專利名稱：一種改進(jìn)的手機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種移動(dòng)通訊工具，特別是涉及一種手機(jī)。
技術(shù)背景目前移動(dòng)通訊設(shè)備中普及率最高的就是手機(jī)，目前手機(jī)的功能越來越 多，人們的生活越來越離不開手機(jī)，大多數(shù)的手機(jī)均具有電話簿、短信和彩信業(yè)務(wù)，有的手機(jī)還具有Mp3或Mp4功能，而目前越來越廣闊的交流和溝通 方式，使得手機(jī)中存儲(chǔ)的信息越來越多，需要的存儲(chǔ)空間越來越大，目前手 機(jī)均為單存儲(chǔ)卡手機(jī)，其缺點(diǎn)一是當(dāng)需要備份存儲(chǔ)卡內(nèi)容時(shí)，需要將手機(jī)與 電腦連接，通過與該手機(jī)相匹配的軟件將存儲(chǔ)卡內(nèi)容備份到電腦內(nèi)；缺點(diǎn)之 二是存儲(chǔ)卡的容量比較小，不能滿足現(xiàn)在手機(jī)用戶使用過程中較大存儲(chǔ)量的 需求。而且現(xiàn)在的手機(jī)大多都是只有一個(gè)SIM卡的手機(jī)，這樣的手機(jī)對(duì)于經(jīng) 常在不同地區(qū)工作的人來說為了節(jié)省漫游或長途等通話費(fèi)用，更換手機(jī)卡不 方便，需要關(guān)機(jī)后再更換SIM卡，嚴(yán)重影響SIM卡的壽命，容易因接觸不良 而造成無法識(shí)別SIM卡的情況出現(xiàn)。 一些手機(jī)廠家做了一些改進(jìn)，制造出一 些雙SIM卡的手機(jī)，該雙SIM卡手機(jī)采用機(jī)械切換或軟件切換，機(jī)械切換的 缺點(diǎn)是使用壽命短，損壞比較嚴(yán)重。而軟件切換則需要關(guān)機(jī)后重啟系統(tǒng)后選 擇SIM后進(jìn)入手機(jī)工作狀態(tài)，切換時(shí)間較長且不方便。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足而完成的，本實(shí)用新型的目的是 提供一種結(jié)構(gòu)簡單，成本低，存儲(chǔ)量大，各存儲(chǔ)卡之間可以進(jìn)行自由拷貝，自 由調(diào)用各存儲(chǔ)卡中信息的改進(jìn)的手機(jī)。本實(shí)用新型的改進(jìn)的手機(jī)，包括手機(jī)殼體和位于所述殼體內(nèi)部的主板、 鍵盤、顯示屏和電池，所述主板上設(shè)有SIM卡座、控制電路和基帶處理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座內(nèi)，所述SIM卡座與所述基帶處理芯片連接，所述 控制電路與所述電池和所述SIM卡座連接，其特征在于所述主板上設(shè)置至 少兩個(gè)存儲(chǔ)卡座，存儲(chǔ)卡位于所述存儲(chǔ)卡座內(nèi)，所述存儲(chǔ)卡座均可通過存儲(chǔ) 模擬控制開關(guān)與所述基帶處理芯片連接。 本實(shí)用新型的改進(jìn)的手才幾還可以是所述主板上至少設(shè)有兩個(gè)SIM卡座，所述各SIM卡座通過SIM卡模擬開 關(guān)與所述基帶處理芯片可選擇地連接。所迷存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)端部的MCCMD控制線與所述基帶處理芯片連接， 所述存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)端部的MCCMD1控制線與所述第一存儲(chǔ)卡座連接，所 述存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)端部的MCCMD2控制線與所述笫二存儲(chǔ)卡座連接，所述 存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)通過存儲(chǔ)卡控制線控制所述MCCMD控制線與所述MCCMD1所述存儲(chǔ)卡控制線處于高電位，所述MCCMD控制線與所述MCCMD1控制 線連接，所述第一存儲(chǔ)卡座與所述基帶處理芯片連接導(dǎo)通.所迷存儲(chǔ)卡控制線處于低電位，所述MCCMD控制線與所述MCCMD2控制 線連接，所述第二存儲(chǔ)卡座與所述基帶處理芯片連接導(dǎo)通。所述基帶處理芯片與手機(jī)內(nèi)存連接。所述SIM卡模擬開關(guān)的NO接口與所述第一 SIM卡座的GND接口連接， 所述SIM卡模擬開關(guān)的NC接口與所述第二 SIM卡座的GND接口連接，所述 SIM卡模擬開關(guān)通過SIM卡控制線所述第一 SIM卡座與所述基帶處理芯片之間導(dǎo)通或所述第二卡座與所述基帶處理芯片之間導(dǎo)通。所述SIM卡控制線處于高電位，所述SIM卡模擬開關(guān)的N0接口與所述 第一 SIM卡座的GND接口連接，所述第一 SIM卡與所述基帶處理芯片之間導(dǎo) 通。所述SIM卡控制線處于低電位，所述SIM卡模擬開關(guān)的NC接口與所述 第二SIM卡座的GND接口連接，所述第二SIM卡與所述基帶處理芯片之間導(dǎo)通。所述兩個(gè)SIM卡座與所述兩個(gè)存儲(chǔ)卡座對(duì)稱設(shè)置。
本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)，由于其在主板上設(shè)置至少兩個(gè)存儲(chǔ)卡座，存儲(chǔ) 卡位于存儲(chǔ)卡座內(nèi)，存儲(chǔ)卡座通過存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)與手機(jī)的基帶處理芯片 連接。這樣，可以至少插入兩個(gè)存儲(chǔ)卡，各存儲(chǔ)均可以與基帶處理芯片連接， 手機(jī)用戶可以直接選擇調(diào)用需要使用的存儲(chǔ)卡中的信息，擴(kuò)大手機(jī)存儲(chǔ)量， 同時(shí)使用更加方便。
更進(jìn)一步，由于主板上至少設(shè)有兩個(gè)SIM卡座，各SIM卡座通過SIM卡 座模擬開關(guān)與基帶處理芯片可選擇地連接導(dǎo)通。這樣由于設(shè)有SIM卡模擬開 關(guān)，使得可以通過直接控制SIM卡模擬開關(guān)直接選擇不同的SIM卡而不需要 關(guān)機(jī)，使用方便且不同SIM卡轉(zhuǎn)換迅速，不會(huì)影響使用。


圖1 本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2 本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)雙存儲(chǔ)卡座與存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)電路圖。 圖3 本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)雙SIM卡座與SIM卡模擬控制開關(guān)電路圖。 圖號(hào)說明
l一殼體 2—第一SIM卡座 3—第二SIM卡座
4一第一存儲(chǔ)卡座 5—第二存儲(chǔ)卡座 6—存儲(chǔ)模擬控制開關(guān) 7—SIM卡模擬開關(guān)具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
本實(shí)用新型的改進(jìn)的手機(jī)，請(qǐng)參考圖1和圖2,它包括手機(jī)外部殼體1 和位于殼體l內(nèi)部的主板、鍵盤、顯示器和電池，在主板上有SIM卡座、控 制電路和基帶處理芯片。主板、鍵盤、顯示屏和電池都是手機(jī)上的常規(guī)配置， 與現(xiàn)有的相同即可。SIM卡位于SIM卡座內(nèi)，使用時(shí)直接將SIM卡插入或卡 入SIM卡座即可。SIM卡與基帶處理芯片連接導(dǎo)通，使得插入SIM卡座的SIM 卡與基帶處理芯片之間可以進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，這是與現(xiàn)有的手機(jī)是相同的。主 板上的控制電路與電池和SIM卡座連接，電池給控制電路供電，進(jìn)而控制
主板上至少設(shè)置兩個(gè)存儲(chǔ)卡座，存儲(chǔ)卡插接或卡接于存儲(chǔ)卡座內(nèi)，存儲(chǔ)卡座
均可通過存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6與基帶處理芯片連接。這樣改進(jìn)后的手機(jī)，其 基帶處理芯片可以通過存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6選擇與任意一個(gè)存儲(chǔ)卡座連接 并調(diào)用該存儲(chǔ)卡中的數(shù)據(jù)信息并進(jìn)行編輯和操作。這樣的手機(jī)存儲(chǔ)量擴(kuò)大一 倍，而且各存儲(chǔ)卡之間可以自由進(jìn)行拷貝備份，使用方便，結(jié)構(gòu)簡單，成本 低。
本實(shí)用新型的改進(jìn)的手機(jī)，請(qǐng)參考圖3，還可以是主板上至少設(shè)有兩個(gè) SIM卡座，各SIM卡座通過設(shè)置的SIM卡模擬開關(guān)7與基帶處理芯片可選擇 地連接導(dǎo)通。這樣， 一個(gè)手機(jī)上就可同時(shí)安裝至少兩個(gè)SIM卡，而且 多個(gè)SIM卡通過各自的SIM卡座和SIM卡模擬開關(guān)7的選擇，使得其
中之一與基帶處理芯片連接導(dǎo)通，進(jìn)行常規(guī)的手機(jī)使用和操作即可， 保證只有一個(gè)SIM卡在使用，避免同時(shí)使用不同的SIM卡造成不必要
的花費(fèi)，同時(shí)由于SIM卡模擬開關(guān)7可以直接由手機(jī)基帶處理芯片中 控制，使得手機(jī)用戶直接通過選擇手機(jī)操作菜單中的選項(xiàng)就可以直接 控制基帶處理芯片進(jìn)行選擇，不需要關(guān)機(jī)，不同SIM卡之間的切換只 需要20-30秒即可完成，切換較快，使用方便。而且SIM卡插入卡座 內(nèi)就不用取出，避免因經(jīng)常插取而影響SIM卡的壽命。
本實(shí)用新型的改進(jìn)的手機(jī)，請(qǐng)參考圖2，存儲(chǔ)卡座通過存儲(chǔ)模擬 控制開關(guān)6與基帶處理芯片連接的具體結(jié)構(gòu)為手機(jī)設(shè)有兩個(gè)存儲(chǔ)卡 座，存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6端部具有的MCCMD控制線(MCCMD是Memory Card Command的縮寫，表示為存儲(chǔ)卡命令，后邊的MCCMD1和MCCMD2是用來區(qū)分 不同的存儲(chǔ)卡命令控制線的)與基帶處理芯片連接，存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6端 部具有的MCCMD1控制線與第一存儲(chǔ)卡座4連接，存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6端部 具有的MCCMD2控制線與第二存儲(chǔ)卡座5連接，存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6通過一 根存儲(chǔ)卡控制線(T - FLASH - CTL控制線)控制MCCMD控制線與MCCMD1控 制線連接導(dǎo)通或者是MCCMD控制線與MCCMD1控制線連接導(dǎo)通。進(jìn)一步具體 為當(dāng)需要調(diào)用或編輯第一存儲(chǔ)卡中的數(shù)據(jù)信息時(shí)，用戶在菜單中選擇第一存 儲(chǔ)卡，控制電路控制上述的T-FLASH-CTL控制線處于高電位，此時(shí)存儲(chǔ)模
擬控制開關(guān)6控制其接頭E與F連接，使得MCCMD控制線與MCCMDl控制線 連接，進(jìn)而使得第一存儲(chǔ)卡座4和存儲(chǔ)卡與基帶處理芯片連接導(dǎo)通，再通過 對(duì)基帶處理芯片的控制完成對(duì)手機(jī)的該第一存儲(chǔ)卡的數(shù)據(jù)信息調(diào)用和編輯 過程。相對(duì)應(yīng)地，當(dāng)需要調(diào)用或編輯第二存儲(chǔ)卡中的數(shù)椐信息時(shí)，用戶在菜 單中選擇第二存儲(chǔ)卡，控制電路控制上述的T - FLASH - CTL控制線處于低電 位，此時(shí)存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)6控制其接頭E與D連接，使得MCCMD控制線與 MCCMD2控制線連接，進(jìn)而使得第二存儲(chǔ)卡座5和第二存儲(chǔ)卡與基帶處理芯 片連接，再通過對(duì)基帶處理芯片的控制完成對(duì)手機(jī)的該第二存儲(chǔ)卡的數(shù)據(jù)信 息調(diào)用和編輯過程。這樣，就完全實(shí)現(xiàn)了對(duì)各存儲(chǔ)卡的數(shù)據(jù)信息的自由調(diào)用 和編輯。同時(shí)，手機(jī)的基帶處理芯片還可以連接一個(gè)內(nèi)存條，選擇T-FLASH -CTL控制線處于高電位，第一存儲(chǔ)卡座4和第一存儲(chǔ)卡與基帶處理芯片連接 后，可將第一存儲(chǔ)卡中的數(shù)據(jù)信息通過存儲(chǔ)模擬控制開端和基帶處理芯片存入 內(nèi)存上的緩沖區(qū)內(nèi)，再選擇T-FLASH-CTL控制線位于低電位，使得第二存 儲(chǔ)卡座5和第二存儲(chǔ)卡與基帶處理芯片連接，進(jìn)而將位于內(nèi)存緩沖區(qū)內(nèi)的數(shù) 據(jù)信息復(fù)制到第二存儲(chǔ)卡中，實(shí)現(xiàn)不同存儲(chǔ)卡之間數(shù)據(jù)信息的相互拷貝和備 份，方便可靠。還可以是兩個(gè)SIM卡座和兩個(gè)存儲(chǔ)卡座， 一個(gè)SIM對(duì)應(yīng)一個(gè)存 儲(chǔ)卡座，這樣使用時(shí)能夠很好的區(qū)分，且存儲(chǔ)卡之間的信息可以互拷。
本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)，參考圖3,多個(gè)SIM卡之間切換的結(jié)構(gòu)具體可以是 SIM卡模擬開關(guān)7的N0接口 ( NO接口為Normal Open的縮寫，稱為平常斷 開接口 )與第一SIM卡座2的GND接口(GND接口成為接地接口 )連接，SIM 卡模擬開關(guān)7的NC接口 (NC接口為Normal close的縮寫，稱為平常連接 接口 )與第二 SIM卡座3的GND接口連接，SIM卡模擬開關(guān)7通過SIM卡 控制線控制第一 SIM卡座2與基帶處理芯片之間導(dǎo)通或第二 SIM卡座3與基 帶處理芯片之間導(dǎo)通。進(jìn)一步具體描述當(dāng)需要使用第一 SIM卡座2工作時(shí)， 在手機(jī)菜單中選擇第一 SIM卡，SIM卡控制線(也可稱為GP03-SIMCARDSEL 控制線)處于高電位，SIM卡模擬開關(guān)7的NO接口與COM接口有電壓差， C0M接口接地，使得第一SIM卡座2與基帶處理芯片連接導(dǎo)通，可以使用第 一 SIM卡進(jìn)行手才幾操作，此時(shí)第二SIM卡座3與SIM卡才莫擬開關(guān)7的NC接
口連接，但是NC接口與COM接口之間沒有電壓差，使得第二SIM卡座3處 于非導(dǎo)通狀態(tài)，基帶處理芯片不能對(duì)第二SIM卡進(jìn)行操作。相應(yīng)地，當(dāng)需要 使用第二SIM卡時(shí)，在手機(jī)菜單中選擇第二 SIM卡，SIM卡控制線(也可稱 為GP03-SIMCARDSEL控制線)，處于低電位，SIM卡模擬開關(guān)7的NC接口 與COM接口有電壓差，C0M接口接地，使得第二SIM卡座3與基帶處理芯片 連接導(dǎo)通，可以使用第二 SIM卡進(jìn)行手機(jī)操作，此時(shí)第SIM卡座的GND接口 與SIM卡模擬開關(guān)7的N0接口雖然連接，但是N0接口與COM接口之間沒有 電壓差，使得第一SIM卡處于非導(dǎo)通狀態(tài)，基帶處理芯片不能對(duì)第一SIM卡 進(jìn)行操作，
本實(shí)用新型改進(jìn)的手機(jī)所述兩個(gè)SIM卡座與兩個(gè)存儲(chǔ)卡座對(duì)稱設(shè)置，可 以是上方并排設(shè)置兩個(gè)SIM卡座或存儲(chǔ)卡座，然后下方對(duì)應(yīng)設(shè)置兩個(gè)存儲(chǔ)卡 座或兩個(gè)SIM卡座，這樣比較結(jié)構(gòu)整齊，不會(huì)插錯(cuò)卡。也可以是第一SIM卡 邊上設(shè)置第一存儲(chǔ)卡，第一SIM卡下方或上方設(shè)置第二存儲(chǔ)卡，第一存儲(chǔ)卡 下方或上方設(shè)置第二SIM卡，這樣設(shè)置后，由于SIM卡與存儲(chǔ)卡大小不同，
使得結(jié)構(gòu)更加緊湊，手機(jī)整體體積更小，攜帶更方便，外觀更小巧。
上述僅對(duì)本實(shí)用新型中的幾種具體實(shí)施例加以說明，但并不能作為本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍，凡是依據(jù)本實(shí)用新型中的設(shè)計(jì)精神所作出的等效變化或 修飾，均應(yīng)認(rèn)為落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、 一種改進(jìn)的手機(jī)，包括手機(jī)殼體(1)和位于所述殼體(1)內(nèi)部的主板、鍵盤、顯示屏和電池，所述主板上設(shè)有SIM卡座、控制電珞和基帶處 理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座內(nèi)，所述SIM卡座與所述基帶處理芯片連 接，所述控制電路與所述電池和所述SIM卡座連接，其特征在于所述主板 上設(shè)置至少兩個(gè)存儲(chǔ)卡座，存儲(chǔ)卡位于所述存儲(chǔ)卡座內(nèi)，所述存儲(chǔ)卡座均可 通過存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)(6)與所述基帶處理芯片連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述主板上至少 設(shè)有兩個(gè)SIM卡座，所述各SIM卡座通過SIM卡模擬開關(guān)(7)與所述基帶 處理芯片可選擇地連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述存儲(chǔ)模 擬控制開關(guān)(6)端部的MCCMD控制線與所述基帶處理芯片連接，所述存儲(chǔ) 模擬控制開關(guān)(6)端部的MCCMD1控制線與所述第一存儲(chǔ)卡座(4)連接， 所述存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)(6 )端部的MCCMD2控制線與所述第二存儲(chǔ)卡座(5 ) 連接，所述存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)(6)通過存儲(chǔ)卡控制線控制所述MCCMD控制松Ki制線 連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述存儲(chǔ)卡控制 線處于高電位，所述MCCMD控制線與所述MCCMD1控制線連接，所述第一存 儲(chǔ)卡座(4)與所述基帶處理芯片連接導(dǎo)通。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述存儲(chǔ)卡控制 線處于低電位，所述MCCMD控制線與所述MCCMD2控制線連接，所述第二存 儲(chǔ)卡座(5)與所述基帶處理芯片連接導(dǎo)通。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述基帶處理芯 片與手機(jī)內(nèi)存連接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求2所迷的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所迷SIM卡模擬 開關(guān)(7)的NO接口與所述第一 SIM卡座(2)的GND接口連接，所述SIM 卡模擬開關(guān)(7)的NC接口與所述第二 SIM卡座(3)的GND接口連接，所 述SIM卡模擬開關(guān)(7)通過SIM卡控制線控制所述第一 SIM卡座(2)與所 述基帶處理芯片之間導(dǎo)通或所述第二卡座U)與所述基帶處理芯片之間導(dǎo) 通。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述SIM卡控制 線處于高電位，所述SIM卡模擬開關(guān)(7)的N0接口與所述第一SIM卡座(2) 的GND接口連接，所述第一SIM卡座(2)與所述基帶處理芯片之間導(dǎo)通。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述SIM卡控制 線處于低電位，所述SIM卡模擬開關(guān)(7 )的NC接口與所述第二 SIM卡座(3 ) 的GND接口連接，所述第二SIM卡(3)與所述基帶處理芯片之間導(dǎo)通。
10、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的改進(jìn)的手機(jī)，其特征在于所述兩個(gè)SIM 卡座與所述兩個(gè)存儲(chǔ)卡座對(duì)稱設(shè)置。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種改進(jìn)的手機(jī)，它包括手機(jī)殼體和位于所述殼體內(nèi)部的主板、鍵盤、顯示屏和電池，所述主板上設(shè)有SIM卡座、控制電路和基帶處理芯片，SIM卡位于所述SIM卡座內(nèi)，所述SIM卡座與所述基帶處理芯片連接，所述控制電路與所述電池和所述SIM卡座連接，其特征在于所述主板上設(shè)置至少兩個(gè)存儲(chǔ)卡座，存儲(chǔ)卡位于所述存儲(chǔ)卡座內(nèi)，所述存儲(chǔ)卡座均可通過存儲(chǔ)模擬控制開關(guān)與所述基帶處理芯片連接。本實(shí)用新型的改進(jìn)的手機(jī)結(jié)構(gòu)簡單，成本低，存儲(chǔ)量大，各存儲(chǔ)卡之間可以進(jìn)行自由拷貝，可以自由調(diào)用各存儲(chǔ)卡中信息。
文檔編號(hào)H04B1/40GK201039146SQ20072015412
公開日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月18日
發(fā)明者包旻斐, 吳春峰, 尹 周, 李春光, 杜小鵬, 楊廣明, 王曉平, 峰 閆 申請(qǐng)人:深圳市聯(lián)合同創(chuàng)科技有限公司