專利名稱：一種電子漿料的直寫成型裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于電子制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電子漿料的直寫成型裝置，該裝置可應用于電子元器件的制造，包括導體、電阻、電容、電感和傳感器以及電極的制造等。
背景技術(shù)：
目前，隨著電子制造技術(shù)向集成化、小型化、短時效、小批量、多品種以及三維制造的方向發(fā)展，要求導線寬度和線間距越來越小，并能夠?qū)崿F(xiàn)多層布線。傳統(tǒng)的制造工藝，如絲網(wǎng)印刷和低分辨率平版印刷技術(shù)難以滿足高精度、小批量快速制造的要求，具體表現(xiàn)在如下幾個方面制造工藝復雜、工序多，在高精度、高密度電路的制造中容易產(chǎn)生較大的誤差，導致成品率降低；最小線寬和線間距受到限制；腐蝕工藝等過程中需要去除較多的電子材料，不但造成貴金屬材料的浪費，且所使用的一些化學溶液對環(huán)境安全造成威脅；研制周期長，完成制造以后不易修改，對小批量產(chǎn)品成本太高，難以保證在一些特殊的應用領(lǐng)域要求。
基于快速成型原理的直寫技術(shù)是采用特定的工藝，利用加工工作臺的CAD/CAM功能，在基板表面直接形成所需功能圖形的過程。由于該技術(shù)無需掩膜、周期短、材料利用率高、對環(huán)境污染小以及適用于三維制作等優(yōu)點，因此備受研究者的青睞，近年來獲得了快速的發(fā)展。根據(jù)直寫時作用方式的不同，直寫技術(shù)包括減成法與加成法兩種。其中，減成法是采用一定的工具(如激光、刀具等)將材料實現(xiàn)選擇性去除，形成所需要成型加工的圖形的過程。加成法則是采用添加材料的方式完成直寫過程。與減成法相比，加成法的最大特點在于工藝簡便，節(jié)省材料，柔性化制造的程度更高。加成法直寫技術(shù)又可以細分為噴射沉積直寫技術(shù)和擠壓成型直寫技術(shù)，其中較為常用的噴射沉積直寫技術(shù)有噴墨式沉積直寫技術(shù)、等離子體熱噴射直寫技術(shù)、M3D(Maskless Mesoscale Material Deposition)直寫技術(shù)，擠壓成型直寫技術(shù)有Micropen直寫和Dip-Pen Nanolithography直寫等等，主要是針對高粘度的材料時使用。
噴墨沉積(ink-jet deposition)直寫是最常用的噴射沉積直寫電子制造方法，它是在成熟的噴墨打印(ink-jet printing)技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，通常為可控制噴印式(drop-on-demand，DOD)，即采用噴墨打印噴嘴在基板上以微滴(drop-by-drop)的形式直接印刷電子圖案。目前，常用的可控制噴印式有微壓電噴墨式和熱氣泡式兩種方式。微壓電式(Piezoelectric，PZT)噴墨是利用壓電片產(chǎn)生機械震動，當震動以聲波形式傳播到噴嘴尖端時，聲波的正壓使噴嘴尖端的液體加速，并在慣性作用下，克服表面張力脫離液體，形成液滴射出，隨后聲波的負壓在噴嘴中形成局部真空，從進液系統(tǒng)中吸入液體充滿噴嘴，準備下次噴射。熱氣泡式(Thermal)噴墨主要利用電晶體加熱，在百萬分之3秒到百萬分之5秒內(nèi)瞬間加熱到達400℃，墨水變成氣泡，氣泡受到擠壓而噴出成墨滴，與其接觸的液體迅速氣化形成很小的氣泡，膨脹的氣泡擠壓噴嘴中的液體使其以液滴的形式射出，然后在電熱元件降溫和噴嘴毛細管虹吸的共同作用下，噴嘴從進液系統(tǒng)吸入液體補充射出的液體，為下一次噴射做準備。在電子線路的直寫技術(shù)里，應用較多的是微壓電式噴墨，因為它結(jié)構(gòu)較簡單，更適于噴射電子漿料。噴墨沉積直寫可以達到的最小特征線寬是50μm，其缺點是要求材料即噴墨用墨水的粘度比較小(6-8×10-3Pa.S)，這決定了可以選用的直寫材料非常少。
等離子噴涂(Plasma/Thermal spray)直寫技術(shù)采用熱噴涂的工藝原理，即利用高溫等離子體焰流將微細粉末加熱到半熔融態(tài)并高速撞擊基板，快速形成致密性好、結(jié)合強度高的沉積膜層，其特點是能夠在非平面基板上直寫，特別適合于直寫用于苛刻環(huán)境中的傳感器等，并且無需后續(xù)燒結(jié)，但是其線寬有很大的局限性，目前特征線寬在0.3mm-1mm之間。
M3D(Maskless Mesoscale Material Deposition)直寫技術(shù)采用霧化系統(tǒng)(超聲波霧化器或氣體霧化器)霧化液態(tài)分子前驅(qū)體或含顆粒的前驅(qū)體，并結(jié)合噴嘴系統(tǒng)，將其以較低速度噴射并沉積到基板上，形成所要求的電子圖案。M3D的特點是特征線寬較小，可用于曲面或者大面積基板，能進行三維制造，和激光輻照相結(jié)合可用于低溫聚合物基板。然而M3D的裝置最大的缺點是所能夠霧化的液態(tài)前驅(qū)體粘度很小，僅僅在0.7×10-3-1Pa.S這樣一個很窄的范圍內(nèi)。主要原因在于，M3D利用的是霧化沉積直寫技術(shù)，由于所設(shè)計霧化結(jié)構(gòu)的限制導致腔體的霧化能力差，所能夠霧化的液態(tài)分子前驅(qū)體粘度小，這一方面大幅度限制了材料的選擇范圍，另一方面也直接影響到最終電子產(chǎn)品的電氣性能和物理性能。參見美國專利文獻“APPARATUSES AND METHOD FOR MASKLESS MESEOECALE MATERIALDEPOSITION”(US20040228124A1，
公開日為2003年12月11日)。
作為擠壓式直寫技術(shù)，Micropen直寫技術(shù)采用計算機控制電機，泵壓注射管內(nèi)漿料，通過噴嘴流出并與基板表面恰當接觸形成膜層，在控制裝置控制下直寫出所設(shè)計的圖案。此技術(shù)開發(fā)較早，在很多方面取得一定的進展，但是設(shè)備較復雜。該技術(shù)的最大優(yōu)點在于，適合高粘度的漿料。但是，由于采用接觸反饋式位置傳感器控制噴嘴與基板的高度，因此對基板的平整度有很高的要求，對于工業(yè)應用而言適應度較差。同時，由于漿料的粘度大，輸送速度慢，在工作臺換向時易出現(xiàn)失步現(xiàn)象，使得所制備的電子元器件出現(xiàn)斷點。同時，Micropen難以在曲面基板上直寫，其特征線寬一般在50μm以上。類似Micropen直寫的還有Quill-pen直寫，兩者原理一樣，特點也相近，但是Quill-pen直寫技術(shù)改進了控制Quill的位置檢測和傳感系統(tǒng)，使之適合于在非平面上的直寫。
Dip-Pen Nanolithography直寫用傳統(tǒng)的原子力顯微鏡(Atomic ForceMicroscopy-AFM)尖端傳輸所要沉積的材料到基板表面，即將固態(tài)有機墨水加熱到100℃以上，使之處于熔化的流動態(tài)，并且能夠自組裝在基片上。此技術(shù)最大的特點是特征線寬在納米級，但是成本很高，設(shè)備構(gòu)成復雜，只是在一些要求加工精度極高的地方能夠工業(yè)應用。

發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種電子漿料的直寫成型裝置，該裝置可以霧化的漿料粘度值范圍大，材料的選擇范圍大，霧化效果好，裝置結(jié)構(gòu)簡單，操作方便。
本實用新型提供的一種電子漿料的直寫成型裝置，包括沉積噴嘴、基板和由控制器控制的工作臺，沉積噴嘴或基板固定在工作臺上；其特征在于該裝置還包括二流體霧化噴嘴和對接噴管；二流體霧化噴嘴由位于霧化腔內(nèi)的氣體噴嘴和液體噴嘴構(gòu)成；其中，氣體噴嘴通過導氣管與氣源相連，液體噴嘴與漿料導管的一端相連，漿料導管的另一端伸入至霧化腔的下部；導引管口位于霧化腔的上部；霧化腔上設(shè)有用于測量其氣壓的微壓表；對接噴管位于泄壓回收腔內(nèi)、由共中心軸線的上、下噴管組成，上噴管的直徑小于下噴管的直徑；上噴管通過導管與導引管口相連；下噴管通過連接管與沉積噴嘴相連；泄壓回收腔上設(shè)有用于改變其氣壓的調(diào)節(jié)閥。
作為本實用新型的優(yōu)化方案，上述氣體噴嘴的中心軸線和液體噴嘴的中心軸線在同一個平面內(nèi)相互垂直，氣體噴嘴的中心軸線位于液體噴嘴的端面內(nèi)；上噴管和下噴管上、下對稱分布，且上噴管的直徑小于下噴管的直徑；霧化腔位于恒溫加熱裝置中，或者內(nèi)設(shè)加熱裝置。
本實用新型基于快速成型原理，利用氣體霧化電子漿料和氣體霧滴混合流沉積進行直寫。與M3D技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)勢在于(1)本實用新型采用二流體霧化噴嘴霧化漿料，氣體噴嘴內(nèi)徑小，氣流速度高，霧化效果好，霧化量大，用于霧化的電子漿料易于更換。M3D利用霧化腔壁作為霧化噴嘴主體結(jié)構(gòu)，相同氣壓下氣流速度小，霧化效果較差。
(2)本實用新型中霧化噴嘴結(jié)構(gòu)簡單實用，霧化能力強，可以霧化的漿料的粘度較大(達到5Pa.S或者更高)。M3D的霧化噴嘴可以霧化的液態(tài)前驅(qū)體粘度小，氣體霧化所能霧化的最大粘度為1Pa.S，而所采用的超聲波霧化沉積法可霧化的漿料粘度更小，僅僅在10×10-3Pa.S以下。
(3)本實用新型所用二流體霧化噴嘴豎直向上使霧化產(chǎn)物向上運動，對霧化以后的霧滴尺寸有很強的篩選作用，使得一些大尺寸的液滴回落到容器中。通過調(diào)整霧化噴嘴與導引管之間的距離H，可以控制從導引管飛出來的霧滴尺寸。間距H越大，篩選作用越顯著，使得直寫線寬在10微米量級甚至更加窄的細線成為可能，同時也增加了沉積膜層的致密度，提高了膜層的電氣性能。而在M3D系統(tǒng)中，從霧化系統(tǒng)到沉積系統(tǒng)對霧滴的選擇性很差，影響直寫的效果。
總之，本實用新型裝置漿料霧化效果好，調(diào)節(jié)范圍大，運行穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，實用性強。


圖1為本實用新型裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型裝置的一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為噴嘴運動基板固定的直寫方式原理示意圖。
具體實現(xiàn)方式
以下結(jié)合附圖和實例對本實用新型作進一步詳細的說明。
如圖1所示，本實用新型裝置由霧化裝置和沉積裝置二部分構(gòu)成。霧化裝置結(jié)構(gòu)為二流體霧化噴嘴由位于霧化腔8內(nèi)的氣體噴嘴2和液體噴嘴4構(gòu)成。氣體噴嘴2通過導氣管1與氣源相連，液體噴嘴4與漿料導管3的一端相連，漿料導管3的另一端伸入至霧化腔8內(nèi)的漿料5中。霧化腔8上設(shè)有用于測量霧化腔8內(nèi)氣壓的微壓表7，導引管口6位于霧化腔8的腔內(nèi)上部。為了保證大粘度的電子漿料也能夠順利實現(xiàn)霧化、沉積，并且不受或者少受環(huán)境溫度的影響，應當將電子漿料預熱到一定的溫度。預熱的方式有兩種，一是在霧化腔內(nèi)的電子漿料中加入電熱裝置，二是對霧化腔整體進行加熱，使電子漿料間接受熱。為了保證霧化的均勻性，一般將溫度控制在30℃到80℃之間。圖1所示是將整個霧化腔8置于恒溫加熱裝置16中。
沉積裝置的結(jié)構(gòu)為對接噴管9位于泄壓回收腔11內(nèi)，由共中心軸線的二個噴管9A、9B組成，二者最好上下對稱分布。上噴管9A、下噴管9B由泄壓回收腔11的腔體固定，上噴管9A的直徑小于下噴管9B的直徑為宜。導引管口6與對接噴管9的上噴管9A通過導管相連。泄壓回收腔11上設(shè)有用于改變泄壓回收腔11內(nèi)氣壓的調(diào)節(jié)閥10。對接噴管9的下噴管9B通過連接管16與沉積噴嘴12相連，沉積噴嘴12噴射漿料并沉積在基板13表面。工作臺14在控制器15的控制下，沉積直寫出圖形文件規(guī)定的圖案。其中，可以采用沉積噴嘴12固定、基板13隨工作臺14運動的方式進行直寫(如圖1、圖2所示)，也可以采用基板13固定，沉積噴嘴12隨工作臺14運動的方式進行直寫(如圖3所示)。
控制器15可以選用單片機作下位機、PC機作為上位機等不同的方式來進行控制，也可以采用其它標準數(shù)控方式進行控制。
上述裝置的工作原理是當霧化用氣流通往二流體霧化噴嘴的氣體噴嘴2，氣體噴嘴的出口內(nèi)徑很小，以獲得較大的氣流速度；氣流帶走了液體噴嘴4前端端口的氣體，致使液體噴嘴4端口處壓強減小，在液體噴嘴4前部端口形成負壓(小于其周圍環(huán)境氣壓)，位于霧化腔底部的漿料在此壓差的作用下，沿著漿料導管3輸運到液體噴嘴4的噴嘴出口處，在高速氣流作用下霧化成小霧滴。所產(chǎn)生的霧化物在氣流的沖擊作用下向上運動，大霧滴在自身重力作用下減速運動最后落回霧化腔內(nèi)，中小粒徑的霧滴在氣流的帶動作用下向?qū)б芸?運動，其中導引管口6采用錐形或其它下端面大的形狀，以增大氣霧混合物的接受面積，使更多的霧化物由導引管引流出霧化腔8，氣霧流由導引管口6收集之后，沿導引管流到對接噴管9，由于上噴管9A的直徑小于下噴管9B的直徑，這樣增加了下噴管9B的管口對霧化液滴的承接面積，增大了氣霧流經(jīng)下噴管9B進入沉積噴嘴12的幾率。上噴管9A、下噴管9B的口徑大小和二者之間的距離主要由直寫時霧化腔8內(nèi)氣壓的大小來確定。如果上噴管9A、下噴管9B的口徑一定，霧化腔8內(nèi)氣壓小則從上噴管9A噴射出的霧化液滴聚焦距離短，上噴管9A和下噴管9B之間的距離就要相應的減小。上述結(jié)構(gòu)稱之為泄壓回收腔11，其主要功能在于從霧化腔內(nèi)逸出的霧化液滴，氣流壓力較大，而液滴濃度較低，如果直接用于直寫過程，漿料濃度不夠。通過泄壓回收腔11，霧化液滴經(jīng)上噴管9A管口進入下噴管9B管口時，大部分氣流從對接噴管9逸出，存儲在泄壓回收腔11內(nèi)。從下噴管9B引流出來霧化液滴，濃度加大，經(jīng)沉積噴嘴12聚焦后沉積在基板13表面上，只有一小部分霧化液滴在氣流的橫向運動作用下飛離對接噴管9，并沉降在泄壓回收腔11內(nèi)回收并重復利用。
在霧化腔8內(nèi)，由于氣體噴嘴2出來的氣體使得漿料霧化成液滴時，氣體動能主要轉(zhuǎn)化為因漿料霧化導致總表面積增大時所需要的表面能和霧滴的動能。在漿料的粘度和表面張力一定時，霧滴的粒度主要取決于氣流速度與流量。隨著霧化腔8內(nèi)的背景氣壓增大，霧化腔與氣源之間的壓力差變小，氣流速度變小，漿料的霧化效果會降低直到維持一動態(tài)平衡水平。同時，霧化腔8內(nèi)與外部環(huán)境的壓力差又是導引氣霧混合物輸運到泄壓回收腔11并最終實現(xiàn)沉積的動力源，因此該壓強應該高于一定的臨界值。在實際工作過程中，一般根據(jù)沉積噴嘴12的直徑與所需要的沉積速度來調(diào)節(jié)霧化腔8和泄壓回收腔內(nèi)的壓力，并達到平衡態(tài)。
在本實用新型的裝置中，由輸入氣體噴嘴2與液體噴嘴4組成的二流體霧化系統(tǒng)與導引管口6之間的間距H(見圖1)至關(guān)重要。一般而言，H值越大，則霧化后回落到霧化腔內(nèi)的液滴越多，能夠沿著導引管口6逸出的液滴直徑越小，所能夠沉積的最小線寬越小，而沉積速度也越低。因此，H的大小應該根據(jù)實際的線寬要求來合理選擇。
本實用新型裝置中，霧化腔8的預熱(或者霧化腔內(nèi)電子漿料的直接加熱)也是非常重要的。其主要作用是改變電子漿料的粘度，使得高粘度電子漿料的粘度隨著溫度升高而降低，以適合霧化、沉積過程，這是本專利比美國專利(US20040228124A1)更為優(yōu)越的關(guān)鍵之一。
整個裝置的使用過程為首先調(diào)試二流體霧化噴嘴到最佳狀態(tài)(霧化量最大、霧滴最小的狀態(tài))，置于霧化腔8內(nèi)并固定好；把漿料調(diào)節(jié)到適當粘度，并攪拌均勻，然后灌裝到霧化腔8內(nèi)；用導管連接霧化裝置和沉積裝置，調(diào)整調(diào)節(jié)閥10使泄壓回收腔11的氣壓到合適的數(shù)值，就可以開始沉積工作。
本實用新型的一種具體實施方式
如圖2所示。從高壓氣瓶17輸出N2氣，經(jīng)大量程減壓閥18和大量程調(diào)壓表19后，作為漿料霧化和導引沉積的動力源提供給霧化裝置和沉積裝置，N2氣經(jīng)塑料氣管連接到裝配有小量程壓力表20的調(diào)壓閥21再次調(diào)壓，可以讀出霧化時所用壓強大小，然后用氣管再連接電磁閥22控制氣流通斷。
在霧化開始后，由微壓表7讀出霧化腔8的氣壓，并通過調(diào)節(jié)閥10調(diào)節(jié)輸入氣體的壓力來反饋控制霧化腔8內(nèi)的氣壓。霧化穩(wěn)定后，即可由沉積噴嘴12進行沉積直寫。
為達到更好的霧化效果，對圖1、圖2所示的二流體垂直霧化噴嘴而言，氣體噴嘴2的中心軸線和液體噴嘴4的中心軸線在同一個平面內(nèi)相互垂直，氣體噴嘴2的中心軸線位于液體噴嘴4的端面內(nèi)，并且氣體噴嘴2的端口和液體噴嘴4的中心軸線保持適宜的距離，以確保有最大的霧化量和最細的霧滴。具體取值主要根據(jù)氣體噴嘴2和液體噴嘴口徑確定，并根據(jù)霧化腔8內(nèi)的氣壓進行調(diào)整。如當氣體噴嘴2口徑為0.28mm，液體噴嘴口徑為0.4mm時，氣體噴嘴2的端口和液體噴嘴4的中心軸線的距離范圍為0.4-0.7mm較好。在霧化機構(gòu)里，二流體霧化噴嘴除了用圖1、圖2所示的垂直霧化噴嘴外，還可以采用其它形式的霧化噴嘴，例如常用的二流體同軸霧化噴嘴，置于中心的液體噴嘴輸運液態(tài)漿料，與液體噴嘴同圓心的氣體噴嘴和液體噴嘴構(gòu)成均勻的環(huán)狀縫隙噴出高速氣流，當氣液兩相流在噴嘴端口處接觸，氣液之間的相對速度很大，產(chǎn)生摩擦力，將漿料霧化。
在具體實施方式
中，氣體噴嘴2與導氣管1、液體噴嘴4與漿料導管3均可以采用一體式結(jié)構(gòu)，也可以采用分離部件連接而成。導引管口6與上噴管9A及其導管、下噴管9B與沉積噴嘴12及其連接管也同樣可以采用一體式結(jié)構(gòu)，或者由分離部件連接而成。
霧化腔8腔壁與其他部件的連接處用橡膠圈或密封圈密封，霧化時要保證氣密性良好，以免霧滴隨著氣流在霧化腔8外壁上凝結(jié)。
本裝置在使用時，將固定在工作臺14上的基板13與沉積噴嘴12之間保持一定的距離，沉積噴嘴12對氣霧流束直徑有收縮作用，收縮之后的流束在一定范圍內(nèi)不發(fā)散，這樣使得沉積噴嘴12離基板13表面的距離在一定范圍內(nèi)變化時，所直寫出的線條線寬保持不變，所以本實用新型對基板表面的平整度要求并不十分嚴格，甚至基板表面存在有數(shù)十微米級別的臺階時也可以保證線寬及厚度不變，并可以用來在曲面基板上進行沉積直寫。
本實用新型裝置與二維工作臺結(jié)合，并附以相應的控制裝置，可以在平面基板上沉積直寫出二維圖形，如果配以三維工作臺，還可以進行三維結(jié)構(gòu)的直寫。直寫后的半成品如導體、電阻和電容以及傳感器需通過高溫燒結(jié)達到相應的功能要求。如果本實用新型裝置與激光加工裝置相結(jié)合，在所沉積膜層的上進行激光燒結(jié)，一方面使線寬更窄，另一方面可以免去高溫燒結(jié)，適合于在低溫基板上直寫電路和在集成電路板上制作電極等應用，還可以用于多層線路板、微機電系統(tǒng)、混合集成電路基板的直接制造等。
實施例1-3實施例1-3在陶瓷(Al2O3，96wt％)基板上沉積直寫高溫Ag導體。二流體霧化噴嘴中，氣體噴嘴的直徑為Φ0.22mm，液體噴嘴直徑為Φ0.5mm，沉積噴嘴直徑為Φ0.4mm，漿料粘度2Pa.S，其它參數(shù)如表一所示。
表一)

實施例4-6實施例4-6在Si基板上沉積直寫Ag導體。二流體霧化噴嘴中，氣體噴嘴的直徑為Φ0.20mm，液體噴嘴直徑為Φ0.50mm，沉積噴嘴直徑為Φ0.10mm，漿料粘度2Pa.S，其它參數(shù)如表二所示表二)


本實用新型所提出的電子漿料直寫技術(shù)利用霧化噴嘴霧化電子漿料成微細顆粒，然后在氣流的引導下沿著管道輸運到噴嘴，經(jīng)噴嘴沉積在基板上，形成所預設(shè)定的電路圖形。其中，沉積路徑受數(shù)控工作臺所發(fā)出的控制指令控制，電子漿料包括導體漿料、電阻漿料、介質(zhì)漿料或其他電子漿料，基板可以是陶瓷、玻璃、硅、環(huán)氧樹脂等材料。
權(quán)利要求1.一種電子漿料的直寫成型裝置，包括沉積噴嘴、基板和由控制器控制的工作臺，沉積噴嘴或基板固定在工作臺上；其特征在于該裝置還包括二流體霧化噴嘴和對接噴管(9)；二流體霧化噴嘴由位于霧化腔(8)內(nèi)的氣體噴嘴(2)和液體噴嘴(4)構(gòu)成；其中，氣體噴嘴(2)通過導氣管(1)與氣源相連，液體噴嘴(4)與漿料導管(3)的一端相連，漿料導管(3)的另一端伸入至霧化腔(8)的下部；導引管口(6)位于霧化腔(8)的上部；霧化腔(8)上設(shè)有用于測量其氣壓的微壓表(7)；對接噴管(9)位于泄壓回收腔(11)內(nèi)、由共中心軸線的上、下噴管(9A、9B)組成；上噴管(9A)通過導管與導引管口(6)相連；下噴管(9B)通過連接管與沉積噴嘴(12)相連；泄壓回收腔(11)上設(shè)有用于改變其氣壓的調(diào)節(jié)閥(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于上噴管(9A)和下噴管(9B)上、下對稱分布，且上噴管(9A)的直徑小于下噴管(9B)的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于氣體噴嘴(2)的中心軸線和液體噴嘴(4)的中心軸線在同一個平面內(nèi)相互垂直，氣體噴嘴(2)的中心軸線位于液體噴嘴(4)的端面內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于霧化腔(8)位于恒溫加熱裝置(16)中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于霧化腔(8)內(nèi)設(shè)有加熱裝置。
專利摘要本實用新型公開了一種電子漿料的直寫成型裝置，包括沉積噴嘴、基板、由控制器控制的工作臺、二流體霧化噴嘴和對接噴管；二流體霧化噴嘴由位于霧化腔內(nèi)的氣體噴嘴和液體噴嘴構(gòu)成；氣體噴嘴通過導氣管與氣源相連，液體噴嘴與漿料導管的一端相連，漿料導管的另一端伸入至霧化腔的下部；導引管口位于霧化腔的上部；霧化腔上設(shè)有用于測量其氣壓的微壓表；對接噴管位于泄壓回收腔內(nèi)、由共中心軸線的上、下噴管組成；上噴管通過導管與導引管口相連；下噴管通過連接管與沉積噴嘴相連；泄壓回收腔上設(shè)有用于改變其氣壓的調(diào)節(jié)閥。本實用新型裝置漿料霧化效果好，調(diào)節(jié)范圍大，運行穩(wěn)定，結(jié)構(gòu)簡單，操作方便，實用性強。
文檔編號H05K3/10GK2925008SQ20062009759
公開日2007年7月18日 申請日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者曾曉雁, 李祥友, 李敬, 李金洪, 王小寶 申請人:華中科技大學