專利名稱：高性能調(diào)頻發(fā)射器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子與無線通訊技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種高性能調(diào)頻發(fā)射器。
背景技術(shù)：
本發(fā)明采用單只NPN型晶體管，利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)高頻振蕩電路的振蕩頻率，從而將聲音信號調(diào)制成為調(diào)頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學(xué)、文體娛樂等領(lǐng)域。試驗證明:本發(fā)明使用普通分立元件制作的高性能調(diào)頻發(fā)射器，實現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目的。高性能調(diào)頻發(fā)射器的電路全部使用普通元器件制作，制作成本僅需十幾元。以下詳細說明本發(fā)明所述的高性能調(diào)頻發(fā)射器在實施過程中所涉及的有關(guān)技術(shù)內(nèi)容。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的及有益效果:本發(fā)明采用單只NPN型晶體管，利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)高頻振蕩電路的振蕩頻率，從而將聲音信號調(diào)制成為調(diào)頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學(xué)、文體娛樂等領(lǐng)域。試驗證明:本發(fā)明使用普通分立元件制作的高性能調(diào)頻發(fā)射器，實現(xiàn)了調(diào)頻無線話筒電路結(jié)構(gòu)簡單，制作容易、高頻振蕩頻率穩(wěn)定、耗電少等目的。電路工作原理:高性能調(diào)頻發(fā)射器由駐極體話筒MIC將聲音信號轉(zhuǎn)變?yōu)橐纛l電流，將NPN型晶體管VTl (BF494)設(shè)計成小功率高頻振蕩器(VHF波段)，高頻振蕩電路內(nèi)用變?nèi)荻O管Dl來調(diào)節(jié)發(fā)射器的頻率，并且利用音頻信號對振蕩電路中的變?nèi)荻O管Dl進行調(diào)頻。由NPN型晶體管VT1、高頻振蕩線圈LI和L2組成的高頻振蕩器，調(diào)制成調(diào)頻信號由發(fā)射天線ANT輻射到空間,振蕩電路輸出功率約為50mW,有效發(fā)射距離可達80m，發(fā)射的調(diào)頻信號由FM波段調(diào)頻廣播收音機接收,經(jīng)收音機放大后由揚聲器還原成聲音。技術(shù)特征:高性能調(diào)頻發(fā)射器，它包括9V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、聞頻振蕩電路及發(fā)射電路，其特征在于:拾音電路:它由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容Cl組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和稱合電容Cl的一端,駐極體話筒MIC的金屬外殼端S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ；振蕩頻率調(diào)節(jié)電路:它由電位器RP和變?nèi)荻O管Dl組成，電位器RP的一端接電路正極VCC，電位器RP的活動端接變?nèi)荻O管Dl的負極和耦合電容Cl的另一端，電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管Dl的正極接電路地GND ；晶體管偏置電路:它由NPN型晶體管VT1、電阻R2、電容C2和電阻R3組成，NPN型晶體管VTl的基極接電阻R2的一端、電容C2的一端和電阻R3的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC，電容C2的另一端和電阻R3的另一端接電路地GND ；高頻振蕩電路及發(fā)射電路:它由NPN型晶體管VT1、電容C3、高頻振蕩線圈LI和L2、負反饋電容C4、負反饋電阻R4、耦合電容C5及發(fā)射天線ANT組成，NPN型晶體管VTl的集電極接電容C3的一端和電容C4的一端，電容C3的另一端接變?nèi)荻O管Dl的負極，電容C4的另一端接NPN型晶體管VTl的發(fā)射極和負反饋電阻R4的一端，負反饋電阻R4的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VTl的集電極接高頻振蕩線圈LI的一端，高頻振蕩線圈LI的另一端接聞頻振蕩線圈L2的一端和稱合電容C5的一端，聞頻振蕩線圈L2的另一端接電路正極VCC，耦合電容C5的另一端接發(fā)射天線ANT ；9V直流電源正極與電路正極VCC相連，9V直流電源負極與電路地GND相連。


附圖1是本發(fā)明提供的高性能調(diào)頻發(fā)射器一個實施例電路工作原理圖。
具體實施例方式按照附圖1所示的高性能調(diào)頻發(fā)射器電路工作原理圖和

，并按照發(fā)明內(nèi)容所述的各部分電路中元器件之間連接關(guān)系，以及實施方式中所述的元器件技術(shù)參數(shù)要求和電路制作要點進行實施即可實現(xiàn)本發(fā)明，以下結(jié)合實施例對本發(fā)明的相關(guān)技術(shù)作進一步的描述。元器件的選擇及其技術(shù)參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種高性能調(diào)頻發(fā)射器，它包括9V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)節(jié)電路、晶體管偏置電路、聞頻振蕩電路及發(fā)射電路，其特征在于: 所述的拾音電路由駐極體話筒MIC、電阻R1、耦合電容Cl組成，駐極體話筒MIC的輸出端D接電阻Rl的一端和耦合電容Cl的一端，駐極體話筒MIC的金屬外殼端S與電路地GND相連，電阻Rl的另一端接電路正極VCC ； 所述的振蕩頻率調(diào)節(jié)電路由電位器RP和變?nèi)荻O管Dl組成，電位器RP的一端接電路正極VCC，電位器RP的活動端接變?nèi)荻O管Dl的負極和耦合電容Cl的另一端，電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管Dl的正極接電路地GND ； 所述的晶體管偏置電路由NPN型晶體管VT1、電阻R2、電容C2和電阻R3組成，NPN型晶體管VTl的基極接電阻R2的一端、電容C2的一端和電阻R3的一端，電阻R2的另一端接電路正極VCC，電容C2的另一端和電阻R3的另一端接電路地GND ； 所述的高頻振蕩電路及發(fā)射電路由NPN型晶體管VT1、電容C3、高頻振蕩線圈LI L2、負反饋電容C4、負反饋電阻R4、耦合電容C5及發(fā)射天線ANT組成，NPN型晶體管VTl的集電極接電容C3的一端和電容C4的一端，電容C3的另一端接變?nèi)荻O管Dl的負極，電容C4的另一端接NPN型晶體管VTl的發(fā)射極和負反饋電阻R4的一端，負反饋電阻R4的另一端接電路地GND，NPN型晶體管VTl的集電極接高頻振蕩線圈LI的一端，高頻振蕩線圈LI的另一端接聞頻振蕩線圈L2的一端和稱合電容C5的一端，聞頻振蕩線圈L2的另一端接電路正極VCC，耦合電容C5的另一端接發(fā)射天線ANT ； 所述的9V直流電源正極與電路正極VCC相連，9V直流電源負極與電路地GND相連。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高性能調(diào)頻發(fā)射器。它包括9V直流電源、拾音電路、振蕩頻率調(diào)整電路、晶體管偏置電路、高頻振蕩電路及發(fā)射電路，其特征在于所述的振蕩頻率調(diào)整電路由電位器RP和變?nèi)荻O管D1組成，電位器RP的一端接電路正極VCC，電位器RP的活動端接變?nèi)荻O管D1的負極和耦合電容C1的另一端，電位器RP的另一端和變?nèi)荻O管D1的正極接電路地GND。本發(fā)明采用單只NPN型晶體管，利用變?nèi)荻O管調(diào)節(jié)高頻振蕩電路的振蕩頻率, 從而將聲音信號調(diào)制成為調(diào)頻波。因電路只使用一只NPN型晶體管，電路受前后級的牽扯和干擾少，使得振蕩電路的頻率比較穩(wěn)定，適合用于無線耳機等高保真度信號傳輸，適用于課堂教學(xué)、文體娛樂等領(lǐng)域。
文檔編號H04B1/04GK103199878SQ20131005103
公開日2013年7月10日 申請日期2013年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月16日
發(fā)明者姜秀坤 申請人:姜秀坤