使用天線及定向耦合器開關(guān)的接近性檢測(cè)的制作方法
【專利摘要】對(duì)射頻RF裝置的天線的失配的增加及/或所述天線的電容值的改變的檢測(cè)指示人體到所述天線的接近性。在檢測(cè)到人體到所述天線的接近性后，可即刻進(jìn)行所述RF裝置的發(fā)射功率的減小以滿足比吸收率SAR水平法規(guī)。
【專利說明】使用天線及定向耦合器開關(guān)的接近性檢測(cè)
[0001]相關(guān)專利申請(qǐng)案
[0002]本申請(qǐng)案主張2012年2月15日申請(qǐng)的序號(hào)為61/598，969的共同擁有的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)案出于各種目的以引用方式并入本文中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種射頻(RF)裝置，其具有在所述RF裝置與天線之間的定向耦合器開關(guān)，且特定來說，涉及利用所述定向耦合器開關(guān)及天線來進(jìn)行用戶的接近性檢測(cè)。

【背景技術(shù)】
[0004]W1-Fi是一種靈活的短程數(shù)據(jù)通信技術(shù)，其用以連接例如各種各樣的筆記型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、手持機(jī)、消費(fèi)型電子器件、智能公用設(shè)施表等裝置。W1-Fi技術(shù)廣泛用以在例如機(jī)場(chǎng)、賓館及購(gòu)物中心等公共場(chǎng)所中提供無(wú)線因特網(wǎng)接入，且還在家庭及辦公室中使用以允許各式各樣的裝置接入因特網(wǎng)且無(wú)需特殊電纜而彼此連網(wǎng)。W1-Fi裝置使用在
2.4GH與5GHz范圍中的低功率無(wú)線電波來在空中發(fā)射及接收數(shù)據(jù)。其中W1-Fi發(fā)射的功率越大，具備W1-Fi能力裝置的距程就越長(zhǎng)。然而，當(dāng)從W1-Fi裝置產(chǎn)生足夠射頻(RF)功率輸出時(shí)，W1-Fi裝置以可潛在地對(duì)人類有害的頻率操作。FCC及世界上的其它聯(lián)邦政府機(jī)構(gòu)要求任何無(wú)線裝置應(yīng)被評(píng)估為滿足政府法規(guī)中所闡明的RF暴露極限(例如，比吸收率(SAR)水平)。
[0005]因此，在確定當(dāng)具備W1-Fi能力的裝置極接近用戶時(shí)的最大允許RF功率輸出時(shí)必需進(jìn)行SAR測(cè)試。比吸收率(SAR)是當(dāng)使用無(wú)線裝置時(shí)由人體吸收的射頻(RF)量的測(cè)量單位。SAR值以瓦特/千克(W/kg)或毫瓦/克(mW/g)為單位來表達(dá)。所使用的RF暴露極限以SAR為單位來表達(dá)，其是針對(duì)以從300kHz到10GHz的頻率操作的發(fā)射器的電磁場(chǎng)強(qiáng)度及功率密度的度量。用于測(cè)量SAR值的最通常接受的方法是直接方法SAR測(cè)試。此方法利用稱作“SAM假體”(用以模擬人頭)及“平底假體”(用以模擬人體)的模型。借助此方法，利用具有機(jī)器人的SAR測(cè)試系統(tǒng)在實(shí)驗(yàn)室條件下以最高驗(yàn)證功率水平測(cè)試無(wú)線裝置。
[0006]存在RF發(fā)射可導(dǎo)致長(zhǎng)期健康問題的潛在危險(xiǎn)。出于此原因，檢測(cè)吸收人體的存在是重要的。數(shù)個(gè)最近醫(yī)學(xué)研究指向來自普通便攜式裝置(例如手機(jī)、電子閱讀器及平板計(jì)算機(jī))的天線的所吸收RF輻射的潛在致癌效應(yīng)。因此，對(duì)于具備W1-Fi能力裝置，如果在極其接近于用戶的人體時(shí)裝置的W1-Fi特征以其最大RF功率輸出操作，那么對(duì)于裝置的用戶可為不安全的。新的FCC測(cè)試指南要求在操作期間在距每一裝置表面大約10毫米的距離處測(cè)量RF輻射。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，需要可可靠地檢測(cè)在這些FCC距離內(nèi)的人類用戶且減小發(fā)射功率以滿足這些較嚴(yán)格FCC指南的接近性檢測(cè)系統(tǒng)。此外，需要在RF裝置中提供允許以簡(jiǎn)單且有效的方式測(cè)量相應(yīng)裝置的RF前向及反射功率的能力。
[0008]根據(jù)一實(shí)施例，一種用于將天線與射頻(RF)系統(tǒng)耦合的定向耦合器可包括:第一連接，其用于將所述天線耦合到布置于所述定向耦合器內(nèi)的定向耦合器開關(guān)；第二連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述RF系統(tǒng)耦合到所述天線；及第三連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述天線耦合到電容測(cè)量裝置，其中所述電容測(cè)量裝置測(cè)量所述天線的電容值。
[0009]根據(jù)另一實(shí)施例，可在所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間耦合回波損耗橋接器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述回波損耗橋接器可提供反射功率測(cè)量。根據(jù)另一實(shí)施例，可在所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間耦合電壓駐波比橋接器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電壓駐波比橋接器可提供反射電壓駐波測(cè)量。根據(jù)另一實(shí)施例，所述定向耦合器開關(guān)可為三位置開關(guān)。
[0010]根據(jù)另一實(shí)施例，所述電容性測(cè)量裝置可包括充電時(shí)間測(cè)量單元(CTMU)。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電容性測(cè)量裝置可包括電容性分壓器(CVD)電路。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電容性測(cè)量裝置可包括振蕩器及鑒頻器電路。根據(jù)另一實(shí)施例，微控制器可耦合到且控制所述定向I禹合器開關(guān)。
[0011]根據(jù)另一實(shí)施例，一種射頻裝置可包括:射頻子系統(tǒng)；功率放大器，其耦合到所述射頻子系統(tǒng)；低噪聲放大器，其耦合到所述射頻子系統(tǒng)；天線；定向耦合器，其可包括:第一連接，其用于將所述天線耦合到布置于所述定向耦合器內(nèi)的定向耦合器開關(guān)；第二連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述功率放大器耦合到所述天線；第三連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述低噪聲放大器耦合到所述天線；及第四連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述天線耦合到電容測(cè)量裝置，其中所述電容測(cè)量裝置測(cè)量所述天線的電容值。
[0012]根據(jù)另一實(shí)施例，可在所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間耦合回波損耗橋接器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述回波損耗橋接器可提供反射功率測(cè)量。根據(jù)另一實(shí)施例，可在所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間耦合電壓駐波比橋接器。根據(jù)另一實(shí)施例，所述電壓駐波比橋接器可提供反射電壓駐波測(cè)量。根據(jù)另一實(shí)施例，所述定向耦合器開關(guān)可為三位置開關(guān)。
[0013]根據(jù)又一實(shí)施例，一種用于確定物體到射頻裝置的天線的接近性的方法可包括以下步驟:測(cè)量所述天線的電容值；確定所述天線的所述所測(cè)量電容值是否已自所述天線的電容值的先前測(cè)量改變；及當(dāng)所述天線的所述電容性值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
[0014]根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，可包括以下步驟:測(cè)量所述天線的反射電壓駐波值；確定所述天線的所述反射電壓駐波值是否已從所述天線的反射電壓駐波值的先前測(cè)量改變；及當(dāng)所述天線的所述反射電壓駐波值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
[0015]根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，可包括以下步驟:當(dāng)檢測(cè)到所述物體到所述天線的接近性時(shí)減小所述射頻裝置的發(fā)射功率。
[0016]根據(jù)又一實(shí)施例，一種用于確定物體到射頻裝置的天線的接近性的方法可包括以下步驟:測(cè)量所述天線的反射電壓駐波值；確定所述天線的所述反射電壓駐波值是否已從所述天線的反射電壓駐波值的先前測(cè)量改變；及當(dāng)所述天線的所述反射電壓駐波值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
[0017]根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，可包括以下步驟:測(cè)量所述天線的電容值；確定所述天線的所述所測(cè)量電容值是否已從所述天線的電容值的先前測(cè)量改變；及當(dāng)所述天線的所述電容性值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。根據(jù)所述方法的另一實(shí)施例，可包括以下步驟:當(dāng)檢測(cè)到所述物體到所述天線的接近性時(shí)減小所述射頻裝置的發(fā)射功率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]通過結(jié)合附圖參考下文說明可獲得對(duì)本發(fā)明的更完整理解，在附圖中:
[0019]圖1圖解說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例性實(shí)施例的RF裝置的示意性框圖；
[0020]圖2圖解說明根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例性實(shí)施例的圖1中所展示的RF裝置的一部分的更詳細(xì)示意性框圖；且
[0021]圖3圖解說明根據(jù)本發(fā)明的教示的圖1中所展示的RF裝置的一部分的更詳細(xì)替代示意性框圖。
[0022]盡管易于對(duì)本發(fā)明做出各種修改及替代形式，但已在圖式中展示并在本文中詳細(xì)描述其特定實(shí)例性實(shí)施例。然而，應(yīng)理解，本文中對(duì)特定實(shí)例性實(shí)施例的說明并非打算將本發(fā)明限于本文中所揭示的特定形式，而是相反，本發(fā)明將涵蓋如由所附權(quán)利要求書所定義的所有修改及等效形式。

【具體實(shí)施方式】
[0023]根據(jù)各種實(shí)施例，可使用天線的失配條件來檢測(cè)在發(fā)射天線的近場(chǎng)中的人體。這允許當(dāng)裝置在足夠嚴(yán)重失配條件中時(shí)減小發(fā)射功率或者停止發(fā)射。根據(jù)各種進(jìn)一步實(shí)施例，使用天線作為電容性傳感器的電容性接近性或觸及感測(cè)可用以在電容性傳感器天線的足夠大電容性改變后即刻檢測(cè)到物體(人體)，例如，RF裝置用戶。類似地，可使用接近性檢測(cè)來減小發(fā)射功率以滿足SAR要求。
[0024]根據(jù)各種實(shí)施例，集成式特征可提供到RF產(chǎn)品，其將允許在無(wú)額外系統(tǒng)/裝置的情況下測(cè)量接近性或天線性能。大多數(shù)電容性接近性解決方案可用以檢測(cè)人體到天線的接近性以便減小RF放大器的輸出功率以通過FCC SAR法規(guī)。由于天線是針對(duì)RF系統(tǒng)中的接近性受關(guān)注的元件，因此這將允許天線變?yōu)榻咏詡鞲衅鳌＠锰炀€作為電容性傳感器通過消除對(duì)單獨(dú)電容傳感器的需要而減小系統(tǒng)成本、改進(jìn)電容性感測(cè)性能且實(shí)現(xiàn)較高封裝密度?？稍跀?shù)字處理器/微控制器功能中對(duì)反射功率輸出模擬信號(hào)及/或用作電容性傳感器的天線進(jìn)行后處理。
[0025]根據(jù)一實(shí)施例，可使用RF定向耦合器開關(guān)上的額外端口將天線耦合到電容測(cè)量電路以用于檢測(cè)人體到天線的接近性。此額外端口可用作將用作電容性觸及或電容性接近性傳感器的天線的電容感測(cè)路徑。
[0026]所提出的各種實(shí)施例可用于任何RF產(chǎn)品中。根據(jù)一實(shí)施例，定向耦合器開關(guān)上的額外輸入-輸出端口可提供為裝置上的外部引腳以允許測(cè)量天線的反射功率或提供為外部裝置將天線用作電容性傳感器的路徑。此可提供在市場(chǎng)中獨(dú)特且有用的集成式特征RF產(chǎn)品。其還可提供滿足FCC SAR法規(guī)的簡(jiǎn)單、低成本解決方案。
[0027]本文中所揭示的各種實(shí)施例可基于在功率放大器與天線之間的定向耦合器。此類定向耦合器已經(jīng)存在于將其用于將天線調(diào)諧到最佳性能的一些常規(guī)芯片組中。根據(jù)各種實(shí)施例，還可使用此失配信息來檢測(cè)天線的近場(chǎng)中的場(chǎng)干擾存在以評(píng)估人體的存在或接近性。可在不需要激活發(fā)射功率的情況下使用借助天線作為電容性傳感器的電容性接近性感測(cè)以使得可在發(fā)射發(fā)生之前針對(duì)適當(dāng)SAR水平調(diào)整RF功率輸出。
[0028]現(xiàn)在參考圖式，示意性地圖解說明特定實(shí)例性實(shí)施例的細(xì)節(jié)。圖式中的相同元件將由相同編號(hào)表示，且類似元件將由具有不同小寫字母后綴的相似編號(hào)表示。
[0029]參考圖1，所描繪的是根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例性實(shí)施例的RF裝置的示意性框圖。RF裝置100可包括定向耦合器102、功率放大器(PA)118(未展示低通濾波器與匹配電路)、RF子系統(tǒng)120、低噪聲放大器(LNA) 116、電容測(cè)量裝置114、數(shù)字處理器與存儲(chǔ)器112以及RF天線104。定向耦合器102可包括定向耦合器開關(guān)110、回波損耗橋接器106或電壓駐波比(VSWR)橋接器106a及耦合到數(shù)字處理器112的VSWR橋接器接口 108。RF子系統(tǒng)120可為數(shù)字無(wú)線系統(tǒng)，例如W1-Fi等。
[0030]參考圖2，所描繪的是根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)例性實(shí)施例的圖1中所展示的RF裝置的一部分的更詳細(xì)示意性框圖。定向耦合器開關(guān)110可包括多擲開關(guān)222，多擲開關(guān)222分別針對(duì)RF裝置100的發(fā)射或接收操作通過VSWR橋接器106a將天線104耦合到PAl 18或者LNA 116。額外端口可添加到RF定向耦合器開關(guān)110且通過開關(guān)222耦合到天線104。此額外端口可充當(dāng)電容感測(cè)路徑以使得天線可用作電容性觸及或接近性傳感器。當(dāng)開關(guān)222處于圖2中所展示的位置中時(shí)，天線104(充當(dāng)電容性傳感器)耦合到電容測(cè)量裝置114。電容測(cè)量裝置114測(cè)量電容性傳感器天線110的電容，且當(dāng)天線110(充當(dāng)電容性傳感器)的電容值的充分改變發(fā)生時(shí)，可將指示物體極接近或觸及天線110的信號(hào)發(fā)送到數(shù)字處理器112。數(shù)字處理器112可然后使用來自電容測(cè)量電路112的此電容改變信息來向下調(diào)整發(fā)射RF功率以符合SAR法規(guī)。開關(guān)222可由數(shù)字處理器112控制。
[0031]電容測(cè)量裝置114可為具有用于此應(yīng)用必需的電容分辨率的任何一或多個(gè)電容測(cè)量裝置。舉例來說，但不限于，充電時(shí)間測(cè)量單元(CTMU)可用于極準(zhǔn)確的電容測(cè)量。在WWW.microchip, com處可得的微芯片應(yīng)用注解AN1250及AN1375以及標(biāo)題為“測(cè)量長(zhǎng)時(shí)間周期(Measuring a long time per1d) ”的共同擁有的美國(guó)專利第US 7, 460, 441 B2號(hào)及標(biāo)題為“電流時(shí)間數(shù) / 模轉(zhuǎn)換器(Current-time digital-to-analog converter)”的共同擁有的美國(guó)專利第US 7, 764,213 B2號(hào)(兩者作者均為詹姆斯E.巴特靈(JamesE.Bartling))中更充分地描述CTMU ;其中全部上述內(nèi)容出于各種目的以引用方式并入本文中。
[0032]另外，電容測(cè)量裝置114可用以僅檢測(cè)天線104的電容的改變。舉例來說，可根據(jù)在www.microchip, com處可得的AN1298及作者為迪特爾.彼得(Dieter Peter)的標(biāo)題為“使用模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的內(nèi)部電容器及電壓參考進(jìn)行電容性觸摸感測(cè)(Capacitive Touch Sensing Using an Internal Capacitor of an Analog-to-DigitalConverter (ADC) and a Voltage Reference) ” 的共同擁有的第 US 2010/0181180 Al 號(hào)美國(guó)專利公開申請(qǐng)案使用電容性分壓器(CVD)裝置?？筛鶕?jù)在www.microchip, com處可得的AN1171、AN1312及AN1334以及作者為凱斯E.柯蒂斯(Keith E.Curtis)等人的標(biāo)題為“具有抗噪性的電容性觸摸系統(tǒng)(Capacitive Touch System With Noise Immunity) ”的共同擁有的第US 2011/0007028 Al號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案來使用電容性感測(cè)模塊(CSM)電路；其中全部上述內(nèi)容出于所有目的以引用方式并入本文中。
[0033]另一電容性改變檢測(cè)電路可為使用天線104的電容作為頻率確定元素中的一者的調(diào)諧電路及鑒頻器電路，如在作者為扎卡里亞斯.馬蒂納斯.斯米特(ZachariasMarthinus Smit)等人的標(biāo)題為“當(dāng)檢測(cè)傳感器或頻率源激活的頻率改變時(shí)處于低功率睡眠模式中的電子裝置的中斷/喚醒(Interrupt/Wake-Up of an Electronic Device ina Low Power Sleep Mode When Detecting a Sensor or Frequency Source ActivatedFrequency Change) ”的共同擁有的第US 2008/0272826 Al號(hào)美國(guó)專利公開申請(qǐng)案中更充分地描述，且所述申請(qǐng)案出于所有目的以引用方式并入本文中。
[0034]預(yù)期且在本發(fā)明的范圍內(nèi)，電容性測(cè)量與電容性改變檢測(cè)電路領(lǐng)域的且受益于本發(fā)明的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明的教示來設(shè)計(jì)有效電容性測(cè)量及/或電容性改變檢測(cè)電路并予以應(yīng)用。還預(yù)期且在本發(fā)明的范圍內(nèi)，VSWR接口 108、數(shù)字處理器與存儲(chǔ)器112以及電容測(cè)量裝置114可提供于微控制器中。
[0035]參考圖3，所描繪的是根據(jù)本發(fā)明的教示的圖1中所展示的RF裝置的一部分的更詳細(xì)替代示意性框圖。在此應(yīng)用中，回波損耗橋接器106及VSWR橋接器106a的操作可互換。參考圖3(a)，VSWR接口 108a可包括多路復(fù)用器332及模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)330。多路復(fù)用器330可由數(shù)字處理器112控制。多路復(fù)用器330可具有兩個(gè)輸入，一個(gè)耦合到來自VSWR橋接器106a的前向駐波電壓，且另一個(gè)耦合到來自VSWR橋接器106a的反向駐波電壓。數(shù)字處理器112通過多路復(fù)用器332選擇ADC 330將把哪一駐波電壓轉(zhuǎn)換為其數(shù)字表示且然后讀取所述數(shù)字表示。根據(jù)駐波電壓，數(shù)字處理器可確定人體(未展示)到天線104的接近性，及/或控制定向耦合器開關(guān)以使得天線104耦合到電容測(cè)量裝置114以確定天線電容是否已充分地改變以指示人體到其的接近性。
[0036]參考圖3(b)，VSWR接口 108b可包括電壓比較器340以及分壓器電阻器342及344。通常來自VSWR橋接器106a的前向VSWR將處于遠(yuǎn)高于反向VSWR電壓的電壓，然而當(dāng)在天線104處發(fā)生失配時(shí)反向VSWR電壓將增加?？赏ㄟ^所要“跳脫”反向VSWR電壓確定分壓器電阻器342及344的電阻值的選擇。當(dāng)超過此跳脫電壓時(shí)，電壓比較器340將邏輯高“I”發(fā)送到數(shù)字處理器112。當(dāng)檢測(cè)到高反向VSWR電壓時(shí)，數(shù)字處理器可確定人體(未展示)到天線104的接近性，及/或控制定向耦合器開關(guān)以使得天線104耦合到電容測(cè)量裝置114以確定天線電容是否已充分地改變以指示人體到其的接近性。
[0037]盡管已參考本發(fā)明的實(shí)例性實(shí)施例來描繪、描述及定義本發(fā)明的實(shí)施例，但此些參考并不意味著對(duì)本發(fā)明的限制，且不應(yīng)推斷出此限制。如相關(guān)領(lǐng)域的且受益于本發(fā)明的技術(shù)人員將聯(lián)想到，所揭示的標(biāo)的物能夠在形式及功能上具有大量修改、改動(dòng)及等效形式。所描繪及所描述的本發(fā)明的實(shí)施例僅為實(shí)例，而并非對(duì)本發(fā)明的范圍的窮盡性說明。
【權(quán)利要求】
1.一種用于將天線與射頻RF系統(tǒng)耦合的定向耦合器，其包括: 第一連接，其用于將所述天線耦合到布置于所述定向耦合器內(nèi)的定向耦合器開關(guān)； 第二連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述RF系統(tǒng)耦合到所述天線；及第三連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述天線耦合到電容測(cè)量裝置，其中所述電容測(cè)量裝置測(cè)量所述天線的電容值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其進(jìn)一步包括耦合于所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間的回波損耗橋接器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的定向耦合器，其中所述回波損耗橋接器提供反射功率測(cè)量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其進(jìn)一步包括耦合于所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間的電壓駐波比橋接器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的定向耦合器，其中所述電壓駐波比橋接器提供反射電壓駐波測(cè)量。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其中所述定向耦合器開關(guān)為三位置開關(guān)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其中所述電容性測(cè)量裝置包括充電時(shí)間測(cè)量單元 CTMU。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其中所述電容性測(cè)量裝置包括電容性分壓器CVD電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其中所述電容性測(cè)量裝置包括振蕩器及鑒頻器電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定向耦合器，其進(jìn)一步包括耦合到且控制所述定向耦合器開關(guān)的微控制器。
11.一種射頻裝置，其包括: 射頻子系統(tǒng)； 功率放大器，其耦合到所述射頻子系統(tǒng)； 低噪聲放大器，其耦合到所述射頻子系統(tǒng)； 天線；及 定向I禹合器，其包括 第一連接，其用于將所述天線耦合到布置于所述定向耦合器內(nèi)的定向耦合器開關(guān)； 第二連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述功率放大器耦合到所述天線； 第三連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述低噪聲放大器耦合到所述天線；及第四連接，其用于通過所述定向耦合器開關(guān)將所述天線耦合到電容測(cè)量裝置，其中所述電容測(cè)量裝置測(cè)量所述天線的電容值。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻裝置，其進(jìn)一步包括耦合于所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間的回波損耗橋接器。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的射頻裝置，其中所述回波損耗橋接器提供反射功率測(cè)量。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻裝置，其進(jìn)一步包括耦合于所述定向耦合器開關(guān)與所述第一連接之間的電壓駐波比橋接器。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的射頻裝置，其中所述電壓駐波比橋接器提供反射電壓駐波測(cè)量。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的射頻裝置，其中所述定向耦合器開關(guān)為三位置開關(guān)。
17.一種用于確定物體到射頻裝置的天線的接近性的方法，所述方法包括以下步驟: 測(cè)量所述天線的電容值； 確定所述天線的所述所測(cè)量電容值是否已從所述天線的電容值的先前測(cè)量改變；及 當(dāng)所述天線的所述電容性值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟: 測(cè)量所述天線的反射電壓駐波值； 確定所述天線的所述反射電壓駐波值是否已從所述天線的反射電壓駐波值的先前測(cè)量改變；及 當(dāng)所述天線的所述反射電壓駐波值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟:當(dāng)檢測(cè)到所述物體到所述天線的接近性時(shí)減小所述射頻裝置的發(fā)射功率。
20.一種用于確定物體到射頻裝置的天線的接近性的方法，所述方法包括以下步驟: 測(cè)量所述天線的反射電壓駐波值； 確定所述天線的所述反射電壓駐波值是否已從所述天線的反射電壓駐波值的先前測(cè)量改變；及 當(dāng)所述天線的所述反射電壓駐波值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟: 測(cè)量所述天線的電容值； 確定所述天線的所述所測(cè)量電容值是否已從所述天線的電容值的先前測(cè)量改變；及 當(dāng)所述天線的所述電容性值已改變達(dá)至少某一值時(shí)檢測(cè)所述物體到所述天線的接近性。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其進(jìn)一步包括以下步驟:當(dāng)檢測(cè)到所述物體到所述天線的接近性時(shí)減小所述射頻裝置的發(fā)射功率。
【文檔編號(hào)】H04B1/38GK104170265SQ201380014788
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2013年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月15日
【發(fā)明者】迪特爾·彼得 申請(qǐng)人:密克羅奇普技術(shù)公司