(gòu)件消失的工序;(b) 通過加熱使所述有機(jī)構(gòu)件的體積減小的工序;(C)通過加熱,不是使所述有機(jī)構(gòu)件的體積變化、而是使其形狀發(fā)生變化的 工序之中的一個(gè)工序。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于, 將所述電子器件模塊搭載到印刷過焊錫糊劑的安裝對象上,在通過回流進(jìn)行焊接而將其安裝于安裝對象的情況下,將使印刷在安裝對象表面的焊錫糊劑 中的焊錫熔融的工序、以及除去所述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件或者使其變形的工序作 為將所述電子器件模塊焊接于安裝對象時(shí)的回流工序來同時(shí)實(shí)施。
4. 如權(quán)利要求3所述的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于, 所述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件直到所述回流工序的前面階段都以固體形式存在著,根據(jù)所述回流工序中的焊錫溫度而發(fā)生氣化、液化、軟化以及體積減小之 中的任意一種情況。
5. 如權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于,所述吸附表面安裝構(gòu)成構(gòu)件是由萘構(gòu)成的構(gòu)件。
6. 如權(quán)利要求1 5中的任一項(xiàng)所述的電子器件模塊的安裝方法,其特征在于,將多個(gè)表面安裝器件搭載于所述電子器件素域,同時(shí)在比所述多個(gè)表面安 裝器件之中最高的表面安裝器件的上端部更高的位置形成所述吸附表面。
7. 電子設(shè)備的制造方法,它是一種在安裝對象上具有電子器件模塊的電子 設(shè)備的制造方法,其特征在于,具備利用權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的方法在所述安裝對象上安裝電 子器件模塊的工序。
8. —種電子器件模塊,它是一種將表面安裝器件搭載于電子器件素域而構(gòu) 成的電子器件模塊,其特征在于,在搭載了所述表面安裝器件的搭載面一側(cè),在比所述表面安裝器件的上端 部更高的位置上,具有以固體狀態(tài)配置的吸附表面構(gòu)成構(gòu)件,從而形成利用吸 附頭進(jìn)行吸附用的吸附表面;所述吸附表面構(gòu)成構(gòu)件以根據(jù)通過焊接進(jìn)行的安 裝中所使用的焊錫的熔融溫度會發(fā)生氣化、液化、軟化以及體積減小之中的任 一種情況的條件構(gòu)成。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子器件模塊,其特征在于,在所述電子器件素域中搭載多個(gè)表面安裝器件,在比所述多個(gè)表面安裝器 件之中的最高的表面安裝器件的上端部更高的位置上形成所述吸附表面。
全文摘要
提供一種通過利用吸附頭來吸附保持而能夠高效地進(jìn)行安裝、且能夠達(dá)到安裝狀態(tài)下的足夠的低背化的電子器件模塊的安裝方法,采用該安裝方法的電子設(shè)備的制造方法,以及能夠?qū)崿F(xiàn)低背化的電子器件模塊。在將表面安裝器件2(2a,2b,2c,2d)搭載于電子器件素域1而得到的電子器件模塊20的、等于或高于作為最高的表面安裝器件的晶體管2(2c)的上端部的位置上,配置吸附表面構(gòu)成構(gòu)件12以形成吸附表面12a,用吸附頭來吸附該吸附表面,保持電子器件模塊,將其搭載于作為安裝對象的母板14后,進(jìn)行消除吸附構(gòu)成構(gòu)件的上端部高于搭載于電子器件素域中的最高的表面安裝器件上端部的狀態(tài)的處理。
文檔編號H05K13/04GK101273679SQ20068003504
公開日2008年9月24日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月22日
發(fā)明者上島孝紀(jì), 中川大, 小山訓(xùn)裕, 山本宗禎, 木村正樹 申請人:株式會社村田制作所
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