專利名稱：電子部件的制造方法及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件的制造方法及電子部件，特別涉及到在作為疊層對(duì)象的層間的電接合中使用柱狀導(dǎo)體的電子部件的制造方法及電子部件。
背景技術(shù)：
以往，下述電子部件及印制布線基板已為眾所周知，其將布線圖形形成于絕緣層上，并且使這些布線圖形在厚度方向疊層成為多層結(jié)構(gòu)。
而且已經(jīng)提出公開了各種用來(lái)形成同一結(jié)構(gòu)的制造方法。圖6A及圖6B是表示電子部件以往的每層制造方法的工藝說(shuō)明圖。
在圖6A中，對(duì)絕緣層1的表面照射激光進(jìn)行開孔。然后，在通過(guò)激光加工形成孔2之后，在該孔2中填充導(dǎo)電膠，或者通過(guò)電鍍?cè)谏鲜隹?的內(nèi)側(cè)形成膜或柱狀的導(dǎo)體部。
在圖6B中，在預(yù)先形成的絕緣層3表面上通過(guò)電鍍或腐蝕法來(lái)形成導(dǎo)體部4。然后，在通過(guò)這些工藝形成上述導(dǎo)體部4之后，在該導(dǎo)體部4的表面上采用旋轉(zhuǎn)涂敷的方法涂敷絕緣樹脂5(例如，參見專利文獻(xiàn)1。)。
對(duì)于其他的方法則已為眾所周知，也就是在基板的布線上形成由導(dǎo)電膠而得到的凸起后，配置層間連接絕緣材料和金屬層，通過(guò)擠壓使凸起貫通到成形樹脂內(nèi)，讓上述凸起和金屬層導(dǎo)通連接(例如，參見專利文獻(xiàn)2。)。
再者，已公開了下述技術(shù)，該技術(shù)為通過(guò)二氧化碳激光器等來(lái)形成貫通孔，并在該貫通孔內(nèi)填充含有金、銀、銅、鋁等低電阻金屬粉末的膠，以此形成通孔導(dǎo)體(例如，參見專利文獻(xiàn)3。)。
另外，已公開了下述技術(shù)，也就是在層間連接用導(dǎo)體柱的周圍涂敷樹脂，并在表面上通過(guò)砂紙狀具有適當(dāng)粗糙度的脫模薄膜來(lái)擠壓樹脂形成絕緣層(例如，參見專利文獻(xiàn)4。)。
專利文獻(xiàn)1特開平10-22636號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開2002-137328號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特開2002-134881號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4特公平6-57455號(hào)公報(bào)然而，在具備多層結(jié)構(gòu)的電子部件中，因?yàn)橐_(dá)到進(jìn)一步的高密度化及高功能化的目的，所以也在研究組合元件等到上述電子部件的內(nèi)部中。這里，假設(shè)準(zhǔn)備在按疊層方向重疊的布線圖形之間形成無(wú)源部件等的元件，則上述布線圖形間的距離就成為決定上述元件特性的重要因素。因此為了元件特性穩(wěn)定的目的，人們一直期望能夠確實(shí)對(duì)上述布線圖形間的距離也就是上述電子部件各層的厚度進(jìn)行控制的電子部件的制造方法。
但是在上述圖6A中的制造方法中，只是在絕緣層1上通過(guò)激光加工來(lái)進(jìn)行開孔并且在孔2的內(nèi)側(cè)僅僅形成導(dǎo)體部，并不是用來(lái)管理層整體的厚度。
另外在圖6B中的制造方法中，雖然通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂敷來(lái)涂敷樹脂并形成絕緣樹脂層使之覆蓋導(dǎo)體部，但是按照導(dǎo)體部4的有無(wú)在上述絕緣樹脂的表面上產(chǎn)生起伏，難以均勻設(shè)定層整體的厚度。
另外，在基板的布線上形成由導(dǎo)電膠而得到的凸起后、通過(guò)擠壓使凸起貫通到成形樹脂內(nèi)的方法中，也未公開對(duì)層整體的厚度進(jìn)行控制的方法。再者，在特開2002-134881號(hào)公報(bào)中，也只是通過(guò)膠的填充來(lái)形成通孔導(dǎo)體，并不是用來(lái)控制層整體的厚度。
在特公平6-57455號(hào)公報(bào)中，需要在使擠壓工藝結(jié)束之后，讓脫模薄膜從絕緣層的表面分離，但是根據(jù)該分離作業(yè)，有可能在絕緣層的表面使外力起作用，在絕緣層的表面上產(chǎn)生變形等。而且，與圖6B相同，因?yàn)橥糠髽渲⒏采w導(dǎo)體部，所以有可能在絕緣樹脂的表面上產(chǎn)生起伏，致使難以均勻設(shè)定層整體的厚度。
然而，在電子部件的一般制造方法中，普遍施行使絕緣層的表面粗糙化、使和形成布線圖形的銅箔之間的緊密接合性提高。但是，眾所周知，根據(jù)用來(lái)形成絕緣層的樹脂，難以進(jìn)行使用化學(xué)性穩(wěn)定的藥品的粗糙化處理。為此，人們期望即使使用這種化學(xué)性穩(wěn)定的樹脂也能夠確實(shí)確保和布線層之間的接合強(qiáng)度那樣的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明注重于上述以往的問(wèn)題所在，用來(lái)提供一種電子部件的制造方法及采用同一制造方法所制造出的電子部件，其第1目的為可以使絕緣層的厚度均勻，并且其第2目的為在沒(méi)有因外力作用而引起的變形以及被樹脂的種類所左右的狀況下確實(shí)進(jìn)行粗糙化處理。
本發(fā)明是根據(jù)下述構(gòu)思而做出的，該構(gòu)思為在形成布線圖形和柱狀導(dǎo)體之后，從它們的上方以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器接觸到絕緣片，片材的厚度與柱狀導(dǎo)體的高度對(duì)應(yīng)，因此可以形成凹凸(起伏)被抑制成最小限度的具有均勻厚度的層。
也就是說(shuō)，本發(fā)明所涉及的電子部件的制造方法，其中電子部件具備多個(gè)布線圖形，以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該電子部件的制造方法，其特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝和第2工藝，以決定上述層厚度的柱狀導(dǎo)體作為上述層間連接部來(lái)使用，上述第1工藝用來(lái)形成上述布線圖形和柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝用來(lái)將絕緣片從上方接合，并以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度組成的層。
更為詳細(xì)而言，一種電子部件的制造方法，其中電子部件具備多個(gè)布線圖形，以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該電子部件的制造方法，其特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝、第2工藝和第3工藝，以決定上述層厚度的柱狀導(dǎo)體作為上述層間連接部來(lái)使用，上述第1工藝用來(lái)形成上述布線圖形和柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝用來(lái)將絕緣片從上方接合，并以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度組成的層，上述第3工藝用來(lái)在通過(guò)上述第2工藝所形成的上述層表面上形成凹凸圖形，該凹凸圖形用于使上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體之間的緊密接合強(qiáng)度增大。
具體而言，一種電子部件的制造方法，其中電子部件具備多個(gè)布線圖形，以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該電子部件的制造方法，其特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝、第2工藝和第3工藝，以決定上述層厚度的柱狀導(dǎo)體作為上述層間連接部來(lái)使用，上述第1工藝用來(lái)形成上述布線圖形和柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝用來(lái)將通過(guò)凹凸圖形與覆蓋層緊密接合的絕緣片從上方接合，并以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度組成的層，上述第3工藝用來(lái)從通過(guò)上述第2工藝所形成的上述層表面，借助于化學(xué)反應(yīng)將覆蓋層除去，并使上述凹凸圖形露出，該凹凸圖形用于使上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體之間的緊密接合強(qiáng)度增大。
在此，優(yōu)選的是，在上述樹脂片中摻入具有襯墊功能的顆粒，在上述第2工藝中通過(guò)在上述柱狀導(dǎo)體和上述覆蓋層之間夾入上述顆粒，在上述柱狀導(dǎo)體的上面形成薄膜絕緣層，在上述第3工藝中使上述凹凸圖形露出之后，將上述薄膜絕緣層除去；并且更優(yōu)選的是，上述薄膜絕緣層的厚度為1～15μm之間。另外，優(yōu)選的是上述柱狀導(dǎo)體通過(guò)電鍍處理來(lái)形成。
另外，本發(fā)明所涉及的電子部件將布線圖形和用來(lái)覆蓋該布線圖形的絕緣層至少在厚度方向配置多個(gè)，其構(gòu)成為，將位于夾著上述絕緣層的布線圖形間，通過(guò)其內(nèi)部被緊密形成的柱狀導(dǎo)體進(jìn)行連接，并且使各絕緣層的高度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近。而且，優(yōu)選的是上述柱狀導(dǎo)體采用電鍍加工法來(lái)形成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，在形成布線圖形和柱狀導(dǎo)體之后，將絕緣片從這些布線圖形和柱狀導(dǎo)體的上方接合。而且，如果在接合絕緣片之后，一直對(duì)該絕緣片從外部進(jìn)行加壓，則柱狀導(dǎo)體進(jìn)入到絕緣片的內(nèi)部。然后，若借助于該加壓的繼續(xù)而在絕緣片的內(nèi)部裝入柱狀導(dǎo)體，則該柱狀導(dǎo)體的頭部接觸到絕緣片的加壓側(cè)。這樣，如果在柱狀導(dǎo)體的頭部與絕緣片的加壓側(cè)進(jìn)行接觸的位置上使絕緣片的加壓停止，則柱狀導(dǎo)體起到止擋器的作用，并且絕緣片(也就是絕緣層)的厚度可以與柱狀導(dǎo)體的高度相近，確保一定的層厚。還有，不言而喻即使柱狀導(dǎo)體的頭部與絕緣片的加壓方進(jìn)行接觸，它們也不完全接觸，而在其間介入了若干絕緣片的膜。另外，優(yōu)選的是，在絕緣片中使用熱可塑性絕緣片以及使硬化在中間階段停止的B級(jí)狀態(tài)熱硬化性絕緣片。采用這種樹脂，可以在其內(nèi)部容易地裝入柱狀導(dǎo)體。
可是，在進(jìn)行上述作業(yè)之后，如果作為下一工藝在絕緣層的表面形成作為凹凸圖形的微小凹凸，則可以對(duì)形成于上述絕緣層上層的布線圖形，使圖形厚度方向和圖形延長(zhǎng)方向上的接合強(qiáng)度得到提高。具體而言，可以采用下述等的方法，該方法為通過(guò)使預(yù)先在其表面上形成了凹凸的壓模在上述絕緣層的表面上進(jìn)行接觸及分離，將上述壓模側(cè)的凹凸復(fù)制到上述絕緣層的表面上，或者采用激光加工機(jī)在絕緣層的表面以非接觸方式形成凹凸表面。
另外，也不限定為上述結(jié)構(gòu)，如果采用通過(guò)凹凸圖形與覆蓋層緊密接合的絕緣片，則可以在使上述工藝完成后，通過(guò)除去覆蓋層，在絕緣片的表面上使凹凸圖形露出。還有，凹凸圖形因?yàn)槭墙柚诨瘜W(xué)反應(yīng)而露出的，所以可以不給該凹凸圖形施加機(jī)械性的力(所謂的外力)，能防止發(fā)生變形等。而且，對(duì)于上述覆蓋層利用化學(xué)反應(yīng)的除去方法，則可以使用腐蝕或其他的方法。
然而，如果在上述絕緣片的內(nèi)部摻入具有襯墊功能的顆粒，則在直至作為止擋器的柱狀導(dǎo)體頭部為止對(duì)絕緣片進(jìn)行加壓時(shí)，上述顆粒被夾于柱狀導(dǎo)體的頭部和絕緣片的加壓側(cè)之間，可以在柱狀導(dǎo)體的頭部上方形成根據(jù)顆粒大小所設(shè)定的一定厚度的膜，也就是薄膜絕緣層。因此，在接合絕緣片之后，在柱狀導(dǎo)體的頭部不露出到表面的狀況下，同樣形成薄膜絕緣層，在此后的工藝中可以進(jìn)行對(duì)上述絕緣層的均勻處理(可以防止柱狀導(dǎo)體的頭部因腐蝕等的處理而產(chǎn)生損壞。另外，因?yàn)橛帽∧?lái)形成絕緣層，所以此后除去薄膜絕緣層的作業(yè)變得容易。)。
還有，從使柱狀導(dǎo)體上的頭部保護(hù)和除去薄膜絕緣層的容易性同時(shí)實(shí)現(xiàn)的觀點(diǎn)出發(fā)，最好將薄膜絕緣層的厚度設(shè)定為1～15μm之間。而且，為了將薄膜絕緣層的厚度設(shè)定為1～15μm之間，可以調(diào)整上述顆粒的粒徑(還有，由于其目的為使頭部保護(hù)和除去的容易性同時(shí)實(shí)現(xiàn)，因而根據(jù)所使用絕緣樹脂特性的不同，并不一定限定為上述范圍。)。
而且，如果將形成于柱狀導(dǎo)體頭部上方的膜的厚度設(shè)定為1～15μm之間，則即使進(jìn)行腐蝕等的后期工藝也可以充分保護(hù)柱狀導(dǎo)體的頭部，并且可以通過(guò)噴凈處理等，容易地除去柱狀導(dǎo)體上頭部上方的膜，能夠使雙方的特性得到滿足。
另外，如果通過(guò)電鍍加工法來(lái)形成柱狀導(dǎo)體，則與下述方法等進(jìn)行比較，可以在上述柱狀導(dǎo)體的形成框內(nèi)以緊密的狀態(tài)使導(dǎo)體析出，上述方法為將含有樹脂的導(dǎo)電膠注入上述形成框內(nèi)。故在基板內(nèi)部發(fā)熱時(shí)，產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)到柱狀導(dǎo)體內(nèi)而不斷向外部散熱，而因?yàn)橥ㄟ^(guò)上述電鍍加工法所形成的柱狀導(dǎo)體其導(dǎo)體密度較高，所以傳熱特性優(yōu)良。因此，可以使更多發(fā)生的熱散熱到基板外部，能夠防止基板內(nèi)溫度上升。另外，不言而喻通過(guò)提高導(dǎo)體密度，能達(dá)成低電阻率。


圖1是本實(shí)施方式所涉及的電子部件剖面放大圖。
圖2A、圖2B及圖2C是用來(lái)對(duì)本實(shí)施方式所涉及的電子部件制造方法進(jìn)行說(shuō)明的簡(jiǎn)要工藝說(shuō)明圖。
圖3A、圖3B及圖3C是用來(lái)對(duì)本實(shí)施方式所涉及的電子部件制造方法進(jìn)行說(shuō)明的簡(jiǎn)要工藝說(shuō)明圖。
圖4是本實(shí)施方式所涉及的電子部件制造過(guò)程中的主要部分放大圖。
圖5A及圖5B是用來(lái)對(duì)本實(shí)施方式所涉及的電子部件制造方法進(jìn)行說(shuō)明的簡(jiǎn)要工藝說(shuō)明圖。
圖6A及圖6B是表示電子部件以往的每層制造方法的工藝說(shuō)明圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)于本發(fā)明所涉及的電子部件的制造方法及電子部件，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明最佳的具體實(shí)施方式
。
圖1是本實(shí)施方式所涉及的電子部件剖面放大圖。
如同圖所示，在采用本實(shí)施方式所涉及的多層印制基板制造方法所制造出的電子部件10中，多個(gè)布線圖形12A、12B在厚度方向被重疊(在本實(shí)施方式中為2層)。而且，在這些布線圖形12A、12B之間介入絕緣層14，起到布線圖形間的絕緣作用，并且將這些布線圖形間的距離保持為一定。另外，從上述布線圖形12A作為層間連接部的柱狀導(dǎo)體16(所謂的柱)垂直立起使之貫通絕緣層14，并和布線圖形12B進(jìn)行連接，以此進(jìn)行布線圖形之間的電連接。
在這種采用本實(shí)施方式所涉及的制造方法的電子部件10中，其形態(tài)為各絕緣層14的層厚度均勻，并且各絕緣層14間厚度的偏差也被抑制為最小限度。
另外，在同一電子部件10中，在各絕緣層14的表面上形成了凹凸圖形，可以提高和形成于上述絕緣層14表面的各布線圖形之間的接合強(qiáng)度。再者，上述柱狀導(dǎo)體16因?yàn)槠鋬?nèi)部被緊密形成，所以傳熱特性優(yōu)良，例如在布線圖形等上出現(xiàn)發(fā)熱時(shí)，也可以通過(guò)上述柱狀導(dǎo)體16使所產(chǎn)生的熱不斷散熱到裝置外部，能夠防止裝置內(nèi)部的溫度上升。
下面，對(duì)于這樣所構(gòu)成的電子部件10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
為了應(yīng)用本實(shí)施方式所涉及的制造方法按疊層方向形成層，首先如圖2A所示，在布線圖形已經(jīng)形成于下層側(cè)的電子部件10的表面18上，形成用來(lái)使用于電鍍加工法中的饋電膜(未圖示)。然后，在形成上述饋電膜之后，通過(guò)接合作為抗蝕劑的干膜、向上述抗蝕劑曝光以及進(jìn)行電鍍工藝等，在表面18上形成布線圖形12A。形成該布線圖形12A的狀態(tài)表示在圖2B中。然后，在形成布線圖形12A之后，同樣可以接合干膜，向該干膜曝光以及進(jìn)行電鍍工藝等，并在上述布線圖形12A的上方形成柱狀導(dǎo)體16。形成柱狀導(dǎo)體16的狀態(tài)如圖2C所示。還有，在本實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了在布線圖形12A的上方形成柱狀導(dǎo)體16之旨，但是并不限定于此，例如圖2C中的右側(cè)所示，可以不形成布線圖形12A而直接形成柱狀導(dǎo)體16。如果采用這種步驟，則可以從表面12大致垂直立起，形成其內(nèi)部緊密的柱狀導(dǎo)體16。
然后，在表面18上形成布線圖形12A及柱狀導(dǎo)體16之后，如圖3A所示，從柱狀導(dǎo)體16的上方沿附圖中箭頭26的方向，使熱可塑性絕緣片和作為B級(jí)狀態(tài)的熱硬化性絕緣片的帶樹脂22的銅箔24落下。還有，上述樹脂22最好使用作為熱塑性樹脂的聚烯烴、氟類樹脂、液晶聚合物、聚醚酮和聚苯硫醚以及作為熱固化性樹脂的不飽和聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧類樹脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹脂、酚醛樹脂、聚苯醚、聚乙烯基芐基醚等的化合物，并且在其內(nèi)部包含有填充物，該填充物具有襯墊功能，并且具備只將薄膜絕緣層的厚度設(shè)定為1～15μm之間的粒徑大小。
若在填充物中使用電介質(zhì)陶瓷材料，則可以根據(jù)高介電常數(shù)且低介質(zhì)損耗等的使用目的來(lái)調(diào)節(jié)絕緣層的介質(zhì)特性。這里使用的電介質(zhì)陶瓷材料沒(méi)有做出特別限定，但是最好相對(duì)介電常數(shù)(εr)為大于等于10，并且優(yōu)選的是大于等于30，介質(zhì)損耗角正切(tanδ)為小于等于0.005的材料較好。作為這種材料來(lái)說(shuō)，例如能列舉出鈦-鋇-釹類陶瓷、鉛-鈣類陶瓷、二氧化鈦類陶瓷、鈦酸鋇類陶瓷、鈦酸鉛類陶瓷、鈦酸鍶類陶瓷、鈦酸鈣類陶瓷、鈦酸鉍類陶瓷、鈦酸鎂類陶瓷及鋯酸鉛類陶瓷等。再者，還能列舉出CaWO4類陶瓷、Ba(Mg，Nb)O3類陶瓷、Ba(Mg，Ta)O3類陶瓷、Ba(Co，Mg，Nb)O3類陶瓷及Ba(Co，Mg，Ta)O3類陶瓷等。它們也可以單獨(dú)或者混合2種或以上。
另外，所謂的B級(jí)片材為，使熱硬化性樹脂的硬化在中間階段停止，并且只要進(jìn)一步加熱就暫時(shí)熔融，直至完全硬化。還有，更為理想的是，進(jìn)行加熱時(shí)的溫度為樹脂的熔融點(diǎn)或軟化點(diǎn)或以上。再者，在銅箔24上形成樹脂22的相反一側(cè)雖然未圖示，但是設(shè)置有用來(lái)擠壓帶樹脂22的銅箔24的加壓機(jī)構(gòu)，并且可以在減壓環(huán)境下對(duì)電子部件10加熱帶樹脂22的銅箔24，同時(shí)進(jìn)行擠壓(進(jìn)行所謂的真空條件下的熱壓)。
然后，若使帶樹脂22的銅箔24沿著箭頭26的方向落下，則帶樹脂22的銅箔24開始接觸到柱狀導(dǎo)體16，若進(jìn)行進(jìn)一步的落下，則被柱狀導(dǎo)體16所擠壓的樹脂22向箭頭28的方向產(chǎn)生移動(dòng)，與此同時(shí)上述柱狀導(dǎo)體16進(jìn)入到樹脂22的內(nèi)部。將這種狀態(tài)表示在圖3B中。然后，若在使上述柱狀導(dǎo)體16進(jìn)入到樹脂22的內(nèi)部之后，進(jìn)一步再讓帶樹脂22的銅箔24落下，則柱狀導(dǎo)體16進(jìn)一步進(jìn)入到樹脂22的內(nèi)部，并且如圖3C所示上述柱狀導(dǎo)體16介由上述填充物接觸到銅箔24。另外，將圖3C的主要部分放大圖表示在圖4中(填充物31)。
這樣，若柱狀導(dǎo)體16的頂部接觸到銅箔24，則上述柱狀導(dǎo)體16起到止擋器的作用，擋住來(lái)自加壓機(jī)構(gòu)的擠壓力，使該加壓機(jī)構(gòu)的落下停止。此處，加壓機(jī)構(gòu)若停止了下降，則對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)，判斷出銅箔24已接觸到柱狀導(dǎo)體16，使落下動(dòng)作結(jié)束，并且直至樹脂22硬化為止保持柱狀導(dǎo)體16的頂部和銅箔24進(jìn)行接觸的狀態(tài)。然后，在樹脂22進(jìn)行硬化并且該樹脂22成為包裹柱狀導(dǎo)體16周面的絕緣層14之后，使加壓機(jī)構(gòu)不斷向上方避讓，并且此后采用作為化學(xué)反應(yīng)的腐蝕法從絕緣層14將銅箔24去除。
然后，如圖5A所示，如果采用作為化學(xué)反應(yīng)的腐蝕法從絕緣層14去除了銅箔24，則在絕緣層14上露出形成凹凸圖形后(也就是表面被粗糙化)的表面。在此，由于柱狀導(dǎo)體16的頂部形成有根據(jù)填充物31的粒徑大小所設(shè)定的薄膜絕緣層，因而可以防止因腐蝕用的溶液而帶來(lái)?yè)p傷。還有，如果對(duì)位于柱狀導(dǎo)體16頂部的薄膜絕緣層，在腐蝕工藝結(jié)束后以上述頂部的區(qū)域?yàn)槟繕?biāo)來(lái)實(shí)施噴凈處理等，則可以容易地去除上述薄膜絕緣層。
這樣，在通過(guò)一系列工藝所形成的絕緣層14的表面36上，存在形成凹凸圖形后的絕緣層區(qū)域以及柱狀導(dǎo)體16的頂部露出的區(qū)域。因此，如果反復(fù)進(jìn)行上述工藝，則如圖5B所示，可以在上述表面36的更上層形成多個(gè)新的層，可以構(gòu)成圖1所示的那種由疊層結(jié)構(gòu)組成的電子部件10。
如上面所說(shuō)明的那樣，根據(jù)本發(fā)明，由于電子部件具備多個(gè)布線圖形以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該電子部件的制造方法為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝和第2工藝，以決定上述層厚度的上述柱狀導(dǎo)體作為上述層間連接部加以使用，上述第1工藝用來(lái)形成上述布線圖形和柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝用來(lái)將絕緣片從上方接合，并以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度組成的層；因而可以限制凹凸并確實(shí)控制電子部件的層厚度，與此同時(shí)可以在不被樹脂的種類所左右的狀況下確實(shí)進(jìn)行粗糙化處理。而且，也可以使導(dǎo)體部的低電阻率化和散熱效果得到提高。
權(quán)利要求
1.一種電子部件的制造方法，該電子部件具備多個(gè)布線圖形以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該制造方法的特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝和第2工藝，將決定上述層的厚度的柱狀導(dǎo)體用作上述層間連接部，上述第1工藝形成上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝將絕緣片從上方接合，以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度構(gòu)成的層。
2.一種電子部件的制造方法，該電子部件具備多個(gè)布線圖形以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該制造方法的特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝、第2工藝和第3工藝，將決定上述層的厚度的柱狀導(dǎo)體用作上述層間連接部，上述第1工藝形成上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝將絕緣片從上方接合，以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度構(gòu)成的層，上述第3工藝在通過(guò)上述第2工藝所形成的上述層表面上形成凹凸圖形，該凹凸圖形用于使上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體之間的緊密接合強(qiáng)度增大。
3.一種電子部件的制造方法，該電子部件具備多個(gè)布線圖形以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接，該制造方法的特征為，反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝、第2工藝和第3工藝，將決定上述層厚度的柱狀導(dǎo)體用作上述層間連接部，上述第1工藝形成上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝將通過(guò)凹凸圖形與覆蓋層緊密接合的絕緣片從上方接合，以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度構(gòu)成的層，上述第3工藝從通過(guò)上述第2工藝所形成的上述層表面，借助于化學(xué)反應(yīng)將覆蓋層除去，使上述凹凸圖形露出，該凹凸圖形用于使上述布線圖形和上述柱狀導(dǎo)體之間的緊密接合強(qiáng)度增大。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件的制造方法，其特征為，在上述樹脂片中混入具有襯墊功能的顆粒，在上述第2工藝中于上述柱狀導(dǎo)體和上述覆蓋層之間夾入上述顆粒，以此在上述柱狀導(dǎo)體的上面形成薄膜絕緣層，并且在通過(guò)上述第3工藝使上述凹凸圖形露出之后，除去上述薄膜絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子部件的制造方法，其特征為，上述薄膜絕緣層的厚度為1～15μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征為，上述柱狀導(dǎo)體是通過(guò)電鍍處理來(lái)形成的。
7.一種電子部件，該電子部件將布線圖形和覆蓋該布線圖形的絕緣層至少按厚度方向配置多個(gè)，其特征為，將位于夾著上述絕緣層的布線圖形間，通過(guò)其內(nèi)部被緊密形成的柱狀導(dǎo)體進(jìn)行連接，并且使各絕緣層的高度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件，其特征為，上述柱狀導(dǎo)體是采用電鍍加工法來(lái)形成的。
全文摘要
一種電子部件的制造方法，該電子部件具備多個(gè)布線圖形以及介于這些布線圖形之間的絕緣層，并且利用貫通上述絕緣層的層間連接部來(lái)進(jìn)行上述布線圖形間的電連接。反復(fù)進(jìn)行下述第1工藝和第2工藝，上述第1工藝用來(lái)形成上述布線圖形和柱狀導(dǎo)體，上述第2工藝用來(lái)將絕緣片從上方接合，并以上述柱狀導(dǎo)體作為止擋器直至上述柱狀導(dǎo)體的高度為止對(duì)上述絕緣片進(jìn)行加壓，以此使片厚度與上述柱狀導(dǎo)體的高度相近，形成由一定厚度組成的層。
文檔編號(hào)H05K3/46GK1729566SQ20038010716
公開日2006年2月1日 申請(qǐng)日期2003年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月24日
發(fā)明者后藤真史, 川崎薰, 中野睦子, 山本洋 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社