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光調(diào)制陣列的雙極性操作的制作方法

文檔序號:7866824閱讀:238來源:國知局
專利名稱:光調(diào)制陣列的雙極性操作的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明一般涉及光學(xué)系統(tǒng)。本發(fā)明尤其涉及用于投影顯示或者用于通信系統(tǒng)的光學(xué)系統(tǒng)。
2.背景技術(shù)通過利用光調(diào)制元件的一個或多個線陣可以形成二維投影圖像。光調(diào)制元件可以包括,例如光柵光閥(GRATING LIGHT VALVE)(GLV)元件。在這種顯示系統(tǒng)中,線陣對入射光進行調(diào)制從而沿著二維(2D)圖像的一列(或者可選擇地,一行)顯示像素。掃描系統(tǒng)用于在屏幕上移動該列,從而使每個光調(diào)制元件都能夠產(chǎn)生2D圖像的行。按照這種方式,顯示整個2D圖像。
光調(diào)制元件的陣列也可以應(yīng)用于通信系統(tǒng)。例如,這些陣列可以用作光網(wǎng)中使用的光學(xué)微機電系統(tǒng)(MEMS)。
描述GLV器件及其應(yīng)用的出版物包括D.M.Bloom于1997年2月發(fā)表的“The Grating Light ValveRevolutionizing DisplayTechnology”,Projection Displays III Symposium,SPIEProceedings,Volume 3013,San Jose,CA;Silicon Light Machinesin Sunnyvale,California的D.T.Amm和R.W.Corrigan于1998年5月19日在Society for Information Display Symposium上發(fā)表的論文“Grating Light Valve TechnologyUpdate and NovelApplications”,Anaheim,California;Silicon Light Machines的David T.Amm和Robert W.Corrigan于1999年在PhotonicsWest-Electronics Imaging上發(fā)表的論文“Optical Performance ofthe Grating Light Valve Technology”;R.W.Corrigan,D.T.Amm,P.A.Alioshin,B.Staker,D.A.LeHoty,K.P.Gross和B.R.Lang于1999年5月18日在Society for Information Display Symposium上發(fā)表的論文“Calibration of a Scanned Linear Grating LightValve Projection System”,San Jose,California;Silicon LightMachines的R.W.Corrigan,B.R.Lang,D.A.LeHoty和P.A.Alioshin于1999年11月20日在141st SMPTE Technical Conference andExhibition上發(fā)表的論文“An Alternative Architecture for HighPerformance display”,New York,New York;Robert Corrigan,Randy Cook和Olivier Favotte于2001年發(fā)表的“Breakthrough MEMSComponent Technology for Optical Networks”,Silicon LightMachines-Grating Light Valve Technology Brief;以及已經(jīng)轉(zhuǎn)讓授予Silicon Light Machines的題為“Method and apparatus forModulating an Incident Light Beam for Forming a Two-Dimensional Image”的美國專利第6,215,579號。上述每篇出版物的全部內(nèi)容在此引入作為參考。
圖1是表示光柵光閥(GLV)元件的反射和衍射工作狀態(tài)的示意圖。圖的左側(cè)表示反射(暗)態(tài),而圖的右側(cè)表示衍射(亮)態(tài)。
在圖1示出的例子中,基底可包括硅襯底,該硅襯底上覆蓋有氧化物(例如大約5000埃厚),鎢覆蓋在該氧化物上(例如大約1000埃厚)。反射元件位于鎢之上,其間具有氣隙。例如,該圖顯示出三對反射元件(即六個元件)。反射元件例如可包括多個反射條,所述反射條包括氮化物(例如大約1000埃厚),在該氮化物上具有鋁反射層(例如大約500埃厚)。入射光入射到反射元件上。該入射光束與基底平面成直角。
在反射或暗態(tài)(左側(cè))中,所有反射元件位于同一平面中,入射光從這些元件的表面上反射。該反射態(tài)可以稱作暗態(tài),因為它可用于在投影顯示系統(tǒng)中產(chǎn)生暗點(dark spot)(暗像素)。這種暗像素可以通過阻擋沿著與入射光相同路徑反射回去的光而產(chǎn)生。
在衍射或亮態(tài)(右側(cè))中,反射元件交替向下偏移。這導(dǎo)致入射光在與其光路成一角度的方向上衍射。該衍射態(tài)可以稱作亮態(tài),因為它可用于在投影顯示系統(tǒng)中產(chǎn)生亮點(亮像素)。由于沒有阻擋成角度反射的光因此可以產(chǎn)生這種亮像素。如下面進一步討論,元件的光響應(yīng)取決于交替元件向下偏移的量。
圖2是表示GLV元件包括多對固定和移動條的圖解。如圖2中所示,GLV元件可包括多對反射條,每一對反射條都具有一個固定條和一個移動條。
圖3是表示在衍射態(tài)下GLV的反射元件偏移的示意圖。該GLV元件包括許多反射元件。這些反射元件包括交替的偏置元件304和活動元件306。在所示的例子中,GLV元件包括三對反射元件(即六個反射元件)。
在衍射態(tài)中,反射元件以交替結(jié)構(gòu)可控制地排列在距離公共電極308的兩種高度上,偏置元件304位于第一高度,活動(移動)元件306位于第二高度。偏置元件304可以是固定條?;顒釉?06可以是通過施加電壓而下降的移動條。電壓可以是相對于公共電極308施加的。如圖3中所示,入射光束310以垂直于光柵平面308的角度入射到元件上。衍射光312遠(yuǎn)離該元件行進。
第一和第二高度之間的高度差可以定義為偏移距離γ。偏移γ的量可以通過施加不同的電壓而改變,從而控制入射光從該元件反射的量。當(dāng)γ接近零時,該元件接近最大反射態(tài)。當(dāng)γ接近λ/4時,該元件接近最大衍射態(tài),其中λ是入射光的波長。
圖4是說明GLV元件的非線性電光響應(yīng)的曲線圖。該曲線圖顯示出光強度(任意單位)與電壓的關(guān)系。電壓越高,則元件的位移γ越大。光強度根據(jù)施加于活動元件的電壓而變化。對于絕大部分來說,施加的電壓越高則光強度越大。(對于足夠高的電壓來說這種關(guān)系正相反,即光強度隨著電壓增高而減小,因此在該曲線圖的極右端出現(xiàn)向下傾斜。)圖5是表示利用光調(diào)制陣列的投影顯示系統(tǒng)500的頂視圖。系統(tǒng)500包括一個或多個光源502,一個或多個光調(diào)制元件陣列504,光掃描器506和屏幕508。該圖是出于說明性的目的,比例或角度不一定精確。
光源502可包括一個或多個激光源。對于彩色顯示系統(tǒng)來說可以利用三個不同顏色的激光源。光調(diào)制陣列504可包括上述GLV元件(也稱作GLV“像素”)的一個陣列。每個光源502可照射一個光調(diào)制陣列504。陣列504的每個元件對入射到其上的光進行調(diào)制以控制從其衍射的光的量。然后,將來自陣列504的多個元件的衍射光引向光掃描器506。
光掃描器506用于在屏幕508上移動光的這一列(或行)。可以使用各種類型的掃描器506。例如,可以使用基于電流計(galvonomeer-based)的掃描器,共振掃描器,多面體掃描器,旋轉(zhuǎn)棱鏡,或其他類型的掃描器。驅(qū)動信號施加于掃描器以控制(“驅(qū)動”)光的這一列(或行)的移動。例如,為了實現(xiàn)該列在屏幕上的逐行掃描(例如從左到右),可采用鋸齒形驅(qū)動信號。
利用GLV和其他MEMS技術(shù)的一個不利方面涉及器件性能作為時間的函數(shù)而改變。不管用在顯示系統(tǒng)還是通信系統(tǒng)中,都可以觀察到GLV元件和其他MEMS器件的響應(yīng)函數(shù)隨時間變化。這種與時間相關(guān)的變化會導(dǎo)致不可預(yù)料的情況,因此可能會限制GLV元件和其他MEMS器件的應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施方案包括一種光調(diào)制陣列的雙極性操作的方法。該方法包括以第一極性驅(qū)動陣列的光調(diào)制元件,將極性從第一極性切換為第二極性,以第二極性驅(qū)動陣列的光調(diào)制元件,將極性從第二極性切換為第一極性,重復(fù)上述步驟。
本發(fā)明的另一個實施方案包括一種利用光調(diào)制陣列的裝置。該裝置包括第一查找表,該表存儲用于在第一極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù),和第二查找表,該表存儲用于在第二極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù)。該裝置還包括用于驅(qū)動光調(diào)制陣列的元件的驅(qū)動系統(tǒng)。該驅(qū)動系統(tǒng)與第一和第二查找表相耦合。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀包括附圖和權(quán)利要求的全部公開內(nèi)容后很容易就能理解本發(fā)明的這些和其他特點。


圖1是表示常規(guī)光柵光閥(GLV)元件的反射和衍射工作狀態(tài)的示意圖。
圖2是表示常規(guī)GLV元件的圖解,它包括成對的固定和移動條。
圖3是表示常規(guī)GLV元件的反射元件在反射態(tài)下的偏移的示意圖。
圖4是說明常規(guī)GLV元件的非線性電光響應(yīng)的曲線圖。
圖5是利用光調(diào)制陣列的投影顯示系統(tǒng)的頂視圖。
圖6是表示依照本發(fā)明一個實施方案用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的方法的流程圖。
圖7是表示依照本發(fā)明一個實施方案用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的裝置的示意圖。
圖8A是表示依照本發(fā)明一個實施方案的第一極性的第一查找表的示意圖。
圖8B是表示依照本發(fā)明一個實施方案的第二極性的第二查找表的示意圖。
不同附圖中使用的相同附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。除非另外指明,附圖沒有按比例繪制。
具體實施例方式
引起GLV技術(shù)時間依賴性的一個原因是在光調(diào)制元件中的電荷積累。當(dāng)元件工作時,電荷在以氮化物為基底(nitride-based)的反射元件上積累。電荷積累不利地導(dǎo)致性能隨時間變化。本發(fā)明提供一種克服這種不利的電荷積累的方法和裝置。本發(fā)明特別適用于GLV元件,但也可適用于其他MEMS器件。本發(fā)明可使這種裝置的時間依賴性減小,并可以用在顯示系統(tǒng)和通信系統(tǒng)中。
圖6是表示依照本發(fā)明一個實施方案用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的方法600的流程圖。如圖所示,方法600包括四個步驟(602,604,606和608)。
在第一步驟602中,以第一極性驅(qū)動該陣列的元件。第一極性是指施加的電勢,其中驅(qū)動活動元件的電壓一般比偏置元件和公共電極處的電壓要高(more positive)。例如當(dāng)偏置元件和公共電極接地(零伏)時,第一極性可以對應(yīng)于施加在活動元件上的正電壓。作為另一個例子,當(dāng)偏置元件和公共電極與較大的負(fù)電壓電平相接時,第一極性可以對應(yīng)于施加在活動元件上的較小的負(fù)電壓。
對于每一個元件,為了達到所需要的強度級,所要施加的電壓可以通過利用第一查找表(LUT)來確定。這種第一LUT的例子在下面對照圖8A描述。在第二步驟604中,裝置從在第一極性模式下工作切換到在第二極性模式下工作。極性的切換可通過從利用第一LUT切換到利用第二LUT來實現(xiàn)。
在第三步驟606中,以第二極性驅(qū)動該陣列的元件。第二極性是指施加的電勢,其中驅(qū)動活動元件的電壓一般比偏置元件和公共電極處的電壓更低(more negative)。例如,當(dāng)偏置元件和公共電極接地(零伏)時,第二極性可以對應(yīng)于對活動元件施加負(fù)電壓。作為另一個例子,當(dāng)偏置元件和公共電極與更高的正電壓電平連接時,第二極性可以對應(yīng)于施加在活動元件上的較小的正電壓。
對于每一個元件,為了達到所需要的強度級,所要施加的電壓可以通過利用第二查找表(LUT)來確定。這種第二LUT的例子在下面對照圖8B描述。
在第四步驟608中,裝置從在第二極性模式下工作切換回到在第一極性模式下工作。極性的切換可通過從利用第二LUT切換到利用第一LUT來實現(xiàn)。
通過如上所述切換極性,陣列的元件中的電場反轉(zhuǎn)。因為電荷趨向于隨時間抵消,因此電場的反轉(zhuǎn)有利地減小了元件上的電荷積累。
圖7是表示依照本發(fā)明一個實施方案用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的裝置700的示意圖。該裝置700包括第一查找表(LUT)702,第二LUT 704,多路復(fù)用器(MUX)706,驅(qū)動系統(tǒng)708,和光調(diào)制陣列710。
第一LUT 702提供在第一極性模式下的操作過程中所使用的數(shù)據(jù),第二LUT 704提供在第二極性模式下的操作過程中所使用的數(shù)據(jù)。第一和第二LUT的例子在下面分別對照圖8A和8B描述。LUT 702和704可以在存儲器結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)。在一個實施方案中,LUT將在半導(dǎo)體存儲器中實現(xiàn),該存儲器對存儲在其中的數(shù)據(jù)提供快速訪問。
MUX 706提供對于第一LUT 702或第二LUT 704的選擇。在第一極性模式下,MUX 706使驅(qū)動系統(tǒng)708訪問來自第一LUT 702的數(shù)據(jù)。在第二極性模式下,MUX 706使驅(qū)動系統(tǒng)708訪問來自第二LUT 704的數(shù)據(jù)。在一個實施方案中,通過來自驅(qū)動系統(tǒng)708的控制信號控制MUX 706??刂菩盘柨梢詢H僅是位信號,從而當(dāng)位為高時選擇第一LUT702,當(dāng)位為低時選擇第二LUT 704(或者相反的情況)。
驅(qū)動系統(tǒng)708查找驅(qū)動電壓,其對應(yīng)于光調(diào)制陣列710中每個元件的所需強度。然后驅(qū)動系統(tǒng)708將查找的電壓施加于陣列710的適當(dāng)元件上,以從該元件實現(xiàn)所需的強度。
在本發(fā)明的替換實施方案中,第一LUT 702和第二LUT 704二者可以作為一個組合的LUT來實現(xiàn)。這種組合的LUT在單個表中具有用于第一極性模式和第二極性模式的數(shù)據(jù)。這種組合的LUT需要單獨的字段來區(qū)別用于第一極性模式的數(shù)據(jù)和用于第二極性模式的數(shù)據(jù)。
圖8A是表示依照本發(fā)明一個實施方案的第一極性的第一查找表(LUT)800中的信息的圖。第一LUT 800包括三個數(shù)據(jù)字段元件標(biāo)識符(ID)802;所需強度804;和驅(qū)動電壓電平806。
在該實施例中,光調(diào)制陣列中有1024個元件。因此圖8A中表示的元件標(biāo)識符802的范圍從一(1)到一千零二十四(1024)。當(dāng)然,在光調(diào)制陣列中可以具有各種數(shù)量的元件,元件ID802的數(shù)量也相應(yīng)地改變。
該實施例示出所需的光強度804的范圍是從0到255。這對應(yīng)于二百五十六(256)個強度級。利用八(8)位信息可以區(qū)別二百五十六(256)個不同的級。當(dāng)然,在不同的系統(tǒng)中可以使用各種數(shù)量的強度級,所需強度804的數(shù)量也相應(yīng)地改變。
在圖8A中示出的驅(qū)動電壓電平806的值是出于說明的目的。所示的驅(qū)動電平在大約零伏(0V)到大約正十四伏(在圖中是13.8V)之間變化。對于包括光柵光閥器件的元件,在較低強度處需要較大的電壓差,在較高強度處需要較小的電壓差。這可以從圖4中的強度比電壓的曲線看出。
第一LUT 800中的驅(qū)動電壓電平806可以通過校準(zhǔn)程序來確定。該校準(zhǔn)程序可以周期性地執(zhí)行。由于校準(zhǔn),可為陣列的每個元件802確定實現(xiàn)每個所需強度804的適當(dāng)正驅(qū)動電平806。這些校準(zhǔn)結(jié)果存儲在第一LUT 800中。
圖8B是表示依照本發(fā)明一個實施方案的第二極性的第二查找表850中的信息的圖。第二LUT 850包括與第一LUT 800相同的三個數(shù)據(jù)字段(元件標(biāo)識符802;所需強度804;和驅(qū)動電壓電平806)。此外,第二LUT 850中用于元件ID和用于所需強度級的數(shù)據(jù)與在第一LUT 800中的數(shù)據(jù)相同。這是因為光調(diào)制陣列710中的元件的識別不會因極性模式而改變,所需光強度也不會因極性模式而改變。
但是,第二LUT 850中的驅(qū)動電壓電平806不同于第一LUT 800中的驅(qū)動電壓電平。圖8B中所示的驅(qū)動電壓電平806的值是出于說明的目的。所示的驅(qū)動電平在大約零伏(0V)到大約負(fù)十三伏(在圖中是-13.1V)之間變化。在一個實施方案中,第二LUT 850可以實際上存儲正值,所述正值在系統(tǒng)處于第二(負(fù))極性模式時被轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)電壓電平。
第二LUT 850中的驅(qū)動電壓電平806也可以通過周期校準(zhǔn)來確定。由于校準(zhǔn),可為陣列的每個元件802確定達到每個所需強度804的適當(dāng)負(fù)驅(qū)動電平806。這些校準(zhǔn)結(jié)果存儲在第二LUT 850中。
下面描述LUT 800和850的一種特定實現(xiàn)。在該實施方式中,將兩個表組合為單個LUT,使第一和第二極性的信息位于組合的LUT的不同部分中。在該特殊實施方式中,元件的數(shù)量可以是1088。因為1088大于1024,因此每個元件的定址需要十一位。這種特殊實施方式還可利用十個地址位來指定1024個不同的驅(qū)動強度。因此組合的LUT利用每極性二十一個地址位來尋址LUT中的存儲單元。每個存儲單元可以包括十位的輸出。在該特殊實施方式中,利用十個輸出位的8個最高有效位來指定256個不同的驅(qū)動電平。利用抖動將其余的兩位有效插入到驅(qū)動電平之間。在這種情況下,每幀圖像可以刷新四次。因此,在幀刷新過程中,這兩位可以用于在第一電平和下一電平之間的抖動。例如,如果這兩位都是零,那么第一電平可以顯示四次。如果這兩位是零和一,那么第一電平顯示三次而下一電平顯示一次。如果這兩位是一和零,那么第一電平顯示兩次而下一電平顯示兩次。最后,如果這兩位都是一,那么第一電平顯示一次而下一電平顯示三次。當(dāng)然可以使用LUT尋址和輸出的其他特殊實施方式。
為了全面理解本發(fā)明各個實施方案,在本發(fā)明的公開內(nèi)容中,提供了許多特定細(xì)節(jié),諸如裝置、工藝參數(shù)、材料,工序和結(jié)構(gòu)。但是,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到,即使缺少一個或多個特定細(xì)節(jié),本發(fā)明也是可以實施的。在其他情況下,那些公知的細(xì)節(jié)沒有示出或描述以避免與本發(fā)明的各個方面相混淆。
盡管已經(jīng)提供了本發(fā)明的各個具體實施方案,但是應(yīng)該理解,這些實施方案是出于說明的目的而并非限制性的。在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員閱讀了公開的內(nèi)容之后很容易得到許多另外的實施方案。因此,本發(fā)明僅僅受下面的權(quán)利要求的限制。
權(quán)利要求
1.一種用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的方法,該方法包括以第一極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件;將極性從第一極性切換為第二極性;以第二極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件;以及將極性從第二極性切換為第一極性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,該方法進一步包括重復(fù)上述步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法,其中以第一極性驅(qū)動光調(diào)制元件包括從對應(yīng)于光強度的驅(qū)動電平的第一查找表中讀取驅(qū)動電平;其中以第二極性驅(qū)動光調(diào)制元件包括從對應(yīng)于光強度的驅(qū)動電平的第二查找表中讀取驅(qū)動電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法,其中將極性從第一極性切換為第二極性包括從利用第一查找表切換為利用第二查找表,其中將極性從第二極性切換為第一極性包括從利用第二查找表切換為利用第一查找表。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中通過光調(diào)制陣列的雙極性操作來減小光調(diào)制元件上的電荷積累。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中光調(diào)制陣列包括微機電系統(tǒng)(MEMS)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中光調(diào)制陣列的元件包括光柵光閥型器件。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中MEMS用于在光網(wǎng)中切換光信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中MEMS用在投影顯示系統(tǒng)中。
10.一種用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的裝置,該裝置包括第一查找表,存儲用于在第一極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù);第二查找表,存儲用于在第二極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù);以及驅(qū)動系統(tǒng),用于驅(qū)動光調(diào)制陣列的元件;其中該驅(qū)動系統(tǒng)與第一和第二查找表相耦合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置,其中該驅(qū)動系統(tǒng)被配置為在第一極性模式下訪問來自第一查找表的數(shù)據(jù),并且在第二極性模式下訪問來自第二查找表的數(shù)據(jù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的裝置,其中該驅(qū)動系統(tǒng)在第一極性模式和第二極性模式之間來回切換。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置,其中通過光調(diào)制陣列的雙極性操作來減少在光調(diào)制元件上的電荷積累。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置,其中光調(diào)制陣列包括微機電系統(tǒng)(MEMS)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的裝置,其中光調(diào)制陣列的元件包括光柵光閥型器件。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的裝置,其中MEMS用于在光網(wǎng)中切換光信號。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的裝置,其中MEMS用在投影顯示系統(tǒng)中。
18.一種利用光調(diào)制陣列的系統(tǒng),該系統(tǒng)包括用于以第一極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件的裝置;用于將極性從第一極性切換到第二極性的裝置;用于以第二極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件的裝置;用于將極性從第二極性切換到第一極性的裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng),該系統(tǒng)還包括用于重復(fù)上述步驟的裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的系統(tǒng),其中以第一極性驅(qū)動光調(diào)制元件包括從對應(yīng)于光強度的驅(qū)動電平的第一查找表中讀取驅(qū)動電平;其中以第二極性驅(qū)動光調(diào)制元件包括從對應(yīng)于光強度的驅(qū)動電平的第二查找表中讀取驅(qū)動電平,以及其中將極性從第一極性切換為第二極性包括從利用第一查找表切換為利用第二查找表,其中將極性從第二極性切換為第一極性包括從利用第二查找表切換為利用第一查找表。
全文摘要
公開的一個實施例包括一種用于光調(diào)制陣列的雙極性操作的方法。該方法包括以第一極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件(602),將極性從第一極性切換為第二極性(604),以第二極性驅(qū)動該陣列的光調(diào)制元件(606),將極性從第二極性切換為第一極性(608),以及重復(fù)上述步驟。公開的另一個實施例包括一種利用光調(diào)制陣列的裝置。該裝置包括第一查找表(702),存儲用于在第一極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù),和第二查找表(704),存儲用于在第二極性模式下操作光調(diào)制陣列的元件的數(shù)據(jù)。該裝置還包括用于驅(qū)動光調(diào)制陣列的元件的驅(qū)動系統(tǒng)(708)。該驅(qū)動系統(tǒng)與第一和第二查找表相耦合。
文檔編號H04N5/202GK1678938SQ03820200
公開日2005年10月5日 申請日期2003年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月26日
發(fā)明者D·A·勒霍蒂, B·P·斯塔克 申請人:硅光機器公司
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