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有機薄膜電致發(fā)光屏的制作方法

文檔序號:8047891閱讀:228來源:國知局
專利名稱:有機薄膜電致發(fā)光屏的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種有機薄膜電致發(fā)光屏,它屬于發(fā)光器件、薄膜電致發(fā)光的領域,特別涉及一種帶有金屬密封蓋的有機薄膜電致發(fā)光屏。這種發(fā)光屏工藝簡單,制作成本較低,由于引入了周邊帶有槽穴的金屬密封蓋,槽穴內和金屬蓋內用不同的干燥劑以及密封膠混入了具有納米級的絕緣粉,可有效防止因水分引起的發(fā)光屏老化,從而使器件的使用壽命有很大的改善。
電致發(fā)光屏特別是有機薄膜電致發(fā)光屏所使用的功能性材料,均是采用真空鍍膜法蒸鍍不同種類的有機材料,加上鍍膜層很薄,極易受到水分影響而變質,導致有機薄膜電致發(fā)光屏加速老化,降低器件的使用壽命。用金屬密封蓋,可以隔絕蒸鍍好的有機薄膜層與空氣接觸,防止空氣中的水分影響;而蒸鍍好的有機薄膜所吸收的,以及封裝時蓋內可能殘留的空氣水分則可以被蓋內填充的干燥劑所吸收,在槽穴內填充的另一種干燥劑,加上密封膠內混入具有納米級絕緣粉具有阻止大氣進入密封蓋內的功能,從而使得有機薄膜電致發(fā)光屏能避免因水分引起的功能性有機材料的變質老化,使器件的壽命有很大的改善。
本實用新型提供的金屬密封蓋,是用很薄的金屬片如鍍錫鐵片、陽極氧化的合金鋁片或不銹鋼片等沖壓而成,材質很薄的金屬密封蓋可擴大蓋內的容量,蓋內干燥劑的填充量也可隨之增多,密封膠混入了具有納米級絕緣粉可進一步防止密封后空氣中的水分侵入。
本實用新型的目的是提供一種金屬密封蓋的有機薄膜電致發(fā)光屏,其擴大了容量的密封蓋可較多地填充干燥劑,使有機薄膜電致發(fā)光屏具有實用的使用壽命,因而可廣泛應用于各種指示燈,標志和字符顯示屏。
本實用新型的目的是通過下述方式實現的有機薄膜電致發(fā)光屏的基本結構是在ITO導電玻璃的透明導電面上用真空鍍膜法依此蒸鍍上不同的功能性有機材料層,分別形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸和發(fā)光層,電子注入層,再蒸鍍上Mg∶Ag(10∶1)或Al等作為背電極。金屬密封蓋周邊有槽穴,蓋內和槽穴內填充不同的干燥劑。在金屬蓋的密封處事先涂有絕緣層,用混入有納米級絕緣粉的紫外光固化密封膠和ITO導電玻璃密封在一起,成為可使用的器件。
本實用新型的效果是由于金屬片很薄,金屬密封蓋和金屬蓋周邊有槽穴,不同的干燥劑可吸收空氣水分,密封膠混入了納米級絕緣粉,延長了空氣侵入的路經,可有效防止空氣中的水分侵入,改善了有機薄膜電致發(fā)光屏的老化,增加了器件的壽命。
以下結合附圖
對本實用新型作進一步的詳細說明,其中附圖是本實用新型的結構示意圖。
實施例采用市售厚度為1.1mm的ITO導電玻璃(1),其表面電阻為10~20Ω/口,經過充分洗凈后,在ITO導電玻璃(1)的透明導電面(2)上,用真空鍍膜法依次蒸鍍上空穴注入層(3)、空穴傳輸層(4)、電子傳輸和發(fā)光層(5)、電子注入層(6),真空度為10-4Pa量級,再蒸鍍上Mg∶Ag(10∶1)作為背電極(7),用機械沖壓法將厚度為0.1mm左右的鍍錫鐵片,陽極氧化了的合金鋁片或不銹鋼片沖壓成金屬密封蓋(8),蓋的周邊有槽穴(9),槽穴(9)的外側邊緣事先涂有一層絕緣層并干燥之。金屬密封蓋(8)內填充I型干燥劑,而槽穴(9)內填充II型干燥劑,最后在保護氣氛中將金屬密封蓋(8)和ITO導電玻璃(1)用混入具有納米級絕緣粉的紫外光固化密封膠(10)密封。
權利要求1.一種有機薄膜電致發(fā)光屏,它包括ITO導電玻璃(1)、空穴注入層(3)、空穴傳輸層(4)、電子傳輸和發(fā)光層(5)、電子注入層(6)、背電極(7)以及填充有干燥劑的金屬密封蓋(8)所組成,ITO導電玻璃(1)和金屬密封蓋(8)的接觸處用密封膠(10)密封,其特征在于①所說的金屬密封蓋(8)的周邊具有槽穴(9),用厚0.1mm左右的金屬片沖壓而成,金屬片包括鍍錫鐵片、陽極氧化的合金鋁片和不銹鋼片;②所說的金屬密封蓋(8)和槽穴(9)填充的干燥劑分別為I型干燥劑和II型干燥劑;③所說的密封膠(10)是混入具有納米級絕緣粉的紫外光固化密封膠。
專利摘要本實用新型有機薄膜電致發(fā)光屏屬于發(fā)光器件、薄膜電致發(fā)光的領域,它包括ITO導電玻璃(1)、高真空蒸鍍的空穴注入層(3)、空穴傳輸層(4)、電子傳輸和發(fā)光層(5)、電子注入層(6)、背電極(7)以及金屬密封蓋(8)組成,金屬密封蓋(8)邊緣沖壓有槽穴(9),蓋內和槽穴內分別填充種類不同的干燥劑,在干燥保護氣氛中用混入了納米級絕緣粉的紫外光固化密封膠(10)進行密封,使得有機薄膜電致發(fā)光屏能避免因水分引起的功能性有機材料的變質老化,器件的壽命有很大的改善。
文檔編號H05B33/12GK2572710SQ0127767
公開日2003年9月10日 申請日期2001年12月30日 優(yōu)先權日2001年12月30日
發(fā)明者王全坤, 張志林 申請人:上海航天上大歐德科技有限公司
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