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有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法

文檔序號(hào):8163606閱讀:155來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置,且特別是有關(guān)于一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái)有機(jī)發(fā)光顯示裝置(organic light-emitting display,OLED)以簡(jiǎn)單的架構(gòu)、極佳的工作溫度和反應(yīng)速度、鮮明的色彩對(duì)比以及無(wú)視角限制等優(yōu)勢(shì),逐漸在顯示器市場(chǎng)中受到矚目。
請(qǐng)參照?qǐng)D1,其繪示乃依照傳統(tǒng)底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置之示意圖。底發(fā)光型(bottom emission)有機(jī)發(fā)光顯示裝置10包括基板11、薄膜晶體管12、保護(hù)層13、陽(yáng)極15、有機(jī)發(fā)光層16以及陰極17以及隔板18。陽(yáng)極15是透明的銦錫氧化物電極,且基板11也為透明的玻璃基板。在底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置10中,由發(fā)光層15產(chǎn)生的光線(如箭頭a所示)系穿透陽(yáng)極15以及基板11而顯示于屏幕上。正因?yàn)榘l(fā)光方向的限制,光線需穿透配置多個(gè)模塊的基板11,使得底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置之開(kāi)口率偏低。
另一方面,頂發(fā)光型(top emission)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的主要構(gòu)想在于,光線不需穿透配置多個(gè)模塊的基板而是系穿透陰極和隔板,藉以大幅度提高開(kāi)口率。
然而,適用于頂發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置之陰極材料以及制造技術(shù)尚待開(kāi)發(fā)。在工作函數(shù)(work function)的考量上,與有機(jī)發(fā)光層匹配性最佳的是鋁金屬,但是金屬的光線穿透率不高。一旦使用極薄的金屬層以提高透光度,薄金屬層卻具有高阻抗值。具有高阻抗值的陰極衍生出嚴(yán)重的壓降問(wèn)題,影響顯示器品質(zhì)甚巨。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此,本發(fā)明的目的就是在提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。本發(fā)明之有機(jī)發(fā)光顯示單元可有效的解決壓降問(wèn)題,不論利用于頂發(fā)光型或是底發(fā)光型之有機(jī)發(fā)光顯示裝置,皆可提高顯示品質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的目的,提出一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light-Emitting Display,OLED)包括基板以及多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示單元。有機(jī)發(fā)光顯示單元包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、陰極以及總線線(bus line)。薄膜晶體管設(shè)置于基板上。陽(yáng)極設(shè)置于薄膜晶體管以及基板上。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于陽(yáng)極上。陰極設(shè)置于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上??偩€線與陰極電性連接,用以降低陰極之電阻值。
根據(jù)本發(fā)明的目的,提出一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之制造方法,包括步驟提供一基板;形成一陽(yáng)極于該基板上;形成一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)于陽(yáng)極上;形成一陰極于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上;以及形成一總線線于陰極上。
根據(jù)本發(fā)明的目的,再提出一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之制造方法,包括步驟提供一基板;形成一薄膜晶體管于基板上;形成一陽(yáng)極于基板以及薄膜晶體管上;形成一保護(hù)層用以覆蓋于陽(yáng)極上;形成一總線線于保護(hù)層上,總線線位于陽(yáng)極之側(cè)面;形成一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)于保護(hù)層上;以及形成一陰極于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上,陰極系與總線線電性連接。

為讓本發(fā)明之上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉較佳實(shí)施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說(shuō)明如下圖1繪示乃依照傳統(tǒng)底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置之示意圖。
圖2繪示依照本發(fā)明實(shí)施例一的一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之側(cè)視圖。
圖3繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的主要概念是設(shè)置一總線線與陰極電性連接,以降低陰極電阻,解決壓降問(wèn)題,提高顯示品質(zhì)。在下文中系以頂發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置為例作具體說(shuō)明,然而此些實(shí)施例并不會(huì)對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)之范圍做限縮。熟習(xí)此技藝者皆可明了,本發(fā)明亦系可應(yīng)用于底發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置或其它相關(guān)之顯示裝置。
本發(fā)明之有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light-Emitting Display,OLED)包括基板以及多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示單元。有機(jī)發(fā)光顯示單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)、陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、陰極以及總線線(busline)。薄膜晶體管設(shè)置于基板上。陽(yáng)極設(shè)置于薄膜晶體管以及基板上。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于陽(yáng)極上。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)至少包括一電子傳輸層(ElectronTransport Layer,ETL)、一有機(jī)發(fā)光層(Electroluminescent Layer,EL)以及一電洞傳輸層(Hole Injection Layer HTL)。陰極設(shè)置于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上。總線線與陰極電性連接,用以降低陰極之電阻值。
實(shí)施例一請(qǐng)參照?qǐng)D2,其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例一的一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之側(cè)視圖。在有機(jī)發(fā)光顯示單元100中,基板110上形成一反射層111,薄膜晶體管120設(shè)置于反射層111上;陽(yáng)極130設(shè)置于薄膜晶體管120以及基板110上;有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140設(shè)置于陽(yáng)極130上;陰極150設(shè)置于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140上;總線線160形成于陰極150上,并與陰極150電性連接,用以降低陰極150之電阻值。
在有機(jī)發(fā)光顯示單元100中,陰極150系可透光的材料所構(gòu)成,例如是一層薄膜金屬、一層銦錫氧化物(indium tin oxide,ITO)或是一層薄膜金屬及至少一層銦錫氧化物之組合。此外,陰極之厚度小,例如是數(shù)十埃(),以利光線穿透。如此一來(lái),有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140所產(chǎn)生的光系可自反射層111反射并穿透陰極。
在有機(jī)發(fā)光顯示單元100中,總線線160系為一厚金屬層,例如金屬層之厚度系介于1000埃與2微米之間。此外,總線線160由低電阻值之金屬組成,例如是含鋁或含銀之金屬層。
在有機(jī)發(fā)光顯示單元100中,薄膜晶體管120遮蔽部分之反射層111形成一遮蔽區(qū),總線線160位于遮蔽區(qū)并與薄膜晶體管120相對(duì)設(shè)置。如此一來(lái),盡管形成一不透光的總線線160于陰極150上方,并不影響有機(jī)發(fā)光顯示單元100的開(kāi)口率,還可避免二有機(jī)發(fā)光顯示單元之間光源互相干擾情況。
在實(shí)際制程上,有機(jī)發(fā)光顯示單元100的制造方法包括步驟提供一基板110;形成一反射層111于基板110上;形成保護(hù)層112于反射層111上;形成一薄膜晶體管120于保護(hù)層112上;形成陽(yáng)極130于保護(hù)層121上;形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)150于陽(yáng)極130上;形成陰極150于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140上;形成一總線線160于陰極150上,并位于薄膜晶體管120上方。
實(shí)施例二本實(shí)施例之有機(jī)發(fā)光顯示單元之組件與實(shí)施例一之組件相同,但形成之相對(duì)位置不同,制程也不盡相同。本實(shí)施例將繼續(xù)沿用實(shí)施例一之組件標(biāo)號(hào)。
請(qǐng)參照?qǐng)D3,其繪示依照本發(fā)明實(shí)施例二的一種有機(jī)發(fā)光顯示單元之側(cè)視圖。在有機(jī)發(fā)光顯示單元200中,陽(yáng)極140與總線線260之間設(shè)置有一保護(hù)層231,使得陽(yáng)極140與總線線260相鄰,但電性不導(dǎo)通。此外,總線線260系設(shè)置于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140以及陰極150之側(cè)面,并且位于二有機(jī)發(fā)光單元之間,形成黑色矩陣(black matrix)。
在實(shí)際制程上,有機(jī)發(fā)光顯示單元200的制造方法包括步驟首先,提供一基板110,形成反射層111于基板110上。然后,形成薄膜晶體管120于基板110上。接著,形成陽(yáng)極130于薄膜晶體管120以及基板110上。之后,形成保護(hù)層231用以覆蓋于陽(yáng)極130上。接著,將總線線260形成于保護(hù)層230上,總線線260位于陽(yáng)極130之側(cè)面,但與陽(yáng)極130相隔保護(hù)層231,故電性不導(dǎo)通。在形成有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140于保護(hù)層231上之后,形成一陰極150于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140上,總線線260系與陰極150電性連接,用以降低電阻抗值。
本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露之有機(jī)發(fā)光顯示單元,將薄膜金屬配合總線線作為陰極,具有高透光性、與有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)相匹配的工作函數(shù)以及低阻抗等優(yōu)點(diǎn)。由于總線線可有效降低陰極阻抗,可以將原有材料作得更薄,提高顯示亮度。較佳的是,使得陰極材料不再受限于可透光材質(zhì),可選擇與有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)匹配度更高但透光低的金屬,只要將金屬層作得極薄,就具有高透光性。進(jìn)一步地說(shuō),使用低阻抗值以及較佳工作函數(shù)的陰極,可以有效解決壓降問(wèn)題,大幅度提高顯示裝置品質(zhì)。除此之外,相較于原本的制程,實(shí)施例二所述之制成方法僅需加上一道手續(xù),也就是說(shuō),本實(shí)施例所述之方法制作成本低廉且容易實(shí)施。另一方面,實(shí)施例一所述之制造方法可省去高精細(xì)的光罩使用量,可進(jìn)一步省去制作成本與時(shí)間。
綜上所述,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何熟習(xí)此技藝者,在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作各種之更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)根據(jù)權(quán)利要求書(shū)所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light-Emitting Display,OLED),設(shè)置有多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示單元,每一有機(jī)發(fā)光顯示單元至少包括一基板(substrate);一薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT),設(shè)置于該基板上;一陽(yáng)極(anode),設(shè)置于該薄膜晶體管以及該基板上;一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu),設(shè)置于該陽(yáng)極上;一陰極(cathode),設(shè)置于該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上;以及一總線線(bus line),與該陰極電性連接。
2根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)至少包括一電子傳輸層、一有機(jī)發(fā)光層以及一電洞傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該陰極包括一薄膜金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該陰極更包括一銦錫氧化物層(indium tin oxide,ITO)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該總線線之厚度系介于1000埃()和2微米(μm)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該總線線系由低電阻值之金屬組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該總線線含鋁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該有機(jī)發(fā)光顯示單元更包括一反射層,該反射層系設(shè)置于該薄膜晶體管與該基板之間,使得該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光系自該反射層反射并穿透該陰極,該有機(jī)發(fā)光顯示裝置系一頂發(fā)光(top emission)之有機(jī)顯示裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該薄膜晶體管遮蔽部分之反射層形成一遮蔽區(qū),該總線線設(shè)置于相對(duì)該薄膜晶體管之該遮蔽區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,其特征在于,該總線線系形成于該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)以及該陰極之側(cè)面,并且位于相鄰之二個(gè)有機(jī)發(fā)光單元之間,形成一黑色矩陣(black matrix)。
全文摘要
一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置(Organic Light-EmittingDisplay,OLED)包括基板以及多個(gè)有機(jī)發(fā)光顯示單元。有機(jī)發(fā)光顯示單元包括薄膜晶體管、陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)、陰極以及總線線(bus line)。薄膜晶體管設(shè)置于基板上。陽(yáng)極設(shè)置于薄膜晶體管以及基板上。有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置于陽(yáng)極上。陰極設(shè)置于有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)上??偩€線與陰極電性連接,用以降低陰極的電阻值。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1596043SQ20041005988
公開(kāi)日2005年3月16日 申請(qǐng)日期2004年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月17日
發(fā)明者蘇志鴻 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司
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