T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊及基于該模塊的Liu混沌系統(tǒng)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種通用分數(shù)階積分電路模塊及其0.4階混沌系統(tǒng)電路實現(xiàn)，特別涉及一個T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊及基于該模塊的Liu混沌系統(tǒng)及模擬電路實現(xiàn)。
【背景技術(shù)】
[0002]因為實現(xiàn)分數(shù)階混沌系統(tǒng)的電路的電阻和電容都是非常規(guī)電阻和電容，一般采用電阻串聯(lián)和電容并聯(lián)的方法實現(xiàn)，目前，實現(xiàn)的主要方法是利用現(xiàn)有的電阻和電容在面包板上組合的方法，這種方法可靠性和穩(wěn)定性比較低，并且存在容易出錯，出錯后不易查找等問題，本發(fā)明為克服這個問題，采用T型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了 PCB電路，整個電路模塊電路由六部分組成，第一部分由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)組成，后面五部分均由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)部分相串聯(lián)組成，0.4階分數(shù)階積分電路由六部分組成，采用這種方法的實現(xiàn)0.4階分數(shù)階混沌系統(tǒng)電路，可靠性高，不易出錯。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊及基于該模塊的Liu混沌系統(tǒng)及模擬電路實現(xiàn)，本發(fā)明采用如下技術(shù)手段實現(xiàn)發(fā)明目的:
[0004]1、T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊，其特征是在于:電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形成第一部分，電阻Ry與電容Cy串聯(lián)，形成第二部分，電阻Rz與電容Cz串聯(lián)，形成第三部分，電阻Rw與電容Cw串聯(lián)，形成第四部分，電阻Ru與電容Cu串聯(lián)，形成第五部分，電阻Rv與電容Cv串聯(lián)，形成第六部分，第一部分與后面五部分為并聯(lián)連接；所述電阻Rx由電位器Rxl和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯(lián)組成，所述電位器RxI的一端接引腳A，另一端接電阻Rx2，所述電阻Rx5的一端接引腳B，另一端接電阻Rx4，所述電容Cx由電容Cxl、Cx2、Cx3、Cx4并聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成，所述電容Cy由電容〇71、072、073、074，并聯(lián)組成;所述電阻Rz由電位器Rzl和電阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串聯(lián)組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成；所述電阻Ru由電位器Rul和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成，所述電容Cu由電容Cul、Cu2、Cu3、Cu4并聯(lián)組成；所述電阻Rv由電位器Rvl和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯(lián)組成，所述電容Cv由電容Cvl、Cv2、Cv3、Cv4并聯(lián)組成；所述電阻Rx = 6.310M，所述電位器Rxl = 0K，所述電阻Rx2 = 6.2M、Rx3 = 100K、Rx4 = 10K、Rx5 = 0K，所述電容 Cx = 0.02818uF，所述電容 Cxl=22nF、Cx2 = 6.8nF、Cx3 懸空、Cx4 懸空；所述電阻 Ry = 7.026M，所述電位器 Ryl = 4K,所述電阻 Ry2 = 6.8M、Ry3 = 200K、Ry4 = 20K、Ry5 = 2K，所述電容 Cy = 3.715uF，所述電容 Cyl = 3.3uF、Cy2 = 330nF、Cy3 = 68nF、Cy4 = 22nF ;所述電阻 Rz = 2.990M，所述電位器 Rzl = OK 和所述電阻 Rz2 = 2.2M、Rz3 = 500K、Rz4 = 270K、Rz5 = 20K，所述電容 Cz =1.281uF，所述電容 Czl = 1uF、Cz2 = 220nF、Cz3 = 68nF、Cz4 懸空；所述電阻 Rw = 1.375M，所述電位器Rwl = OK和所述電阻Rw2 = 1M、Rw3 = 270K、Rw4 = 100K、Rw5 = 5K，所述電容 Cw = 0.4091uF，所述電容 Cwl = 330nF、Cw2 = 68nF、Cw3 = 2.2nF、Cw4 懸空；所述電阻Ru = 0.6461M，所述電位器 Rul = OK 和所述電阻 Ru2 = 620K、Ru3 = 20K、Ru4 = 5.1K、Ru5=1K，所述電容 Cu = 0.1277uF，所述電容 Cul = 100nF、Cu2 = 22nF、Cu3 = 4.7nF、Cu4 =InF ;所述電阻Rv = 0.3351M，所述電位器Rvl = OK和所述電阻Rv2 = 330K、Rv3 = 5.1K、Rv4 = 0K、Rv5 = 0K，所述電容 Cv = 0.03616uF，所述電容 Cvl = 33nF、Cv2 = 3.3nF、Cv3懸空、Cv4懸空。
[0005]2、基于T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊的Liu混沌系統(tǒng)電路，其特征在于:利用運算放大器U1、運算放大器U2及電阻和T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U5、U6、U7構(gòu)成反相加法器和反相0.4階積分器，利用乘法器U3和乘法器U4實現(xiàn)乘法運算，所述運算放大器Ul和運算放大器U2采用LF347N，所述乘法器U3和乘法器U4采用AD633JN，所述T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U5、U6、U7采用上述的T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊；
[0006]所述運算放大器Ul連接運算放大器U2、乘法器U3、乘法器U4和T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U5、T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U6，所述運算放大器U2連接乘法器U3、乘法器U4和T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U7，所述乘法器U3連接運算放大器U1，所述乘法器U4連接運算放大器U2;
[0007]所述運算放大器Ul的第I引腳通過電阻R8與Ul的第6引腳相接，第2引腳通過電阻R6與第I引腳相接，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC，第11引腳接VEE，第6引腳接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U7的A引腳，第7引腳接輸出y，通過電阻Rl與第13引腳相接，接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U8的B引腳，第8引腳接輸出X，通過電阻R4與第9引腳相接，通過電阻R5與第2引腳相接，接乘法器U3的第I引腳，接乘法器U4的第I和第3引腳，接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U6的B引腳，第9引腳接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U5的A引腳，第13引腳通過電阻R2與第14引腳相接，第14引腳通過電阻R3與第9引腳相接；
[0008]所述運算放大器U2的第1、2、6、7引腳懸空，第3、5、10、12引腳接地，第4引腳接VCC，第11引腳接VEE，第8引腳輸出Z，通過電阻R12與第9引腳相接，接乘法器U3的第3引腳，接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊UlO的B引腳，第9引腳接T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U9的A引腳，第13引腳通過電阻RlO接第14引腳，第14引腳通過電阻Rll接第9引腳；
[0009]所述乘法器U3的第I引腳接Ul的第8腳，第3引腳接U2的第8引腳，第2、4、6引腳均接地，第5引腳接VEE，第7引腳通過電阻R7接Ul第6引腳，第8引腳接VCC ；
[0010]所述乘法器U4的第I和第3引腳接Ul的第8腳，第2、4、6引腳均接地，第5引腳接VEE,第7引腳通過電阻R9接U2第13引腳，第8引腳接VCC ；
[0011]所述T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U5的A引腳接運算放大器Ul的第9引腳，B引腳接接運算放大器Ul的第8引腳；
[0012]所述T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U6的A引腳接運算放大器Ul的第6引腳，B弓I腳接接運算放大器Ul的第7引腳；
[0013]所述T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊U7的A引腳接運算放大器U2的第9引腳，B弓I腳接接運算放大器U2的第8引腳。
[0014]本發(fā)明的有益效果是:采用T型結(jié)構(gòu)，設(shè)計制作了 PCB電路，電路由六部分組成，第一部分由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)組成，后面五部分均由四個電阻和一個電位器串聯(lián)后，與四個電容并聯(lián)部分相串聯(lián)組成，T型0.4階通用積分電路由六部分組成，采用這種方法的實現(xiàn)0.4階分數(shù)階混沌系統(tǒng)電路，可靠性高，不易出錯。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的T型分數(shù)階積分電路模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明的T型分數(shù)階積分電路模塊內(nèi)部實際連接圖。
[0017]圖3為本發(fā)明的T型分數(shù)階積分電路模塊0.4階積分電路模塊圖。
[0018]圖4為本發(fā)明優(yōu)選實施例的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖。
[0019]圖5和圖6為本發(fā)明的電路實際連接圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例對本發(fā)明作更進一步的詳細描述，參見圖1-圖6。
[0021]1、T型結(jié)構(gòu)0.4階積分電路模塊，其特征是在于:電阻Rx與電容Cx并聯(lián)，形成第一部分，電阻Ry與電容Cy串聯(lián)，形成第二部分，電阻Rz與電容Cz串聯(lián)，形成第三部分，電阻Rw與電容Cw串聯(lián)，形成第四部分，電阻Ru與電容Cu串聯(lián)，形成第五部分，電阻Rv與電容Cv串聯(lián)，形成第六部分，第一部分與后面五部分為并聯(lián)連接；所述電阻Rx由電位器Rxl和電阻Rx2、Rx3、Rx4、Rx5串聯(lián)組成，所述電位器RxI的一端接引腳A，另一端接電阻Rx2，所述電阻Rx5的一端接引腳B，另一端接電阻Rx4，所述電容Cx由電容Cxl、Cx2、Cx3、Cx4并聯(lián)組成；所述電阻Ry由電位器Ryl和電阻Ry2、Ry3、Ry4、Ry5串聯(lián)組成，所述電容Cy由電容〇71、072、073、074，并聯(lián)組成;所述電阻Rz由電位器Rzl和電阻Rz2、Rz3、Rz4、Rz5串聯(lián)組成，所述電容Cz由電容Czl、Cz2、Cz3、Cz4并聯(lián)組成；所述電阻Rw由電位器Rwl和電阻Rw2、Rw3、Rw4、Rw5串聯(lián)組成，所述電容Cw由電容Cwl、Cw2、Cw3、Cw4并聯(lián)組成；所述電阻Ru由電位器Rul和電阻Ru2、Ru3、Ru4、Ru5串聯(lián)組成，所述電容Cu由電容Cul、Cu2、Cu3、Cu4并聯(lián)組成；所述電阻Rv由電位器Rvl和電阻Rv2、Rv3、Rv4、Rv5串聯(lián)組成，所述電容Cv由電容Cvl、Cv2、Cv3、Cv4并聯(lián)組成；所述電阻Rx = 6.310M，所述電位器Rxl = 0K，所述電阻Rx2 = 6.2M、Rx3 = 100K、Rx4 = 10K、Rx5 = 0K，所述電容 Cx = 0.02818uF，所述電容 Cxl=22nF、Cx2 = 6.8nF、Cx3 懸空、Cx4 懸空；所述電阻 Ry = 7.026M，所述電位器 Ryl = 4K,所述電阻 Ry2 = 6.8M、Ry3 = 200K、Ry4 = 20K、Ry5 = 2K，所述電容 Cy = 3.715uF，所述電容 Cyl = 3.3uF、Cy2 = 330nF、Cy3 = 68nF、Cy4 = 22nF ;所述電阻 Rz = 2.990M，所述電位器 Rzl = OK 和所述電阻 Rz2 = 2.2M、Rz3 = 500K、Rz4 = 270K、Rz5 = 20K，所述電容 Cz =1.281uF，所述電容 Czl = 1uF、Cz2 = 220nF、Cz3 = 68nF、Cz4 懸空；所述電阻 Rw = 1.375M，所述電位器Rwl = OK和所述電阻Rw2 = 1M、Rw3 = 270K、Rw4 = 100K、Rw5 = 5K，所述電容 Cw = 0.4091uF，所述電容 Cw