聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]聲表面波濾波器利用壓電材料上的聲表面波的激發(fā)、傳播與接收完成其濾波特性。聲表面波波長(zhǎng)在100μπι~2μπι的范圍，是一種對(duì)其傳播表面非常敏感的機(jī)械波。為了讓聲波元件中的聲表面波在無(wú)干擾的情況下傳播，封裝中的芯片表面上方要有一個(gè)空腔。
[0003]傳統(tǒng)聲表面波濾波封裝通常是將聲表面波濾波器安裝在LTCC或HTCC基片上，然后使用金屬帽蓋、頂部密封或包膜工藝對(duì)模塊加以密封，形成空腔結(jié)構(gòu)。
[0004]上述傳統(tǒng)工藝方法存在以下不足和缺陷:
1、傳統(tǒng)聲表面波濾波器封裝工藝，需要使用昂貴的聚合物膜、金屬罩等材料，成本較尚;
2、使用LTCC或HTCC陶瓷基板，成本較高，為有機(jī)基板的3~4倍；需要進(jìn)行模具的設(shè)計(jì)和制作，而且混料、流延、疊片、沖孔等工藝難度較大，陶瓷具有收縮性，成品率低；
3、聲表面波封裝過(guò)程中需要膜封裝工序，該工序控制困難，使封裝器件一致性差、可靠性低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于克服上述不足，提供一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，它采用有機(jī)基板，取消膜封裝工藝，不需要使用昂貴的陶瓷基板及膜封裝需要的聚合物薄膜、金屬罩等材料，大幅度簡(jiǎn)化工藝流程，能提高封裝良率及降低成本。
[0006]本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板，所述基板正面金屬線路層上設(shè)置有金屬屏蔽墻，所述基板背面金屬線路層上設(shè)置有表面金屬層，所述金屬屏蔽墻上通過(guò)膠膜倒裝有芯片，所述芯片正面與基板正面的金屬線路層之間通過(guò)導(dǎo)電金屬柱相連接，所述基板、金屬屏蔽墻和芯片之間形成空腔，所述基板正面金屬屏蔽墻和芯片外圍區(qū)域包封有塑封料。
[0007]所述導(dǎo)電金屬柱位于金屬屏蔽墻內(nèi)側(cè)。
[0008]所述金屬屏蔽墻左右兩側(cè)設(shè)置有開(kāi)口，所述導(dǎo)電金屬柱設(shè)置成長(zhǎng)方形，所述長(zhǎng)方形的導(dǎo)電金屬柱設(shè)置于開(kāi)口內(nèi)側(cè)。
[0009]所述導(dǎo)電金屬柱位于金屬屏蔽墻外側(cè)。
[0010]所述金屬屏蔽墻左右兩側(cè)或四側(cè)設(shè)置有開(kāi)口，所述開(kāi)口內(nèi)側(cè)設(shè)置有阻料墻。
[0011]所述基板正面的金屬線路層與金屬線路層之間跨設(shè)有單個(gè)或多個(gè)被動(dòng)元件。
[0012]所述芯片上方設(shè)置有散熱器。
[0013]所述基板背面的表面金屬層米用金屬球代替。
[0014]所述基板正面設(shè)置有多個(gè)倒裝芯片。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果: 1、不需使用昂貴的陶瓷基板，只需使用普通常規(guī)的基板，可以有效的控制成本；
2、基板引腳正面鍍有金屬屏蔽墻，可以在芯片表面形成空腔，使聲波元件中的聲表面波在無(wú)干擾的情況下傳播，封裝制程工藝簡(jiǎn)單，可以省去復(fù)雜的膜封工序，避免使用昂貴的聚合物膜和金屬罩等材料。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為圖1的俯視圖。
[0018]圖3為圖2中金屬屏蔽墻的另一實(shí)施例圖。
[0019]圖4為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖5為圖4的俯視圖。
[0021]圖6為圖5中金屬屏蔽墻的另一實(shí)施例圖。
[0022]圖7為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖8為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例4的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖9為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例5的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖10為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖11為本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)實(shí)施例7的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]其中:
基板I
金屬屏蔽墻2 表面金屬層3 芯片4
導(dǎo)電金屬柱5 膠膜6 空腔7 塑封料8 被動(dòng)元件9 散熱器10 金屬球11 開(kāi)口 12 阻料墻13。
【具體實(shí)施方式】
[0028]實(shí)施例1:單芯片倒裝四面無(wú)引腳(金屬柱位于屏蔽墻內(nèi)側(cè))
參見(jiàn)圖1、圖2，本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板1，所述基板I正面金屬線路層上設(shè)置有金屬屏蔽墻2，所述基板I背面金屬線路層上設(shè)置有表面金屬層3，所述金屬屏蔽墻2上通過(guò)膠膜6倒裝有芯片4，所述芯片4正面與基板I正面的金屬線路層之間通過(guò)導(dǎo)電金屬柱5相連接，所述導(dǎo)電金屬柱5位于金屬屏蔽墻2內(nèi)側(cè)，所述基板1、金屬屏蔽墻2和芯片4之間形成空腔7，所述基板I正面金屬屏蔽墻2和芯片4外圍區(qū)域包封有塑封料8ο
[0029]圖3為金屬屏蔽墻的另一實(shí)施例圖，圖3中，所述金屬屏蔽墻2左右兩側(cè)設(shè)置有開(kāi)口 12，所述導(dǎo)電金屬柱5設(shè)置成長(zhǎng)方形，所述長(zhǎng)方形的導(dǎo)電金屬柱5設(shè)置于開(kāi)口 12內(nèi)側(cè)，在塑封時(shí)能夠阻擋塑封料，防止塑封料通過(guò)開(kāi)口 12進(jìn)入金屬屏蔽墻2內(nèi)部。
[0030]實(shí)施例2:單芯片倒裝四面無(wú)引腳(金屬柱位于屏蔽墻外側(cè))
參見(jiàn)圖4，實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述導(dǎo)電金屬柱5位于金屬屏蔽墻2外側(cè)。
[0031]參見(jiàn)圖5、圖6，所述金屬屏蔽墻2左右兩側(cè)或四側(cè)設(shè)置有開(kāi)口 12，所述開(kāi)口 12內(nèi)側(cè)設(shè)置有阻料墻13。
[0032]實(shí)施例3:單芯片倒裝四面無(wú)引腳+被動(dòng)元件
參見(jiàn)圖7，實(shí)施例3與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述基板I正面的金屬線路層與金屬線路層之間跨設(shè)有單個(gè)或多個(gè)被動(dòng)元件9。
[0033]實(shí)施例4:單芯片倒裝四面無(wú)引腳+散熱器
參見(jiàn)圖8，實(shí)施例4與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述芯片4上方設(shè)置有散熱器10。
[0034]實(shí)施例5:單芯片倒裝四面無(wú)引腳+被動(dòng)元件+散熱器
參見(jiàn)圖9，實(shí)施例5與實(shí)施例4的區(qū)別在于:所述基板I正面的金屬線路層與金屬線路層之間跨設(shè)有單個(gè)或多個(gè)被動(dòng)元件9。
[0035]實(shí)施例6:多芯片平鋪倒裝四面無(wú)引腳
參見(jiàn)圖10，實(shí)施例6與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述基板I正面設(shè)置有多個(gè)倒裝芯片4。
[0036]實(shí)施例7:單芯片球柵陣列
參見(jiàn)圖11，實(shí)施例7與實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述基板I背面的表面金屬層3采用金屬球11代替。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:它包括基板(1)，所述基板(I)正面金屬線路層上設(shè)置有金屬屏蔽墻(2)，所述基板(I)背面金屬線路層上設(shè)置有表面金屬層(3)，所述金屬屏蔽墻(2)上通過(guò)膠膜(6)倒裝有芯片(4)，所述芯片(4)正面與基板(I)正面的金屬線路層之間通過(guò)導(dǎo)電金屬柱(5)相連接，所述基板(1)、金屬屏蔽墻(2)和芯片(4)之間形成空腔(7)，所述基板(I)正面金屬屏蔽墻(2)和芯片(4)外圍區(qū)域包封有塑封料(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電金屬柱(5)位于金屬屏蔽墻(2)內(nèi)側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬屏蔽墻(2)左右兩側(cè)中部設(shè)置有開(kāi)口(12)，所述導(dǎo)電金屬柱(5)設(shè)置成長(zhǎng)方形，所述長(zhǎng)方形的導(dǎo)電金屬柱(5)設(shè)置于開(kāi)口(12)內(nèi)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電金屬柱(5)位于金屬屏蔽墻(2)外側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬屏蔽墻(2)左右兩側(cè)或四側(cè)設(shè)置有開(kāi)口(12)，所述開(kāi)口(12)內(nèi)側(cè)設(shè)置有阻料墻(13)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板(I)正面的金屬線路層與金屬線路層之間跨設(shè)有單個(gè)或多個(gè)被動(dòng)元件(9)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片(4)上方設(shè)置有散熱器(10)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板(I)背面的表面金屬層(3)采用金屬球(11)代替。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板(I)正面設(shè)置有多個(gè)倒裝芯片(4)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，它包括基板（1），所述基板（1）正面設(shè)置有金屬屏蔽墻（2），所述基板（1）背面設(shè)置有表面金屬層（3），所述金屬屏蔽墻（2）上通過(guò)膠膜（6）倒裝有芯片（4），所述芯片（4）正面與基板（1）正面的金屬線路層之間通過(guò)導(dǎo)電金屬柱（5）相連接，所述基板（1）、金屬屏蔽墻（2）和芯片（4）之間形成空腔（7），所述基板（1）正面金屬屏蔽墻（2）和芯片（4）外圍區(qū)域包封有塑封料（8）。本發(fā)明一種聲表面波濾波器封裝結(jié)構(gòu)，它采用有機(jī)基板，取消膜封裝工藝，不需要使用昂貴的陶瓷基板及膜封裝需要的聚合物薄膜、金屬罩等材料，大幅度簡(jiǎn)化工藝流程，能提高封裝良率及降低成本。
【IPC分類】H01L23-31, H01L23-552, H03H9-64
【公開(kāi)號(hào)】CN104868872
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510189814
【發(fā)明人】包旭升, 孔海申, 徐林華, 王錦龍
【申請(qǐng)人】江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2015年4月21日