專利名稱：檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法及裝置，尤其涉及一種檢測(cè)CMOS 圖像傳感器的方法及裝置。
背景技術(shù)：
目前電荷耦合器件(charge coupled device, CCD)是主要的實(shí)用化固態(tài)圖 像傳感器件，具有讀取噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、響應(yīng)靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，但是CCD 同時(shí)具有難以與主流的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary - Metal -Oxide - Semiconductor, CMOS )技術(shù)相兼容的缺點(diǎn)，即以CCD為基礎(chǔ)的圖像 傳感器難以實(shí)現(xiàn)單芯片一體化。而CMOS圖^^傳感器(CMOS Image sensor, CIS)由于采用了相同的CMOS技術(shù)，可以將像素陣列與外圍電路集成在同一 芯片上，與CCD相比，CIS具有體積小、重量輕、功耗低、編程方便、易于控 制以及平均成本低的優(yōu)點(diǎn)。
通常，CMOS圖像傳感器包括像素單元電路陣列，其中像素單元電路通常 包括三個(gè)晶體管和一個(gè)用于吸收入射光并轉(zhuǎn)換為光電流的光電二極管。如圖l 所示，包括光電二極管PD、第一晶體管T1、第二晶體管T2和第三晶體管T3， 光電二極管正極接地，負(fù)極與第一晶體管T1的源極相連；第一晶體管Tl的柵 極與復(fù)位控制電路相連(Reset)、漏極與第二晶體管T2的漏相連且與外圍電 源電路相連以提供Vdd電壓；第二晶體管T2的柵極與光電二極管的負(fù)極相連、 源極與第三晶體管T3的源極相連；第三晶體管T3的柵極與行選電路(Row select)相連、漏極與輸出電路(Output)相連。第一晶體管T1 (復(fù)位晶體管) 用于將光電二極管結(jié)點(diǎn)電壓重置；第二晶體管T2 (源跟隨晶體管)用于接收
和放大光電二極管結(jié)點(diǎn)的電勢(shì)變化；第三晶體管T3 (輸出晶體管)用于選擇 讀出4亍。
在例如申請(qǐng)?zhí)枮?00510132948.3的中國專利申請(qǐng)中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于 CMOS圖像傳感器的信息，所述CMOS圖像傳感器包括能夠執(zhí)行光感測(cè)和有源 放大的光電晶體管。所述光電晶體管被安裝以在維持現(xiàn)有像素操作的同時(shí)改 進(jìn)低照明特性。所述CMOS圖像傳感器還包括重置晶體管，其連接到所述光 電晶體管并且適于執(zhí)行重置功能；驅(qū)動(dòng)晶體管，用于響應(yīng)于來自光電晶體管 的輸出信號(hào)來充當(dāng)源跟隨器緩沖放大器；以及開關(guān)晶體管，其連接到所述驅(qū) 動(dòng)晶體管并且適于執(zhí)行尋址功能。
現(xiàn)今，對(duì)于CMOS圖像傳感器的檢測(cè)多是工程師手工檢測(cè)。為了進(jìn)行檢測(cè)， 工程師需要手動(dòng)連接各測(cè)試設(shè)備，例如半導(dǎo)體參數(shù)分析儀(Semiconductor Parameter Analyzer)、脈沖發(fā)生器(Pulse Generator)和示波器(Oscilloscope), 并 且在各測(cè)試設(shè)備的界面上預(yù)先設(shè)置測(cè)試參數(shù)。在進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，工程師每次只 能檢測(cè)一片晶圓，手動(dòng)操縱各個(gè)探針接觸到晶圓上的測(cè)試引腳，然后分別操 縱脈沖發(fā)生器和示波器給出測(cè)試信號(hào)，通過手動(dòng)調(diào)試示波器界面，使輸出信 號(hào)波形在屏幕中顯示出來，再逐個(gè)察看各關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)的數(shù)值，并記錄下來。 而一旦測(cè)試條件改變了 ，工程師就需要重新進(jìn)行各測(cè)試設(shè)備的參數(shù)預(yù)設(shè)置。 并且由于探針的數(shù)量限制，工程師每次最多操縱六個(gè)探針接觸到晶圓上的測(cè) 試引腳。另外，手動(dòng)測(cè)試時(shí)，工程師手動(dòng)調(diào)試示波器面板來抓取測(cè)試數(shù)據(jù)時(shí)， 往往會(huì)因?yàn)樾枰瑫r(shí)調(diào)試多個(gè)面板上的控制鍵來獲得測(cè)試數(shù)據(jù)的完整波形而
需要連續(xù)多個(gè)輸入脈沖，并且正因?yàn)樾枰瑫r(shí)調(diào)試多個(gè)控制鍵的原因而導(dǎo)致 抓取測(cè)試數(shù)據(jù)波形的精度不高， 一般各關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)的精度在l毫秒，數(shù)值的精 度在1毫伏。因此，手動(dòng)檢測(cè)存在著檢測(cè)數(shù)量少、檢測(cè)過程不方便并且精度不 高的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是現(xiàn)今手動(dòng)檢測(cè)CMOS圖像傳感器檢測(cè)數(shù)量少、檢測(cè)過程不方便以及精度不高的缺點(diǎn)。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，包括，
預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟；
根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測(cè)半導(dǎo)體器件，并 根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器件的端口
對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳；
執(zhí)行預(yù)設(shè)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試； 輸出待測(cè)半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)果。
相應(yīng)地，本發(fā)明還提供了一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，包括檢測(cè)配置模 塊和檢測(cè)執(zhí)行模塊，其中檢測(cè)配置模塊用以預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信 息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟并將預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息 參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟傳輸給檢測(cè)執(zhí)行模塊，而檢測(cè)執(zhí)行模塊用 以根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測(cè)半導(dǎo)體器件，并根 據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器件的端口對(duì) 應(yīng)的測(cè)試引腳，并根據(jù)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試，并輸出測(cè)試 結(jié)果。
所述待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測(cè)試單元面積、測(cè)試單元中 測(cè)試組的名稱及測(cè)試組位于測(cè)試單元的位置。
所述測(cè)試信息參數(shù)包括待測(cè)測(cè)試組的名稱、測(cè)試引腳與半導(dǎo)體器件端口 的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及各個(gè)測(cè)試組中的半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)。
所述測(cè)試步驟依次包括調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè) 試初始化以及調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述方案檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法具有以下優(yōu)點(diǎn)
1. 上述方案通過預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、預(yù)設(shè)測(cè)試信息 參數(shù)以及預(yù)設(shè)測(cè)試步驟，再自動(dòng)執(zhí)行預(yù)設(shè)測(cè)試步驟，并調(diào)用預(yù)設(shè)待測(cè) 半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)以及測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn) 行檢測(cè)，因此很適合在大批量的測(cè)試中隨時(shí)更改所設(shè)置的參數(shù)已獲得 不同測(cè)試條件下的測(cè)試結(jié)果，因此檢測(cè)數(shù)量多，檢測(cè)過程方便。
2. 上述方案通過預(yù)設(shè)測(cè)試步驟能夠自動(dòng)輸出對(duì)于半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)
果，而無需如手動(dòng)檢測(cè)時(shí)通過示波器的控制面板抓取測(cè)試數(shù)據(jù)，因此 精確度提高。


圖1是現(xiàn)有3管CMOS圖像傳感器像素單元電路結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例4管CMOS圖像傳感器像素單元電路結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法流程圖； 圖4是本發(fā)明實(shí)施例示波器本身的初始化設(shè)定對(duì)應(yīng)程序； 圖5是本發(fā)明實(shí)施例示波器的顯示設(shè)置的設(shè)定對(duì)應(yīng)程序； 圖6是本發(fā)明實(shí)施例通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生TX端口的輸入脈沖對(duì)應(yīng)程序； 圖7是本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置圖。
具體實(shí)施例方式
數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟，再自動(dòng)預(yù)設(shè)執(zhí)行測(cè)試步驟對(duì)于半導(dǎo)體器件 進(jìn)行4企測(cè)。
參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法包括下列步驟， 步驟Sl,預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè) 試步驟；
步驟s2,根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)挑選待測(cè)半導(dǎo)體
器件，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器
件的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳；
步驟s3,執(zhí)行預(yù)設(shè)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試； 步驟s4,輸出待測(cè)半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)果。
所述待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測(cè)試單元面積、測(cè)試單元中 測(cè)試組的名稱及測(cè)試組位于測(cè)試單元的位置。
所述測(cè)試信息參數(shù)包括待測(cè)測(cè)試組的名稱、測(cè)試引腳與待測(cè)半導(dǎo)體器件 端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及各個(gè)測(cè)試組中的半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)。
所述測(cè)試步驟依次包括調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè) 試初始化以及調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試。
相應(yīng)地，參照?qǐng)D7所示，本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置包括，檢 測(cè)配置模塊11和檢測(cè)執(zhí)行模塊12,其中檢測(cè)配置模塊11用以預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo) 體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟并將預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體 器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟傳輸給檢測(cè)執(zhí)行模塊， 而檢測(cè)執(zhí)行模塊12用以根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待 測(cè)半導(dǎo)體器件，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè) 半導(dǎo)體器件的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳，并根據(jù)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn) 行測(cè)試，并輸出測(cè)試結(jié)果。
下面以檢測(cè)4管CMOS圖像傳感器的方法為例對(duì)本發(fā)明檢測(cè)半導(dǎo)體器件 的方法加以詳細(xì)闡述。
參照?qǐng)D2所示，4管CMOS圖像傳感器包括像素單元陣列，因此對(duì)于4 管CMOS圖像傳感器的測(cè)試就是對(duì)于4管CMOS圖像傳感器的像素單元電路 的測(cè)試，其中像素單元電路包括光電二極管PD、第一晶體管Tl、第二晶體管 T2、第三晶體管T3和第四晶體管T4。光電二極管PD正極接地、負(fù)極與第四 晶體管T4的源極相連；第一晶體管Tl的源極與第四晶體管的漏極相連、第 一晶體管Tl的柵極與復(fù)位控制電路相連(Reset)、漏極與第二晶體管T2的 漏極相連且與外圍電源電路相連以提供Vdd電壓；笫二晶體管T2的柵極與第 一晶體管Tl的源極相連、源極與第三晶體管T3的源極相連；光電二極管的 負(fù)極相連、第三晶體管T3的柵極與行選電路(Row select)相連、漏極作為 測(cè)試結(jié)果的輸出端(BL);第四晶體管T4的柵極與傳輸門(Transfer Gate)相 連。其中，第一晶體管T1的作用是提供復(fù)位功能，主要使T1源極電壓復(fù)位。 第二晶體管T2的作用是作為電壓傳輸端，使VDD電壓傳輸?shù)絋3的漏端。第 三晶體管T3的作用是提供行選擇(Row Select)以輸出信號(hào)。第四晶體管T4 的作用是在復(fù)位時(shí)開啟以清除光電二極管PD中的殘余電荷，在復(fù)位完成后開 啟以傳輸光電二極管PD中的感光電荷。光電二極管PD的作用是感光產(chǎn)生電 荷。
結(jié)合圖2和圖3所示，預(yù)設(shè)待測(cè)4管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參 數(shù)、預(yù)設(shè)測(cè)試信息參數(shù)以及預(yù)設(shè)測(cè)試步驟。本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)于4管CMOS 圖像傳感器的測(cè)試是通過自動(dòng)機(jī)臺(tái)進(jìn)行的，因此所述的預(yù)設(shè)待測(cè)4管CMOS 圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)、預(yù)設(shè)測(cè)試信息參數(shù)以及預(yù)設(shè)測(cè)試步驟都是以 自動(dòng)機(jī)臺(tái)可識(shí)別的程序進(jìn)行描述的。
如前所述，待測(cè)4管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)進(jìn)一步包括測(cè) 試單元大小、測(cè)試單元中測(cè)試組的名稱及測(cè)試組位于測(cè)試單元的位置。
本發(fā)明實(shí)施中所指的測(cè)試單元的大小是指4管CMOS圖4象傳感器所在晶 圓的晶粒的大小。通常一片晶圓上有超過20多個(gè)晶粒(die),它們大小相同。
當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例中的測(cè)試單元也可以是CMOS圖4象傳感器所在晶圓的晶 粒內(nèi)的芯片(chip)大小，因?yàn)橥ǔＴ诿總€(gè)晶粒內(nèi)還有很多個(gè)不同或相同功能 的芯片(chip),例如包含4管CMOS圖像傳感器的芯片，而每個(gè)芯片由于包 含的功能器件的數(shù)量不同，大小也不一定相同，因此對(duì)于晶圓上不同的4管 CMOS圖像傳感器，就能夠根據(jù)這些4管CMOS圖像傳感器所在芯片的大小 對(duì)于待測(cè)的4管CMOS圖像傳感器進(jìn)行較快地定位。
而對(duì)于本發(fā)明實(shí)施例中的測(cè)試單元中測(cè)試組(TestKey)的名稱及測(cè)試組 位于測(cè)試單元中的位置來說，如上所述，晶圓中有多個(gè)晶粒，每個(gè)晶粒中還 有多個(gè)芯片。而在每個(gè)芯片中有很多個(gè)測(cè)試組(TestKey )，而每個(gè)測(cè)試組設(shè)置 了 22個(gè)規(guī)則排列的測(cè)試引腳，測(cè)試引腳的作用是在對(duì)于4管CMOS圖像傳感 器進(jìn)行測(cè)試時(shí)，向測(cè)試裝置，例如探針卡，傳輸待測(cè)4管CMOS圖像傳感器 的測(cè)試結(jié)果或是通過測(cè)試裝置向待測(cè)4管CMOS圖像傳感器傳輸測(cè)試信號(hào)。 而每個(gè)測(cè)試組中又可以包含多個(gè)待測(cè)的4管CMOS圖像傳感器，因?yàn)?管 CMOS圖像傳感器的像素單元電路有6個(gè)端口 ，因此需要6個(gè)測(cè)試引腳，但 是4管CMOS圖像傳感器像素單元電路的端口 VDD， GND, Reset, Row Select 可以與其他的4管CMOS圖^f象傳感器^f象素單元電路的相應(yīng)端口共用一個(gè)測(cè)試 引腳，則一個(gè)測(cè)試組可以包含大約9個(gè)4管CMOS圖像傳感器。由于自動(dòng)機(jī) 臺(tái)在對(duì)于晶圓進(jìn)行測(cè)試時(shí)會(huì)先掃描晶圓，從而獲得包含模擬實(shí)際晶圓晶粒的 分布圖，因此只要對(duì)于測(cè)試組的名稱及測(cè)試組位于測(cè)試單元中的位置進(jìn)行定 義，測(cè)試時(shí)只要在自動(dòng)機(jī)臺(tái)的晶粒分布圖上選取待測(cè)的測(cè)試單元，并給出該 測(cè)試單元中測(cè)試組的名稱及位置，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就能夠?qū)y(cè)試裝置，例如探針卡， 移動(dòng)到待測(cè)的4管CMOS圖像傳感器所在的測(cè)試組了 。
一般來說，對(duì)于同一個(gè)產(chǎn)品編號(hào)的所有晶圓的測(cè)試都可調(diào)用相同的待測(cè)4 管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)，例如具有同一個(gè)產(chǎn)品編號(hào)的所有的 4管CMOS圖像傳感器的晶圓都可調(diào)用對(duì)于4管CMOS圖像傳感器的晶圓信
息的設(shè)置。
如前所述，測(cè)試信息參數(shù)進(jìn)一步包括待測(cè)測(cè)試組的名稱、測(cè)試引腳與待
測(cè)4管CMOS圖^f象傳感器端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系以及各個(gè)測(cè)試組中的4管CMOS圖 像傳感器進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)。
對(duì)于待測(cè)測(cè)試組的名稱，如之前所述的，當(dāng)自動(dòng)機(jī)臺(tái)獲得待測(cè)測(cè)試組的 名稱之后，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就能根據(jù)該測(cè)試組對(duì)應(yīng)的位置選定待測(cè)測(cè)試組進(jìn)行;險(xiǎn)測(cè) 了 ，例如，選定名稱為CS01的測(cè)試組，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就對(duì)于其中的4管CMOS 圖像傳感器進(jìn)行檢測(cè)。
對(duì)于測(cè)試引腳與待測(cè)4管CMOS圖像傳感器端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系，本實(shí)施例 中所指的測(cè)試引腳與待測(cè)4管CMOS圖像傳感器端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系限定為一個(gè) 測(cè)試組，如前所述，本實(shí)施例中一個(gè)測(cè)試組有22個(gè)測(cè)試引腳，測(cè)試引腳與待 測(cè)4管CMOS圖像傳感器端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系，舉例如下，例如，設(shè)定測(cè)試引腳 的編號(hào)從l-22,設(shè)定端口 VDD對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳2、設(shè)定端口 Row select對(duì)應(yīng) 測(cè)試引腳1 、設(shè)定端口 TX對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳5 、設(shè)定端口 RESET對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳3 、 設(shè)定端口 GND對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳22以及設(shè)定端口 BL對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳4。并且，如 前所述，4管CMOS圖像傳感器端口 VDD, GND, Reset, Row Select可以與 其他的4管CMOS圖像傳感器的相應(yīng)引腳共用，因此對(duì)于同一個(gè)測(cè)試組上的 另 一個(gè)4管CMOS圖像傳感器還有端口 VDD對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳2、設(shè)定端口 Row select對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳1、設(shè)定端口 TX對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳7、設(shè)定端口 RESET對(duì)應(yīng) 測(cè)試引腳3 、設(shè)定端口 GND對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳22以及設(shè)定端口 BL對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳 6。當(dāng)然對(duì)于端口與測(cè)試引腳的對(duì)應(yīng)關(guān)系并沒有固定的規(guī)定，所以端口與測(cè)試 引腳的對(duì)應(yīng)關(guān)系也可以是設(shè)定端口 VDD對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳12、設(shè)定端口 Row select對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳11、設(shè)定端口 TX對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳15、設(shè)定端口 RESET對(duì) 應(yīng)測(cè)試引腳13 、設(shè)定端口 GND對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳22以及設(shè)定端口 BL對(duì)應(yīng)測(cè)試 引腳14。
各個(gè)測(cè)試組中的4管CMOS圖像傳感器進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)，包括
測(cè)試所需的測(cè)試電壓、測(cè)試電流等參數(shù)，例如，端口的電壓值VDD=2.0V, Rowselect=3.3V, GND=0V,端口的脈沖振幅TX=Reset=2.8V,端口的脈沖寬 度Reset^.009秒，TX^.0002秒，端口的等待時(shí)間TX=0.0095秒，脈沖周期 Period=0.012秒。這些參數(shù)可以在EXCEL中編輯然后輸入自動(dòng)機(jī)臺(tái)，當(dāng)測(cè)試 條件改變需要修改測(cè)試參數(shù)設(shè)置時(shí)直接對(duì)于相應(yīng)的參數(shù)進(jìn)行修改后再輸入自 動(dòng)機(jī)臺(tái)就可以了 ，因此很適合大批量的測(cè)試。
如前所述，測(cè)試步驟依次包括調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于CMOS圖像 傳感器進(jìn)行測(cè)試初始化以及調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于CMOS圖像傳感器 進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于這部分內(nèi)容更詳細(xì)的描述會(huì)在后面提及。
當(dāng)完成了預(yù)設(shè)待測(cè)4管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)、預(yù)設(shè)測(cè)試 信息參數(shù)以及預(yù)設(shè)測(cè)試步驟后，就能夠開始對(duì)于4管CMOS圖像傳感器進(jìn)行 測(cè)試了。
在對(duì)于4管CMOS圖像傳感器進(jìn)行測(cè)試之前，要將自動(dòng)機(jī)臺(tái)的測(cè)試裝置 與待測(cè)的4管CMOS圖像傳感器的像素單元電路的各個(gè)端口相連接，以向待 測(cè)4管CMOS圖像傳感器的像素單元電路輸入測(cè)試信號(hào)，并且從4管CMOS 圖像傳感器的像素單元電路獲得測(cè)試結(jié)果。
本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)4管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息 參數(shù)挑選待測(cè)4管CMOS圖像傳感器，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝 置接觸到晶圓上與待測(cè)4管CMOS圖像傳感器的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳。具體 操作過程如下如前所述，自動(dòng)機(jī)臺(tái)在進(jìn)行測(cè)試之前，會(huì)先對(duì)于4管CMOS 圖像傳感器所在晶圓進(jìn)行掃描，更進(jìn)一步，對(duì)于大批量的測(cè)試來說，通常都 是以一個(gè)晶圓盒為基本單位，而晶圓盒的高度一般都是固定的，因此，自動(dòng) 機(jī)臺(tái)經(jīng)過掃描晶圓盒中晶圓的高度就能夠得到晶圓盒中晶圓的數(shù)量以及各個(gè)
晶圓在晶圓盒中的位置，并得到模擬實(shí)際晶圓晶粒的分布圖。
在掃描完晶圓之后，根據(jù)需要進(jìn)行測(cè)試的4管CMOS圖像傳感器所在的 測(cè)試組和4管CMOS圖像傳感器的測(cè)試端口后，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就能夠?qū)φ疹A(yù)設(shè)的 測(cè)試單元大小、測(cè)試組的名稱、測(cè)試組位于測(cè)試單元中的位置以及待測(cè)4管 CMOS圖像傳感器像素單元電路的端口與測(cè)試引腳的對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試裝置與 測(cè)試引腳相連接，從而使得測(cè)試裝置，例如探針卡，能夠向待測(cè)4管CMOS 圖像傳感器的像素單元電路輸入測(cè)試信號(hào)，并且從4管CMOS圖像傳感器的 像素單元電路獲得測(cè)試結(jié)果。
在自動(dòng)機(jī)臺(tái)的測(cè)試裝置與待測(cè)的4管CMOS圖像傳感器的像素單元電路 的各個(gè)端口相連接后，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就會(huì)調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試步驟并開始執(zhí)行。
本實(shí)施中，待測(cè)4管CMOS圖像傳感器的測(cè)試結(jié)果最終是通過自動(dòng)機(jī)臺(tái) 傳輸?shù)绞静ㄆ魃巷@示出來的，因此示波器就作為了本實(shí)施例中的測(cè)試結(jié)果的 顯示設(shè)備。如前所述，預(yù)設(shè)待測(cè)4管CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)、 預(yù)設(shè)測(cè)試信息參數(shù)以及預(yù)設(shè)測(cè)試步驟都是以自動(dòng)機(jī)臺(tái)可識(shí)別的程序進(jìn)行描述 的，如下所示為使用自動(dòng)機(jī)臺(tái)可識(shí)別的程序描述的預(yù)設(shè)的測(cè)試步驟的一部分， 給出了關(guān)鍵的測(cè)試步驟。當(dāng)自動(dòng)機(jī)臺(tái)調(diào)用所述的描述測(cè)試步驟的程序時(shí)，就 會(huì)根據(jù)設(shè)定好的測(cè)試步驟逐步自動(dòng)進(jìn)行測(cè)試操作。
在所述的描述測(cè)試步驟的程序中，最前面是測(cè)試初期的待測(cè)4管CMOS 圖像傳感器端口連接定義和電壓輸出定義，中間是示波器的初始化和PGU的 脈沖設(shè)置，最后是脈沖輸出和數(shù)據(jù)捕捉
SUB Vbl—4t()
Co加ect(FNPort(0,9)，Dd，Rowsel,Tx,Reset,Gnd，Bl)----將測(cè)試引腳分配給端口 vdd, Row
Select,Tx,Reset,GND和BL
Connect(FNPort(3,l),Tx)----按對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試引腳與端口 Tx相連
Connect(FNPort(l，4)，Bl)----按對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試引腳與端口 BL相連
Connect(FNPort(O， 1 )，Dd)----按對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試引腳與端口 Vdd相連
Connect(FNPort(0,2)，Rowsel)----按對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試引腳與端口 Row Select相連
Connect(FNPort(3,3),Reset)----按對(duì)應(yīng)關(guān)系將測(cè)試引腳與端口 Reset相連
Force_v(Dd，Vdd,Vdd,Compliance)---設(shè)定輸出信號(hào)順序
Force—v(Rowsel，Vrowsel,Vrowsel,Compliance)---i殳定輸出4言號(hào)順序
ASSIGN @Scope TO 707----指定示波器
OUTPUT @Scx>pe;":CHANNELl:DISPLAY ON "----開啟示波器信號(hào)通道
Setjevel—pg(Tx,Pulse_amp,Pulse_amp,Base,Load)---設(shè)定脈沖發(fā)生器的TX脈沖幅度、基準(zhǔn)值和
負(fù)載
Set—level—pg(Reset,Pulse_amp,Amplitude2，Base，Load)——設(shè)定脈沖發(fā)生器的Reset脈沖幅度、基準(zhǔn)值 和負(fù)栽
Force—pg(Num_of_pulse,Pulse—period)---設(shè)定脈沖發(fā)生器的脈沖個(gè)數(shù)和脈沖周期
OUTPUT @Scope;":WAVEFORM:DATA "---將示波器上顯示的波形按時(shí)間順序讀取入示波器內(nèi)存
ENTER @Scope USING "#,W";Data(*)----將示波器內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取入WAT機(jī)臺(tái)
Disable—port---自動(dòng)斷開各個(gè)端口連接
SUBEND
根據(jù)上述的程序所示，自動(dòng)機(jī)臺(tái)首先會(huì)調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試引腳與待測(cè)4管
CMOS圖像傳感器像素單元電路的各端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系來將待測(cè)的4管CMOS 圖像傳感器像素單元電路的各個(gè)端口與測(cè)試引腳相連。例如測(cè)試引腳與4管 CMOS圖^^傳感器端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系如下所示端口 VDD對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳2、端 口 Row select對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳1 、端口 TX對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳5 、端口 RESET對(duì)應(yīng)測(cè) 試引腳3、端口 GND對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳22以及端口 BL對(duì)應(yīng)測(cè)試引腳4，那么自 動(dòng)機(jī)臺(tái)就根據(jù)該對(duì)應(yīng)關(guān)系將各測(cè)試引腳與對(duì)應(yīng)的4管CMOS圖像傳感器像素 單元電路的端口相連，例如，將測(cè)試引腳2與端口 VDD相連，將測(cè)試引腳l 與端口 Row select相連。
而在完成了測(cè)試引腳與待測(cè)4管CMOS圖像傳感器像素單元電路各端口 的連接之后，自動(dòng)機(jī)臺(tái)還會(huì)如前所述的將測(cè)試裝置與測(cè)試引腳相連，本實(shí)施
例中所用的測(cè)試裝置為探針卡，并且是22針的探針卡，與測(cè)試引腳的數(shù)目一
致，所以測(cè)試裝置只要與測(cè)試引腳——對(duì)應(yīng)連接就行了。并且，自動(dòng)機(jī)臺(tái)的 測(cè)試裝置與自動(dòng)機(jī)臺(tái)內(nèi)的各個(gè)信號(hào)發(fā)生器，例如電壓產(chǎn)生器以及脈沖發(fā)生器
等，已經(jīng)處于連接狀態(tài)，因而此時(shí)，待測(cè)4管CMOS圖像傳感器像素單元電 路的各端口已經(jīng)與自動(dòng)機(jī)臺(tái)的各個(gè)信號(hào)發(fā)生器完成了連接。因此，在對(duì)于4 管CMOS圖像傳感器進(jìn)行測(cè)試時(shí)，自動(dòng)機(jī)臺(tái)內(nèi)的各個(gè)信號(hào)發(fā)生器就能通過測(cè) 試裝置與測(cè)試引腳向4管CMOS圖像傳感器的像素單元電路的各個(gè)端口發(fā)送 測(cè)試信號(hào)了。
而在完成了上述的端口連接步驟后，自動(dòng)機(jī)臺(tái)就根據(jù)程序開始分別對(duì)于 示波器進(jìn)行初始化以及對(duì)于自動(dòng)機(jī)臺(tái)內(nèi)各個(gè)信號(hào)發(fā)生器進(jìn)行設(shè)置。
所述的初始化設(shè)定就是清除上一次的操作參數(shù)，并將所有參數(shù)設(shè)置成出 廠的默認(rèn)設(shè)定。
其中，對(duì)于示波器的初始化設(shè)定包括兩個(gè)步驟，首先是對(duì)于示波器界面 的初始化設(shè)定，如圖4所示為對(duì)應(yīng)的程序，步驟010指定示波器地址；步驟 020清除示波器中的上一次:操作參數(shù)；步驟030將示波器的參數(shù)恢復(fù)到出廠時(shí) 的默認(rèn)設(shè)定；步驟040開啟信號(hào)通道；步驟050設(shè)定示波器屏幕顯示的時(shí)間 范圍；步驟060調(diào)整波形橫向位置至居中；步驟070設(shè)定示波器屏幕顯示的 電壓范圍；步驟080調(diào)整波形縱向位置至居中。
接下來是對(duì)于示波器的顯示設(shè)置的設(shè)定，如圖5所示為對(duì)應(yīng)的程序，步 驟110設(shè)定示波器的顯示模式為觸發(fā)模式(TRIGGER);步驟120指定示波器 接收觸發(fā)信號(hào)測(cè)試結(jié)果的信號(hào)通道；步驟130指定觸發(fā)信號(hào)的基準(zhǔn)電壓值； 步驟140指定觸發(fā)^t式為正觸發(fā)；步驟150掃描接收的測(cè)試結(jié)果。
在示波器初始化完成后，首先對(duì)于自動(dòng)機(jī)臺(tái)內(nèi)的各個(gè)信號(hào)發(fā)生器的信號(hào) 輸出順序進(jìn)行設(shè)置，例如上述所列的程序段中的兩個(gè)Force—v語句的先后順序就 設(shè)定了輸出信號(hào)的順序。
而各輸出信號(hào)的具體設(shè)置由預(yù)設(shè)的4管CMOS圖像傳感器進(jìn)行測(cè)試所需 的測(cè)試信號(hào)確定，例如，當(dāng)需要通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生TX端口的輸入脈沖時(shí)，
就調(diào)用預(yù)設(shè)的對(duì)于TX的脈沖振幅以及脈沖寬度的設(shè)置參數(shù)，如圖6所示為對(duì) 應(yīng)的程序，步驟310設(shè)定TX端脈沖類型(Type=l表示一個(gè)周期內(nèi)僅有一次 峰值；Type二2表示一個(gè)周期內(nèi)有兩次峰值)；步驟320設(shè)定TX端脈沖幅度、 脈沖基準(zhǔn)值以及TX端脈沖的負(fù)載，其中，脈沖基準(zhǔn)值表示峰值發(fā)生前后的值； 步驟330設(shè)定TX端第一個(gè)脈沖的脈沖寬度、第一個(gè)脈沖的脈沖延遲、第一個(gè) 脈沖的上升時(shí)間、第一個(gè)脈沖的下降時(shí)間、第二個(gè)脈沖的脈沖寬度、第二個(gè) 脈沖的脈沖延遲、第二個(gè)脈沖的上升時(shí)間、第二個(gè)脈沖的下降時(shí)間，其中脈 沖延遲表示脈沖信號(hào)從開始至到達(dá)峰值發(fā)生的時(shí)間；步驟340設(shè)定Reset端脈 沖類型；步驟350設(shè)定Reset端脈沖幅度、脈沖基準(zhǔn)值以及Reset端脈沖的負(fù) 載，其中程序語句中的Amplitude2指第二個(gè)脈沖的幅度，對(duì)于Reset,因僅有 一次脈沖〈Type^〉，所以Amplitude2在測(cè)試中不起作用；步驟360設(shè)定Reset 端第一個(gè)脈沖的脈沖寬度、第一個(gè)脈沖的延遲時(shí)間、第一個(gè)脈沖的上升時(shí)間、 第 一個(gè)脈沖的下降時(shí)間，第二個(gè)脈沖的脈沖寬度、第二個(gè)脈沖的脈沖延遲時(shí) 間、第二個(gè)脈沖的上升時(shí)間、第二個(gè)脈沖的下降時(shí)間，因僅有一次脈沖 <Type=l>，所以關(guān)于第二個(gè)脈沖的設(shè)定在這一段測(cè)試中不起作用；步驟370 設(shè)定所有端口脈沖個(gè)數(shù)和脈沖周期，其中端口TX與端口 Reset同步輸出，共 用與脈沖個(gè)數(shù)和脈沖周期相關(guān)的參數(shù)。
如前所述，當(dāng)自動(dòng)機(jī)臺(tái)調(diào)用描述預(yù)設(shè)測(cè)試步驟的程序向待測(cè)4管CMOS 圖像傳感器的各個(gè)端口輸入信號(hào)之后，就根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試組的名稱和待測(cè)4 管CMOS圖像傳感器的端口與測(cè)試引腳的關(guān)系，從待測(cè)4管CMOS圖像傳感
器相應(yīng)的端口量取電壓數(shù)據(jù)并傳輸給示波器。示波器根據(jù)先前所述的設(shè)定用
TRIGGER模式接收測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)并以波形的形式顯示出來，工程師就能夠根 據(jù)所顯示的波形對(duì)于測(cè)試結(jié)果進(jìn)行分析了。因?yàn)闊o需通過調(diào)試示波器的控制 面板上的控制鍵來抓取測(cè)試數(shù)據(jù)波形，因此通常只需一個(gè)輸入脈沖就能夠在 示波器上顯示出完整的波形。而測(cè)試精度也因此得到提高，自動(dòng)檢測(cè)的測(cè)試 精度可以精確到lOus,數(shù)據(jù)值也可以精確到50uV。
綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)CMOS圖像傳感器的方法通過預(yù)設(shè)待測(cè) CMOS圖像傳感器所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟，再自動(dòng) 執(zhí)行測(cè)試步驟對(duì)于CMOS圖像傳感器進(jìn)行檢測(cè)，因此很適合在大批量的測(cè)試 中隨時(shí)更改所設(shè)置的參數(shù)已獲得不同測(cè)試條件下的測(cè)試結(jié)果，因此檢測(cè)數(shù)量 多，檢測(cè)過程方便。并且，本發(fā)明實(shí)施例檢測(cè)CMOS圖像傳感器的方法通過 預(yù)設(shè)的測(cè)試步驟能夠自動(dòng)輸出對(duì)于CMOS圖像傳感器的測(cè)試結(jié)果，而無需如 手動(dòng)檢測(cè)時(shí)通過示波器的控制面板抓取測(cè)試數(shù)據(jù)，因此精確度提高。
雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括，預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟；根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測(cè)半導(dǎo)體器件，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器件的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳；執(zhí)行預(yù)設(shè)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試；輸出待測(cè)半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)果。
2. 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述待測(cè)半導(dǎo) 體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測(cè)試單元面積、測(cè)試單元中測(cè)試組的名稱及測(cè) 試組位于測(cè)試單元的位置。
3. 如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試單元 面積為半導(dǎo)體器件所在晶圓的晶粒的大小或半導(dǎo)體器件所在晶圓的芯片的大
4. 如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試組包 括待測(cè)半導(dǎo)體器件測(cè)試所需測(cè)試引腳。
5. 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試信息 參數(shù)包括待測(cè)測(cè)試組的名稱、測(cè)試引腳與待測(cè)半導(dǎo)體器件端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系以 及各個(gè)測(cè)試組中的半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)。
6. 如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試信號(hào) 包括待測(cè)半導(dǎo)體器件各端口的測(cè)試電壓以及測(cè)試電流。
7. 如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試裝置 為探針卡。
8. 如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述測(cè)試步驟 依次包括調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試初始化以及調(diào)用 預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試。
9. 一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，包括檢測(cè)配置模塊和檢測(cè)執(zhí)行 模塊，其中檢測(cè)配置模塊用以預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試 信息參數(shù)以及測(cè)試步驟并將預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信 息參數(shù)以及測(cè)試步驟傳輸給檢測(cè)執(zhí)行模塊，而檢測(cè)執(zhí)行模塊用以根據(jù)預(yù)設(shè)的 待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測(cè)半導(dǎo)體器件，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試 信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器件的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引 腳，并根據(jù)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試，并輸出測(cè)試結(jié)果。
10. 如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述待測(cè)半導(dǎo) 體器件所在晶圓信息參數(shù)包括測(cè)試單元面積、測(cè)試單元中測(cè)試組的名稱及測(cè) 試組位于測(cè)試單元的位置。
11. 如權(quán)利要求IO所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試單元 面積為半導(dǎo)體器件所在晶圓的晶粒的大小或半導(dǎo)體器件所在晶圓的芯片的大
12. 如權(quán)利要求IO所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試組包括待測(cè)半導(dǎo)體器件測(cè)試所需測(cè)試引腳。
13. 如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試信息 參數(shù)包括待測(cè)測(cè)試組的名稱、測(cè)試引腳與待測(cè)半導(dǎo)體器件端口的對(duì)應(yīng)關(guān)系以 及各個(gè)測(cè)試組中的半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試所需的測(cè)試信號(hào)。
14. 如權(quán)利要求13所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試信號(hào) 包括待測(cè)半導(dǎo)體器件各端口的測(cè)試電壓以及測(cè)試電流。
15. 如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試裝置 為探針卡。
16.如權(quán)利要求13所述的檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置，其特征在于，所述測(cè)試步驟 依次包括調(diào)用預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試初始化以及調(diào)用 預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)對(duì)于半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法包括，預(yù)設(shè)待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)、測(cè)試信息參數(shù)以及測(cè)試步驟；根據(jù)預(yù)設(shè)的待測(cè)半導(dǎo)體器件所在晶圓信息參數(shù)確定待測(cè)半導(dǎo)體器件，并根據(jù)預(yù)設(shè)的測(cè)試信息參數(shù)將測(cè)試裝置接觸到晶圓上與待測(cè)半導(dǎo)體器件的端口對(duì)應(yīng)的測(cè)試引腳；執(zhí)行預(yù)設(shè)測(cè)試步驟對(duì)于待測(cè)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試；輸出待測(cè)半導(dǎo)體器件的測(cè)試結(jié)果。相應(yīng)地，本發(fā)明公開了一種檢測(cè)半導(dǎo)體器件的裝置。本發(fā)明檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法及裝置由于解決了現(xiàn)有技術(shù)手動(dòng)檢測(cè)檢測(cè)數(shù)量少、檢測(cè)過程不方便并且精度不高的問題，因而檢測(cè)數(shù)量多，檢測(cè)過程方便，并且檢測(cè)精度高。
文檔編號(hào)H04N5/335GK101359015SQ20071004438
公開日2009年2月4日 申請(qǐng)日期2007年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月30日
發(fā)明者張峻豪, 璇 杜 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司