專(zhuān)利名稱(chēng)：電容式微型硅麥克風(fēng)及其制造方法
電容式微型硅麥克風(fēng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于基于硅工藝的微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)領(lǐng)域，具體涉及一種電容式微 型硅麥克風(fēng)及其制造方法。背景技術(shù)：
MEMS技術(shù)是近年來(lái)高速發(fā)展的一項(xiàng)高新技術(shù)，與傳統(tǒng)對(duì)應(yīng)器件相比，MEMS器件在 體積、功耗、重量及價(jià)格方面都有十分明顯的優(yōu)勢(shì)，而且其采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，可 以實(shí)現(xiàn)MEMS器件的批量制造，目前市場(chǎng)上，MEMS器件的主要應(yīng)用實(shí)例包括壓力傳感器、加 速度計(jì)及硅麥克風(fēng)等。對(duì)于硅麥克風(fēng)，將其裝配至電路板通常采用自動(dòng)化表面貼裝工藝，該工藝需經(jīng)歷 高溫，而傳統(tǒng)駐極體麥克風(fēng)(ECM)在高溫下會(huì)發(fā)生電荷泄漏，致使ECM失效，因此ECM的裝 配只能采用手工裝配。而電容式微型硅麥克風(fēng)可以耐受高溫，所以能采用表面貼裝工藝以 實(shí)現(xiàn)自動(dòng)裝配，另外電容式微型硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn) 能力等方面都比ECM有優(yōu)勢(shì)，因此采用MEMS技術(shù)制造的微型硅麥克風(fēng)已迅速作為ECM的代 替者開(kāi)始占領(lǐng)手機(jī)、PDA、MP3及助聽(tīng)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)。雖然對(duì)微型硅麥克風(fēng)的研究已經(jīng)開(kāi)展有二十余年，具體實(shí)現(xiàn)電容式微型硅麥克風(fēng) 的方法很多，但電容式微型硅麥克風(fēng)通常包括一個(gè)在四周進(jìn)行固定的振動(dòng)膜、一個(gè)帶有聲 孔的背極板以及在兩者之間的微小空氣間隙。振動(dòng)膜通常采用常規(guī)的半導(dǎo)體加工工藝—— 淀積得到，材料可采用多種或多層材料得到(比如摻雜多晶硅，金屬與氮化硅復(fù)合膜等)； 背極板可由硅襯底或通過(guò)淀積得到，材料也可采用多種或多層材料(比如摻雜多晶硅，金 屬與氮化硅復(fù)合膜等)；微小空氣隙可以由犧牲層被腐蝕去掉后得到，犧牲層材料可采用 多種材料(如氧化硅，硅等)。但是，微型硅麥克風(fēng)制作中面臨的一個(gè)主要問(wèn)題就是振動(dòng)膜應(yīng)力的控制。現(xiàn)有薄 膜制備手段基本采用淀積，通過(guò)淀積得到的振動(dòng)膜會(huì)存在較大的殘余應(yīng)力，通常包括熱失 配應(yīng)力和本征應(yīng)力兩種。殘余應(yīng)力對(duì)微型硅麥克風(fēng)特性具有較大影響，嚴(yán)重時(shí)甚至使其失 效不能工作。再有，大的殘余張應(yīng)力也會(huì)顯著降低振動(dòng)膜的機(jī)械靈敏度，而振動(dòng)膜的機(jī)械靈 敏度又與麥克風(fēng)的關(guān)鍵指標(biāo)——靈敏度成正比，因此大的殘余應(yīng)力將會(huì)間接導(dǎo)致麥克風(fēng)靈 敏度的降低。還有，大的殘余壓應(yīng)力也可能導(dǎo)致振動(dòng)膜發(fā)生屈曲，從而使麥克風(fēng)性能不穩(wěn)定 甚至失效。因此，提高麥克風(fēng)靈敏度已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員關(guān)注的焦點(diǎn)，現(xiàn)有通過(guò)采用改進(jìn) 制備方法淀積的工藝條件的方法，或采用一些附加工藝如退火等來(lái)減小振動(dòng)膜的殘余應(yīng) 力，但是采用這種方法對(duì)減小殘余應(yīng)力的效果不大，而且重復(fù)性不好，實(shí)現(xiàn)也較為復(fù)雜；另 外一個(gè)途徑就是使振動(dòng)膜懸浮，使振動(dòng)膜的機(jī)械靈敏度對(duì)殘余應(yīng)力不敏感，但該種方式常 導(dǎo)致加工工藝復(fù)雜度增加。因此，如何解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)提高麥克風(fēng)的靈敏度實(shí)已成為本領(lǐng)域技術(shù)人 員亟待解決的技術(shù)課題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種電容式微型硅麥克風(fēng)及制造方法，以提高電容式微型 硅麥克風(fēng)的靈敏度。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明電容式微型硅麥克風(fēng)包括用于作為電容的一極且具 有導(dǎo)電功能的背極板、用于作為所述電容的另一極且具有導(dǎo)電功能的振動(dòng)膜及支撐所述振 動(dòng)膜的絕緣支撐體，所述背極板設(shè)有若干與振動(dòng)膜連通的聲孔，所述振動(dòng)膜為圓形且包括 外端面及位于外端面內(nèi)側(cè)的若干圓弧槽，所述圓弧槽將振動(dòng)膜分割成若干圓弧形的梁，所 述絕緣支撐體的一端支撐所述梁。本發(fā)明還揭示了一種電容式微型硅麥克風(fēng)的制造方法，包括如下步驟1)在半導(dǎo)體材料的襯底上淀積或熱氧生長(zhǎng)氧化硅或氮化硅作為自停止層；2)在所述自停止層上采用淀積工藝生成第一材料作為背極板；3)利用光刻、刻蝕背極板得到聲孔；4)在所述背極板上采用淀積工藝得到氧化硅或氮化硅形成的絕緣犧牲層；5)在所述絕緣犧牲層上淀積生成第一材料作為振動(dòng)膜；6)采用光刻、刻蝕工藝去除部分振動(dòng)膜，形成若干梁；7)采用光刻腐蝕，去除部分的絕緣犧牲層，以露出部分背極板；8)采用淀積、濺射等方法得到金屬層，再利用光刻、刻蝕等方法得到金屬壓點(diǎn)；9)采用雙面光刻、深槽刻蝕的方法在襯底背面形成背腔；10)再通過(guò)選擇性濕法腐蝕，選擇只腐蝕自停止層及絕緣犧牲層的腐蝕液，通過(guò)背 面的背腔先腐蝕除去部分自停止層，再通過(guò)聲孔腐蝕部分絕緣犧牲層，使得振動(dòng)膜與背極 板之間不再有其他的絕緣犧牲層，振動(dòng)膜可以自由振動(dòng)發(fā)聲，未腐蝕去除的絕緣犧牲層形 成了絕緣支撐體，所述絕緣支撐體的一端支撐所述梁，而另一端固定于背極板上。綜上所述，本發(fā)明電容式微型硅麥克風(fēng)將振動(dòng)膜設(shè)置為圓形，更符合聲學(xué)特性，同 時(shí)，將連接振動(dòng)膜的梁設(shè)置圓弧形，可以使振動(dòng)膜對(duì)殘余應(yīng)力不敏感且提高設(shè)計(jì)靈活性，同 時(shí)在相同靈敏度情況下可減小芯片的面積。所述制造電容式微型硅麥克風(fēng)的方法中，采用 自停止層可以保護(hù)背極板不被刻蝕，提高了產(chǎn)品的良度，且采用光刻、刻蝕工藝去除部分振 動(dòng)膜而形成的若干梁具備較好的彈性，可以吸收部分殘余應(yīng)力，進(jìn)而使振動(dòng)膜對(duì)殘余應(yīng)力 不敏感。
圖1為本發(fā)明第一實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)的立體組合圖。圖2為圖1所示的電容式微型硅麥克風(fēng)的部分立體分解圖。圖3為圖1所示的電容式微型硅麥克風(fēng)被切除一個(gè)角后的立體組合圖。圖4為圖3所示的被切除一個(gè)角后的電容式微型硅麥克風(fēng)的主視圖。圖5為本發(fā)明第二實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)被切除一個(gè)角后的立 體組合圖。圖6為本發(fā)明第三實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)的立體組合圖。圖7為圖6所示的被切除一個(gè)角后的電容式微型硅麥克風(fēng)的主視圖。4
圖8為本發(fā)明第四實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)的立體組合圖。圖9為本發(fā)明第五實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)的立體組合圖。圖10為圖9中所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)沿A-A線方向的剖視圖。圖11為本發(fā)明第六實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)被切除一個(gè)角后的立 體組合圖。圖12為圖11另一角度的立體組合圖。
具體實(shí)施方式第一實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖1至圖4所示，本發(fā)明電容式微型硅麥克風(fēng)100包括起機(jī)械支撐作用的 襯底1、形成于襯底1上且用以作為背面刻蝕自停止的自停止層2、形成于自停止層2上的 背極板3、與背極板3間隔設(shè)置的振動(dòng)膜4、支撐振動(dòng)膜4且固定于背極板3上的若干絕緣 支撐體5以及兩個(gè)分別與振動(dòng)膜4、背極板3導(dǎo)通的第一、第二金屬壓點(diǎn)6、7。所述襯底1由半導(dǎo)體材料制成(如單晶硅)，其設(shè)有背腔10，所述背腔10貫穿襯 底1的背面11且向上貫穿自停止層2。所述背腔10可以設(shè)置為圓形或方形或其他形狀，用 于傳導(dǎo)聲音以及調(diào)節(jié)電容式微型硅麥克風(fēng)100的聲學(xué)性能。所述自停止層2可以為氧化硅或氮化硅等材料制成，且用于在背面深槽刻蝕完成 時(shí)，起到自停止作用以保護(hù)背極板3不被刻蝕。所述背極板3具有導(dǎo)電功能且用于作為電容的一極，所述背極板3設(shè)置有若干貫 穿的聲孔31，所述聲孔31可以按照實(shí)際需求設(shè)置為圓形或方形且按振動(dòng)膜4的形狀排布成 陣列。所述聲孔31與背腔10連通。請(qǐng)參閱圖1至圖3所示，所述振動(dòng)膜4設(shè)置為圓形，一方面可以減小體積，另一方 面更貼合于聲學(xué)性能，從而使電容式微型硅麥克風(fēng)100具備較好的靈敏度。所述振動(dòng)膜4 包括外端面41、位于外端面41內(nèi)側(cè)的若干圓弧槽42及若干分別連通圓弧槽42且向外貫穿 外端面41的狹槽43。所述外端面41為圓弧面。所述圓弧槽42為劣弧，所有圓弧槽42的 半徑均相同且位于同一圓周上。所述狹槽43沿振動(dòng)膜4的徑向延伸。所述圓弧槽42及狹 槽43將振動(dòng)膜4形成四個(gè)圓弧形的梁44。所述梁44與振動(dòng)膜4為同一材質(zhì)。所述梁44 為懸臂狀，即梁44的一端懸空為自由端441，以降低振動(dòng)膜4對(duì)殘余應(yīng)力的敏感度，從而提 高電容式微型硅麥克風(fēng)100的靈敏度。同時(shí)，在相同靈敏度的情況下，可以減小振動(dòng)膜4的 面積，從而達(dá)到減小芯片的面積。所述背極板3及振動(dòng)膜4的材料分別為導(dǎo)電材料及由導(dǎo)電材料和絕緣材料組合的 復(fù)合膜中的一種，如多晶硅、多晶硅氮化硅、多晶硅氧化硅復(fù)合膜及金屬加氮化硅等材料。所述絕緣支撐體5的一端靠近梁44的自由端441。所述絕緣支撐體5的一端支撐 所述梁44，而另一端固定于背極板3或襯底1上。所述絕緣支撐體5可以為氧化硅或氮化 硅等材料。在本實(shí)施實(shí)施方式中，所述絕緣支撐體5為圓柱狀，當(dāng)然，在其他實(shí)施實(shí)施方式 中，所述絕緣支撐體5也可以設(shè)置成棱柱狀。所述第一金屬壓點(diǎn)6與振動(dòng)膜4電性連接，所述第二金屬壓點(diǎn)7與背極板3電性 連接，所述第一、第二金屬壓點(diǎn)6、7用于后續(xù)分裝打線。所述金屬可為鋁、金、鉻金、鈦鎢金 等。在本實(shí)施實(shí)施方式中，所述第一、第二金屬壓點(diǎn)6、7為圓形，當(dāng)然，在其他實(shí)施實(shí)施方式中，所述第一、第二金屬壓點(diǎn)6、7還可以設(shè)置為矩形等其他多邊形。第二實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖5所示，本發(fā)明第二實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)200與第一 實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)100基本相同，兩者的區(qū)別在于電容式微型硅麥克 風(fēng)100設(shè)置有四個(gè)梁44及分別支撐四個(gè)梁44的四個(gè)絕緣支撐體5，而電容式微型硅麥克風(fēng) 200設(shè)置有六個(gè)梁201及分別支撐六個(gè)梁201的六個(gè)絕緣支撐體202，同樣可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明 的目的。第三實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖6及圖7所示，本發(fā)明第三實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)300 與第一實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)100基本相同，兩者的區(qū)別在于電容式微型 硅麥克風(fēng)100設(shè)置有四個(gè)梁44及分別支撐四個(gè)梁44的四個(gè)絕緣支撐體5，而電容式微型 硅麥克風(fēng)300僅設(shè)置有兩個(gè)梁301及分別支撐兩個(gè)梁301的兩個(gè)絕緣支撐體302。所述梁 301延伸的長(zhǎng)度較長(zhǎng)，接近振動(dòng)膜4的半個(gè)周長(zhǎng)，因此，梁301具備更好的彈性，因而可以更 好的吸收殘余應(yīng)力，提高電容式微型硅麥克風(fēng)300的靈敏度。由于僅設(shè)置兩個(gè)絕緣支撐體 302對(duì)振動(dòng)膜4的支撐強(qiáng)度相對(duì)較小，所述電容式微型硅麥克風(fēng)300還設(shè)有支撐振動(dòng)膜4中 心的第二絕緣支撐體303。第四實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖8所示，本發(fā)明第四實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)400與第一 實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)100基本相同，兩者的區(qū)別在于電容式微型硅麥克 風(fēng)400未設(shè)置狹槽43，也就是說(shuō)，電容式微型硅麥克風(fēng)400所形成的梁401其實(shí)是簡(jiǎn)支梁， 即梁401的兩端均是固定的。此時(shí)，所述絕緣支撐體402支撐梁401的中間部403。第五實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖9及圖10所示，本發(fā)明第五實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)500 與第四實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)400基本相同，兩者的區(qū)別在于電容式微型 硅麥克風(fēng)500僅設(shè)置有一個(gè)絕緣支撐體501且為圓筒狀，所述絕緣支撐體501的周?chē)蝗?均支撐所述梁502。第六實(shí)施方式請(qǐng)參閱圖11及圖12所示，本發(fā)明第六實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)600 與第一實(shí)施方式所揭示的電容式微型硅麥克風(fēng)100基本相同，兩者的區(qū)別在于電容式微型 硅麥克風(fēng)600將振動(dòng)膜4外圍的材料601保留下來(lái)，而第一實(shí)施方式所揭示的電容式微型 硅麥克風(fēng)100將此材料601去除了。當(dāng)然，在對(duì)電容式微型硅麥克風(fēng)體積要求不是非常嚴(yán) 格的時(shí)候，電容式微型硅麥克風(fēng)600也可以使用并且該電容式微型硅麥克風(fēng)600同樣可以 實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖4所示，本發(fā)明還提供一種電容式微型硅麥克風(fēng)的制造方法，主要 包括如下步驟1)在半導(dǎo)體材料的襯底1上淀積或熱氧生長(zhǎng)氧化硅或氮化硅作為自停止層2 ；2)在所述自停止層2上采用淀積工藝生成第一材料作為背極板3 ；3)利用光刻、刻蝕背極板3得到聲孔31 ；4)在所述背極板3上采用淀積工藝得到氧化硅或氮化硅形成的絕緣犧牲層；
5)在所述絕緣犧牲層上淀積生成第一材料作為振動(dòng)膜4 ；6)采用光刻、刻蝕工藝去除部分振動(dòng)膜4，形成若干梁44 ；7)采用光刻腐蝕，去除部分的絕緣犧牲層，以露出部分背極板3 ；8)采用淀積、濺射等方法得到金屬層，再利用光刻、刻蝕等方法得到第一、第二金 屬壓點(diǎn)6、7 ；9)采用雙面光刻、深槽刻蝕的方法在襯底1背面11形成背腔10 ；10)再通過(guò)選擇性濕法腐蝕，選擇只腐蝕自停止層2及絕緣犧牲層的腐蝕液，通過(guò) 背面11的背腔10先腐蝕除去部分自停止層2，再通過(guò)聲孔31腐蝕部分絕緣犧牲層，使得振 動(dòng)膜4與背極板3之間不再有其他的絕緣犧牲層，振動(dòng)膜4可以自由振動(dòng)發(fā)聲，未腐蝕去除 的絕緣犧牲層形成了絕緣支撐體5，所述絕緣支撐體5的一端支撐所述梁44，而另一端固定 于背極板3上。所述第一材料為多晶硅、多晶硅氮化硅、多晶硅氧化硅復(fù)合膜及金屬加氮化 硅中的一種。綜上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在本發(fā)明的教導(dǎo)下所作的針對(duì)本發(fā) 明的等效變化，仍應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求所主張的范圍中。權(quán)利要求
1.一種電容式微型硅麥克風(fēng)包括用于作為電容的一極且具有導(dǎo)電功能的背極板、用 于作為所述電容的另一極且具有導(dǎo)電功能的振動(dòng)膜及支撐所述振動(dòng)膜的絕緣支撐體，所述 背極板設(shè)有若干與振動(dòng)膜連通的聲孔，其特征在于所述振動(dòng)膜為圓形且包括外端面及位 于外端面內(nèi)側(cè)的若干圓弧槽，所述圓弧槽將振動(dòng)膜分割成若干圓弧形的梁，所述絕緣支撐 體的一端支撐所述梁。
2.如權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述梁的兩端均是固定的， 所述絕緣支撐體為圓筒狀且所述絕緣支撐體的周?chē)蝗嗡隽骸?br> 3.如權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述梁的兩端均是固定的， 所述絕緣支撐體為多個(gè)，每一個(gè)絕緣支撐體對(duì)應(yīng)一個(gè)梁且絕緣支撐體支撐梁的中間部。
4.如權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述振動(dòng)膜設(shè)有若干分別 連通圓弧槽且向外貫穿外端面的狹槽以將所述梁的一端懸空，所述梁設(shè)有自由端且所述絕 緣支撐體的一端靠近梁的自由端，所述絕緣支撐體的另一端固定于背極板上。
5.如權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述電容式微型硅麥克風(fēng) 設(shè)有支撐振動(dòng)膜的中心的第二絕緣支撐體。
6.如權(quán)利要求1所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述電容式微型硅麥克風(fēng) 還包括襯底、位于襯底上的自停止層及分別形成于梁及背極板上的第一、第二金屬壓點(diǎn)，所 述襯底設(shè)有與聲孔連通的背腔，所述背極板形成于自停止層上，所述梁與振動(dòng)膜為同一材 質(zhì)，第一金屬壓點(diǎn)與梁電性導(dǎo)通而第二金屬壓點(diǎn)與背極板電性導(dǎo)通。
7.如權(quán)利要求1至6項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的電容式微型硅麥克風(fēng)，其特征在于所述狹 槽沿振動(dòng)膜的徑向延伸，所述若干圓弧槽的半徑均相同且位于同一圓周上。
8.一種電容式微型硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于包括如下步驟1)在半導(dǎo)體材料的襯底上淀積或熱氧生長(zhǎng)氧化硅或氮化硅作為自停止層；2)在所述自停止層上采用淀積工藝生成第一材料作為背極板；3)利用光刻、刻蝕背極板得到聲孔；4)在所述背極板上采用淀積工藝得到氧化硅或氮化硅形成的絕緣犧牲層；5)在所述絕緣犧牲層上淀積生成第一材料作為振動(dòng)膜；6)采用光刻、刻蝕工藝去除部分振動(dòng)膜，形成若干梁；7)采用光刻腐蝕，去除部分的絕緣犧牲層，以露出部分背極板；8)采用淀積、濺射等方法得到金屬層，再利用光刻、刻蝕等方法得到金屬壓點(diǎn)；9)采用雙面光刻、深槽刻蝕的方法在襯底背面形成背腔；10)再通過(guò)選擇性濕法腐蝕，選擇只腐蝕自停止層及絕緣犧牲層的腐蝕液，通過(guò)背面的 背腔先腐蝕除去部分自停止層，再通過(guò)聲孔腐蝕部分絕緣犧牲層，使得振動(dòng)膜與背極板之 間不再有其他的絕緣犧牲層，振動(dòng)膜可以自由振動(dòng)發(fā)聲，未腐蝕去除的絕緣犧牲層形成了 絕緣支撐體，所述絕緣支撐體的一端支撐所述梁，而另一端固定于背極板上。
9.如權(quán)利要求8所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述第一材料 為多晶硅、多晶硅氮化硅、多晶硅氧化硅復(fù)合膜及金屬加氮化硅中的一種。
10.如權(quán)利要求8所述的電容式微型硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述梁設(shè)有一 端懸空的自由端，且所述絕緣支撐體靠近梁的自由端。
全文摘要
一種電容式微型硅麥克風(fēng)及其制造方法，其包括用于作為電容的一極且具有導(dǎo)電功能的背極板、用于作為所述電容的另一極且具有導(dǎo)電功能的振動(dòng)膜及支撐所述振動(dòng)膜的絕緣支撐體，所述背極板設(shè)有若干與振動(dòng)膜連通的聲孔，所述振動(dòng)膜為圓形且包括外端面及位于外端面內(nèi)側(cè)的若干圓弧槽，所述圓弧槽將振動(dòng)膜分割成若干圓弧形的梁，所述絕緣支撐體的一端支撐所述梁。由此可使振動(dòng)膜對(duì)殘余應(yīng)力不敏感且提高設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)在相同靈敏度情況下可減小芯片的面積。
文檔編號(hào)H04R31/00GK102056062SQ20091020849
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2009年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
發(fā)明者李剛, 梅嘉欣, 胡維 申請(qǐng)人:蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司