專利名稱：膜片及使用該膜片的耳塞式揚聲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
膜片及使用該膜片的耳塞式揚聲器
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種聲學(xué)裝置，特別是涉及一種膜片及使用所述膜片的耳塞式揚聲器。
背景技術(shù)：
通常已知的耳塞式揚聲器包括支架、振動膜片和驅(qū)動單元。在使用時，驅(qū)動單元使 振動膜片前后運動以便產(chǎn)生壓力波，即聲音。然而，傳統(tǒng)的耳塞式揚聲器的頻帶較窄，且低 頻與高頻往往不能兼顧。低頻共振頻率偏低時，高頻延伸不夠。在高頻延伸較好時，低頻共 振頻率卻又偏高。

發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種頻帶更寬、音頻性能更好的膜片及使用所述膜片的耳塞 式揚聲器。一種膜片，用于耳塞式揚聲器。所述膜片包括球頂狀的中心膜片體和位于中心膜 片體邊緣且楊氏模量小于中心膜片體的楊氏模量的邊緣膜片體。中心膜片體的中部開設(shè)有 透聲孔。在優(yōu)選的實施例中，邊緣膜片體包括與中心膜片體復(fù)合相連的連接部和遠離中心 膜片體的彎曲部。一種耳塞式揚聲器，包括驅(qū)動單元、震動單元和支撐驅(qū)動單元和震動單元的支撐 裝置。震動單元包括膜片和與膜片相連的音圈。膜片包括球頂狀的中心膜片體和位于中心 膜片體邊緣且楊氏模量小于中心膜片體的楊氏模量的邊緣膜片體。中心膜片體的中部開設(shè) 有透聲孔。在優(yōu)選的實施例中，邊緣膜片體包括與中心膜片體復(fù)合相連的連接部和遠離中心 膜片體的彎曲部。在優(yōu)選的實施例中，驅(qū)動單元包括磁鐵和設(shè)于磁鐵上的華司，音圈環(huán)繞華司。在優(yōu)選的實施例中，支撐裝置包括支架、電路板和護蓋，支架形成容置驅(qū)動單元和 震動單元的諧振腔，電路板設(shè)于支架底端，護蓋封閉諧振腔。在優(yōu)選的實施例中，還包括設(shè)于支架和護蓋之間的膠墊。在優(yōu)選的實施例中，還包括設(shè)于支架底側(cè)的防塵布。上述耳塞式揚聲器采用了不同材料復(fù)合形成的膜片，同時在中心膜片體中間開 孔，因此能夠在原來高頻截止峰值的頻率基礎(chǔ)上，增加帶寬使高頻截止峰值在更高的頻率 處截止。上述耳塞式揚聲器擁有較寬的頻帶，在重放聲音信號時擁有較好的高頻，同時不損 失低頻效果。

圖1為一實施例的耳塞式揚聲器的剖視圖，所述耳塞式揚聲器包括膜片；[0014]圖2為一實施例的耳塞式揚聲器在泄露腔測試的曲線圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖及實施例對膜片及耳塞式揚聲器作進一步的詳細說明。請參閱圖1，一實施例的膜片31包括位于中部的球頂狀的中心膜片體311和位于 中心膜片體311邊緣的邊緣膜片體313。中心膜片體311的中心位置開設(shè)有一個透聲孔 315，用于擴展高頻的截止頻率。邊緣膜片體313包括與中心膜片體311復(fù)合相連的連接部 和遠離中心膜片體311的彎曲部。中心膜片體311和邊緣膜片體313的材質(zhì)不同。具體來 說，中心膜片體311優(yōu)選為采用楊氏模量較高的材料制成，例如PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯) 等。邊緣膜片體313優(yōu)選為采用楊氏模量較低的材料制成，例如PET(聚對苯二甲酸乙二醇 酯)或PEI (聚醚酰亞胺)等。上述膜片31由于采用了不同材料復(fù)合形成，同時在中心膜片體311的中間開孔， 因此能夠在原來高頻截止峰值的頻率基礎(chǔ)上，增加帶寬使高頻截止峰值在更高的頻率處截 止。一實施例的耳塞式揚聲器100包括支撐裝置、驅(qū)動單元和震動單元。支撐裝置用于固定驅(qū)動單元和震動單元，其包括支架11、電路板13，和護蓋15。支架11大致為圓盤形的盒體，其包括圓形的底壁111和從底壁111邊緣向一側(cè)折 彎延伸形成的臺階狀的側(cè)壁113。電路板(PCB) 13設(shè)于底壁111的外側(cè)，用于使震動單元 與外部電源導(dǎo)通。護蓋15大致為圓形蓋，其通過邊緣安裝于側(cè)壁113上。支架11和護蓋 15共同形成一個容納驅(qū)動單元和震動單元的諧振腔115。為了增強密封性，護蓋15與側(cè)壁 113相接處還設(shè)有膠墊17。為了防塵和調(diào)整揚聲器100的低頻物理參數(shù)，支架11底側(cè)還設(shè) 有防塵布19。驅(qū)動單元包括磁鐵21和設(shè)于磁鐵21上的華司23。磁鐵21可以產(chǎn)生一個永久的 磁場。華司23對所述磁場的磁力引導(dǎo)，使所述磁場的磁力集中在一個特定的位置。震動單元包括膜片31和與膜片31相連的音圈33。膜片31是揚聲器100最主要的發(fā)聲器件，其包括位于中部的球頂狀的中心膜片體 311和位于中心膜片體311邊緣的邊緣膜片體313。中心膜片體311的中心位置開設(shè)有一 個透聲孔315，用于擴展高頻的截止頻率。邊緣膜片體313包括與中心膜片體311復(fù)合相 連的連接部和遠離中心膜片體311的彎曲部。中心膜片體311和邊緣膜片體313的材質(zhì)不 同。具體來說，中心膜片體311優(yōu)選為采用楊氏模量較高的材料制成，例如PEN(聚萘二甲 酸乙二醇酯)等。邊緣膜片體313優(yōu)選為采用楊氏模量較低的材料制成，例如PET(聚對苯 二甲酸乙二醇酯)或PEI (聚醚酰亞胺)等。音圈33固定設(shè)于中心膜片體311和邊緣膜片體313之間，且環(huán)繞于華司23的周 圍。音圈33與電路板13電連接，音頻信號通過音圈33后，線圈產(chǎn)生磁場，這個磁場與磁鐵 21產(chǎn)生的永久磁場相互作用，驅(qū)動膜片31來回振動，推動空氣產(chǎn)生聲音。請參閱圖2，所示為上述耳塞式揚聲器100在泄露腔內(nèi)測試的曲線圖。由圖2可 知，上述耳塞式揚聲器100擁有較寬的頻帶，在重放聲音信號時擁有較好的高頻，同時不損 失低頻效果。以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬 于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種膜片(31)，用于耳塞式揚聲器(100)，其特征在于所述膜片(31)包括球頂狀 的中心膜片體(311)和位于所述中心膜片體(311)邊緣且楊氏模量小于所述中心膜片體的 楊氏模量的邊緣膜片體(313)，所述中心膜片體(311)的中部開設(shè)有透聲孔(315)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜片，其特征在于所述邊緣膜片體(31 包括與所述中心 膜片體(311)復(fù)合相連的連接部和遠離所述中心膜片體(311)的彎曲部。
3.—種耳塞式揚聲器(100)，包括驅(qū)動單元、震動單元和支撐所述驅(qū)動單元和所述震 動單元的支撐裝置，其特征在于，所述震動單元包括如權(quán)利要求1所述的膜片(31)和與所 述膜片(31)相連的音圈(33)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耳塞式揚聲器，其特征在于所述邊緣膜片體(31 包括與 所述中心膜片體(311)復(fù)合相連的連接部和遠離所述中心膜片體(311)的彎曲部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耳塞式揚聲器，其特征在于所述驅(qū)動單元包括磁鐵和 設(shè)于所述磁鐵上的華司(23)，所述音圈(33)環(huán)繞所述華司03)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的耳塞式揚聲器，其特征在于所述支撐裝置包括支架(11)、 電路板(1 和護蓋(15)，所述支架(11)形成容置所述驅(qū)動單元和所述震動單元的諧振腔 (115)，所述電路板(13)設(shè)于所述支架(11)底端，所述護蓋(15)封閉所述諧振腔(115)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耳塞式揚聲器，其特征在于還包括設(shè)于所述支架(11)和所 述護蓋(15)之間的膠墊(17)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耳塞式揚聲器，其特征在于還包括設(shè)于所述支架(11)底側(cè) 的防塵布(19)。
專利摘要本實用新型提供一種膜片及使用該膜片的耳塞式揚聲器。一種耳塞式揚聲器，包括驅(qū)動單元、震動單元和支撐驅(qū)動單元和震動單元的支撐裝置。震動單元包括膜片和與膜片相連的音圈。膜片包括球頂狀的中心膜片體和位于中心膜片體邊緣且楊氏模量小于中心膜片體的楊氏模量的邊緣膜片體。中心膜片體的中部開設(shè)有透聲孔。上述耳塞式揚聲器擁有較寬的頻帶，在重放聲音信號時擁有較好的高頻，同時不損失低頻效果。
文檔編號H04R9/06GK201898606SQ20102062854
公開日2011年7月13日 申請日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者何建國, 劉冰梅, 李軍, 涂長青, 王麗, 陳勇 申請人:深圳市豪恩聲學(xué)股份有限公司