專利名稱：一種基于頻率補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧闹谱鞣椒?br>
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高速串行接口接收端均衡器單元，尤其涉及一種基于頻率補(bǔ)償?shù)木?器單元。
背景技術(shù)：
普遍的通信原理，發(fā)射端發(fā)射的數(shù)字信號經(jīng)過信道傳輸，到達(dá)接收端。但是實(shí)際的 信道被認(rèn)為是一個(gè)低通信道，它會濾除信號的高頻分量，為了保證通信質(zhì)量，必須在接收端 處理信號之前補(bǔ)償信道對信號的影響。均衡器就是用來補(bǔ)償信號的高頻分量，在保證通信 質(zhì)量的前提下，盡量恢復(fù)出原來的信號而不影響邏輯電平。
圖1是傳統(tǒng)的均衡器單元，NMOS管(Ml、M2)接收經(jīng)過信道的差分信號，NMOS管 (M3、M4)作為電流偏置；電阻R和電容C跨接在5和6之間。這是一種靜態(tài)的補(bǔ)償方式，前 提是已經(jīng)知道信道的詳細(xì)信息，然后進(jìn)行有針對性的補(bǔ)償。整個(gè)系統(tǒng)的傳輸函數(shù)如下
權(quán)利要求
1.一種基于頻率補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧涮卣髟谟?，包括均衡電路，由第一電?Rl)、第一 NMOS管(Ml)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、 第二 NMOS管(IC)和第二電阻(似)依次串聯(lián)連接而成，其中第一 NMOS管(Ml)和第二 NMOS 管(M2)作為輸入端口，接收從信道傳輸進(jìn)來的數(shù)據(jù)，且第一電阻(Rl)與第二電阻(R2)之 間接電源，第三NMOS管(M3)與第四NMOS管(M4)之間接地，第一 NMOS管(Ml)與第三NMOS 管(M3)之間具有一第五端點(diǎn)(5)，第四NMOS管(M4)與第二 NMOS管(M2)之間具有一第六 端點(diǎn)(6)；電阻調(diào)節(jié)電路，由四路并聯(lián)連接的支路構(gòu)成，每條支路由兩個(gè)調(diào)節(jié)開關(guān)和一個(gè)電阻串 聯(lián)而成，該電路的兩端分別連接于第五端點(diǎn)( 和第六端點(diǎn)(6)，用于調(diào)節(jié)均衡器電路的低 頻增益；以及電容調(diào)節(jié)電路，由四路并聯(lián)連接的支路構(gòu)成，每條支路由兩個(gè)調(diào)節(jié)開關(guān)和一個(gè)電容串 聯(lián)而成，該電路的兩端分別連接于第五端點(diǎn)( 和第六端點(diǎn)(6)，用于調(diào)節(jié)均衡器電路頻率 響應(yīng)的零極點(diǎn)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于頻率補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧?，其特征在于，所述均衡電路包括第?NMOS管(Ml)和第二 NMOS管(]\C)，第一 NMOS管(Ml)的柵極(1)和第二 NMOS管 (M2)的柵極( 接收從信道輸入的差分信號；第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)，第三NMOS管(M3)的柵極(7)接偏置電路，作 為第一 NMOS管(Ml)和第二 NMOS管(IC)的直流偏置；第一電阻(Rl)連接電源和第一 NMOS管(Ml)的漏極；第二電阻(似)連接電源和第二 NMOS管(M2)的漏極；第一 NMOS管(Ml)、第二 NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)和第四NMOS管(M4)的襯底 均接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于頻率補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧?，其特征在于，所述電阻調(diào)節(jié)電 路包括第五NMOS管(IK)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第六NMOS管(M6)的漏極接均 衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第三電阻(舊)分別連接第五NMOS管(IK)的漏極和第六NMOS管 (M6)的源極；第五NMOS管(M5)和第六NMOS管(M6)的柵極接第九控制線(9)；第七NMOS管(M7)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第八NMOS管(M8)的漏極接均 衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第四電阻(R4)分別連接第七NMOS管(M7)的漏極和第八NMOS管 (M8)的源極；第七NMOS管(M7)和第八NMOS管(M8)的柵極接第十控制線(10)；第九NMOS管(M9)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第十NMOS管(MlO)的漏極接均 衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第五電阻(肪)分別連接第九NMOS管(M9)的漏極和第十NMOS管 (MlO)的源極；第九NMOS管(M9)和第十NMOS管(MlO)的柵極接第十一控制線(11)；第十一 NMOS管(Mil)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第十二 NMOS管(M12)的漏 極接均衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第六電阻(R6)分別連接第十一 NMOS管(Mil)的漏極和第 十二 NMOS管(M12)的源極；第i^一 NMOS管(Mil)和第十二 NMOS管(M12)的柵極接第十二 控制線(12)。第五匪OS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七匪OS管(M7)、第八匪OS管(M8)、第九匪OS管(M9)、第十NMOS管(MlO)、第^^一 NMOS管(Mil)和第十二 NMOS管(M12)的襯底均接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于頻率補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧?，其特征在于，所述電容調(diào)節(jié)電 路包括第十三NMOS管(M13)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第十四NMOS管(M14)的漏 極接均衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第一電容(Cl)分別連接第十三NMOS管(MU)的漏極和第 十四NMOS管(M14)的源極；第十三NMOS管(M13)和第十四NMOS管(M14)的柵極接第十三 控制線(13)；第十五NMOS管(M15)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第十六NMOS管(M16)的漏 極接均衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第二電容(以)分別連接第十五NMOS管(MK)的漏極和第 十六NMOS管(M16)源極；第十五NMOS管(MM)和第十六NMOS管(M16)的柵極接第十四控 制線(14)；第十七NMOS管(M17)源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第十八NMOS管(M18)的漏極接 均衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第三電容(O)分別連接第十七NMOS管(M17)的漏極和第十八 NMOS管(M18)的源極；第十七NMOS管(M17)和第十八NMOS管(M18)的柵極接第十五控制 線(15)；第十九四NMOS管(M19)的源極接均衡電路的第五端點(diǎn)(5)，第二十NMOS管(M20)的漏 極接均衡器電路的第六端點(diǎn)(6)，第四電容(C4)分別連接第十九NMOS管(M19)的漏極和第 二十NMOS管(M20)的源極；第十九NMOS管(M19)和第二十NMOS管(M20)的柵極接第十六 控制線(16)；第十三NMOS管(M13)、第十四NMOS管(M14)、第十五NMOS管(M15)、第十六NMOS管 (M16)、第十七NMOS管(M17)、第十八NMOS管(M18)、第十九NMOS管(M19)和第二十NMOS 管(M20)的襯底均接地。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于頻域補(bǔ)償?shù)木馄鲉卧?，包括均衡電路，由第一電阻、第一NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第二NMOS管和第二電阻依次串聯(lián)連接而成；電阻調(diào)節(jié)電路，由四路并聯(lián)連接的支路構(gòu)成，每條支路由兩個(gè)調(diào)節(jié)開關(guān)和一個(gè)電阻串聯(lián)而成，該電路的兩端分別連接于第五端點(diǎn)和第六端點(diǎn)，用于調(diào)節(jié)均衡器電路的低頻增益；以及電容調(diào)節(jié)電路，由四路并聯(lián)連接的支路構(gòu)成，每條支路由兩個(gè)調(diào)節(jié)開關(guān)和一個(gè)電容串聯(lián)而成，該電路的兩端分別連接于第五端點(diǎn)和第六端點(diǎn)，用于調(diào)節(jié)均衡器電路頻率響應(yīng)的零極點(diǎn)位置。利用本發(fā)明，能夠根據(jù)信道的不同，通過外部的開關(guān)動態(tài)的調(diào)節(jié)系統(tǒng)的零極點(diǎn)分布，從而能夠補(bǔ)償碼元的高頻特性。
文檔編號H04L25/03GK102104368SQ20091024276
公開日2011年6月22日 申請日期2009年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月16日
發(fā)明者周玉梅, 巨浩, 蔣見花 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所