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一種三維集成電路板的制作方法與流程

文檔序號:11235659閱讀:1024來源:國知局

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域,具體涉及一種三維集成電路板的制作方法。



背景技術(shù):

三維集成電路結(jié)構(gòu)是一種較為先進的電子集成電路器件,與傳統(tǒng)的二維(平面)集成電路相比,這種三維集成電路的導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)具有明顯的優(yōu)越性,應(yīng)用也更加廣泛。在導(dǎo)體軌道結(jié)構(gòu)的制備技術(shù)中,導(dǎo)體軌道承載材料的制備占據(jù)十分重要的地位。

目前普遍采用在塑性材料中加入添加物的方法,其存在問題是由于添加物在塑性材料中分布的不均勻,對金屬導(dǎo)體軌道的金屬鍍層的附著力有不利影響,從而影響了金屬導(dǎo)體軌道的制備。目前正在使用的承載材料是在不導(dǎo)電的承載材料中只添加含銅元素的物質(zhì),所以,目前制備金屬軌道的方法采用沖擊鍍銅、多道水洗、再鍍厚銅、多道水洗、在最后化學(xué)鍍鎳。在金屬軌道的金屬化的過程中,必需采用含有大量甲醛作為還原劑的預(yù)沖擊鍍化學(xué)鍍銅液。甲醛是一種對環(huán)境污染影響很大的物質(zhì),如果能夠減少使用量或不用,那將是一件有利于環(huán)保的大事。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

針對上述問題,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是一種三維集成電路板的制作方法,不產(chǎn)生對環(huán)境污染的物質(zhì)。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種三維集成電路板的制作方法,包括以下步驟:

步驟1:在熱塑性承載材料中加入非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類,用注塑機注塑成型為構(gòu)件,其中,非金屬光誘導(dǎo)催化劑醇類的含量為5~15%,注塑成型溫度為80~150℃;

步驟2:用波長為1000~1500nm的激光射線在構(gòu)件的表面照射出的線路排布圖案,在構(gòu)件表面照射的時間為5~15s;

步驟3:在20~30℃溫度環(huán)境下浸入ph值為4~6的氯化鎳和硝酸銀的混合溶液,浸泡時間為5~15min;

步驟4:將構(gòu)件從氯化鎳和硝酸銀的混合溶液取出,并且用蒸餾水清洗;

步驟5:將清洗過后的構(gòu)件放入ph=5~6的含有還原劑的溶液中浸泡,浸泡時間為10~30min,使得構(gòu)件表面生成相應(yīng)的金屬核;

步驟6:進行化學(xué)鍍銅,鍍銅厚度為8~16mm。

優(yōu)選地,所述的非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類為固態(tài)或液態(tài)或者氣態(tài)的三元醇。

優(yōu)選地,所述的熱塑性承載材料為聚氯乙烯、聚碳酸酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯。

優(yōu)選地,所述步驟2中的激光調(diào)制頻率為1000~5000hz,脈沖寬度為5~150ns。

優(yōu)選地,所述步驟2中的激光平均功率為10~200w。

優(yōu)選地,所述蒸餾水的溫度為40~60℃。

優(yōu)選地,所述步驟5中的還原劑為硫酸亞鐵、硼氫化鈉、硼氫化鉀和氧化亞錫中的一種或幾種。

優(yōu)選地,所述步驟7中的的化學(xué)鍍銅的鍍銅液按照重量份包括,無水硫酸銅10~20份、亞鐵氰化鉀5~10份、聯(lián)吡啶6~9份、酒石酸鉀鈉0.5~2.5份。

優(yōu)選地,所述鍍銅液的ph值為10~12,溫度為50~60℃。

本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明提供一種三維集成電路板的制作方法,在承載材料中不添加任何金屬元素成分,金屬元素通過電鍍的方式覆在集成電路板構(gòu)件上,并且在承載塑性材料中添加少量非金屬光誘導(dǎo)催化劑,使得承載材料在激光鐳射后,保持了承載材料的原有機械性能,而且性能穩(wěn)定,降低成本,減少對環(huán)境的污染。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下實施例,對本發(fā)明進行進一步的詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不限定本發(fā)明。

實施例1

一種三維集成電路板的制作方法,包括以下步驟:

步驟1:在熱塑性承載材料中加入非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類,用注塑機注塑成型為構(gòu)件,其中,非金屬光誘導(dǎo)催化劑醇類的含量為15%,注塑成型溫度為150℃;

步驟2:用波長為1500nm的激光射線在構(gòu)件的表面照射出的線路排布圖案,在構(gòu)件表面照射的時間為15s;

步驟3:在30℃溫度環(huán)境下浸入ph值為6的氯化鎳和硝酸銀的混合溶液,浸泡時間為15min;

步驟4:將構(gòu)件從氯化鎳和硝酸銀的混合溶液取出,并且用蒸餾水清洗;

步驟5:將清洗過后的構(gòu)件放入ph=6的含有還原劑的溶液中浸泡,浸泡時間為10min,使得構(gòu)件表面生成相應(yīng)的金屬核;

步驟6:進行化學(xué)鍍銅,鍍銅厚度為8mm。

所述的非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類為固態(tài)或液態(tài)或者氣態(tài)的三元醇。

所述的熱塑性承載材料為聚氯乙烯、聚碳酸酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯。

所述步驟2中的激光調(diào)制頻率為1000hz,脈沖寬度為5ns。

所述步驟2中的激光平均功率為10w。

所述蒸餾水的溫度為40℃。

所述步驟5中的還原劑為硫酸亞鐵、硼氫化鈉、硼氫化鉀和氧化亞錫中的一種或幾種。

所述步驟7中的的化學(xué)鍍銅的鍍銅液按照重量份包括,無水硫酸銅10份、亞鐵氰化鉀5份、聯(lián)吡啶6份、酒石酸鉀鈉0.5份。

所述鍍銅液的ph值為10,溫度為50℃。

實施例2

一種三維集成電路板的制作方法,包括以下步驟:

步驟1:在熱塑性承載材料中加入非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類,用注塑機注塑成型為構(gòu)件,其中,非金屬光誘導(dǎo)催化劑醇類的含量為10%,注塑成型溫度為100℃;

步驟2:用波長為1200nm的激光射線在構(gòu)件的表面照射出的線路排布圖案,在構(gòu)件表面照射的時間為10s;

步驟3:在25℃溫度環(huán)境下浸入ph值為5的氯化鎳和硝酸銀的混合溶液,浸泡時間為10min;

步驟4:將構(gòu)件從氯化鎳和硝酸銀的混合溶液取出,并且用蒸餾水清洗;

步驟5:將清洗過后的構(gòu)件放入ph=5的含有還原劑的溶液中浸泡,浸泡時間為20min,使得構(gòu)件表面生成相應(yīng)的金屬核;

步驟6:進行化學(xué)鍍銅,鍍銅厚度為12mm。

所述的非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類為固態(tài)或液態(tài)或者氣態(tài)的三元醇。

所述的熱塑性承載材料為聚氯乙烯、聚碳酸酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯。

所述步驟2中的激光調(diào)制頻率為3000hz,脈沖寬度為50ns。

所述步驟2中的激光平均功率為100w。

所述蒸餾水的溫度為50℃。

所述步驟5中的還原劑為硫酸亞鐵、硼氫化鈉、硼氫化鉀和氧化亞錫中的一種或幾種。

所述步驟7中的的化學(xué)鍍銅的鍍銅液按照重量份包括,無水硫酸銅15份、亞鐵氰化鉀7份、聯(lián)吡啶7份、酒石酸鉀鈉1.5份。

所述鍍銅液的ph值為11,溫度為55℃。

實施例3

一種三維集成電路板的制作方法,包括以下步驟:

步驟1:在熱塑性承載材料中加入非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類,用注塑機注塑成型為構(gòu)件,其中,非金屬光誘導(dǎo)催化劑醇類的含量為15%,注塑成型溫度為150℃;

步驟2:用波長為1500nm的激光射線在構(gòu)件的表面照射出的線路排布圖案,在構(gòu)件表面照射的時間為15s;

步驟3:在30℃溫度環(huán)境下浸入ph值為6的氯化鎳和硝酸銀的混合溶液,浸泡時間為15min;

步驟4:將構(gòu)件從氯化鎳和硝酸銀的混合溶液取出,并且用蒸餾水清洗;

步驟5:將清洗過后的構(gòu)件放入ph=6的含有還原劑的溶液中浸泡,浸泡時間為30min,使得構(gòu)件表面生成相應(yīng)的金屬核;

步驟6:進行化學(xué)鍍銅,鍍銅厚度為16mm。

所述的非金屬光誘導(dǎo)催化劑醛類為固態(tài)或液態(tài)或者氣態(tài)的三元醇。

所述的熱塑性承載材料為聚氯乙烯、聚碳酸酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯。

所述步驟2中的激光調(diào)制頻率為5000hz,脈沖寬度為150ns。

所述步驟2中的激光平均功率為200w。

所述蒸餾水的溫度為60℃。

所述步驟5中的還原劑為硫酸亞鐵、硼氫化鈉、硼氫化鉀和氧化亞錫中的一種或幾種。

所述步驟7中的的化學(xué)鍍銅的鍍銅液按照重量份包括,無水硫酸銅20份、亞鐵氰化鉀10份、聯(lián)吡啶9份、酒石酸鉀鈉2.5份。

所述鍍銅液的ph值為12,溫度為60℃。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改,或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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