軟硬結合電路板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板加工領域，具體而言，涉及一種軟硬結合電路板的制作方法和用該方法制作的軟硬結合電路板。
【背景技術】
[0002]軟硬結合電路板板是指在一塊印制電路板上包含一個或多個硬性區(qū)域和一個或多個軟性區(qū)域，由硬板和軟板按一定順序有選擇的層壓在一起形成的，以金屬化孔導通連接。軟硬結合電路板兼具硬板的耐久性和軟板的柔性，其特點是小型化、安裝靈活性及能夠滿足三維組裝的要求，特別適合在便攜式電子產品、醫(yī)療電子產品、軍事設備等精密電子方面的應用。
[0003]軟硬結合板的制作工藝是非常復雜的，根據不同的設計要求，其制作工藝明顯不一樣，但總的設計思路可分別兩種:第一種是在需要露出軟板區(qū)域(彎折區(qū))的硬板及半固化片上開窗，在疊板壓合時放入預先開好的與彎折區(qū)相同大小、厚度的不同F(xiàn)R4 (玻璃纖維環(huán)氧樹脂覆銅板耐燃材料等級的代號)基材或其他墊片進行填充，最后將墊片取出，露出彎折區(qū)；第二種是使用低流動度的半固化片，并在半固化片上開窗，半固化片與CCL壓合。制作工藝可概括為以下步驟:首先，分別制作軟性電路基板和硬性電路基板；然后，在硬性電路基板的預定區(qū)域形成開口 ；最后，將軟性電路基板和硬性電路基板壓合，部分軟性電路基板可從硬性電路基板上的開口露出從而形成柔性區(qū)，而其余部分的軟性電路基板與硬性電路基板一起形成剛性區(qū)，從而形成具有柔性區(qū)和剛性區(qū)的軟硬結合板。
[0004]通過上述分析可知，現(xiàn)有的制作工藝均需開窗處理，且對于介質層薄的軟硬結合電路板在制作過程中必須要用到墊片，其加工流程及操作性均比較復雜。因此，有必要提供一種無需開窗、且使用范圍廣、加工流程簡單的方法制作軟硬結合板。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一。
[0006]為此，本發(fā)明的一個方面的目的在于，提供一種軟硬結合電路板的制作方法，在制作軟硬結合電路板的過程中無需開窗，且在制作介質層薄的軟硬結合電路板時無需使用墊片，制作工藝簡單，成本低，適用于介質層很厚或介質層薄的軟硬結合電路板的制作，應用范圍廣。
[0007]本發(fā)明的另一個方面的目的在于，提供一種用該軟硬結合電路板的制作方法制成的軟硬結合電路板。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一個方面的實施例提供了一種軟硬結合電路板的制作方法，包括以下步驟:
[0009]步驟102，提供設置有線路圖形并貼附有覆蓋膜的軟板；
[0010]步驟104，在所述軟板的需要外露區(qū)處貼附可剝離的保護膜；
[0011]步驟106，按疊構要求，將銅箔層、半固化片與所述軟板，或者，硬板、半固化片與所述軟板進行疊板并壓合；
[0012]步驟108，對壓合后的電路板進行制作處理，得到制作好圖形線路的軟硬結合電路板半成品；
[0013]步驟110，在所述軟硬結合電路板半成品的板面上沿與所述外露區(qū)相對應的邊界線進行控深切割，將切下物和所述保護膜一起取出，露出所述軟板上的所述外露區(qū)。
[0014]本發(fā)明上述實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法，首先制作軟板，然后在軟板的需要外露區(qū)貼附可剝離的保護膜，此保護膜的厚度很小，在銅箔層(或者硬板)、半固化片和軟板進行壓合時，半固化片在壓力的作用下軟化，與保護膜接觸的一側的半固化片會發(fā)生微形變，使半固化片能均勻的覆蓋在保護膜和覆蓋膜上，壓合后按常規(guī)的電路板制作流程進行制作，得到制作好圖形線路的軟硬結合電路板半成品；最后進行控深切割，并取下被切割的銅箔層(或者硬板)和半固化片，并利用保護膜與半固化片間的粘合力，使保護膜與軟板相剝離，一并取出保護膜，露出軟板上的外露區(qū)，其中，軟板上的外露區(qū)形成柔性區(qū)，其余部分形成剛性區(qū)，從而形成具有柔性區(qū)和剛性區(qū)的軟硬結合電路板。
[0015]本發(fā)明上述實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法，由于使用的保護膜厚度較小，在壓合過程中，半固化片在壓力的作用下軟化、形變，然后均勻地壓合在保護膜和覆蓋膜上，這樣在壓合前無需在半固化片上預先開窗，節(jié)省了加工步驟，工藝方法簡單；在制備介質層(兩銅箔層之間為介質層)較薄的軟硬結合電路板時，如:用銅箔層、半固化片(介質層)和軟板壓合時，無需使用墊片，制作方法簡單且降低了成本；本發(fā)明實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法同時適用于制備介質層較厚的軟硬結合電路板(如用硬板、半固化片和軟板壓合制得的軟硬結合電路板)和介質層較薄的軟硬結合電路板(如用銅箔層、半固化片和軟板壓合制得的軟硬結合電路板)，使用范圍廣。
[0016]本發(fā)明另一個方面的實施例提供了一種軟硬結合電路板，采用上述的軟硬結合電路板的制作方法制成。
[0017]綜上所述，本發(fā)明提供的軟硬結合電路板的制作方法，在制作軟硬結合電路板的過程中無需預先開窗，且在制作介質層薄的軟硬結合電路板時無需使用墊片，制作工藝簡單，節(jié)省了加工時間，降低了軟硬結合電路板的制作成本，提高了產品的競爭力。
【附圖說明】
[0018]圖1是根據本發(fā)明一實施例所述的軟硬結合電路板制作方法的加工流程圖；
[0019]圖2a至圖2e為用本發(fā)明一實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法制作軟硬結合電路板的各加工階段的示意圖；
[0020]圖3a至圖3e為用本發(fā)明另一實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法制作軟硬結合電路板的各加工階段的示意圖。
[0021]其中，圖2a至圖3e中附圖標記與部件名稱之間的對應關系為:
[0022]I軟板，11軟性電路基板，12覆蓋膜，2保護膜，3半固化片，
[0023]4覆銅板，41基板，51銅箔層，52Ad膠層，53PI層
【具體實施方式】
[0024]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0025]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來實施，因此，本發(fā)明的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0026]如圖1所示，根據本發(fā)明一方面的實施例提供的一種軟硬結合電路板的制作方法，制作介質層較薄的軟硬結合電路板時，包括以下步驟:
[0027]步驟102，提供設置有線路圖形并貼附有覆蓋膜的軟板；
[0028]步驟104，在所述軟板的需要外露區(qū)處貼附可剝離的保護膜；
[0029]步驟106，按疊構要求，將銅箔層、半固化片與所述軟板進行疊板并壓合；
[0030]步驟108，對壓合后的電路板進行制作處理，得到制作好圖形線路的軟硬結合電路板半成品；
[0031]步驟110，在所述軟硬結合電路板半成品的板面上沿與所述外露區(qū)相對應的邊界線進行控深切割，將切下物和所述保護膜一起取出，露出所述軟板上的所述外露區(qū)。
[0032]用本發(fā)明上述實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法，制作介質層較薄的軟硬結合電路板時，首先制作軟板，然后在軟板的需要外露區(qū)貼附可剝離的保護膜，此保護膜的厚度很小，在銅箔層、半固化片和軟板進行壓合時，半固化片在壓力的作用下軟化，與保護膜接觸的一側的半固化片會發(fā)生微形變，使半固化片能均勻的覆蓋在保護膜和覆蓋膜上，壓合后按常規(guī)的電路板制作流程進行制作，得到制作好圖形線路的軟硬結合電路板半成品；最后進行控深切割，并取下被切割的銅箔層和半固化片，并利用保護膜與半固化片間的粘合力，使保護膜與軟板相剝離，一并取出保護膜，露出軟板上的外露區(qū)，其中，軟板上的外露區(qū)形成柔性區(qū)，其余部分形成剛性區(qū)，從而形成具有柔性區(qū)和剛性區(qū)的軟硬結合電路板。
[0033]當然，還可以用本發(fā)明實施例提供的軟硬結合電路板制作方法來制作介質層較厚的軟硬結合電路板，其過程如下:
[0034]步驟102，提供設置有線路圖形并貼附有覆蓋膜的軟板；
[0035]步驟104，在所述軟板的需要外露區(qū)貼附可剝離的保護膜；
[0036]步驟106，按疊構要求，將硬板、半固化片與所述軟板進行疊板并壓合；
[0037]步驟108，對壓合后的電路板進行制作處理，得到制作好圖形線路的軟硬結合電路板半成品；
[0038]步驟110，在所述軟硬結合電路板半成品的板面上沿與所述外露區(qū)相對應的邊界線進行控深切割，將切下物和所述保護膜一起取出，露出所述軟板上的所述外露區(qū)。
[0039]用本發(fā)明上述實施例提供的軟硬結合電路板的制作方法制作軟硬結合電路板時，由于使用的保護膜厚度較小，在壓合過程中，半固化片在壓力的作用下軟化、形變，然后均勻地壓合在保護膜和覆蓋膜上，這樣在壓合前無需在半固化片上預先開窗，節(jié)省了加工步驟，工藝方法簡單；在制備介質層較薄的軟硬結合電路板時，如:用銅箔層、半固化片(介質層)和軟板壓合時，無需使用墊片，制作方法簡單且降低了成本；該軟硬結合電路板的制作方法同時適用于制備介質層較厚的軟硬結合電路板和介質層較薄的軟硬結合電路板，使用范圍廣。
[0040]根據本發(fā)明的一優(yōu)選實施例，在所述步驟104中，所述保護膜為聚酯膜或高溫膠帶或可剝膠。
[0041]保護膜為聚酯膜或高溫膠帶或可剝膠，使得保護膜具有一定的粘度，可貼附在覆蓋膜上，控深切割后，保護膜可從覆蓋膜上剝離，且覆蓋膜上無殘留。
[0042]具體地，所述保護膜的厚度為12 μ m至30 μ m。
[0043]保護膜的厚度為12 μ m至30 μ m，厚度很薄，這樣在壓合前無需在半固化