實施方式涉及一種顯示裝置和一種制造該顯示裝置的方法。

背景技術：

1、顯示裝置可視地顯示數(shù)據(jù)。顯示裝置可以通過發(fā)光二極管提供圖像。隨著顯示裝置的使用的多樣化，正在嘗試用于改善顯示裝置的質量的各種設計。

技術實現(xiàn)思路

1、實施方式包括具有改善的可靠性和質量的顯示裝置和制造該顯示裝置的方法。然而，這個目的僅是示例，并且實施方式的范圍不限于此。

2、附加特征將部分地在隨后的描述中闡述，并且部分地將從描述中顯而易見，或者可以通過本公開的所呈現(xiàn)的實施方式的實踐而習得。

3、在本公開的實施方式中，顯示裝置包括：襯底；柵極絕緣層，設置在襯底上；輔助電極，設置在柵極絕緣層上，在與襯底的主平面平行的平面中的第一方向上延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分在平面中的與第一方向交叉的第二方向上具有第一厚度，并且第二部分在第二方向上具有第二厚度；無機絕緣層，設置在柵極絕緣層上并且限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第一開口；有機絕緣層，設置在無機絕緣層上并且限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第二開口；中間層，設置在有機絕緣層上并且限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第三開口；以及相對電極，設置在中間層上并且與輔助電極的上表面和側表面接觸，其中，第二部分的第二厚度小于第一部分的第一厚度。

4、在實施方式中，中間層的第三開口的面積可以大于其中設置有輔助電極的區(qū)域的面積。

5、在實施方式中，無機絕緣層的第一開口的尺寸可以大于有機絕緣層的第二開口的尺寸。

6、在實施方式中，有機絕緣層的第二開口的尺寸可以大于中間層的第三開口的尺寸。

7、在實施方式中，顯示裝置還可以包括第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管包括設置在襯底上的半導體層、設置在半導體層上的柵電極、以及設置在柵電極上的源電極和漏電極。

8、在實施方式中，顯示裝置還可以包括有機發(fā)光二極管，有機發(fā)光二極管包括設置在有機絕緣層上的像素電極、設置在像素電極上的中間層、以及設置在中間層上的相對電極。

9、在實施方式中，顯示裝置還可以包括像素限定層，像素限定層設置在像素電極上，并且在像素限定層中限定暴露像素電極的至少一部分的開口。

10、在實施方式中，像素限定層可以限定第四開口，通過第四開口暴露輔助電極的第二部分的至少一部分。

11、在實施方式中，像素限定層的第四開口的尺寸可以大于有機絕緣層的第二開口的尺寸和中間層的第三開口的尺寸中的每個。

12、在實施方式中，中間層可以包括與第三開口相鄰的第三部分和除了第三部分之外的與第三開口間隔開的第四部分，以及第三部分的在與襯底的主平面垂直的方向上的厚度可以大于第四部分的在與襯底的主平面垂直的方向上的厚度。

13、在本公開的實施方式中，制造顯示裝置的方法包括：在襯底上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成輔助電極，輔助電極在與襯底的主平面平行的平面中的第一方向上延伸，并且包括在與第一方向交叉的第二方向上具有第一厚度的第一部分、以及在第二方向上具有第二厚度的第二部分；在柵極絕緣層上形成無機絕緣層，無機絕緣層限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第一開口；在無機絕緣層上形成有機絕緣層，有機絕緣層限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第二開口；在有機絕緣層上形成中間層，中間層限定暴露輔助電極的第二部分的至少一部分的第三開口；以及在中間層上形成相對電極，相對電極與輔助電極的上表面和側表面接觸，其中，第二部分的第二厚度小于第一部分的第一厚度。

14、在實施方式中，在有機絕緣層上形成中間層可以包括：在有機絕緣層和輔助電極上連續(xù)地形成中間層；通過向輔助電極的第二部分的至少一部分施加脈沖電壓來生成熱量；以及通過使用熱量去除中間層的設置在輔助電極的上表面和側表面上的至少一部分來限定暴露輔助電極的第二部分的第三開口。

15、在實施方式中，脈沖電壓的脈沖寬度可以大于或等于約1微秒(μs)且小于或等于約10μs。

16、在實施方式中，中間層的第三開口的面積可以大于其中設置有輔助電極的區(qū)域的面積。

17、在實施方式中，無機絕緣層的第一開口的尺寸可以大于有機絕緣層的第二開口的尺寸，以及有機絕緣層的第二開口的尺寸可以大于中間層的第三開口的尺寸。

18、在實施方式中，所述方法還可以包括：在形成無機絕緣層之前，形成第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管包括設置在襯底上的半導體層、設置在半導體層上的柵電極、以及設置在柵電極上的源電極和漏電極。

19、在實施方式中，所述方法還可以包括：在形成中間層之前，在有機絕緣層上形成像素電極，以及在像素電極上形成像素限定層，在像素限定層中限定暴露像素電極的至少一部分的開口。

20、在實施方式中，像素限定層可以限定第四開口，通過第四開口暴露輔助電極的第二部分的至少一部分。

21、在實施方式中，中間層可以包括與第三開口相鄰的第三部分、以及除了第三部分之外的與第三開口間隔開的第四部分，以及第三部分的在與襯底的主平面垂直的方向上的厚度大于第四部分的在與襯底的主平面垂直的方向上的厚度。

技術特征：

1.顯示裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述中間層的所述第三開口的面積大于其中設置有所述輔助電極的區(qū)域的面積。

3.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述無機絕緣層的所述第一開口的尺寸大于所述有機絕緣層的所述第二開口的尺寸。

4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置，其特征在于，所述有機絕緣層的所述第二開口的所述尺寸大于所述中間層的所述第三開口的尺寸。

5.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括設置在所述襯底上的半導體層、設置在所述半導體層上的柵電極、以及設置在所述柵電極上的源電極和漏電極。

6.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管包括設置在所述有機絕緣層上的像素電極、設置在所述像素電極上的所述中間層、以及設置在所述中間層上的所述相對電極。

7.根據(jù)權利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，還包括像素限定層，所述像素限定層設置在所述像素電極上，并且在所述像素限定層中限定暴露所述像素電極的至少一部分的開口。

8.根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素限定層限定第四開口，通過所述第四開口暴露所述輔助電極的所述第二部分的所述至少一部分。

9.根據(jù)權利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素限定層的所述第四開口的尺寸大于所述有機絕緣層的所述第二開口的尺寸和所述中間層的所述第三開口的尺寸中的每個。

10.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述中間層包括與所述第三開口相鄰的第三部分和除了所述第三部分之外的與所述第三開口間隔開的第四部分，以及

技術總結
本申請涉及顯示裝置。顯示裝置包括：襯底；柵極絕緣層；輔助電極，在與襯底的主平面平行的平面圖中的第一方向上延伸，并且包括第一部分和第二部分，第一部分在與第一方向交叉的第二方向上具有第一厚度，并且第二部分在第二方向上具有第二厚度；無機絕緣層，限定暴露第二部分的一部分的第一開口；有機絕緣層，限定暴露第二部分的一部分的第二開口；中間層，設置在有機絕緣層上并且限定暴露第二部分的一部分的第三開口；以及相對電極，設置在中間層上并且與輔助電極的上表面和側表面接觸。第二部分的第二厚度小于第一部分的第一厚度。

技術研發(fā)人員：樸熙敏,金娥瓏,文英慜
受保護的技術使用者：三星顯示有限公司
技術研發(fā)日：20240322
技術公布日：2025/1/6