專利名稱：具有校正功能的電子裝置及用以校正電子裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于直接降頻接收器的校正，尤指一種具有校正功能的電子裝 置及用以校正一電子裝置的方法。
背景技術(shù)：
超外差接收器(superheterodyne receiver)的基本原理是通過混和一射頻信 號與一第一可調(diào)本地振蕩信號，來將射頻信號的頻帶轉(zhuǎn)換到一中頻(intermediate frequency, IF)，接著再混和中頻信號與一第二本地振蕩信號來把 中頻信號轉(zhuǎn)換到一基頻(baseband frequency)。而直接降頻接收器(direct conversion receiver, DCR)則不先將射頻信號轉(zhuǎn)換到中頻信號，而是直接將射頻 信號一步就轉(zhuǎn)換到基頻信號。在直接降頻接收器中，本地振蕩信號的頻率被 設(shè)定跟將要轉(zhuǎn)換的射頻信號相同，這意味著中頻的頻率為O或?yàn)橐恢绷?direct current, DC)，因此相較于其他接收器，直接降頻接收器的內(nèi)部電路元件較少， 并具有輕量化與低成本的附加優(yōu)點(diǎn)。但是于對射頻信號進(jìn)行降頻處理時，直接降頻接收器具有眾所周知的直 流偏移的問題。由于在信號處理過程中，射頻信號至少會經(jīng)過一個增益級， 所以起初可能不大的直流偏移會因此被放大，而被放大的直流偏移會引起信 號飽和而可能導(dǎo)致接收器的靈敏度降低，然而在最糟的情況下，則會導(dǎo)致接 收器無法正常運(yùn)作。若本地振蕩信號泄漏到前端射頻輸入也會產(chǎn)生直流偏移， 這會影響接收器的線性度，若前端接收器的線性度愈差，則本地振蕩信號被 干擾的程度會愈嚴(yán)重。如果直接降頻接收器有被校正過，所接收到的射頻信號的直流偏移量就 可以準(zhǔn)確地被測量與儲存，并用來在將來的運(yùn)作中補(bǔ)償該直流偏移，某些接收器采用外部校正的方式來達(dá)到此目的，但采用外部校正需要額外的外部電 路，若應(yīng)用于直接降頻接收器將使得直接降頻接收器失去了原本電路簡單的 優(yōu)點(diǎn)。為了解決此問題，現(xiàn)有技術(shù)的直接降頻接收器使用內(nèi)部校正的方式， 借以產(chǎn)生一內(nèi)部校正信號以調(diào)整所接收的信號的直流偏移。請參閱圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)使用內(nèi)部校正機(jī)制的直接降頻接收器10的 示意圖。請注意，此示意圖已經(jīng)過簡化并只顯示必要的元件。直接降頻接收器10包含一前端輸入級20， 一內(nèi)部信號產(chǎn)生器30，及一幵關(guān)單元40。前端 輸入級20包含有一用來接收一射頻信號的天線22， 一用來對所接收的射頻信 號進(jìn)行濾波的濾波器24，以及一用來放大經(jīng)過濾波后的射頻信號的低噪聲放 大器(low noise amplifier, LNA)26。內(nèi)部信號產(chǎn)生器30，用來產(chǎn)生一校正信號。 開關(guān)單元40，選擇性地耦接于內(nèi)部信號產(chǎn)生器30與前端輸入級20之間，用 來在開關(guān)單元40處于導(dǎo)通狀態(tài)時，使校正信號饋入一處理單元52的輸入節(jié) 點(diǎn)，處理單元52包含于一內(nèi)部電路50;以及在直接降頻接收器10處于正常 工作模式下時，開關(guān)單元40處于關(guān)閉狀態(tài)以斷開內(nèi)部信號產(chǎn)生器30與前端 輸入級20之間的連接。當(dāng)直接降頻接收器10處于校正模式下時，開關(guān)單元 40會被導(dǎo)通，此時校正信號就可被傳送至處理單元52，而通過后續(xù)的信號處 理便可正確地計算出直流偏移量。當(dāng)開關(guān)單元40被關(guān)閉而非導(dǎo)通時，雖然開 關(guān)單元40不在運(yùn)作中，但仍然直接耦接于前端輸入級20，這會使得直接降頻 接收器10出現(xiàn)一些寄生電阻和寄生電容，其中寄生電阻會引進(jìn)熱噪聲(thermal noise)至電路中，大大地影響了電路的噪聲效能(noise performance)并改變了 接收器的特性，而寄生電容則會影響前端電路的輸入匹配條件，因此降低了 現(xiàn)有技術(shù)直接降頻接收器10的效能。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種具有校正功能的電子裝置及用以 校正一電子裝置的方法，其是利用靜電放電保護(hù)電路來消除額外的寄生電阻
和寄生電容，以解決上述問題。本發(fā)明所提供一種具有校正功能的電子裝置，該裝置包含有 一處理電 路，用以處理于一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的一輸入信號；至少一靜電放電保護(hù)單元， 耦接于所述的輸入節(jié)點(diǎn)與一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間，用以消除所述的輸入節(jié)點(diǎn)的 靜電放電脈沖；以及一開關(guān)單元，耦接于所述的靜電放電保護(hù)單元且不直接連接于所述的處理電路的所述的輸入節(jié)點(diǎn)，用以接收一校正信號，并依據(jù)一 控制信號來選擇性地通過所述的靜電放電保護(hù)單元傳送所述的校正信號，用以作為所述的處理電路的所述的輸入信號。本發(fā)明的第一實(shí)施例包含 一前端輸入級，用來接收并放大在一輸入節(jié)點(diǎn)的射頻信號； 一靜電放電保護(hù)電路,用來保護(hù)所述的直接降頻接收器免于因靜電放電脈沖而造成損壞，其中所述的靜電放電保護(hù)電路包含有多個二極管，串接于兩個電壓供應(yīng)軌之間； 一內(nèi) 部信號產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一校正信號； 一處理電路，用來處理所述的射頻信 號，并計算所述的射頻信號的直流偏移量；以及一開關(guān)單元，包含有一金屬 氧化半導(dǎo)體晶體管，耦接于所述的內(nèi)部信號產(chǎn)生器和所述的靜電放電保護(hù)電 路，用來根據(jù)連接于所述的開關(guān)單元的控制信號，選擇性地傳送所述的校正 信號到所述的前端輸入級，如此一來，所述的開關(guān)單元就不會直接連接于所 述的直接降頻接收器的前端輸入級。本發(fā)明所揭露的第二實(shí)施例包含 一前端輸入級，用來接收并放大在一 輸入節(jié)點(diǎn)的一射頻信號； 一靜電放電保護(hù)電路，用來保護(hù)所述的直接降頻接 收器免于因靜電放電脈沖而造成損壞，其中所述的靜電放電保護(hù)電路包含至 少一二極管和串接于兩電壓供應(yīng)軌間的一開關(guān)單元，所述的開關(guān)單元是一金 屬氧化半導(dǎo)體晶體管，其是依據(jù)輸入至所述的開關(guān)單元的一控制信號而于所 述的直接降頻接收器在校正模式下時傳送一校正信號到所述的前端輸入級以 及于所述的直接降頻接收器在正常模式下時保護(hù)所述的直接降頻接收器免于 因靜電放電脈沖而造成損壞； 一處理電路，用來處理從所述的前端輸入級輸 入的射頻信號并計算出所述的射頻信號的直流偏移量； 一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，連接于所述的開關(guān)單元，用來產(chǎn)生一校正信號。當(dāng)所述的直接降頻接收器運(yùn) 作在正常模式下，所述的開關(guān)單元的作用類似一個二極管，所以所述的開關(guān) 單元和所述的前端輸入級的連接就不會引進(jìn)寄生電阻和寄生電容到電路中。本發(fā)明也揭露了一種利用內(nèi)部校正信號來校正直接降頻接收器的方法。 該方法包含有通過內(nèi)部信號產(chǎn)生器來產(chǎn)生一內(nèi)部校正信號；通過耦接于一 控制信號的開關(guān)單元來選擇性地通過一靜電放電保護(hù)電路傳送所述的校正信號到一前端輸入級；處理接收到的信號并計算其直流偏移后將其儲存，其中當(dāng)所述的接收器運(yùn)作在正常模式下時，可利用之前儲存的數(shù)值來補(bǔ)償直流偏 移。裝置的連接方式使得信號在輸入至前端輸入級之前，會先經(jīng)過靜電放電 保護(hù)電路。如此一來，當(dāng)開關(guān)沒有在運(yùn)作時(直接降頻接收器未運(yùn)作在校正 模式下時)，可確保不會因?yàn)殚_關(guān)的存在，而引進(jìn)寄生電阻和寄生電容到直 接降頻接收器中。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于開關(guān)單元不會影響在正常模式下運(yùn)作的接收器的效 能，而另一優(yōu)點(diǎn)則是不需要復(fù)雜的電路，就可以經(jīng)過開關(guān)單元與靜電放電保 護(hù)電路的連接來由內(nèi)部產(chǎn)生校正信號。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)使用內(nèi)部校正機(jī)制的直接降頻接收器的示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一直接降頻接收器的示意圖。 圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一直接降頻接收器的示意圖。 圖4為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的一直接降頻接收器的示意圖。附圖標(biāo)號10、 100、 200、 300 直接降頻接收器 20、 120 前端輸入級 22 天線 24 濾波器 26 低噪聲放大器30 內(nèi)部信號產(chǎn)生器40、 170、 250、 350 開關(guān)單元50 內(nèi)部電路52 處理單元130a、 130b、 230a、 230b、 330a、 330b 靜電放電保護(hù)單元132、 134、 136、 240、 260、 340、 360 二極管190 控制信號產(chǎn)生器具體實(shí)施方式
請參閱圖2，圖2為本發(fā)明提供一種具有校正功能的電子裝置的第一實(shí)施 例， 一直接降頻接收器100的示意圖。直接降頻接收器100包含有一前端輸 入級120，多個靜電放電保護(hù)單元130a、 130b， 一內(nèi)部電路50， 一內(nèi)部信號 產(chǎn)生器30， 一控制信號產(chǎn)生器190，以及一開關(guān)單元170。前端輸入級120用 來接收從一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的射頻信號。多個靜電放電保護(hù)單元130a、 130b 包含有三個二極管132、 134、 136，串聯(lián)于Vee和接地端的兩個電壓供應(yīng)軌 (voltage supply rail)之間。內(nèi)部電路50包含一處理單元52。前端輸入級120 和前述現(xiàn)有技術(shù)中的前端輸入級20具有相同的功能。而位于前端輸入級120 的輸入端的靜電放電保護(hù)單元130a、 130b則構(gòu)成了直接降頻接收器100的靜 電放電保護(hù)電路，用來排除可能會對前端輸入級120跟內(nèi)部電路造成傷害的 靜電放電脈沖。開關(guān)單元170連接于控制信號產(chǎn)生器190與內(nèi)部信號產(chǎn)生器 30，而內(nèi)部電路50則耦接于前端輸入級120。處理單元52用以處理由前端輸 入級120傳送來的信號，例如，處理單元52在校正模式下能夠根據(jù)內(nèi)部信號 產(chǎn)生器30所接收的校正信號來估計直流偏移，而在正常模式下則可以處理由 前端輸入級120所接收的射頻信號。靜電放電保護(hù)單元130b是由一 n型摻雜/p型井(n+/p-well) 二極管132 與一 p型摻雜/n型井(p+/n-wdl) 二極管134所組成，兩者串接于接地端與 前端輸入級120之間，而靜電放電保護(hù)單元130a有一p型摻雜/n型井二極管 136，連接于前端輸入級120與一正電壓供應(yīng)軌Vee之間。請注意，靜電放電 保護(hù)單元130a、 130b可能使用三個以上的二極管來構(gòu)成，此實(shí)施例中的二極 管數(shù)目僅作為說明之用而非本發(fā)明的限制。開關(guān)單元170是一N型金屬氧化 半導(dǎo)體晶體管，含有一柵極，耦接于控制信號產(chǎn)生器190; —漏極，耦接于內(nèi) 部信號產(chǎn)生器30; —源極，耦接于p型摻雜/n型井二極管134的p型摻雜區(qū) 域；以及一本體(body)，耦接于接地端。靜電放電保護(hù)單元130a、 130b是被 設(shè)計來保護(hù)直接降頻接收器100，其是利用串接于兩電壓供應(yīng)軌的二極管132、 134、 136以使直接降頻接收器100不受靜電放電的影響，此時，從輸入端而 來的正靜電放電脈沖會通過二極管136被釋放到正電壓供應(yīng)軌，而從輸入端 而來的負(fù)靜電放電脈沖則會通過二極管132、 134被釋放到接地端?？刂菩盘?產(chǎn)生器190用來控制開關(guān)單元170以使選擇性地通過開關(guān)單元170與p型摻 雜/n型井二極管134來傳送校正信號到前端輸入級120，而當(dāng)控制信號產(chǎn)生器 190產(chǎn)生的具有高邏輯準(zhǔn)位的控制信號輸入至柵極時，開關(guān)單元170就可以容 許校正信號由漏極傳送到源極，然而，當(dāng)控制信號具有一低邏輯準(zhǔn)位或者控 制信號產(chǎn)生器190沒有產(chǎn)生控制信號時，柵極就沒有足夠的電壓使開關(guān)單元 (N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管)170感應(yīng)出導(dǎo)電通道，因此，任何由內(nèi)部信號 產(chǎn)生器30輸出的信號都會被阻止而無法從漏極傳送到源極，也就是說，校正 信號無法傳送到前端輸入級120，因此在正常模式下，也就是沒有在傳送校正 信號時，開關(guān)單元170不會運(yùn)作。在現(xiàn)有技術(shù)中，正常模式下的開關(guān)會在直 接降頻接收器內(nèi)引起寄生電阻與寄生電容，影響接收器的效能與匹配條件， 然而，在本發(fā)明中，開關(guān)單元170通過靜電放電保護(hù)單元130b而與前端輸入 級120連接，在用來進(jìn)行靜電放電的靜電放電保護(hù)單元130a、 130b中的二極 管的寄生電阻與寄生電容為固有的寄生電阻與寄生電容，而開關(guān)單元170不 會在輸入端造成額外的寄生電阻與寄生電容。
請參閱圖3。圖3為本發(fā)明提供一種具有校正功能的電子裝置的第二實(shí)施 例， 一直接降頻接收器200的示意圖。直接降頻接收器200包含有一前端輸 入級120，用來接收從一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的射頻信號；多個靜電放電保護(hù)單元 230a、 230b，其包含有兩個二極管240、 260與一開關(guān)單元250，并串接于Vcc 和接地端的兩電壓供應(yīng)軌之間； 一內(nèi)部電路50，包含一處理單元52，用來處 理輸入的信號； 一控制信號產(chǎn)生器190;以及一內(nèi)部信號產(chǎn)生器30，其中內(nèi) 部電路50耦接于前端輸入級120。直接降頻接收器100與直接降頻接收器200主要不同之處在于靜電放電 保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)，在此實(shí)施例中，靜電放電保護(hù)單元230b包含n型摻雜 /p型井二極管240與開關(guān)單元250，兩者串接于接地端和輸入節(jié)點(diǎn)之間，而靜 電放電保護(hù)單元230a則包含p型摻雜/n型井二極管260，連接于前端輸入級 120與一正電壓供應(yīng)軌Vee之間。請注意，靜電放電保護(hù)單元230a、 230b可能 使用兩個以上的二極管來加以實(shí)作，此實(shí)施例中的二極管數(shù)目僅作為說明之 用而非本發(fā)明的限制。開關(guān)單元250是一N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，其包 含有 一柵極耦接于控制信號產(chǎn)生器l卯，用來接收控制信號產(chǎn)生器190所產(chǎn) 生的一控制信號； 一源極，耦接于校正信號； 一漏極，耦接于前端輸入級120; 以及一本體，耦接于源極。因此，在此一實(shí)施例中，開關(guān)單元250是靜電放 電保護(hù)單元230b的一部份。當(dāng)直接降頻接收器200處在校正模式下時，控制 信號產(chǎn)生器190將會傳送具有高邏輯準(zhǔn)位的控制信號到開關(guān)單元(N型金屬 氧化半導(dǎo)體晶體管)250的柵極，以便在漏極與源極間感應(yīng)出一導(dǎo)電通道來允 許傳送校正信號。當(dāng)直接降頻接收器200不處在校正模式下時，因?yàn)闁艠O處 于低邏輯準(zhǔn)位，所以開關(guān)單元250的作用就像是一個單純的二極管，在本實(shí) 施例中的N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管具有一橫向p型防護(hù)圈/n型摻雜漏極 (lateral p-guard-ring/n+drain)，而當(dāng)開關(guān)單元(N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管) 250的柵極處于低邏輯準(zhǔn)位時，將無法傳送校正信號。開關(guān)單元250在校正模 式下是作為一個開關(guān)，而在正常模式下是作為一個二極管，因此在正常模式
下的開關(guān)單元250不會對直接降頻接收器200產(chǎn)生額外的寄生電阻或電容。請參閱圖4，圖4為本發(fā)明提供一種具有校正功能的電子裝置的第三實(shí)施 例， 一直接降頻接收器300的示意圖。直接降頻接收器300包含有一前端輸 入級120，用來接收從一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的射頻信號；多個靜電放電保護(hù)單元 330a、 330b，其包含有兩個二極管340、 360與一開關(guān)單元350，串接于Vec 和接地端的兩電壓供應(yīng)軌之間； 一內(nèi)部電路50，其包含一處理單元52，用來 處理輸入的信號； 一控制信號產(chǎn)生器190;以及一內(nèi)部信號產(chǎn)生器30，其中 內(nèi)部電路50耦接于前端輸入級120。在此一實(shí)施例中，靜電放電保護(hù)單元330a包含二極管360與開關(guān)單元 350，串接于一正電壓供應(yīng)軌Vee與前端輸入級120之間，而靜電放電保護(hù)單 元330b則包含n型摻雜/p型井二極管340，連接于前端輸入級120與接地端 之間。請注意，靜電放電保護(hù)單元330a、 330b可以使用兩個以上的二極管來 加以實(shí)現(xiàn)，此實(shí)施例中的二極管數(shù)目僅作為說明之用而非本發(fā)明的限制。開 關(guān)單元350是一P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，包含有一柵極，耦接于控制信 號產(chǎn)生器190，用來接收一控制信號； 一源極，耦接于控制信號； 一漏極，耦 接于前端輸入級120;以及一本體，耦接于源極，因此，在此一實(shí)施例中，開 關(guān)單元350是靜電放電保護(hù)單元330a的一部份。此實(shí)施例的運(yùn)作方式與前一 實(shí)施例相同，除了前一實(shí)施例中的N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管在此實(shí)施例中 被連接于前端輸入級與Vee間的P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管取代之外。利用輸 入具有低邏輯準(zhǔn)位的的控制信號到P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的柵極，可選 擇性地傳送校正信號到前端輸入級120，而當(dāng)直接降頻接收器300不處在校正 模式下時，因?yàn)闁艠O處于高邏輯準(zhǔn)位，所以開關(guān)單元350的作用就像是一個 單純的二極管，如同先前的實(shí)施例中所敘述，開關(guān)單元350在校正模式下是 作為一個開關(guān)，而在正常模式下是作為一個二極管，因此在正常模式下的開 關(guān)單元350不會造成直接降頻接收器300產(chǎn)生額外的寄生電阻或電容。請注意，有許多方法可以產(chǎn)生校正信號。第一種方法是先將一壓控石英
振蕩器(voltage control crystal oscillator, VCXO)的輸出Fycxo進(jìn)行4倍除頻， 再將一壓控振蕩器(voltage control oscillator, VCO)的輸出Fvco與Fvcxo/4進(jìn) 行升頻轉(zhuǎn)換來產(chǎn)生出校正信號Fvco+Fvcxo/4;第二種方法是將一環(huán)型振蕩器 (ring oscillator)的輸出F^與Fvco進(jìn)行升頻轉(zhuǎn)換以產(chǎn)生出校正信號Fvco+ Fring;第三種方法是將一濾波校正振蕩器(filter calibration oscillator)的輸出Fd與Fvco進(jìn)行升頻轉(zhuǎn)換以產(chǎn)生出校正信號Fvco+F^;第四種方法則僅將壓控石英振蕩器的輸出直接作為校正信號。由于這些方法均為所屬技術(shù)領(lǐng)域中 具有通常知識者所熟知，為了簡潔起見，在此便不多做詳細(xì)說明。開關(guān)單元與靜電放電保護(hù)電路的連接消除了現(xiàn)有技術(shù)中開關(guān)單元直接與前端輸入級連接所造成的缺點(diǎn)，進(jìn)而提升了直接降頻接收器的效能。在本發(fā) 明的第一實(shí)施例中，不會由于開關(guān)單元的存在而使得輸入節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生額外的寄 生電容；在本發(fā)明的第二及第三實(shí)施例中，校正模式下的開關(guān)單元作為一開 關(guān)，而在正常模式下的開關(guān)單元則作為一二極管，因此不會影響前端^f入級 的噪聲效能(noise performance)與匹配條件。當(dāng)開關(guān)單元被啟動而導(dǎo)通時， 也就是接收器在校正模式下時，校正信號可以被傳送到接收器的前端輸入級； 而當(dāng)開關(guān)單元被關(guān)閉而非導(dǎo)通時，也就是接收器處在正常模式下時，開關(guān)單 元與靜電放電保護(hù)單元的連接可讓接收器像是運(yùn)作在沒有開關(guān)存在的情況 下。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的均 等變化與修飾，都應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1. 一種具有校正功能的電子裝置，該裝置包含有-一處理電路，用以處理在于一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的一輸入信號； 至少一靜電放電保護(hù)單元，耦接于所述的輸入節(jié)點(diǎn)與一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間，用以消除所述的輸入節(jié)點(diǎn)的靜電放電脈沖；以及一開關(guān)單元，耦接于所述的靜電放電保護(hù)單元且不直接連接于所述的處 理電路的所述的輸入節(jié)點(diǎn)，用以接收一校正信號，并依據(jù)一控制信號來選擇 性地通過所述的靜電放電保護(hù)單元傳送所述的校正信號，用以作為所述的處 理電路的所述的輸入信號。
2. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于，所述的輸入信號為一射 頻信號。
3. 如權(quán)利要求2所述的電子裝置，其特征在于，該裝置為一直接降頻接 收器，用以直接將所述的射頻信號降頻轉(zhuǎn)換為一基頻信號。
4. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于，所述的處理電路包含有: 一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，耦接于所述的開關(guān)單元，用以產(chǎn)生所述的校正信號。
5. 如權(quán)利要求l所述的電子裝置，其特征在于，所述的靜電放電保護(hù)單 元包含有多個串接的二極管，且所述的開關(guān)單元直接連接于所述的多個串接 的二極管中一二極管的一 p型摻雜區(qū)域。
6. 如權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，所述的開關(guān)單元為一N 型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，所述的N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管具有一柵極用 以接收所述的控制信號， 一第一端連接于所述的二極管的所述的p型摻雜區(qū) 域，以及一第二端用以接收所述的校正信號。
7. —種具有校正功能的電子裝置，該裝置包含有-一處理電路，用以處理于一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的一輸入信號； 至少一靜電放電保護(hù)單元，耦接于所述的輸入節(jié)點(diǎn)與一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間，用以消除所述的輸入節(jié)點(diǎn)的靜電放電脈沖，所述的靜電放電保護(hù)單元包 含有一金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該金屬氧化半導(dǎo)體晶體管包含有-一柵極，耦接于一控制信號； 一第一端，耦接于所述的輸入節(jié)點(diǎn)； 一本體；以及一第二端，耦接于所述的本體；以及至少一二極管，串接于所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管；其中所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管接收由所述的第二端輸入的一校正信號，并依據(jù)所述的控制信號選擇性地傳送所述的校正信號以作為所述的處理電路的所述的輸入信號。
8. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述的輸入信號為一射 頻信號。
9. 如權(quán)利要求8所述的電子裝置，其特征在于，所述的裝置為一直接降 頻接收器，用以直接將所述的射頻信號降頻轉(zhuǎn)換為一基頻信號。
10. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述的處理電路包含有: 一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，耦接于所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的所述的第二端，用以產(chǎn)生所述的校正信號。
11. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述的金屬氧化半導(dǎo)體 晶體管為一P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，所述的第一端為一漏極，以及所述的第二端為一源極。
12. 如權(quán)利要求7所述的電子裝置，其特征在于，所述的金屬氧化半導(dǎo)體 晶體管為一N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，所述的第一端為一漏極，以及所述 的第二端為一源極。
13. —種用以校正一電子裝置的方法，該方法包含有-提供一處理電路，并利用所述的處理電路處理于一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的一輸入信號；耦接至少一靜電放電保護(hù)單元于所述的輸入節(jié)點(diǎn)與一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之間，并利用所述的靜電放電保護(hù)電路消除所述的輸入節(jié)點(diǎn)的靜電放電脈沖； 耦接一開關(guān)單元于所述的靜電放電保護(hù)單元；在一校正模式下，開啟所述的開關(guān)單元以通過所述的靜電放電保護(hù)單元 傳送一校正信號來作為所述的處理電路的所述的輸入信號；以及 在一正常模式下，根據(jù)所述的控制信號來關(guān)閉所述的開關(guān)單元。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述的輸入信號為一射頻 信號。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述的電子裝置為一直接 降頻接收器，用來直接將所述的射頻信號降頻轉(zhuǎn)換為一基頻信號。
16. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，提供所述的處理電路的步 驟進(jìn)一步包含有提供所述的處理電路一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，并利用所述的內(nèi)部信號產(chǎn)生器 產(chǎn)生所述的校正信號。
17. 如權(quán)利要求13所述的方法，該方法進(jìn)一步包含有 提供所述的靜電放電保護(hù)單元多個串接的二極管；以及 直接連接所述的開關(guān)單元于所述的多個串接的二極管中一二極管的一P型摻雜區(qū)域。
18. —種用以校正一電子裝置的方法，該方法包含有 提供一處理電路，并利用所述的處理電路處理于一輸入節(jié)點(diǎn)所接收的一輸入信號；耦接至少一靜電放電保護(hù)單元于所述的輸入節(jié)點(diǎn)與一電壓供應(yīng)節(jié)點(diǎn)之 間，用以消除所述的輸入節(jié)點(diǎn)的靜電放電脈沖，所述的靜電放電保護(hù)單元包含有一金屬氧化半導(dǎo)體晶體管，該金屬氧化半導(dǎo)晶體管包含有 一柵極，耦接于一控制信號； 一第一端，耦接于所述的輸入節(jié)點(diǎn)； 一本體；以及一第二端，耦接于所述的本體；以及至少一二極管，串接于所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管；在一校正模式下，根據(jù)所述的控制信號來導(dǎo)通所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管以傳送由所述的第二端輸入的一校正信號來作為所述的處理電路的所述的輸入信號；以及在一正常模式下，根據(jù)所述的控制信號來關(guān)閉所述的金屬氧化半導(dǎo)體晶體管。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述的輸入信號為一射頻 信號。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述的電子裝置為一直接 降頻接收器，用以直接將所述的射頻信號降頻轉(zhuǎn)換為一基頻信號。
21. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，提供所述的處理電路的步 驟另包含有提供所述的處理電路一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，并使用所述的內(nèi)部信號產(chǎn)生器 產(chǎn)生所述的校正信號。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種具有校正功能的電子裝置及用以校正一電子裝置的方法。該裝置包含有一內(nèi)部信號產(chǎn)生器，用來產(chǎn)生一校正信號；一前端輸入級，用來接收一輸入節(jié)點(diǎn)的射頻信號；一靜電放電保護(hù)單元，用來防護(hù)靜電放電；一開關(guān)單元，耦接于靜電放電保護(hù)單元，用來選擇性地傳送一校正信號到前端輸入級，其中由于開關(guān)單元與靜電放電保護(hù)單元的連接，可使在正常模式下的直接降頻接收器的噪聲效能與匹配條件不受開關(guān)單元的影響。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于開關(guān)單元不會影響在正常模式下運(yùn)作的接收器的效能，而另一優(yōu)點(diǎn)則是不需要復(fù)雜的電路，就可以經(jīng)過開關(guān)單元與靜電放電保護(hù)電路的連接來由內(nèi)部產(chǎn)生校正信號。
文檔編號H04B1/26GK101145792SQ200710104679
公開日2008年3月19日 申請日期2007年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月11日
發(fā)明者王守琮, 郭秉捷 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司